CN114553185A - 一种高隔离度双工器及其实现方法 - Google Patents
一种高隔离度双工器及其实现方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114553185A CN114553185A CN202210015382.XA CN202210015382A CN114553185A CN 114553185 A CN114553185 A CN 114553185A CN 202210015382 A CN202210015382 A CN 202210015382A CN 114553185 A CN114553185 A CN 114553185A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- series
- resonator
- filter
- port
- resonators
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims abstract description 50
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 47
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高隔离度双工器及其实现方法，双工器具有设置在天线端口与发射端口之间的发射滤波器，以及设置在天线端口与接收端口之间的接收滤波器，发射滤波器具有多个第一串联谐振器和第一并联谐振器，多个第一串联谐振器顺次串联在发射端口与天线端口之间形成第一串联路径，每个第一并联谐振器的一端连接在所述第一串联路径上，另一端接地；还具有一个抑制谐振器，抑制谐振器一端连接发射端口，另一端接地，抑制谐振器的谐振频率处于接收滤波器通带频率内。在本发明所提供的高隔离度双工器及其实现方法中，通过巧妙的电路结构设计，可以较好的实现双工器的高隔离度特性，同时能够较好的满足小型化的设计需求，具有较强的实际应用价值。
Description
技术领域
本发明涉及一种适用于移动通信终端的双工器，尤其涉及一种高隔离度双工器及其实现方法。
背景技术
当前，随着5G通信技术的普及，终端产品需要支持的频段越来越多，指标也越来越苛刻。双工器作用是将发射和接收讯号相隔离，保证接收和发射都能同时正常工作。对于双工器而言，隔离度是一项重要指标，双工器收发端的隔离度决定了信号之间的干扰程度。相较于从空气中接收到的微弱信号，发射端泄露至接收端的信号会对接收端的灵敏度产生很大的影响。为了实现更高的隔离度，在一些现有技术中采用了高Q值的声波谐振器，比如温度补偿声表面波(TC-SAW)与多层膜声表面波(TF-SAW)技术制备的谐振器具有更高的阻抗比，从而可以提供更高的抑制，然而该方式同时存在制备工艺相对复杂。作为另一种现有的改善双工器隔离度的方式，也可通过改进电路结构来实现，然而目前通过电路结构设计来提升双工器隔离度的方式也存在者设计结构较为复杂、隔离度提升效果不理想等问题，并且在提升隔离度的同时一定程度上也会对滤波器其它性能参数带来不利的影响。
此外，实现小型化设计也是目前对双工器提出的普遍需求，在目前的双工器设计中，实现小型化和隔离度特性的提升在一定程度存在冲突，比如：为了实现小型化，一般会尽可能的采用较少的元器件或者缩小元器件的尺寸，但是，这也会使得双工器的性能参数作出一些牺牲，同样的，为了提升隔离度等参数性能，也会不可避免的造成电路结构尺寸的增大，不利于实现小型化设计。因此，获得高隔离度和有利于小型化设计的双工器成为了日益迫切的需求。
发明内容
本发明的目的在于至少部分的解决上述现有技术问题，提供一种有利于实现小型化的高隔离度双工器及其实现方法。
本发明的一种高隔离度双工器，具有天线端口、发射端口和接收端口，在天线端口与发射端口之间连接有发射滤波器，在天线端口与接收端口之间连接有接收滤波器；
其中，所述发射滤波器具有多个第一串联谐振器和多个第一并联谐振器，所述多个第一串联谐振器顺次串联在发射端口与天线端口之间形成第一串联路径，每个第一并联谐振器的一端连接在所述第一串联路径上，另一端接地；
