CN114518392B - 电化学适配体传感器以及制备方法、应用 - Google Patents

电化学适配体传感器以及制备方法、应用 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种电化学适配体传感器以及其制备、应用。该电化学适配体传感器的制备方法：1获得玻碳电极；2将含有MnO2/Au的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅰ；3继续将含有赭曲霉毒素A捕获适配体的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅱ；4继续将含有牛血清白蛋白的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅲ；5继续将实际样品溶液或者含有赭曲霉毒素A的标准溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅳ；6继续将含有检测适配体复合物Ch‑MoS2/Au@Pt‑Apta的溶液转移至所述玻碳电极表面，即可得到所述电化学适配体传感器。该电化学适配体传感器，实现了对赭曲霉毒素A的灵敏检测。

Description

电化学适配体传感器以及制备方法、应用
技术领域
本申请涉及一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器以及制备方法、应用，属于赭曲霉毒素A检测技术领域。
背景技术
食物是人类生存、繁衍和维持健康的基本条件。随着经济的快速发展和生活条件的改善，食物安全已成为当前社会一个特别重要的问题。赭曲霉毒素A广泛存在于自然界中，热稳定性好，在加工和储存过程中很难被破坏，具有很强的致癌性，一旦进入食物链，对食品安全构成严重威胁，将严重危害人们的身体健康。
目前赭曲霉毒素A的常规分析技术主要有紫外可见分光光度法(UV)、原子吸收光谱法(AAS)、高效液相色谱法(HPLC)、酶联免疫吸附法(ELISA)等。虽然这些方法具有高的灵敏度和选择性，但是普遍借助于大型仪器,且存在样品预处理复杂，检测成本高，便携性差和需要专业人员操作等局限，限制了在食品污染物快速实时检测和现场分析中的应用。电化学适配体传感器由于其灵敏性高、检测限低、检测速度快、操作简便成为食品安全快速检测领域的重要关注点。
发明内容
根据本申请的一个方面，提供了一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器，该电化学适配体传感器，实现了对赭曲霉毒素A的灵敏检测。
一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器，采用至少包括以下方法制备得到：
(1)获得玻碳电极；
(2)将含有MnO2/Au的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅰ；
(3)继续将含有赭曲霉毒素A捕获适配体的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅱ；
(4)继续将含有牛血清白蛋白的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅲ；
(5)继续将实际样品溶液或者含有赭曲霉毒素A的标准溶液转移至所述电极表面，得到中间产物Ⅳ；
(6)继续将含有检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta的溶液转移至所述玻碳电极表面，即可得到所述基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器。
具体地，步骤(2)、(3)、(4)、(5)、(6)中的转移至电极表面为电极的同一个表面。
具体地，含有MnO2/Au的溶液中的溶剂可以为水和乙醇中的任一种；
含有赭曲霉毒素A捕获适配体的溶液中的溶剂可以为磷酸缓冲溶液和盐酸缓冲溶液中的任一种；
含有牛血清白蛋白的溶液中的溶剂可以为磷酸缓冲溶液和盐酸缓冲溶液中的任一种；
实际样品溶液中的溶剂可以为磷酸缓冲溶液和盐酸缓冲溶液中的任一种；含有赭曲霉毒素A的标准溶液中的溶剂可以为磷酸缓冲溶液和盐酸缓冲溶液中的任一种；
含有检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta的溶液中的溶剂可以为磷酸缓冲溶液和盐酸缓冲溶液中的任一种。
可选地，在步骤(2)中，所述MnO2/Au的制备方法包括：
(a)获得MnO2纳米粒子；
(b)将含有活性剂、还原剂Ⅰ、MnO2纳米粒子和氯金酸的混合物，反应，得到所述MnO2/Au。
可选地，步骤(a)中，MnO2纳米粒子的制备方法包括：在搅拌下将高锰酸钾和硫酸锰溶于超纯水中，搅拌；转移至聚四氟乙烯高压反应釜反应；自然冷却至室温后，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，真空干燥箱中干燥，制得MnO2纳米粒子。
可选地，高锰酸钾和硫酸锰的质量比为1：0.4～1.2。
可选地，步骤(b)中，所述活性剂包括聚乙烯吡咯烷酮、十六烷基三甲基溴化铵中的任一种；
所述还原剂Ⅰ包括柠檬酸、硼氢化钠、抗坏血酸中的任一种。
可选地，所述步骤(b)包括：
(b-1)将含有MnO2纳米粒子、活性剂和还原剂Ⅰ的溶液加热至沸腾；
(b-2)加入含有氯金酸的溶液，保持沸腾20～60min，得到所述MnO2/Au。
具体地，步骤(b)包括：首先，将50～100mg MnO2纳米粒子溶解在50mL超纯水中，在搅拌下加入聚乙烯吡咯烷酮和柠檬酸钠溶液，在100℃下加热至沸腾，然后按一定的速率加入氯金酸溶液，并保持沸腾20～60min，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，真空干燥箱中干燥；制得MnO2/Au。
可选地，在步骤(b)中，所述活性剂、还原剂Ⅰ、MnO2纳米粒子和氯金酸的质量比为140：10～30：50～100：6.5～8.2。
可选地，在步骤(6)中，所述检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta的溶液的制备方法包括：
(ⅰ)获得MoS2纳米片；
(ⅱ)获得壳聚糖功能化的MoS2纳米片，记作Ch-MoS2；
(ⅲ)将铂源、金源、结构诱导剂、还原剂Ⅱ的混合物，反应，得到Au@Pt纳米粒子，所述结构诱导剂为聚醚F127；
(ⅳ)将Ch-MoS2纳米片分散在含有所述Au@Pt纳米粒子溶液中，得到所述Ch-MoS2/Au@Pt；
(ⅴ)将含有所述Ch-MoS2/Au@Pt的分散液加入含有赭曲霉毒素A检测适配体的溶液中，得到所述检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta；
(ⅵ)将所述检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta分散至pH＝5.10～8.10的磷酸缓冲液中，即可得到所述检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta的溶液。
可选地，步骤(ⅰ)包括：在搅拌下将硫脲，钼酸铵溶于超纯水中，搅拌均匀后转移至聚四氟乙烯高压反应釜中反应；自然冷却至室温后，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，真空干燥箱中干燥，得到MoS2纳米片。
可选地，硫脲与钼酸铵的质量比为4.91:0.66～1.98。
可选地，步骤(ⅱ)包括：将壳聚糖溶于乙酸溶液中，保持搅拌直至溶液呈透明状，然后加入MoS2纳米片继续搅拌，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，真空干燥箱中干燥，制得Ch-MoS2。
Au@Pt纳米粒子为核壳结构，内核为Au，外壳为Pt。
可选地，步骤(ⅲ)中，所述铂源包括氯铂酸、氯化钯中的任一种；
所述金源包括氯金酸；
还原剂Ⅱ包括抗坏血酸、柠檬酸钠中的任一种。
可选地，步骤(ⅲ)中，所述铂源、金源、结构诱导剂、还原剂Ⅱ的质量比为10～30：25：60～80：105。
可选地，步骤(ⅳ)中，Ch-MoS2纳米片与Au@Pt纳米粒子的质量比为10：10～30。
可选地，步骤(ⅴ)中，Ch-MoS2/Au@Pt与赭曲霉毒素A检测适配体的质量比为200～600:1。
优选地，步骤(ⅴ)中，所述磷酸缓冲溶液的pH为6.9～7.0，使得适配体对目标分析物具有良好的识别效果。
最优选地，所述磷酸缓冲溶液的pH为6.98。
所述磷酸缓冲溶液的pH为6.98，使得适配体对目标分析物具有非常良好的识别效果。
可选地，在步骤(5)中，所述实际样品溶液为含赭曲霉毒素A的实际样品溶液；或者，所述实际样品溶液为不含赭曲霉毒素A的实际样品溶液。
通过不同类型的实际样品溶液，可以实现定性或定量测试。例如，当实际样品溶液为不含赭曲霉毒素A的实际样品溶液，可以实现定性测试。
可选地，所述含有赭曲霉毒素A的标准溶液为一系列不同浓度的赭曲霉毒素A溶液；
所述含有赭曲霉毒素A的标准溶液的浓度范围为1pg/mL～50ng/mL；
相邻所述赭曲霉毒素A溶液之间的浓度差为10倍。
可选地，所述含有MnO2/Au的溶液的浓度为0.5～2.5mg/mL；
所述含有赭曲霉毒素A捕获适配体的溶液的浓度为8～12μg/mL；
所述含有牛血清白蛋白的溶液的浓度为0.5～1.5μg/mL；
所述含有检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta的溶液的浓度为1.0～3.0mg/mL。
可选地，步骤(1)包括：将电极用Al2O3抛光粉打磨成镜面，超纯水清洗干净。
可选地，所述玻碳电极的直径为2～6mm。
根据本申请的第二方面，提供了一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器的制备方法，所述制备方法包括：
(1)获得玻碳电极；
(2)将含有MnO2/Au的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅰ；
(3)继续将含有赭曲霉毒素A捕获适配体的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅱ；
(4)继续将含有牛血清白蛋白的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅲ；
(5)继续将实际样品溶液或者含有赭曲霉毒素A的标准溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅳ；
(6)继续将含有检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta的溶液转移至所述玻碳电极表面，即可得到所述基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器。
根据本申请的第三方面，一种赭曲霉毒素A的检测方法，利用上述任一项所述制备方法得到的基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器、上述所述的基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器对赭曲霉毒素A进行检测。
可选地，所述检测方法包括：
(S1)获得由含有赭曲霉毒素A的标准溶液制备得到的一系列所述基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器a；
(S2)获得由实际样品溶液制备得到的所述基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器b；