其中，还具有一个抑制谐振器，抑制谐振器一端连接发射端口，另一端接地，抑制谐振器的谐振频率处于接收滤波器通带频率内。
作为优选的，所述发射滤波器至少具有三个所述第一并联谐振器，每两个所述第一串联谐振器之间连接有一个所述第一并联谐振器，最靠近天线端口的两个所述第一并联谐振器共同连接至一个电感后接地。
作为优选的，所述接收滤波器具有多个第二串联谐振器、一个双模声波滤波器(DMS)和至少一个第二并联谐振器，所述多个第二串联谐振器和所述双模声波滤波器依次串联在接收端口与天线端口之间形成第二串联路径，所述第二并联谐振器的一端连接在所述第二串联路径上，另一端接地。
作为优选的，在所述天线端口与双模声波滤波器之间连接有一个所述第二串联谐振器。
作为优选的，还具有一个跨接电容，所述跨接电容的一端连接在所述双模声波滤波器与靠近天线端口的第二串联谐振器之间，另一端连接至所述电感后接地。
作为优选的，所述跨接电容被配置为叉指型电容。
作为优选的，所述高隔离度双工器的工作频率范围被配置在Band 1频段。
作为优选的，所述双工器还具备压电基板，在所述压电基板上构成具有所述发射滤波器和接收滤波器。
本发明还提供一种高隔离度双工器的实现方法，包括步骤：
在天线端口与发射端口之间连接发射滤波器，并在天线端口与接收端口之间连接接收滤波器，
其中，所述发射滤波器具有多个第一串联谐振器和多个第一并联谐振器，将所述多个第一串联谐振器顺次串联在发射端口与天线端口之间形成第一串联路径，并将每个第一并联谐振器的一端连接在所述第一串联路径上，另一端进行接地；
设置一个抑制谐振器，将该抑制谐振器一端连接发射端口，另一端进行接地，并将抑制谐振器的谐振频率配置于所述接收滤波器的通带频率内。
作为优选的，将所述发射滤波器设置为至少具有三个所述第一并联谐振器，在每两个第一串联谐振器之间连接一个第一并联谐振器，并将最靠近天线端口的两个第一并联谐振器共同连接至一个电感后进行接地；
将所述接收滤波器设置为具有多个第二串联谐振器、一个双模声波滤波器(DMS)和至少一个第二并联谐振器，所述多个第二串联谐振器和所述双模声波滤波器依次串联在接收端口与天线端口之间形成第二串联路径，所述第二并联谐振器的一端连接在所述第二串联路径上，另一端接地；
在所述天线端口与双模声波滤波器之间连接有一个所述第二串联谐振器；
还设置有一个跨接电容，将所述跨接电容的一端连接在所述双模声波滤波器与靠近天线端口的第二串联谐振器之间，另一端连接至所述电感后进行接地。
本发明的显著进步性至少体现在：
在本发明所提供的高隔离度双工器及其实现方法中，通过巧妙的电路结构设计，可以较好的实现双工器的高隔离度特性，同时能够较好的满足小型化的设计需求。并且，基于本发明的双工器设计构思，具有高设计灵活度的特点，具有较强的实际应用价值。
附图说明：
图1为对比例的高隔离度双工器的电路结构示意图；
图2为本申请一种实施例的高隔离度双工器的电路结构示意图；
图3为本申请另一实施例的高隔离度双工器的电路结构示意图；
图4为本申请另一实施例的高隔离度双工器的电路结构示意图；
图5为双工器中增大电感感值与增大谐振器面积的导纳变化图；
图6为双工器中增大电容容值的导纳变化图；
图7为图5和图6中三种调节方式的阻抗比对比图；
图8为不同实施方式下的双工器隔离特性变化曲线图，其中：
(a)为双工器中加上电容并增大容值的隔离度对比图；
(b)为双工器中加上抑制谐振器后增大容值的隔离度对比图；
(c)为双工器中加上抑制谐振器后增大谐振器P3、P4面积的隔离度对比图；
图9为图8(b)与图8(c)两种实施方式下发射滤波器的滤波特性图；
图10为本申请实施例的双工器的HFSS电磁仿真模型图；
图11为本申请实施例的双工器版图的显微镜照片；
图12为本申请实施例的双工器的仿真与实测对比。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-12所示，本发明提供的具体实施例如下：
本实施例提供一种高隔离度双工器，其具有天线端口、发射端口和接收端口，在天线端口与发射端口之间连接有发射滤波器，在天线端口与接收端口之间连接有接收滤波器；
其中，所述发射滤波器具有多个第一串联谐振器和多个第一并联谐振器，所述多个第一串联谐振器顺次串联在发射端口与天线端口之间形成第一串联路径，每个第一并联谐振器的一端连接在所述第一串联路径上，另一端接地；
其中，还具有一个抑制谐振器，抑制谐振器一端连接发射端口，另一端接地，抑制谐振器的谐振频率处于接收滤波器通带频率内。
值得说明的是，在本实施例中，所述抑制谐振器相当于以并联的方式连接在所述第一串联路径的连接点上，连接点位于发射端口与最靠近发射端口的所述第一串联谐振器之间。该抑制谐振器不用于形成发射滤波器，而将该抑制谐振器的谐振频率配置在所述接收滤波器的通带频率内，可提供一个零点，可起到提高接收滤波器通带频率处的抑制与隔离度的作用。此外，基于所述抑制谐振器需要达到抑制的效果，其限制了并联连接的抑制谐振器的面积，即可以使得该抑制谐振器的设计尺寸比一般谐振器小很多。因此，虽然本实施例中在双工器的基础结构上增加了所述抑制谐振器的设置，但是其对双工器整体的尺寸大小几乎没有影响，较好的实现了在提升接收滤波器通带频率处的抑制与隔离度，同时有利于实现了双工器的小型化设计。
作为一种优选的实施方式，所述发射滤波器至少具有三个所述第一并联谐振器，每两个所述第一串联谐振器之间连接有一个所述第一并联谐振器，最靠近天线端口的两个所述第一并联谐振器共同连接至一个电感后接地。
作为一种优选的实施方式，所述接收滤波器具有多个第二串联谐振器、一个双模声波滤波器(DMS)和至少一个第二并联谐振器，所述多个第二串联谐振器和所述双模声波滤波器依次串联在接收端口与天线端口之间形成第二串联路径，所述第二并联谐振器的一端连接在所述第二串联路径上，另一端接地。
进一步的，在所述天线端口与双模声波滤波器之间连接有一个所述第二串联谐振器。
作为一种优选的实施方式，还具有一个跨接电容，所述跨接电容的一端连接在所述双模声波滤波器与靠近天线端口的第二串联谐振器之间，另一端连接至所述电感后接地。可以理解的是，在本实施例中，通过设置跨接电容，使得跨接电容、最靠近天线端口的两个所述第一并联谐振器以及所述电感一起在并联支路中形成了一个到地的串联谐振，从而在接收滤波器通带内部，可提供一个零点，从而进一步提高了此频段处的隔离度，并且所述跨接电容有利于设计的高灵活度以及实现双工器的小型化。
参阅图1所示，作为一种对比例的双工器，该双工器中的发射滤波器被配置为具有四个第一串联谐振器(S1、S2、S3、S4)和三个第一并联谐振器(P2、P3、P4)；第一串联谐振器S1、S2、S3和S4按照先后顺序依次从发射端口TX(Port 2)串联至天线端口Ant(Port1)；第一并联谐振器P2的一端连接在第一串联谐振器S1与S2之间，另一端接地；第一并联谐振器P3的一端连接在第一串联谐振器S2与S3之间，另一端连接电感Lg的一端，电感Lg的另一端接地；第一并联谐振器P4的一端连接在第一串联谐振器S3与S4之间，另一端也连接至上述电感Lg的一端。进一步的，接收滤波器被配置为具有三个第二串联谐振器(S5、S6、S7)、一个第二并联谐振器P5和一个双模声波滤波器(DMS)；第二串联谐振器S5、双模声波滤波器(DMS)、第二串联谐振器S6和第二串联谐振器S7按照先后顺序依次从天线端口串联至接收端口；第二并联谐振器P5一端连接在第二串联谐振器S6与S7之间，另一端接地。
参阅图2所示，作为一种优选的实施方式，本实施例的双工器基本结构与图1所示的双工器相同，不同之处在于，本实施例的双工器中还设置有一个抑制谐振器P1，具体的，抑制谐振器P1的一端连接在发射端口与第一串联谐振器S1之间，另一端接地，抑制谐振器P1的谐振频率处于接收滤波器通带频率内。
参阅图3所示，作为一种优选的实施方式，本实施例的双工器基本结构与图1所示的双工器相同，不同之处在于，本实施例的双工器中还设置有跨接电容Ccross，具体的，跨接电容Ccross的一端连接在第二串联谐振器S5与双模声波滤波器(DMS)之间，跨接电容Ccross的另一端连接电感Lg。作为优选的，所述跨接电容Ccross被配置为叉指型电容。
参阅图4所示，作为一种优选的实施方式，本实施例的双工器基本结构与图1所示的双工器相同，不同之处在于，本实施例的双工器中还设置有一个抑制谐振器P1和跨接电容Ccross。具体的，抑制谐振器P1的一端连接在发射端口与第一串联谐振器S1之间，另一端接地，抑制谐振器P1的谐振频率处于接收滤波器通带频率内；跨接电容Ccross的一端连接在第二串联谐振器S5与双模声波滤波器(DMS)之间，跨接电容Ccross的另一端连接电感Lg。