(S3)利用一系列所述传感器a获得赭曲霉毒素A浓度-电流标准曲线；
(S4)获得所述传感器b对应的电流，通过所述赭曲霉毒素A浓度-电流标准曲线，获得所述含有赭曲霉毒素A的实际样品溶液的浓度。
其中，步骤(S2)中，所述实际样品溶液为含赭曲霉毒素A的实际样品溶液；或者，所述实际样品溶液为不含赭曲霉毒素A的实际样品溶液；从而实现定量测试或定性测试。
可选地，所述步骤(S3)包括：
(S3-1)使用电化学工作站以三电极体系进行测试，饱和甘汞电极为参比电极，铂丝电极为辅助电极，所述传感器a为工作电极，在pH5.10～8.10磷酸盐缓冲溶液中进行测试；
(S3-2)用计时电流法赭曲霉毒素A进行检测，选择-0.2～-0.6V作为电流测量的输入电压，取样间隔0.1～0.5s，运行时间100～200s；
(S3-3)当背景电流趋于稳定后，每隔预设时间向所述磷酸盐缓冲溶液中注入双氧水溶液，记录电流变化，获得赭曲霉毒素A浓度-电流标准曲线。
可选地，所述步骤(S4)包括：
将步骤(S3-1)中的所述传感器a替换为所述传感器b，重复步骤(S3-1)～(S3-3)，获得所述传感器b对应的电流，通过所述赭曲霉毒素A浓度-电流标准曲线，获得所述实际样品溶液的浓度。
本申请中，“赭曲霉毒素A捕获适配体”、“赭曲霉毒素A检测适配体”为本领域公知的适配体。
“赭曲霉毒素A捕获适配体”和“赭曲霉毒素A检测适配体”为同一序列。“Apta”表示赭曲霉毒素适配体。
适配体序列为：
5′-SH-(CH2)6-GATCGGGTGTGGGTGGCGTAAAGGGAGCATCGGACA-3'。
本申请能产生的有益效果包括：
1)本申请所提供的基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器，金纳米粒子负载花状结构的MnO2/Au复合材料作为基底材料，具有大的比表面积和好的生物相容性，可以结合更多的捕获适配体并且加快电极界面的电子转移。金铂纳米粒子负载壳聚糖功能化的二硫化钼纳米片Ch-MoS2/Au@Pt作为检测适配体标记物，具有良好的催化性能可以提高适配体传感器的灵敏度。本发明采用MnO2/Au作为基底材料，Ch-MoS2/Au@Pt作为检测适配体标记物构建的电化学传感器，实现了对赭曲霉毒素A的高灵敏检测，在实际检测中有极大的应用价值，有望发展成为一种廉价的分析检测技术。
2)本申请使用MnO2/Au作为基底材料，花状结构二氧化锰具有大的表面积，可以为金纳米粒子提供更多的结合位点，防止金纳米粒子的聚集。Au和MnO2的结合可以优化材料的导电性，加快电极界面的电子转移。其中金纳米粒子是一种生物亲和性的材料可以结合更多的捕获适配体，提高传感器的灵敏度。
3)本申请Ch-MoS2/Au@Pt作为检测适配体标记物，MoS2褶皱结构可以负载大量的具有良好催化性能的Au@Pt纳米粒子，同时Mo原子作为氧化还原活性中心参与反应底物与催化剂活性中心之间的电子转移，实现多重电流信号放大，提高适配体传感器的灵敏度。本发明采用MnO2/Au作为基底材料，Ch-MoS2/Au@Pt作为检测适配体标记物构建的电化学传感器，具有检测限低，灵敏度高，重复性、选择性和稳定性好等优点，实现了对赭曲霉毒素A的灵敏检测。
4)本申请提供的一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学传感器实现了对赭曲霉毒素A的检测，其线性范围1pg/mL～50ng/mL，检测限最低为0.33pg/mL，表明一种基于MoS2/Au@Pt标记的电化学传感器可以实现准确和灵敏检测的目的。
附图说明
图1为本申请检测原理图，其中图1中，GCE代表玻碳电极、BSA代表牛血清白蛋白、OTA代表赭曲霉毒素A；
图2为二氧化锰纳米花SEM图；
图3为二硫化钼纳米片SEM图；
图4为本申请一种实施方式中不同浓度赭曲霉毒素A所对应传感器的计时电流曲线；
图5为本申请一种实施方式中不同浓度赭曲霉毒素A所对应传感器的线性拟合曲线。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请，但本申请并不局限于这些实施例。
如无特别说明，本申请的实施例中的原料均通过商业途径购买。
下面介绍可能的实施方式。
一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器的制备方法，步骤如下：
(1)将直径为4mm的玻碳电极用Al2O3抛光粉打磨成镜面，超纯水清洗干净；
(2)将6μL、0.5～2.5mg/mL的MnO2/Au溶液滴涂于上述电极表面，室温下晾干，超纯水冲洗电极表面，晾干；
(3)继续将6μL、8～12μg/mL的赭曲霉毒素A捕获适配体Apta(溶剂为磷酸缓冲溶液)滴加到电极表面，超纯水冲洗，4℃冰箱中干燥；
(4)继续将3μL、质量分数为1～3％的牛血清白蛋白BSA溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)滴加到电极表面，用以封闭电极表面的非特异性活性位点，超纯水冲洗电极表面，除去未结合的BSA，4℃冰箱中晾干；
(5)继续滴加6μL、1pg/mL～50ng/mL的一系列不同浓度的赭曲霉毒素A溶液(于不同的电极表面)，超纯水冲洗电极表面，4℃冰箱中晾干；
具体地，赭曲霉毒素A溶液的浓度差为10倍，例如1pg/mL、10pg/mL、100pg/mL、1ng/mL、10ng/mL……等等。
一系列不同浓度的赭曲霉毒素A溶液分别滴加在不同的电极表面，每块电极的处理方法均为之前的步骤(1～4)，后续的电极表面处理方法也都一样(同为步骤6)。
(6)继续滴加6μL、1.0～3.0mg/mL的检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液于电极表面，置于4℃冰箱中孵化40min，超纯水冲洗、晾干，制得一种Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器。