可以理解的是，以上实施例中的所涉及的谐振器均可采用声表面波谐振器。参阅图5中的(a)图所示，一个传统的声表面波谐振器可以用MBVD模型来表征，在现有的双工器设计中，通常在接收滤波器或发射滤波器的并联谐振器(如：P3和P4)上串联一个电感Lg，由此构建出一个新的串联谐振点。在实际测试中发现，随着电感Lg的感值不断增大，此谐振点将会逐渐靠近并联谐振器的原始谐振频率；此外，当固定电感的感值为某一值不变时，随着并联谐振器的面积增大，也会产生谐振点将逐渐靠近并联谐振器的原始谐振频率的效果；图5中的(b)图和(c)图分别示出了随着电感Lg的增大和并联谐振器的面积增大两种调节方式下的导纳变化，其中，电感的感值分别为1.5nH、2.0nH、2.5nH、3.0nH和3.5nH，谐振器的面积增大幅度为0％、3％、6％、9％和12％。
进一步的，参阅图6中的(a)图所示，本申请图3和图4中设置跨接电容Ccross的方式相当于在并联谐振器(如：P3和P4)的两端并联一个电容；实际测试中发现，固定并联谐振器与电感不变，逐渐增大跨接电容的容值，同样也会产生谐振点将逐渐靠近并联谐振器的原始谐振频率的效果，图6中的(b)图示出了随着跨接电容的容值增大的导纳变化情况，其中，电容值分别为0pF、0.5pF、1.0pF、1.5pF和2.0pF。
应该说明的是，通过图5和图6中的上述三种方式，还可以将新产生的串联谐振点的频率设置在接收滤波器通带频率内，从而产生一个零点。同时，并联谐振器的原始串联谐振点为发射滤波器低频侧的零点，反谐振点为发射滤波器的极点。通过观察图5与图6可以看到，增大电感的感值的方式会较大程度上影响新产生的串联谐振点的Q值，增大谐振器面积其次，而增大电容的容值的方法对新产生的串联谐振点的Q值影响最小。此外，虽然增大电容的容值的方式对原始谐振器的反谐振频率的Q值有影响，但是由图7示出的以上三种方式下的阻抗比可以看出，增大电容的容值的方式下新产生的串联谐振点与原始反谐振点之间的阻抗比最大，因此，该方式对于提高接收频段的隔离度效果最好。于此同时，虽然增大电容的容值的方式牺牲了原始谐振点与反谐振点之间的阻抗比，从而一定程度上会影响发射滤波器低频侧的抑制，但对于发射滤波器在低频段、接收滤波器在高频段双工器而言，此指标并不重要。
进一步应该说明的是，图7中示出的是通过电感、谐振器面积、跨接电容三种调节方式下，每种方式中的5条曲线(即图5(b)、图5(c)和图6(b)中分别示出的5条曲线)所对应计算出的阻抗比，其中，每条曲线对应的阻抗比是利用集总元件电容电感进行替代而计算出，集总元件的Q值为50。
作为优选的，所述高隔离度双工器的工作频率范围被配置在Band 1频段。可以理解的是，通常而言，在适用于1-3GHz的声表面波产品而言，由于电感的尺寸，将1nH及以上的电感制备在高温共烧陶瓷封装基板上是比较困难的。而增大谐振器面积不利于双工器版图整体尺寸的小型化。因此，相对于增大电感的方式，本实施例中增大电容容值的方式更有利于实现双工器产品的小型化。此外，对于工作在Band 1频段的双工器而言，其发射滤波器与接收滤波器之间的频率间隔通常较大，而谐振器的机电耦合系数K值是有限的，因此作为同时要支撑发射滤波器的串联谐振器，其零点难以在接收滤波器频段范围内。因此，本申请中设置跨接电容的实施例方案也是针对此设计难点，在接收滤波器频段范围内提供了新的零点。并且，对于其它频率间隔较窄的双工器产品而言，普遍需要较大电感或较大谐振器面积才可以将新的零点控制在接收滤波器频段范围内，在此角度下，本申请实施例中的双工器设计结构所具有的利于小型化的特点也将会为频率间隔较窄的双工器产品提供帮助。
参阅图8所示为不同实施方式下的双工器隔离特性变化曲线图，图8中，(a)图示出了图3所示双工器中增大跨接电容Ccross的容值的隔离度对比；(b)图示出了图4所示双工器中增大跨接电容Ccross的容值的隔离度对比；(c)图示出了图2所示双工器中增大第一并联谐振器P3、P4面积的隔离度对比。可以理解的是，图1所示双工器的隔离度相当于如图8(a)中的跨接电容Ccross等于0pF的情况，其最差的隔离度在-45dB左右。从图8(a)中可以看出，随着跨接电容Ccross逐渐增大容值后，隔离度最好情况可以达到-55dB左右。从图8(b)中可以看出，在加上抑制谐振器P1后，逐渐增大跨接电容Ccross的容值，隔离度得到了进一步的提升，可以达到-60dB甚至更高。从图8(c)中可以看出，只设置抑制谐振器P1，而不加跨接电容Ccross时，通过增加并第一联谐振器P3、P4的面积，隔离度也可以达到类似图8(b)所展现的效果。但是想要达到类似的效果，第一并联谐振器P3、P4的整体面积需增大50％左右，这为双工器整体版图小型化增加了困难。并且，增加第一并联谐振器P3、P4的面积，对发射滤波器的滤波通带以及回波损耗有着较大影响。而基于图4所示的双工器结构增大跨接电容Ccross的容值时，对发射滤波器的滤波通带以及回波损耗几乎没有影响。这是因为将跨接电容的一端连接在接收滤波器的最靠近天线端口的第二串联谐振器S5之后，因此在计算发射滤波器的通带响应时，相当于天线端口将此电容“短路”了，而在计算隔离度时，计算的是发射端口与接收端口之间的响应，所以该跨接电容对隔离度有影响，而对发射滤波器的影响较小。
进一步的，参阅图9所示为图8(b)与图8(c)两种实施方式下发射滤波器的滤波特性图，其中，图9(a)对应图8(b)中增大跨接电容Ccross容值的方式的滤波特性，而图9(b)对应图8(c)中增大谐振器面积的方式的滤波特性，结合图9所体现出的结果可以看出，以上实施例中在设置抑制谐振器P1的同时，设置跨接电容Ccross可在不影响原发射滤波器通带性能的情况下也可以优化隔离度，图4所示的双工器设计结构具有更高的设计灵活度。
参阅图10展示了一种实施例的高隔离度双工器HFSS电磁仿真模型结构图，图中的Gnd为接地端子，在左上角展示了电感Lg在高温共烧陶瓷封装基板上的设置情况，可以看出电感Lg可以是一个感值较小的电感。图10中示出了跨接电容Ccross和抑制谐振器P1的设置位置，可以理解的是，对于一般的双工器设计而言，增加两个元件一般会造成双工器整体面积的明显增大，而不利于双工器的小型化。然而，基于本申请实施例所提供的双工器设计结构，所增加的跨接电容Ccross和抑制谐振器P1这两个元件所占用的空间非常小。原因在于：其一，跨接电容Ccross可采用叉指型电容，其可以通过高加工精度进行加工，叉指宽度可以被制作为非常小，因此占用的空间也会很小；其二，基于抑制谐振器P1需要达到抑制的效果，其限制了该抑制谐振器的面积，并且比一般谐振器要小很多。因此，即使增加这两个元件，对双工器版图整体的尺寸大小几乎没有影响，再一次印证了本实施例的双工器设计结构具有小型化的特点。
参阅图11所示，展示了一种实施例的高隔离度双工器的切片在显微镜下的照片，其版图形状尺寸与仿真模型保持一致。
参阅图12所示，展示了本申请一种实施例的高隔离度双工器仿真性能与实测的对比。由于跨接电容Ccross的容值本身较小，加工时存在一些误差，通过仿真对比发现，加工的电容容值比仿真需求的容值较大。双工器隔离度达到了58dB，如果对跨接电容Ccross进行修正，其实测隔的离度可以实现60dB甚至更高。
作为优选的，所述双工器还具备压电基板，在所述压电基板上构成具有以上实施例中所述的发射滤波器和接收滤波器。
本申请实施例还提供一种高隔离度双工器的实现方法，包括步骤：
在天线端口与发射端口之间连接发射滤波器，并在天线端口与接收端口之间连接接收滤波器，
其中，所述发射滤波器具有多个第一串联谐振器和多个第一并联谐振器，将所述多个第一串联谐振器顺次串联在发射端口与天线端口之间形成第一串联路径，并将每个第一并联谐振器的一端连接在所述第一串联路径上，另一端进行接地；
设置一个抑制谐振器，将该抑制谐振器一端连接发射端口，另一端进行接地，并将抑制谐振器的谐振频率配置于所述接收滤波器的通带频率内。
作为优选的，将所述发射滤波器设置为至少具有三个所述第一并联谐振器，在每两个第一串联谐振器之间连接一个第一并联谐振器，并将最靠近天线端口的两个第一并联谐振器共同连接至一个电感后进行接地；
将所述接收滤波器设置为具有多个第二串联谐振器、一个双模声波滤波器(DMS)和至少一个第二并联谐振器，所述多个第二串联谐振器和所述双模声波滤波器依次串联在接收端口与天线端口之间形成第二串联路径，所述第二并联谐振器的一端连接在所述第二串联路径上，另一端接地；
在所述天线端口与双模声波滤波器之间连接有一个所述第二串联谐振器；