一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器的制备方法，所述MnO2/Au的制备，步骤如下：
(1)MnO2纳米粒子的制备
在搅拌下将1g高锰酸钾和0.4～1.2g硫酸锰溶于30mL超纯水中，搅拌30min；转移至50mL聚四氟乙烯高压反应釜，140℃下反应1h；自然冷却至室温后，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，60℃真空干燥箱中干燥8～12h，制得MnO2；
(2)MnO2/Au的制备
首先，将50～100mg MnO2纳米粒子溶解在50mL超纯水中，在搅拌下加入140mg聚乙烯吡咯烷酮和1～3mL质量分数为1％柠檬酸钠水溶液，在100℃下加热至沸腾，然后按5μL/s的速率加入80～100μL、200mmol/L的氯金酸水溶液，并保持沸腾30min，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥8～12h；制得MnO2/Au；
一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器的制备方法，所述检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液的制备，其特征在于，步骤如下：
(1)MoS2纳米片的制备
在搅拌下将4.91g硫脲，0.66～1.98g钼酸铵溶于75mL超纯水中，搅拌均匀后转移至100mL的聚四氟乙烯高压反应釜，180℃下反应12～24h；自然冷却至室温后，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，60℃真空干燥箱中干燥12h，得到MoS2纳米片；
(2)Ch-MoS2的制备
将20～40mg壳聚糖溶于10mL质量分数为1％的乙酸水溶液中，保持搅拌直至溶液呈透明状，然后加入20mg的MoS2纳米片继续搅拌1h，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥8～12h，制得Ch-MoS2；
(3)Au@Pt的制备
将1～3.0mL、20mmol/L的氯铂酸水溶液，3.0mL、20mmol/L的氯金酸水溶液和60～80mg聚醚F127混合，然后加入6mL、0.1mol/L的抗坏血酸水溶液，并保持超声处理15min。室温下静置24h后，离心，分别用丙酮和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥8～12h，制得Au@Pt；
(4)Ch-MoS2/Au@Pt的制备
将10mg Ch-MoS2纳米片分散在5～15mL的浓度为2mg/mL的Au@Pt纳米粒子水溶液中，超声分散1h，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，于30℃的真空干燥箱中干燥8～12h，制得Ch-MoS2/Au@Pt；
(5)检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液的制备
将1～3.0mL、2mg/mL的Ch-MoS2/Au@Pt分散液(溶剂为水)加入到1.0mL、10μg/mL的赭曲霉毒素A检测适配体Apta溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)中，4℃恒温振荡箱中震荡孵化12h；离心洗涤后，重新分散至1～3.0mL的pH＝6.98的磷酸缓冲溶液中，制得检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液，4℃保存备用。
一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器，用于赭曲霉毒素A的检测，步骤如下：
(1)使用电化学工作站以三电极体系进行测试，饱和甘汞电极为参比电极，铂丝电极为辅助电极，所制备的传感器为工作电极，在10mL、50mmol/L的pH5.10～8.10磷酸盐缓冲溶液中进行测试；
(2)用计时电流法赭曲霉毒素A进行检测，选择-0.4V作为电流测量的输入电压，取样间隔0.1s，运行时间100s；
(3)当背景电流趋于稳定后，每隔50s向10mL、50mmol/L的pH5.10～8.10磷酸盐缓冲溶液中注入10μL、5mol/L的双氧水溶液，记录电流变化。
(4)将待测样品溶液代替赭曲霉毒素A标准溶液，按步骤(1)、(2)和(3)方法测定电流信号；代入标准线性方程得到样品中赭曲霉毒素A的含量。
实施例1
MnO2/Au的制备，步骤如下：
(1)MnO2纳米粒子的制备
在搅拌下将1g高锰酸钾和0.4g硫酸锰溶于30mL超纯水中，搅拌30min；转移至50mL聚四氟乙烯高压反应釜，140℃下反应1h；自然冷却至室温后，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，60℃真空干燥箱中干燥8h，制得MnO2；
(2)MnO2/Au的制备
首先，将50mg MnO2纳米粒子溶解在50mL超纯水中，在搅拌下加入140mg聚乙烯吡咯烷酮(平均分子量160000)和1mL质量分数为1％柠檬酸钠水溶液，在100℃下加热至沸腾，然后按5μL/s的速率加入80μL、200mmol/L的氯金酸水溶液并保持沸腾30min，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥8h；制得MnO2/Au；记做1#MnO2/Au。
MnO2纳米粒子具有花状结构，如图2所示。
实施例2
MnO2/Au的制备，步骤如下：
(1)MnO2纳米粒子的制备
在搅拌下将1g高锰酸钾和0.8g硫酸锰溶于30mL超纯水中，搅拌30min；转移至50mL聚四氟乙烯高压反应釜，140℃下反应1h；自然冷却至室温后，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，60℃真空干燥箱中干燥10h，制得MnO2；