还设置有一个跨接电容，将所述跨接电容的一端连接在所述双模声波滤波器与靠近天线端口的第二串联谐振器之间，另一端连接至所述电感后进行接地。
在本发明的实施例的描述中，具体特征、结构或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
在本发明的实施例的描述中，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种高隔离度双工器，具有天线端口、发射端口和接收端口，在天线端口与发射端口之间连接有发射滤波器，在天线端口与接收端口之间连接有接收滤波器，其特征在于：
所述发射滤波器具有多个第一串联谐振器和多个第一并联谐振器，所述多个第一串联谐振器顺次串联在发射端口与天线端口之间形成第一串联路径，每个第一并联谐振器的一端连接在所述第一串联路径上，另一端接地；
其中，还具有一个抑制谐振器，抑制谐振器一端连接发射端口，另一端接地，抑制谐振器的谐振频率处于接收滤波器通带频率内。
2.根据权利要求1所述的高隔离度双工器，其特征在于，所述发射滤波器至少具有三个所述第一并联谐振器，每两个所述第一串联谐振器之间连接有一个所述第一并联谐振器，最靠近天线端口的两个所述第一并联谐振器共同连接至一个电感后接地。
3.根据权利要求2所述的高隔离度双工器，其特征在于，所述接收滤波器具有多个第二串联谐振器、一个双模声波滤波器(DMS)和至少一个第二并联谐振器，所述多个第二串联谐振器和所述双模声波滤波器依次串联在接收端口与天线端口之间形成第二串联路径，所述第二并联谐振器的一端连接在所述第二串联路径上，另一端接地。
4.根据权利要求3所述的高隔离度双工器，其特征在于，在所述天线端口与双模声波滤波器之间连接有一个所述第二串联谐振器。
5.根据权利要求4所述的高隔离度双工器，其特征在于，还具有一个跨接电容，所述跨接电容的一端连接在所述双模声波滤波器与靠近天线端口的第二串联谐振器之间，另一端连接至所述电感后接地。
6.根据权利要求5所述的高隔离度双工器，其特征在于，所述跨接电容被配置为叉指型电容。
7.根据权利要求1所述的高隔离度双工器，其特征在于，所述高隔离度双工器的工作频率范围被配置在Band 1频段。
8.根据权利要求1所述的高隔离度双工器，其特征在于，所述双工器还具备压电基板，在所述压电基板上构成具有所述发射滤波器和接收滤波器。
9.一种高隔离度双工器的实现方法，其特征在于，包括步骤：
在天线端口与发射端口之间连接发射滤波器，并在天线端口与接收端口之间连接接收滤波器，
其中，所述发射滤波器具有多个第一串联谐振器和多个第一并联谐振器，将所述多个第一串联谐振器顺次串联在发射端口与天线端口之间形成第一串联路径，并将每个第一并联谐振器的一端连接在所述第一串联路径上，另一端进行接地；
设置一个抑制谐振器，将该抑制谐振器一端连接发射端口，另一端进行接地，并将抑制谐振器的谐振频率配置于所述接收滤波器的通带频率内。
10.根据权利要求9所述的高隔离度双工器的实现方法，其特征在于，将所述发射滤波器设置为至少具有三个所述第一并联谐振器，在每两个第一串联谐振器之间连接一个第一并联谐振器，并将最靠近天线端口的两个第一并联谐振器共同连接至一个电感后进行接地；
将所述接收滤波器设置为具有多个第二串联谐振器、一个双模声波滤波器(DMS)和至少一个第二并联谐振器，所述多个第二串联谐振器和所述双模声波滤波器依次串联在接收端口与天线端口之间形成第二串联路径，所述第二并联谐振器的一端连接在所述第二串联路径上，另一端接地；
在所述天线端口与双模声波滤波器之间连接有一个所述第二串联谐振器；
再设置一个跨接电容，将所述跨接电容的一端连接在所述双模声波滤波器与靠近天线端口的第二串联谐振器之间，另一端连接至所述电感后进行接地。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210015382.XA CN114553185A (zh) | 2022-01-07 | 2022-01-07 | 一种高隔离度双工器及其实现方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210015382.XA CN114553185A (zh) | 2022-01-07 | 2022-01-07 | 一种高隔离度双工器及其实现方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114553185A true CN114553185A (zh) | 2022-05-27 |
Family
ID=81669619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210015382.XA Pending CN114553185A (zh) | 2022-01-07 | 2022-01-07 | 一种高隔离度双工器及其实现方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114553185A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115395922A (zh) * | 2022-10-28 | 2022-11-25 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种体声波双工器 |
| CN117955456A (zh) * | 2024-03-26 | 2024-04-30 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种双工器 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050073375A1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-04-07 | Sul Sang Chul | Single chip-type film bulk acoustic resonator duplexer |
| JP2005223808A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜フィルタ、分波器、通信機 |
| US20110018653A1 (en) * | 2009-07-27 | 2011-01-27 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer having resonator filters |
| CN105531927A (zh) * | 2013-09-17 | 2016-04-27 | 株式会社村田制作所 | 双工器 |
| CN105556841A (zh) * | 2013-09-17 | 2016-05-04 | 株式会社村田制作所 | 双工器 |
| US20170366166A1 (en) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | Resonant Inc. | Surface acoustic wave filters with extracted poles |
-
2022
- 2022-01-07 CN CN202210015382.XA patent/CN114553185A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050073375A1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-04-07 | Sul Sang Chul | Single chip-type film bulk acoustic resonator duplexer |
| JP2005223808A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜フィルタ、分波器、通信機 |
| US20110018653A1 (en) * | 2009-07-27 | 2011-01-27 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer having resonator filters |
| CN105531927A (zh) * | 2013-09-17 | 2016-04-27 | 株式会社村田制作所 | 双工器 |