(2)MnO2/Au的制备
首先，将80mg MnO2纳米粒子溶解在50mL超纯水中，在搅拌下将140mg聚乙烯吡咯烷酮(平均分子量160000)和2mL质量分数为1％柠檬酸钠水溶液，在100℃下加热至沸腾，然后按5μL/s的速率加入90μL、200mmol/L的氯金酸水溶液，并保持沸腾30min，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥10h；制得MnO2/Au；记做2#MnO2/Au。
实施例3
MnO2/Au的制备，步骤如下：
(1)MnO2纳米粒子的制备
在搅拌下将1g高锰酸钾和1.2g硫酸锰溶于30mL超纯水中，搅拌30min；转移至50mL聚四氟乙烯高压反应釜，140℃下反应1h；自然冷却至室温后，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，60℃真空干燥箱中干燥12h，制得MnO2；
(2)MnO2/Au的制备
首先，将100mg MnO2纳米粒子溶解在50mL超纯水中，在搅拌下加入140mg聚乙烯吡咯烷酮(平均分子量160000)和3mL质量分数为1％柠檬酸钠水溶液，在100℃下加热至沸腾，然后按5μL/s的速率加入100μL、200mmol/L的氯金酸水溶液，并保持沸腾30min，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥12h；制得MnO2/Au；记做3#MnO2/Au。
实施例4
检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液的制备，步骤如下：
(1)MoS2纳米片的制备
在搅拌下将4.91g硫脲，0.66g钼酸铵溶于75mL超纯水中，搅拌均匀后转移至100mL的聚四氟乙烯高压反应釜，180℃下反应12h；自然冷却至室温后，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，60℃真空干燥箱中干燥12h，得到MoS2纳米片；
(2)Ch-MoS2的制备
将20mg壳聚糖溶于10mL质量分数为1％的乙酸水溶液中，保持搅拌直至溶液呈透明状，然后加入20mg的MoS2纳米片继续搅拌1h，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥8h，制得Ch-MoS2；
(3)Au@Pt的制备
将1.0mL、20mmol/L的氯铂酸水溶液，3.0mL、20mmol/L的氯金酸水溶液和60mg聚醚F127混合，然后加入6mL、0.1mol/L的抗坏血酸溶液(溶剂为水)，并保持超声处理15min。室温下静置24h后，离心，分别用丙酮和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥8h，制得Au@Pt；
(4)Ch-MoS2/Au@Pt的制备
将10mg的Ch-MoS2纳米片分散在5mL浓度为2mg/mL的Au@Pt纳米粒子溶液(溶剂为水)中，超声分散1h，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，于30℃的真空干燥箱中干燥8h，制得Ch-MoS2/Au@Pt；
(5)检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液的制备
将1.0mL、2mg/mL的Ch-MoS2/Au@Pt分散液(溶剂为水)加入到1.0mL、10μg/mL的含有赭曲霉毒素A检测适配体Apta溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)中，4℃恒温振荡箱中震荡孵化12h；离心洗涤后，重新分散至3.0mL的pH＝6.98的磷酸缓冲溶液中，制得检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液，4℃保存备用，记做1#检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液。
MoS2纳米片具有褶皱结构，如图3所示。
实施例5
检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液的制备，步骤如下：
(1)MoS2纳米片的制备
在搅拌下将4.91g硫脲，1.32g钼酸铵溶于75mL超纯水中，搅拌均匀后转移至100mL的聚四氟乙烯高压反应釜，180℃下反应18h；自然冷却至室温后，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，60℃真空干燥箱中干燥12h，得到MoS2纳米片；
(2)Ch-MoS2的制备
将30mg壳聚糖溶于10mL质量分数为1％的乙酸水溶液中，保持搅拌直至溶液呈透明状，然后加入20mg的MoS2纳米片继续搅拌1h，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥10h，制得Ch-MoS2；
(3)Au@Pt的制备
将2.0mL、20mmol/L的氯铂酸溶液(溶剂为水)，3.0mL、20mmol/L的氯金酸溶液(溶剂为水)和70mg聚醚F127混合，然后加入6mL、0.1mol/L的抗坏血酸溶液(溶剂为水)，并保持超声处理15min。室温下静置24h后，离心，分别用丙酮和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥10h，制得Au@Pt；
(4)Ch-MoS2/Au@Pt的制备
将10mg的Ch-MoS2纳米片分散在10mL浓度为2mg/mL的Au@Pt纳米粒子溶液(溶剂为水)中，超声分散1h，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，于30℃的真空干燥箱中干燥10h，制得Ch-MoS2/Au@Pt；
(5)检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液的制备
将2mL、2mg/mL的Ch-MoS2/Au@Pt分散液(溶剂为水)加入到1.0mL、10μg/mL的含有赭曲霉毒素A检测适配体Apta溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)中，4℃恒温振荡箱中震荡孵化12h；离心洗涤后，重新分散至2mL的pH＝6.98的磷酸缓冲溶液中，制得检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液，4℃保存备用，记做2#检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液。
实施例6
检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液的制备，步骤如下：
(1)MoS2纳米片的制备
在搅拌下将4.91g硫脲，1.98g钼酸铵溶于75mL超纯水中，搅拌均匀后转移至100mL的聚四氟乙烯高压反应釜，180℃下反应24h；自然冷却至室温后，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，60℃真空干燥箱中干燥12h，得到MoS2纳米片；
(2)Ch-MoS2的制备
将40mg壳聚糖溶于10mL质量分数为1％的乙酸水溶液中，保持搅拌直至溶液呈透明状，然后加入20mg的MoS2纳米片继续搅拌1h，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥12h，制得Ch-MoS2；
(3)Au@Pt的制备
将3.0mL、20mmol/L的氯铂酸水溶液，3.0mL、20mmol/L的氯金酸水溶液和80mg聚醚F127混合，然后加入6mL、0.1mol/L的抗坏血酸水溶液，并保持超声处理15min。室温下静置24h后，离心，分别用丙酮和超纯水洗涤三次，50℃真空干燥箱中干燥12h，制得Au@Pt；
(4)Ch-MoS2/Au@Pt的制备
将10mg的Ch-MoS2纳米片分散在15mL浓度为2mg/mL的Au@Pt纳米粒子溶液(溶剂为水)中，超声分散1h，离心，分别用无水乙醇和超纯水洗涤三次，于30℃的真空干燥箱中干燥12h，制得MoS2/Au@Pt；
(5)检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液的制备
将3mL、2mg/mL的Ch-MoS2/Au@Pt分散液(溶剂为水)加入到1.0mL、10μg/mL的含有赭曲霉毒素A检测适配体Apta溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)中，4℃恒温振荡箱中震荡孵化12h；离心洗涤后，重新分散至3mL的pH＝6.98的磷酸缓冲溶液中，制得检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液，4℃保存备用，记做3#检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液。
实施例7
一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器的制备方法，步骤如下：
(1)将直径为4mm的玻碳电极用Al2O3抛光粉打磨成镜面，超纯水清洗干净；
(2)将6μL、0.5mg/mL的1#MnO2/Au溶液(溶剂为水)滴涂于上述电极表面，室温下晾干，超纯水冲洗电极表面，晾干；
(3)继续将6μL、8μg/mL的含有赭曲霉毒素A捕获适配体Apta的溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)滴加到电极表面，超纯水冲洗，4℃冰箱中干燥；
(4)继续将3μL、质量分数为1％的牛血清白蛋白BSA溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)滴加到电极表面，用以封闭电极表面的非特异性活性位点，超纯水冲洗电极表面，除去未结合的BSA，4℃冰箱中晾干；
(5)继续滴加6μL、1pg/mL～50ng/mL的一系列不同浓度的赭曲霉毒素A标准溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)于不同的电极表面，浓度差为10倍，超纯水冲洗电极表面，4℃冰箱中晾干；
(6)继续滴加6μL、2.0mg/mL的1#检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)于电极表面，置于4℃冰箱中孵化40min，超纯水冲洗、晾干，制得一种Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学传感器，记做样品1#。
实施例8
一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器的制备方法，步骤如下：
(1)将直径为4mm的玻碳电极用Al2O3抛光粉打磨成镜面，超纯水清洗干净；
(2)将6μL、1.5mg/mL的2#MnO2/Au溶液(溶剂为水)滴涂于上述电极表面，室温下晾干，超纯水冲洗电极表面，晾干；
(3)继续将6μL、10μg/mL的含有赭曲霉毒素A捕获适配体Apta的溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)滴加到电极表面，超纯水冲洗，4℃冰箱中干燥；
(4)继续将3μL、质量分数为1％的牛血清白蛋白BSA溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)滴加到电极表面，用以封闭电极表面的非特异性活性位点，超纯水冲洗电极表面，除去未结合的BSA，4℃冰箱中晾干；
(5)继续滴加6μL、1pg/mL～50ng/mL的一系列不同浓度的赭曲霉毒素A标准溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)于不同的电极表面，浓度差为10倍，超纯水冲洗电极表面，4℃冰箱中晾干；
(6)继续滴加6μL、1.0mg/mL的2#检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)于电极表面，置于4℃冰箱中孵化40min，超纯水冲洗、晾干，制得一种Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学传感器，记做样品2#。
实施例9
一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器的制备方法，步骤如下：
(1)将直径为4mm的玻碳电极用Al2O3抛光粉打磨成镜面，超纯水清洗干净；
(2)将6μL、2.5mg/mL的3#MnO2/Au溶液(溶剂为水)滴涂于上述电极表面，室温下晾干，超纯水冲洗电极表面，晾干；
(3)继续将6μL、12μg/mL的含有赭曲霉毒素A捕获适配体Apta的溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)滴加到电极表面，超纯水冲洗，4℃冰箱中干燥；
(4)继续将3μL、质量分数为1％的牛血清白蛋白BSA溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)滴加到电极表面，用以封闭电极表面的非特异性活性位点，超纯水冲洗电极表面，除去未结合的BSA，4℃冰箱中晾干；
(5)继续滴加6μL、1pg/mL～50ng/mL的一系列不同浓度的赭曲霉毒素A标准溶液(溶剂为磷酸缓冲溶液)于不同的电极表面，浓度差为10倍，超纯水冲洗电极表面，4℃冰箱中晾干；
(6)继续滴加6μL、3.0mg/mL的3#检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta溶液于电极表面(溶剂为磷酸缓冲溶液)，置于4℃冰箱中孵化40min，超纯水冲洗、晾干，制得一种Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学传感器，记做样品3#。
实施例10
赭曲霉毒素A的检测，步骤如下：
(1)使用电化学工作站以三电极体系进行测试，饱和甘汞电极为参比电极，铂丝电极为辅助电极，所制备的传感器样品1#为工作电极，在10mL、50mmol/L的pH6.98磷酸盐缓冲溶液中进行测试；
(2)用时间-电流法对赭曲霉毒素A进行检测，选择-0.4V作为电流测量的输入电压，取样间隔0.1s，运行时间100s；
(3)当背景电流趋于稳定后，每隔50s向10mL、50mmol/L的pH＝6.98磷酸盐缓冲溶液中注入10μL、5mol/L的双氧水溶液，记录电流变化；
(4)不同浓度赭曲霉毒素A对应的传感器的计时电流曲线如图4所示，图5表明测定标准溶液中赭曲霉毒素A浓度的对数值与电流值呈正相关，线性方程为：I＝7.98lgc+45.3，R2＝0.997，线性范围为1pg/mL～50ng/mL，检测限为0.33pg/mL。
(5)将实际样品溶液代替赭曲霉毒素A标准溶液，按步骤(1)、(2)和(3)方法测定电流信号；代入(4)中标准线性方程得到样品中赭曲霉毒素A的含量。
以上所述，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。

Claims (19)

1.一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器，其特征在于，所述基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器采用至少包括以下方法制备得到：
(1)获得玻碳电极；
(2)将含有MnO2/Au的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅰ；
(3)继续将含有赭曲霉毒素A捕获适配体的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅱ；
(4)继续将含有牛血清白蛋白的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅲ；
(5)继续将实际样品溶液或者含有赭曲霉毒素A的标准溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅳ；
(6)继续将含有检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta的溶液转移至所述玻碳电极表面，即可得到所述基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器。
2.根据权利要求1所述的电化学适配体传感器，其特征在于，在步骤(2)中，所述MnO2/Au的制备方法包括：
(a)获得MnO2纳米粒子；
(b)将含有活性剂、还原剂Ⅰ、MnO2纳米粒子和氯金酸的混合物，反应，得到所述MnO2/Au。
3.根据权利要求2所述的电化学适配体传感器，其特征在于，步骤(b)中，所述活性剂包括聚乙烯吡咯烷酮、十六烷基三甲基溴化铵中的任一种；
所述还原剂Ⅰ包括柠檬酸、硼氢化钠、抗坏血酸中的任一种。
4.根据权利要求2所述的电化学适配体传感器，其特征在于，步骤(b)包括：
(b-1)将含有MnO2纳米粒子、活性剂和还原剂Ⅰ的溶液加热至沸腾；
(b-2)加入含有氯金酸的溶液，保持沸腾20～60min，得到所述MnO2/Au。
5.根据权利要求2所述的电化学适配体传感器，其特征在于，在步骤(b)中，所述活性剂、还原剂I、MnO2纳米粒子和氯金酸的质量比为140：10～30：50～100：6.5～8.2。
6.根据权利要求1所述的电化学适配体传感器，其特征在于，在步骤(6)中，所述检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta的溶液的制备方法包括：
(ⅰ)获得MoS2纳米片；
(ⅱ)获得壳聚糖功能化的MoS2纳米片，记作Ch-MoS2；
(ⅲ)将铂源、金源、结构诱导剂、还原剂Ⅱ的混合物，反应，得到Au@Pt纳米粒子，所述结构诱导剂为聚醚F127；
(ⅳ)将Ch-MoS2纳米片分散在含有所述Au@Pt纳米粒子溶液中，得到所述Ch-MoS2/Au@Pt；
(ⅴ)将含有所述Ch-MoS2/Au@Pt的分散液加入含有赭曲霉毒素A检测适配体的溶液中，得到所述检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta；
(ⅵ)将所述检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta分散至pH＝5.10～8.10的磷酸缓冲液中，即可得到所述检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta的溶液。
7.根据权利要求6所述的电化学适配体传感器，其特征在于，步骤(ⅲ)中，所述铂源包括氯铂酸、氯化钯中的任一种；
所述金源包括氯金酸；
还原剂Ⅱ包括抗坏血酸、柠檬酸钠中的任一种。
8.根据权利要求6所述的电化学适配体传感器，其特征在于，步骤(ⅲ)中，所述铂源、金源、结构诱导剂、还原剂Ⅱ的质量比为10～30：25：60～80：105。
9.根据权利要求6所述的电化学适配体传感器，其特征在于，步骤(ⅳ)中，Ch-MoS2纳米片与Au@Pt纳米粒子的质量比为10：10～30。
10.根据权利要求6所述的电化学适配体传感器，其特征在于，步骤(ⅴ)中，Ch-MoS2/Au@Pt与赭曲霉毒素A检测适配体的质量比为200～600:1。
11.根据权利要求6所述的电化学适配体传感器，其特征在于，步骤(ⅴi)中，所述磷酸缓冲液的pH为6.98。
12.根据权利要求1所述的电化学适配体传感器，其特征在于，在步骤(5)中，所述实际样品溶液为含赭曲霉毒素A的实际样品溶液；或者，所述实际样品溶液为不含赭曲霉毒素A的实际样品溶液。
13.根据权利要求1所述的电化学适配体传感器，其特征在于，所述含有赭曲霉毒素A的标准溶液为一系列不同浓度的赭曲霉毒素A溶液；
所述含有赭曲霉毒素A的标准溶液的浓度范围为1pg/mL～50ng/mL；
相邻所述赭曲霉毒素A溶液之间的浓度差为10倍。
14.根据权利要求1所述的电化学适配体传感器，其特征在于，所述含有MnO2/Au的溶液的浓度为0.5～2.5mg/mL；
所述含有赭曲霉毒素A捕获适配体的溶液的浓度为8～12μg/mL；
所述含有牛血清白蛋白的溶液的浓度为0.5～1.5μg/mL；
所述含有检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta的溶液的浓度为1.0～3.0mg/mL。
15.一种基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
(1)获得玻碳电极；
(2)将含有MnO2/Au的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅰ；
(3)继续将含有赭曲霉毒素A捕获适配体的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅱ；
(4)继续将含有牛血清白蛋白的溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅲ；
(5)继续将实际样品溶液或者含有赭曲霉毒素A的标准溶液转移至所述玻碳电极表面，得到中间产物Ⅳ；
(6)继续将含有检测适配体复合物Ch-MoS2/Au@Pt-Apta的溶液转移至所述玻碳电极表面，即可得到所述基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器。
16.一种赭曲霉毒素A的检测方法，其特征在于，利用权利要求1至14任一项所述基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器对赭曲霉毒素A进行检测。
17.根据权利要求16所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
(S1)获得由含有赭曲霉毒素A的标准溶液制备得到的一系列所述基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器a；
(S2)获得由实际样品溶液制备得到的所述基于Ch-MoS2/Au@Pt标记的电化学适配体传感器b；
(S3)利用一系列所述传感器a获得赭曲霉毒素A浓度-电流标准曲线；
(S4)获得所述传感器b对应的电流，通过所述赭曲霉毒素A浓度-电流标准曲线，获得所述实际样品溶液的浓度。
18.根据权利要求17所述的检测方法，其特征在于，所述步骤(S3)包括：
(S3-1)使用电化学工作站以三电极体系进行测试，饱和甘汞电极为参比电极，铂丝电极为辅助电极，所述传感器a为工作电极，在pH5.10～8.10磷酸盐缓冲溶液中进行测试；
(S3-2)用计时电流法赭曲霉毒素A进行检测，选择-0.2～-0.6V作为电流测量的输入电压，取样间隔0.1～0.5s，运行时间100～200s；
(S3-3)当背景电流趋于稳定后，每隔预设时间向所述磷酸盐缓冲溶液中注入双氧水溶液，记录电流变化，获得赭曲霉毒素A浓度-电流标准曲线。
19.根据权利要求17所述的检测方法，其特征在于，所述步骤(S4)包括：
将步骤(S3-1)中的所述传感器a替换为所述传感器b，重复步骤(S3-1)～(S3-3)，获得所述传感器b对应的电流，通过所述赭曲霉毒素A浓度-电流标准曲线，获得所述实际样品溶液的浓度。
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