| CN105556841A (zh) * | 2013-09-17 | 2016-05-04 | 株式会社村田制作所 | 双工器 |
| US20170366166A1 (en) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | Resonant Inc. | Surface acoustic wave filters with extracted poles |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115395922A (zh) * | 2022-10-28 | 2022-11-25 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种体声波双工器 |
| CN117955456A (zh) * | 2024-03-26 | 2024-04-30 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种双工器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5905418A (en) | Surface-acoustic-wave filters with poles of attenuation created by impedance circuits | |
| EP1432133B1 (en) | Duplexer and communication apparatus | |
| CN111327288B (zh) | 一种体声波谐振器、超窄带滤波器、双工器及多工器 | |
| AU708019B2 (en) | Elliptic filter and method of making the same | |
| CN114553185A (zh) | 一种高隔离度双工器及其实现方法 | |
| WO1992001333A1 (en) | A method for improving stop-band attenuation of a duplex filter | |
| KR20020083443A (ko) | 탄성 표면파 장치, 통신장치 | |
| KR20200131528A (ko) | 체적 음향 공진기를 포함하는 필터 | |
| US7432786B2 (en) | High frequency filter | |
| CN113411069A (zh) | 一种体声波滤波器装置及提升带外抑制的方法 | |
| CN111211754B (zh) | 调整fbar寄生分量的方法和滤波器、多工器、通信设备 | |
| CN115622529A (zh) | 滤波器和包括其的多工器 | |
| US6091312A (en) | Semi-lumped bandstop filter | |
| CN113067561A (zh) | 带阻滤波器与多频带阻滤波器 | |
| CN115603690B (zh) | 基于ipd工艺的n77频段小型化滤波器 | |
| CN116346069B (zh) | 滤波器和电子设备 | |
| CN111988007A (zh) | 带通滤波器和滤波器 | |
| US6064281A (en) | Semi-lumped bandpass filter | |
| KR100449226B1 (ko) | 유전체 듀플렉서 | |
| CN115955257A (zh) | 一种高隔离度的压电声波双工器 | |
| CN112491384A (zh) | 一种fbar滤波器电路 | |
| CN107508019B (zh) | 双工器 | |
| CN112468112A (zh) | 一种高隔离度的Band 20双工器 | |
| CN116315535B (zh) | 一种悬置带状线滤波器 | |
| CN116318037B (zh) | 声表面波谐振器、滤波器以及双工器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |