CN114512098A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置。驱动器被配置为在阈值补偿时段中保持阈值补偿晶体管导通以将阈值补偿电压写入存储电容器，并在阈值补偿时段之后的数据写入时段将数据信号写入存储电容器。控制信号的脉冲宽度是数据写入时段的两倍或更多。驱动电路被配置为在数据写入时段开始之前通过第一控制信号脉冲的起始沿使第一晶体管导通，保持第一晶体管导通并通过第二控制信号脉冲的起始沿使第二晶体管导通，以开始数据写入时段，以及通过第一控制信号脉冲的结束沿使第一晶体管断开以结束数据写入时段。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)元件是电流驱动的自发光元件，因此不需要背光源。除此之外，OLED元件具有实现低功耗、宽视角和高对比度的优点；其被期望对平板显示装置的发展做出贡献。
有源矩阵(AM)OLED显示装置包括用于选择像素的晶体管和用于向像素供应电流的驱动晶体管。OLED显示装置中的晶体管是薄膜晶体管(TFT)；通常，使用低温多晶硅(LTPS)TFT。
TFT的阈值电压和电荷迁移率具有变化。由于驱动晶体管决定了OLED显示装置的发光强度，因此它们的电气特性变化可能会引起问题。因此，典型的OLED显示装置包括用于补偿驱动晶体管的阈值电压的变化和偏移的校正电路。
OLED显示装置可能会出现重影，这种现象称为图像残留。例如，在显示黑白棋盘格图案特定时段后显示中间发光水平的全屏图像时，OLED显示装置会显示一段时间的不同发光水平的棋盘格图案的重影。
这是由驱动晶体管的迟滞效应引起的。迟滞效应会在场效应晶体管中引起一种现象，使得在栅极-源极电压从高电压变化到低电压的情况和栅极-源极电压从低电压变化到高电压的情况下流过不同的漏极电流。
也就是说，在发光水平从黑色水平变为中间水平的像素和发光水平从白色水平变为中间水平的像素中流过不同的漏极电流。为此，OLED显示装置发出不同强度的光。漏极电流的这种差异持续几帧，因此，发射的光的强度的差异被感知为重影。
发明内容
图像残留取决于由驱动TFT的迟滞效应引起的电流的瞬态响应特性和由像素电路对驱动TFT的阈值电压补偿特性。此外，对驱动TFT的阈值电压补偿不充分也会导致图像质量下降。同时，期望显示装置用较少的控制信号对像素电路进行控制以实现较高的分辨率和较窄的边框。
根据本发明的一个方面的显示装置包括：包括多个像素电路行的显示区域；以及驱动电路。多个像素电路行中的每一个像素电路行包括多个像素电路。多个像素电路中的每一个像素电路包括：驱动晶体管，所述驱动晶体管被配置为控制流向发光元件的电流量；存储电容器，所述存储电容器被配置为保持驱动晶体管的控制电压；串联连接的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管被配置为将数据信号传输到存储电容器；以及阈值补偿晶体管，所述阈值补偿晶体管被配置为将驱动晶体管的阈值补偿电压写入存储电容器。驱动电路被配置为每经过预定时段，将控制信号脉冲从多个像素电路行中的一行移位到下一行。控制信号脉冲的脉冲宽度是预定时段的两倍或更多。驱动电路被配置为：在阈值补偿时段中，保持阈值补偿晶体管导通以向存储电容器写入阈值补偿电压；以及在阈值补偿时段之后的数据写入时段中，保持阈值补偿晶体管断开并且保持第一晶体管和第二晶体管导通以将数据信号写入存储电容器。控制信号脉冲的脉冲宽度是数据写入时段的两倍或更多。驱动电路被配置为：通过第一控制信号脉冲控制第一晶体管；通过不同于第一控制信号脉冲的第二控制信号脉冲控制第二晶体管；在数据写入时段开始之前，通过第一控制信号脉冲的起始沿使第一晶体管导通；在阈值补偿时段结束后，保持第一晶体管导通，并通过第二控制信号脉冲的起始沿使第二晶体管导通，以开始数据写入时段；以及通过第一控制信号脉冲的结束沿使第一晶体管断开以结束数据写入时段。
本发明的一个方面提高了显示装置的图像质量。
应当理解，前面的概括描述和以下的详细描述都是示例性和解释性的，而不是对本发明的限制。
附图说明
图1示意性地示出了OLED显示装置的配置示例；
图2示出了一实施方式中的像素电路及其控制信号的一配置示例；
图3是用于控制图2所示的像素电路的信号的时序图的示例；
图4是用于控制图2所示的像素电路的信号的时序图的另一个示例；
图5示意性地示出了用于将控制信号传输到图2所示的像素电路的控制信号线的布局；
图6示出了像素电路及其控制信号的另一示例；
图7示出了像素电路及其控制信号的又一示例；
图8示出了像素电路及其控制信号的再一示例；
图9示出了像素电路及其控制信号的再一示例；
图10是用于控制图9所示的像素电路的信号的时序图的示例；
图11示意性地示出了用于将控制信号传输到图9所示的像素电路的控制信号线的布局；
图12示出了像素电路及其控制信号的再一配置示例；
图13是用于控制图12所示的像素电路的信号的时序图的示例；
图14示意性地示出了用于将控制信号传输到图12所示的像素电路的控制信号线的布局；
图15示出了像素电路及其控制信号的再一配置示例；
图16是用于控制图15所示的像素电路的信号的时序图的示例；
图17示出了像素电路及其控制信号的再一配置示例；
图18示意性地示出了多个连续的像素电路行区域；
图19示出了像素电路及其控制信号的再一配置示例；
图20示出了像素电路及其控制信号的再一配置示例；
图21示意性地示出了多个连续的像素电路行区域；以及
图22示出了像素电路及其控制信号的再一配置示例。
具体实施方式
以下，将参考附图描述实施方式。附图中共同的元件由相同的附图标记表示，并且附图中的每个元件在尺寸和/或形状上可能被夸大以清楚地理解描述。
在下文中公开了在诸如有机发光二极管(OLED)显示装置的发光型显示装置中改善驱动电流对点亮发光元件的控制的技术。更具体地，公开了通过用较少的控制信号适当地补偿每个像素电路中的驱动晶体管的阈值来提高显示质量的技术。
例如，图像残留取决于由驱动晶体管的迟滞效应引起的电流的瞬态响应特性以及由像素电路对驱动晶体管进行阈值电压补偿的特性。无论图像残留如何，当对驱动TFT的阈值电压补偿不充分时，图像质量都会下降。
本说明书的一个实施方式的显示装置在将用于补偿驱动晶体管的阈值的电压写入像素电路中的存储电容器之后，将数据信号写入像素电路中的该存储电容器。像素电路包括串联连接以将数据信号传输至存储电容器的开关晶体管。显示装置通过不同的控制信号脉冲来控制这些开关晶体管。这些控制信号脉冲的脉冲宽度是数据写入时段的两倍或更多，并且它们的相位(它们的沿的时刻)不同。通过不同相位的控制信号脉冲控制串联连接的开关晶体管预定时段，使得能够以较少的控制信号进行驱动晶体管的有效的阈值补偿。
显示装置的配置
以下，更具体地描述本说明书的实施方式。图1示意性地示出了OLED显示装置1的配置示例。OLED显示装置1包括在其上制造有机发光元件(OLED元件)和像素电路的薄膜晶体管(TFT)基板10、和用于封装OLED元件的薄膜封装(TFE)20。薄膜封装20是结构封装单元的示例。结构封装单元的另一示例可以包括用于封装OLED元件的封装基板和用于将TFT基板10和封装基板接合的粘合剂(玻璃料密封剂)。例如，TFT基板10与封装基板之间的空间填充有干燥空气或氮气。
在TFT基板10的显示区域25的外侧的阴极电极区域14的外围设置有扫描驱动器31、发射驱动器32、保护电路33、驱动IC 34和解复用器36。驱动IC 34经由柔性印刷电路(FPC)35连接到外部装置。这些电路被包括在用于控制OLED显示装置1的控制电路中。这些电路中的一个或多个可以是可选的。
扫描驱动器31驱动TFT基板10上的扫描线。发射驱动器32驱动发射控制线以控制像素的发光时段。如稍后将描述的，除了发射控制线之外，发射驱动器32还可以驱动用于驱动晶体管的阈值补偿或用于数据写入的扫描线。为此，扫描驱动器31可称为第一扫描驱动器，而发射驱动器32可称为第二扫描驱动器。发射控制线用于逐个选择像素电路行，因此它们也是扫描线。扫描线和发射控制线是用于控制像素电路的控制线。
扫描驱动器31和发射驱动器32被包括在用于驱动像素电路的驱动电路中。用于输出与来自扫描驱动器31和发射驱动器32的控制信号等效的控制信号的电路可以仅设置在显示区域25的一侧。
扫描驱动器31和发射驱动器32设置在跨显示区域25的相对侧上。扫描线和发射控制线设置为在图1中水平延伸并竖直排列。驱动IC 34例如安装有各向异性导电膜(ACF)。
保护电路33保护像素电路中的元件免受静电放电。驱动IC 34向扫描驱动器31和发射驱动器32提供电力和时序信号(控制信号)，并且还向解复用器36提供电力和数据信号。
解复用器36将驱动IC 34的一个引脚的输出串行输出到d条数据线(d是大于1的整数)。在图1中，数据线设置为竖直延伸并水平排列。解复用器36在每个扫描时段将用于来自驱动IC 34的数据信号的输出数据线改变d次，以对驱动IC 34的输出引脚的d倍的数据线进行驱动。
如稍后将描述的，每个像素电路包括驱动TFT(驱动晶体管)和用于保持用于确定驱动TFT的驱动电流的信号电压的存储电容器。数据线传输的数据信号根据驱动TFT的阈值被调整，并且被存储到存储电容器。存储电容器的电压决定驱动TFT的栅极电压(Vgs)。调整后的数据信号以模拟方式改变驱动TFT的电导，以向OLED元件供应与发光水平相对应的正向偏置电流。
像素电路的配置
图2示出了一实施方式中的像素电路200及其控制信号的配置示例。像素电路200被包括在第N(N是整数)像素电路行中。像素电路200包括七个晶体管(TFT)M11至M17，每个晶体管具有栅极、源极和漏极。本示例中的所有的晶体管M11至M17均为p型TFT(晶体管的极性为p型)。
晶体管M11是用于控制流向OLED元件E1的电流量的驱动晶体管。驱动晶体管M11的源极与用于传输电源电位PVDD的电源线241连接。驱动晶体管M11根据存储电容器C10中存储的电压控制要从电源线241供应给OLED元件E1的电流量。存储电容器C10在一帧时段内保持写入电压。OLED元件E1的阴极与用于传输来自阴极电源的电源电位PVEE的电源线204连接。
图2的配置示例中的存储电容器C10由串联连接的电容器C11和C12组成。存储电容器C10的一端被供应阳极电源电位PVDD，另一端与开关晶体管M13和M14的源极/漏极连接。存储电容器C10的又一端与驱动晶体管M11的栅极连接。
更具体地，电容器C12的一端与电源线241连接；电容器C11的一端与开关晶体管M13和M14的源极/漏极连接；电容器C11和C12之间的中间节点与驱动晶体管M11的栅极连接。
存储电容器C10的电压是驱动晶体管M11的栅极与阳极电源线241之间的电压。驱动晶体管M11的源极与阳极电源线241连接；源极电位是阳极电源电位PVDD。因此，存储电容器C10存储驱动晶体管M11的栅极和源极之间的电压。在图2的配置示例中，电容器C12保持驱动晶体管M11的栅极-源极电压。
晶体管M15是发射控制开关晶体管，用于控制向OLED元件E1的驱动电流的供应的启动/停止和由此产生的OLED元件E1的发光的启动/停止。晶体管M15的源极与驱动晶体管M11的漏极连接。晶体管M15使向与其漏极连接的OLED元件E1的电流供应切换为启动/停止。晶体管M15的栅极与控制信号线232A连接，并且晶体管M15由从发射驱动器32输入到其栅极的发射控制信号Em_N控制。发射控制信号是用于控制OLED元件E1的发光的选择信号。
晶体管M16用于向OLED元件E1的阳极供应复位电位Vrst。晶体管M16的源极/漏极中的一端与用于传输复位电位Vrst的电源线242连接，另一端与OLED元件E1的阳极连接。
晶体管M16的栅极与控制信号线231A连接，晶体管M16由控制信号S_N控制。当晶体管M16被来自扫描驱动器31的控制信号S_N导通时，晶体管M16将由电源线242传输的复位电位Vrst供应给OLED元件E1的阳极。晶体管M15和M16还经由晶体管M12向驱动晶体管M11的栅极提供复位电位Vrst。
晶体管M12是开关晶体管(阈值补偿晶体管)，用于将用于校正(补偿)驱动晶体管M11的阈值的电压写入到存储电容器C10并且用于复位驱动晶体管M11的栅极电位。晶体管M12的源极和漏极连接驱动晶体管M11的栅极和漏极。因此，当晶体管M12导通时，驱动晶体管M11被进行二极管连接。
晶体管M14为开关晶体管(阈值补偿晶体管)，用于将用于驱动晶体管M11的阈值补偿的电压写入存储电容器C10。晶体管M14控制是否向存储电容器C10供应基准电位Vref。晶体管M14的源极/漏极中的一端与用于传输基准电位Vref的电源线202连接，另一端与电容器C11的一端连接。晶体管M14的栅极与控制信号线231A连接，并且晶体管M14由从扫描驱动器31输入到其栅极的选择信号S_N控制。
晶体管M12、M16和M14由选择信号S_N控制。因此，这些晶体管M12、M16和M14同时导通/断开。在这些晶体管和晶体管M15导通的时段期间，驱动晶体管M11的栅极电位被复位。随后，发射控制晶体管M15断开。当晶体管M12和M14导通时，晶体管M11是被进行二极管连接的晶体管。电源电位PVDD与基准电位Vref之间的阈值补偿电压被写入存储电容器C10。
串联连接的晶体管M13和M17是用于选择要被供应数据信号的像素电路并将数据信号(数据信号电压)Vdata写入存储电容器C10的开关晶体管。
晶体管M13的源极/漏极中的一端与存储电容器C10连接，另一端与晶体管M17的源极/漏极中的一端连接。更具体地，晶体管M13的源极/漏极中的一端与电容器C11的一端连接。晶体管M17的源极/漏极中的另一端与用于传输数据信号Vdata的数据线237连接。
晶体管M13的栅极与用于传输来自发射驱动器32的发射控制信号Em_N-1的控制信号线232B连接。晶体管M13由发射控制信号Em_N-1控制。虽然发射控制信号Em_N-1是用于控制第(N-1)像素电路行的发光的信号，但是晶体管M13不是用于控制OLED元件E1的发光的晶体管，而是用于控制数据信号Vdata向存储电容器C10的供应的开关晶体管。
晶体管M17的栅极与用于传输来自扫描驱动器31的选择信号S_N+1的控制信号线231B连接。晶体管M17由选择信号S_N+1控制。选择信号S_N+1是用于选择第(N+1)像素电路行的信号。晶体管M17控制数据信号Vdata向存储电容器C10的供应。
当晶体管M13和M17同时导通时，晶体管M13和M17将从驱动IC 34经由数据线237供应的数据信号Vdata供应给存储电容器C10。由于晶体管M13和M17如上所述由不同的像素电路行的控制信号控制，因此仅在两个控制信号S_N+1和Em_N-1均为低电平的时段中向存储电容器C10供应数据信号Vdata。
图3是用于控制图2所示的像素电路200的第N像素电路行中的信号以将驱动晶体管M11的阈值补偿电压和数据信号Vdata写入像素电路的时序图的示例。
具体地，图3示出了用于分别选择第N像素电路行及第(N+1)像素电路行以写入数据信号Vdata的选择信号S_N和S_N+1、以及分别用于第(N-1)像素电路行和第N像素电路行的发射控制信号Em_N-1和Em_N的在一帧中的信号电位电平的时间变化。选择信号是一种控制信号并且可称为扫描信号。
图3的时序图中的1H时段是向像素电路写入数据信号Vdata的时段，并且是晶体管M13、M17导通的时段。阈值补偿时段不短于1H，并且在图3的示例中为2H。
在时刻T1，选择信号S_N+1为高并且晶体管M17断开。发射控制信号Em_N为低并且晶体管M15导通。
在时刻T1，选择信号S_N从高变为低并且发射控制信号Em_N-1从低变为高。晶体管M12、M14和M16响应于选择信号S_N的变化而从断开变为导通。晶体管M13响应于发射控制信号Em_N-1的变化而从导通变为断开。
响应于晶体管M16导通，复位电位Vrst向OLED元件E1的阳极的供应开始。由于晶体管M12、M15和M16导通，因此复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应开始。该状态从时刻T1保持到时刻T2。从时刻T1到时刻T2的时段是复位OLED元件E1的阳极电位和驱动晶体管M11的栅极电位的时段。从时刻T1到时刻T2的时段的长度为1H。在复位时段中，晶体管M13和M17断开。
在时刻T2，选择信号S_N+1从高变为低，此外发射控制信号Em_N从低变为高。晶体管M17响应于选择信号S_N+1的变化而从断开变为导通。晶体管M15响应于发射控制信号Em_N的变化而从导通变为断开。通过晶体管M15变为断开，复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应停止。
在时刻T2，晶体管M12、M14、M16和M17导通。晶体管M13和M15断开。由于晶体管M13和M15断开，晶体管M12和M14导通，因此阈值补偿电压被写入存储电容器C10。在时刻T2，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入开始。如上所述，响应于选择信号S_N+1的脉冲的起始沿，晶体管M17从断开变为导通同时阈值补偿时段开始。
从时刻T2到时刻T3，信号S_N、S_N+1、Em_N-1和Em_N的电位电平被保持。在时刻T3，选择信号S_N从低变为高。此外，发射控制信号Em_N-1从高变为低。
晶体管M12、M14和M16响应于选择信号S_N的变化而从导通变为断开。因此，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入在时刻T3结束。从时刻T2到时刻T3的时段是向存储电容器C10写入阈值补偿电压的时段，并且在图3的示例中长度为2H。
响应于发射控制信号Em_N-1在时刻T3的变化，晶体管M13从断开变为导通。由于晶体管M13和M17导通，因此数据信号Vdata经由晶体管M13和M17写入存储电容器C10。在时刻T3，数据信号Vdata向存储电容器C10的写入开始。从时刻T3到时刻T4，信号S_N、S_N+1、Em_N-1和Em_N的电位电平被保持。
在时刻T4，选择信号S_N+1从低变为高。响应于此，晶体管M17从导通变为断开，由此，向第N像素电路行的数据写入结束。从时刻T3到时刻T4的时段为第N像素电路行的数据写入时段，长度为1H。在时刻T4之后，选择信号S_N+1保持为高。
在时刻T4，发射控制信号Em_N从高变为低。响应于此，晶体管M15从断开变为导通。由此，驱动电流被供应给OLED元件E1并且OLED元件E1开始发光。
图4是用于控制图2所示的像素电路200的第N像素电路行中的信号以将用于驱动晶体管M11的阈值补偿电压和数据信号Vdata写入像素电路的时序图的另一示例。具体地，图4示出了选择信号S_N和S_N+1以及发射控制信号Em_N-1和Em_N的在一帧中的信号电位电平的时间变化。
在图4的时序图中的1H时段是向像素电路写入数据信号Vdata的时段并且是晶体管M13、M17导通的时段。阈值补偿时段不短于1H，并且在图4的示例中为1H。
在时刻T11，选择信号S_N+1为高并且晶体管M17断开。发射控制信号Em_N为低并且晶体管M15导通。
在时刻T11，选择信号S_N从高变为低并且发射控制信号Em_N-1从低变为高。晶体管M12、M14和M16响应于选择信号S_N的变化而从断开变为导通。晶体管M13响应于发射控制信号Em_N-1的变化而从导通变为断开。
响应于晶体管M16导通，复位电位Vrst向OLED元件E1的阳极的供应开始。由于晶体管M12、M15和M16导通，因此复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应开始。该状态从时刻T11保持到时刻T12。从时刻T11到时刻T12的时段是复位OLED元件E1的阳极电位和驱动晶体管M11的栅极电位的时段。从时刻T11到时刻T12的时段具有1H的长度。
在时刻T12，选择信号S_N+1从高变为低，此外发射控制信号Em_N从低变为高。晶体管M17响应于选择信号S_N+1的变化而从断开变为导通。晶体管M15响应于发射控制信号Em_N的变化而从导通变为断开。通过晶体管M15变为断开，复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应停止。
在时刻T12，晶体管M12、M14、M16和M17导通。晶体管M13和M15断开。由于晶体管M13和M15断开并且晶体管M12和M14导通，因此阈值补偿电压被写入存储电容器C10。在时刻T12，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入开始。
从时刻T12到时刻T13，信号S_N、S_N+1、Em_N-1和Em_N的电位电平被保持。在时刻T13，选择信号S_N从低变为高。此外，发射控制信号Em_N-1从高变为低。
晶体管M12、M14和M16响应于选择信号S_N的变化而从导通变为断开。因此，在时刻T13，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入结束。从时刻T12到时刻T13的时段是向存储电容器C10写入阈值补偿电压的时段并且在图4的示例中具有1H的长度。
晶体管M13响应于发射控制信号Em_N-1在时刻T13的变化，从断开变为导通。由于晶体管M13和M17导通，因此数据信号Vdata经由晶体管M13和M17写入存储电容器C10。在时刻T13，数据信号Vdata向存储电容器C10的写入开始。从时刻T13到时刻T14，信号S_N、S_N+1、Em_N-1和Em_N的电位电平被保持。
在时刻T14，选择信号S_N+1从低变为高。响应于此，晶体管M17从导通变为断开，由此，向第N像素电路行的数据写入结束。从时刻T13到时刻T14的时段是第N像素电路行的数据写入时段，长度为1H。在时刻T14之后，选择信号S_N+1保持为高。
在时刻T14，发射控制信号Em_N从高变为低。响应于此，晶体管M15从断开变为导通。由此，驱动电流被供应给OLED元件E1并且OLED元件E1开始发光。
在上述示例中，晶体管M13和M17由不同的控制信号脉冲控制。具体地，晶体管M17由控制信号S_N+1的脉冲控制，晶体管M13由控制信号Em_N-1的脉冲控制。
晶体管M17(第一晶体管的示例)在比数据写入时段开始的时刻之前的时刻T2或T12通过控制信号S_N+1的脉冲的起始沿而导通。晶体管M13(第二晶体管的示例)在数据写入时段开始的时刻T3或T13通过控制信号Em_N-1的脉冲的起始沿而导通。在数据写入时段结束时的时刻T4或T14，晶体管M17通过控制信号S_N+1的脉冲的结束沿而断开。
在图4的时序图中，控制信号的脉冲宽度为2H，是数据写入时段的两倍。阈值补偿时段的长度等于数据写入时段。在图3的时序图中，控制信号的脉冲宽度为3H，是数据写入时段的三倍。阈值补偿时段是数据写入时段的两倍。可以使控制信号的脉冲宽度比这些示例更长，以提供更长的阈值补偿时段。
通过用具有2H或更大的脉冲宽度的不同的控制信号脉冲控制晶体管M13和M17，可以在1H的数据写入时段之前通过更少的控制信号脉冲提供阈值补偿时段。此外，可以通过调整控制信号的脉冲宽度来配置阈值补偿时段的期望长度。
图5示意性地示出了用于将控制信号传输到像素电路200的控制信号线的布局。显示区域25包括用于控制各个像素的OLED元件的发光的多个像素电路200。在图5中，作为示例，像素电路中的一个用附图标记200表示。在图5的配置示例中，像素电路200设置成矩阵。像素电路的布局不限于特定的布局。
例如，在全色OLED显示装置中，每个OLED元件发射红色、蓝色和绿色中的一种颜色的光。多个像素电路200构成像素电路阵列。在图5的配置示例中，一个像素电路行由沿X轴(图5中水平地)排列的多个像素电路200构成。一个像素电路行通过相同的控制信号线控制。
未示出的数据线分别与像素电路列连接，该像素电路列与每个像素电路行中的一个像素电路连接。每条数据线将指定发光强度的数据信号传输到所选像素电路行中的像素电路。
第一移位寄存器310被包括在扫描驱动器31中。第一移位寄存器310包括多个串联连接的移位寄存器单元312。移位寄存器单元312为触发器。在图5中，作为示例，移位寄存器单元中的一个用附图标记312表示。作为示例，图5包括第(N-1)至第(N+3)移位寄存器单元312。每个移位寄存器单元312内的字符串表示从移位寄存器单元312输出的控制信号。例如，包括字符串S_N的移位寄存器单元输出选择信号S_N。
第二移位寄存器320被包括在发射驱动器32中。第二移位寄存器320包括多个串联连接的移位寄存器单元322。移位寄存器单元322为触发器。在图5中，作为示例，移位寄存器单元中的一个用附图标记322表示。每个移位寄存器单元322内的字符串表示从移位寄存器单元322输出的控制信号。例如，包括字符串Em_N的移位寄存器单元输出发射控制信号Em_N。
第一移位寄存器310根据未示出的时钟信号驱动沿X轴延伸的控制信号线231A和231B。一对控制信号线231A和231B传输从移位寄存器单元312输出的同一控制信号。在图5中，作为示例，来自一个移位寄存器单元312的两条控制信号线用附图标记231A和231B表示。
第二移位寄存器320根据未示出的时钟信号驱动沿X轴延伸的控制信号线232A和232B。一对控制信号线232A和232B传输从移位寄存器单元322输出的同一控制信号。在图5中，作为示例，来自一个移位寄存器单元322的两条控制信号线用附图标记232A和232B表示。
控制信号线231A将从第K(K为整数)移位寄存器单元312输出的选择信号S_K传输至第K像素电路行。控制信号线231B将从第K移位寄存器单元312输出的选择信号S_K传输到第(K-1)像素电路行。
控制信号线232A将从第K移位寄存器单元322输出的发射控制信号Em_K传输到第K像素电路行。控制信号线232B将从第K移位寄存器单元322输出的发射控制信号Em_K传输到第(K+1)像素电路行。
构成像素电路行的像素电路200与相同的控制信号线231A、231B、232A和232B连接，并由这些控制信号线传输的相同控制信号控制。已经参考图3或图4描述了控制像素电路200的方法。
第一移位寄存器310根据图5中未示出的起始脉冲信号和时钟信号串行输出信号脉冲。起始脉冲信号是周期为一帧的信号，并且其脉冲宽度与在图3或图4中从控制信号线输出的脉冲的脉冲宽度相同。在图3的时序图的情况下，第一移位寄存器310在串联连接的移位寄存器单元312中，每1H将宽度为3H的信号脉冲从一级向下一级移位。移位寄存器单元312的基准输出电平为高，信号脉冲的电位电平为低。
在图4的时序图的情况下，第一移位寄存器310在串联连接的移位寄存器单元312中，每1H将宽度为2H的信号脉冲从一级向下一级移位。
第二移位寄存器320根据图5中未示出的起始脉冲信号和时钟信号串行输出信号脉冲。起始脉冲信号是周期为一帧的信号，并且其脉冲宽度与在图3或图4中从控制信号线输出的脉冲的脉冲宽度相同。在图3的时序图的情况下，第二移位寄存器320在串联连接的移位寄存器单元322中，每1H将宽度为3H的信号脉冲从一级向下一级移位。
由上可知，第二移位寄存器320每1H将宽度为3H的信号脉冲从一个像素电路行移位到下一个像素电路行。移位寄存器单元322的基准输出电平为低，信号脉冲的电位电平为高。也就是说，从第二移位寄存器320输出的信号脉冲的极性与第一移位寄存器310输出的信号脉冲的极性相反。
如图3所示，从第一移位寄存器310和第二移位寄存器320的同级移位寄存器单元输出的信号脉冲的相位偏移1H。来自第二移位寄存器320的脉冲比来自第一移位寄存器310的脉冲延迟1H。也就是说，第(K-1)、第K、和第(K+1)移位寄存器单元312以及第(K-2)、第(K-1)、和第K移位寄存器单元322在同一时段输出脉冲。
在图4的时序图的情况下，第二移位寄存器320在串联连接的移位寄存器单元322中每1H将宽度为2H的信号脉冲从一级移位到下一级。其余的与图3的情况相同。
总之，第一移位寄存器310每预定时段将具有第一极性(低)的控制信号脉冲从一个像素电路行移位到下一个像素电路行。第二移位寄存器320每预定时段将具有第二极性(高)的控制信号脉冲从一个像素电路行移位到下一个像素电路行。来自第一移位寄存器310的控制信号脉冲与来自第二移位寄存器320的控制信号脉冲同步。
像素电路由来自第一移位寄存器310的两个控制信号S_N和S_N+1以及来自第二移位寄存器320的两个控制信号Em_N-1和Em_N控制。通过用来自每个移位寄存器的两个控制信号来控制像素电路使得布局控制线能够更容易。用于产生上述控制信号的电路可以包括除移位寄存器之外的电路。数据写入时段的长度可以与控制信号脉冲的时钟周期不同；例如，它可以比时钟周期短。这些要点适用于以下要描述的配置示例。
图6示出了像素电路及其控制信号的另一个示例。主要描述与图2所示的像素电路200的不同之处。代替图2中的像素电路200的存储电容器C10，图6中的像素电路210包括存储电容器C20。存储电容器C20由电容器C21和C22组成，电容器C21和C22串联连接在传输阳极电源电位PVDD的电源线241与驱动晶体管M11的栅极之间。
电容器C22的一端与电源线241连接。电容器C22的另一端与电容器C21的一端连接。电容器C21的另一端与驱动晶体管M11的栅极连接。电容器C21与C22之间的中间节点与晶体管M14的源极/漏极和晶体管M13的源极/漏极连接。用于控制像素电路210的控制信号的时序图与图3或图4的时序图相同，并且晶体管以与参考图3或图4所描述的方式的相同的方式操作。
图7示出了像素电路及其控制信号的又一示例。主要描述与图2所示的像素电路200的不同之处。代替图2中的像素电路200的晶体管M12和M14，图7中的像素电路220包括晶体管M22和M24。晶体管M22和M24为第一阈值补偿晶体管和第二阈值补偿晶体管。
晶体管M22和M24为n型晶体管(晶体管的极性为n型)。p型晶体管的示例是低温多晶硅TFT，n型晶体管的示例是氧化物半导体TFT。氧化物半导体TFT比低温多晶硅TFT产生更少的漏电流，因此可以更适当地保持存储电容器中的电荷。
导通还是断开晶体管M22由输入到其栅极的发射控制信号Em_N-1控制。导通还是断开晶体管M24由输入到其栅极的发射控制信号Em_N-1控制。用于控制像素电路220的控制信号的时序图与图3或图4的时序图相同。
以示例的方式描述根据图3的时序图的像素电路220的操作。在时刻T1，选择信号S_N+1为高并且晶体管M17断开。发射控制信号Em_N为低并且晶体管M15导通。
在时刻T1，选择信号S_N从高变为低并且发射控制信号Em_N-1从低变为高。晶体管M16响应于选择信号S_N的变化而从断开变为导通。晶体管M22和M24响应于发射控制信号Em_N-1的变化而从断开变为导通并且晶体管M13从导通变为断开。
响应于晶体管M16变为导通，复位电位Vrst向OLED元件E1的阳极的供应开始。由于晶体管M22、M15和M16导通，因此复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应开始。该状态从时刻T1保持到时刻T2。
在时刻T2，选择信号S_N+1从高变为低，此外发射控制信号Em_N从低变为高。晶体管M17响应于选择信号S_N+1的变化而从断开变为导通。晶体管M15响应于发射控制信号Em_N的变化而从导通变为断开。通过晶体管M15变为断开，复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应停止。
在时刻T2，晶体管M22、M24、M16和M17导通。晶体管M13和M15断开。由于晶体管M13和M15断开并且晶体管M22和M24导通，因此阈值补偿电压被写入存储电容器C10。在时刻T2，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入开始。
在时刻T3，选择信号S_N从低变为高，此外发射控制信号Em_N-1从高变为低。晶体管M16响应于选择信号S_N的变化而从导通变为断开。晶体管M22和M24响应于发射控制信号Em_N-1的变化而从导通变为断开。因此，在时刻T3，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入结束。
晶体管M13响应于发射控制信号Em_N-1在时刻T3的变化而从断开变为导通。由于晶体管M13和M17导通，因此数据信号Vdata经由晶体管M13和M17写入存储电容器C10。在时刻T3，数据信号Vdata向存储电容器C10的写入开始。
在时刻T4，选择信号S_N+1从低变高。响应于此，晶体管M17从导通变为断开，由此，向第N像素电路行的数据写入结束。在时刻T4，发射控制信号Em_N从高变为低。响应于此，晶体管M15从断开变为导通。由此，驱动电流被供应给OLED元件E1并且OLED元件E1开始发光。
图8示出了像素电路及其控制信号的再一示例。主要描述与图2所示的像素电路200的不同之处。代替图2中的像素电路200的晶体管M12、M13、M14和M17，图8中的像素电路230包括晶体管M22、M23、M24和M27。晶体管M22、M23、M24、M27为n型晶体管。
如果来自阈值补偿晶体管M22和M24的漏电流大，则它们的栅极电位在数据保持时段发生变化而引起闪烁。如果来自数据写入晶体管M23和M27的漏电流大，则数据信号泄漏到存储电容器的电位而引起串扰。同时，期望驱动晶体管M11具有高迁移率以实现高分辨率和高频驱动。
由于这些原因，期望驱动晶体管M11是p型晶体管并且阈值补偿晶体管M22和M24以及数据写入晶体管M23和M27是n型晶体管。驱动晶体管可以采用写入能力高的低温多晶硅TFT，阈值补偿晶体管和数据写入晶体管可以采用产生小的漏电流的氧化物半导体TFT。将具有不同特性的晶体管组合，不仅有利地实现了高分辨率显示和高频驱动，而且同时实现了低频驱动以节省功耗。
导通还是断开晶体管M22由输入到其栅极的发射控制信号Em_N-1控制。导通还是断开晶体管M23由输入到其栅极的选择信号S_N控制。导通还是断开晶体管M24由输入到其栅极的发射控制信号Em_N-1控制。导通还是断开晶体管M27由输入到其栅极的发射控制信号Em_N控制。
相较于图2中像素电路200的控制信号，图8中的控制信号不包括选择信号S_N+1。用于控制像素电路230的控制信号的时序图通过从图3或图4的时序图中去除选择信号S_N+1获得。控制信号线的布局通过从图5的布局中去除控制信号线231B获得。
以示例的方式，描述根据图3的时序图的像素电路230的操作。在时刻T1，发射控制信号Em_N为低；晶体管M27断开并且晶体管M15导通。
在时刻T1，选择信号S_N从高变为低并且发射控制信号Em_N-1从低变为高。响应于选择信号S_N的变化，晶体管M23从导通变为断开并且晶体管M16从断开变为导通。晶体管M22和M24响应于发射控制信号Em_N-1的变化而从断开变为导通。
响应晶体管M16变为导通，复位电位Vrst向OLED元件E1的阳极的供应开始。由于晶体管M22、M15和M16导通，因此复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应开始。该状态从时刻T1保持到时刻T2。
在时刻T2，发射控制信号Em_N由低变为高。响应于发射控制信号Em_N的变化，晶体管M27(第一晶体管的示例)从断开变为导通并且晶体管M15从导通变为断开。通过晶体管M15变为断开，复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应停止。
在时刻T2，晶体管M22、M24、M16和M27导通。晶体管M23和M15断开。由于晶体管M23和M15断开并且晶体管M22和M24导通，因此阈值补偿电压被写入存储电容器C10。在时刻T2，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入开始。
在时刻T3，选择信号S_N从低变为高。此外，发射控制信号Em_N-1从高变为低。晶体管M16响应于选择信号S_N的变化而从导通变为断开。晶体管M22和M24响应于发射控制信号Em_N-1的变化而从导通变为断开。因此，在时刻T3，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入结束。
晶体管M23(第二晶体管的示例)响应于选择信号S_N在时刻T3的变化而从断开变为导通。由于晶体管M23和M27导通，因此数据信号Vdata经由晶体管M23和M27被写入存储电容器C10。在时刻T3，数据信号Vdata向存储电容器C10的写入开始。
在时刻T4，发射控制信号Em_N从高变为低。响应于此，晶体管M27从导通变为断开，由此，向第N像素电路行的数据写入结束。此外，晶体管M15从断开变为导通。由此，驱动电流被供应给OLED元件E1并且OLED元件E1开始发光。
图9示出了像素电路及其控制信号的再一示例。主要描述与图2所示的像素电路200的不同之处。代替图2中的像素电路200的晶体管M12、M13、M14和M17，图9中的像素电路240包括晶体管M22、M23、M24和M27。晶体管M22、M23、M24、M27为n型晶体管。
该示例还对驱动晶体管M11采用p型晶体管，并且对阈值补偿晶体管M22和M24以及数据写入晶体管M23和M27采用n型晶体管，以允许对驱动晶体管应用具有写入能力高的低温多晶硅TFT，对阈值补偿晶体管和数据写入晶体管应用产生小的漏电流的氧化物半导体TFT。将具有不同特性的晶体管组合，，不仅有利地实现了高分辨率显示和高频驱动，而且同时实现了低频驱动以节省功耗。
导通还是断开晶体管M22由输入到其栅极的发射控制信号Em_N-1控制。导通还是断开晶体管M23由输入到其栅极的发射控制信号Em_N控制。导通还是断开晶体管M24由输入到其栅极的发射控制信号Em_N-1控制。导通还是断开晶体管M27由输入到其栅极的发射控制信号Em_N+2控制。
图10是用于控制图9所示的像素电路240的信号的时序图的示例。图10示出了选择信号S_N和发射控制信号Em_N-1、Em_N和Em_N+2的在一帧中的信号电位电平的时间变化。
图10的时序图中的1H时段是向像素电路写入数据信号Vdata的时段，并且是晶体管M23和M27导通的时段。阈值补偿时段不短于1H，并且在图10的示例中为2H。
在时刻T1，发射控制信号Em_N+2为低并且晶体管M27断开。发射控制信号Em_N也为低，并且晶体管M15导通，晶体管M23断开。
在时刻T1，选择信号S_N从高变为低并且发射控制信号Em_N-1从低变为高。晶体管M16响应于选择信号S_N的变化而从断开变为导通。晶体管M22和M24响应于发射控制信号Em_N-1的变化而从断开变为导通。
响应于晶体管M16变为导通，复位电位Vrst向OLED元件E1的阳极的供应开始。由于晶体管M22、M15和M16导通，因此复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应开始。该状态从时刻T1保持到时刻T2。从时刻T1到时刻T2的时段是复位OLED元件E1的阳极电位和驱动晶体管M11的栅极电位的时段。从时刻T1到时刻T2的时段的长度为1H。
在时刻T2，发射控制信号Em_N从低变为高。响应于发射控制信号Em_N的变化，晶体管M15从导通变为断开并且晶体管M23(第一晶体管的示例)从断开变为导通。通过晶体管M15变为断开，复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应停止。
在时刻T2，晶体管M22、M24、M16和M23导通。晶体管M27和M15断开。由于晶体管M27和M15断开并且晶体管M22和M24导通，因此阈值补偿电压被写入存储电容器C10。在时刻T2，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入开始。
从时刻T2到时刻T3，信号S_N、Em_N-1、Em_N和Em_N+2的电位电平被保持。在时刻T3，选择信号S_N从低变为高。此外，发射控制信号Em_N-1从高变为低并且发射控制信号Em_N+2从低变为高。
晶体管M16响应于选择信号S_N的变化而从导通变为断开。晶体管M22和M24响应于发射控制信号Em_N-1的变化而从导通变为断开。因此，在时刻T3，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入结束。从时刻T2到时刻T3的时段是向存储电容器C10写入阈值补偿电压的时段，并且在图10的示例中的长度为2H。
响应于发射控制信号Em_N+2在时刻T3的变化，晶体管M27(第二晶体管的示例)从断开变为导通。由于晶体管M23和M27导通，因此数据信号Vdata经由晶体管M23和M27写入存储电容器C10。在时刻T3，数据信号Vdata向存储电容器C10的写入开始。从时刻T3到时刻T4，信号S_N、Em_N-1、Em_N和Em_N+2的电位电平被保持。
在时刻T4，发射控制信号Em_N从高变为低。响应于此，晶体管M23从导通变为断开，由此，向第N像素电路行的数据写入结束。从时刻T3到时刻T4的时段为第N像素电路行的数据写入时段，并且长度为1H。在时刻T4之后，发射控制信号Em_N保持为低。
响应于发射控制信号Em_N在时刻T4的变化，晶体管M15从断开变为导通。因此，驱动电流被供应给OLED元件E1并且OLED元件E1开始发光。在比时刻T4迟2H的时刻，发射控制信号Em_N+2从高变为低。
响应于此，晶体管M27从导通变为断开。无论晶体管M27的状态的变化如何，OLED元件E1的发光都被保持。与图8中的配置相比，两个晶体管M23和M27变为断开。这种配置有效地减少了在发光时段期间从存储电容器向数据线的泄漏。
图11示意性地示出了用于将控制信号传输到像素电路240的控制信号线的布局。主要描述与图5中的配置示例的不同之处。图11中的配置示例不包括图5中的控制信号线231B而是包括控制信号线232C。控制信号线232C将从第K移位寄存器单元322输出的发射控制信号Em_K传输到第(K-2)像素电路行。
图12示出了像素电路及其控制信号的再一配置示例。图12中的像素电路250的元件配置与图2中的像素电路200的元件配置相同。像素电路250中的一些晶体管的控制信号与像素电路200中的相应晶体管的控制信号不同。具体地，选择信号S_N+1被输入到晶体管M13的栅极，并且选择信号S_N+3被输入到晶体管M17的栅极。像素电路250的其余部分与像素电路200相同。
图13是用于控制图12所示的像素电路250的信号的时序图的示例。图13示出了选择信号S_N、S_N+1、S_N+3和发射控制信号Em_N的在一帧中的信号电位电平的时间变化。
图13的时序图中的1H时段是向像素电路写入数据信号Vdata的时段，并且是晶体管M13和M17导通的时段。阈值补偿时段不短于1H，并且在图13的示例中为2H。
在时刻T1，选择信号S_N+1为高并且晶体管M13断开。选择信号S_N+3也为高并且晶体管M17断开。发射控制信号Em_N为低并且晶体管M15导通。
在时刻T1，选择信号S_N从高变为低。晶体管M12、M14和M16响应于选择信号S_N的变化而从断开变为导通。
响应于晶体管M16变为导通，复位电位Vrst向OLED元件E1的阳极的供应开始。由于晶体管M12、M15和M16导通，因此复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应开始。该状态从时刻T1保持到时刻T2。从时刻T1到时刻T2的时段是复位OLED元件E1的阳极电位和驱动晶体管M11的栅极电位的时段。从时刻T1到时刻T2的时段的长度为1H。
在时刻T2，选择信号S_N+1从高变为低，此外发射控制信号Em_N从低变为高。晶体管M13(第一晶体管的示例)响应于选择信号S_N+1的变化而从断开变为导通，并且晶体管M15响应于发射控制信号Em_N的变化而从导通变为断开。通过晶体管M15变为断开，复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应停止。
在时刻T2，晶体管M12、M13、M14和M16导通。晶体管M15和M17断开。由于晶体管M15和M17断开并且晶体管M12和M14导通，因此阈值补偿电压被写入存储电容器C10。在时刻T2，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入开始。
从时刻T2到时刻T3，信号S_N、S_N+1、S_N+3和Em_N的电位电平被保持。在时刻T3，选择信号S_N从低变为高。此外，选择信号S_N+3从高变为低。
晶体管M12、M14和M16响应于选择信号S_N的变化而从导通变为断开。因此，在时刻T3，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入结束。从时刻T2到时刻T3的时段是向存储电容器C10写入阈值补偿电压的时段，并且在图13的示例中长度为2H。
响应于选择信号S_N+3在时刻T3的变化，晶体管M17(第二晶体管的示例)从断开变为导通。由于晶体管M13和M17导通，因此数据信号Vdata经由晶体管M13和M17被写入存储电容器C10。在时刻T3，数据信号Vdata向存储电容器C10的写入开始。从时刻T3到时刻T4，信号S_N、S_N+1、S_N+3和Em_N的电位电平被保持。
在时刻T4，选择信号S_N+1从低变为高。响应于此，晶体管M13从导通变为断开，由此，向第N像素电路行的数据写入结束。从时刻T3到时刻T4的时段为第N像素电路行的数据写入时段，并且长度为1H。在时刻T4之后，选择信号S_N+1保持为高。
在时刻T4，发射控制信号Em_N从高变为低。响应于此，晶体管M15从断开变为导通。由此，驱动电流被供应给OLED元件E1并且OLED元件E1开始发光。在比时刻T4迟2H的时刻，选择信号S_N+3从低变为高。晶体管M17响应于选择信号S_N+3的脉冲的结束沿而从导通变为断开。由于两个晶体管M13和M17断开，因此可以有效减少发光时段期间中从存储电容器向数据线的泄漏。
图14示意性地示出了用于将控制信号传输到像素电路250的控制信号线的布局。主要描述与图5中的配置示例的不同之处。图14中的配置示例不包括图5中的控制信号线232B，而是包括控制信号线231C。控制信号线231C将从第K移位寄存器单元312输出的选择信号S_K传输到第(K-3)像素电路行。
图15示出了像素电路及其控制信号的再一配置示例。图15中的像素电路260的元件配置与图2中的像素电路200的元件配置相同。像素电路260中的一些晶体管的控制信号与像素电路200中的相应晶体管的控制信号不同。具体地，选择信号S_N+1被输入到晶体管M13(第一晶体管的示例)，选择信号S_N+2被输入到晶体管M17的栅极。像素电路260的其余部分与像素电路200相同。
图16是用于控制图15所示的像素电路260的信号的时序图的示例。图16示出了选择信号S_N、S_N+1和S_N+2以及发射控制信号Em_N的在一帧中的信号电位电平的时间变化。
图16的时序图中的1H时段是向像素电路写入数据信号Vdata的时段，并且是晶体管M13和M17导通的时段。阈值补偿时段不短于1H，并且在图16的示例中为1H。
在时刻T11，选择信号S_N+1为高并且晶体管M13断开。选择信号S_N+2也为高并且晶体管M17断开。发射控制信号Em_N为低并且晶体管M15导通。
在时刻T11，选择信号S_N从高变为低。晶体管M12、M14和M16响应于选择信号S_N的变化而从断开变为导通。
响应于晶体管M16变为导通，复位电位Vrst向OLED元件E1的阳极的供应开始。由于晶体管M12、M15和M16导通，因此复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应开始。该状态从时刻T11保持到时刻T12。从时刻T11到时刻T12的时段是复位OLED元件E1的阳极电位和驱动晶体管M11的栅极电位的时段。从时刻T11到时刻T12的时段具有1H的长度。
在时刻T12，选择信号S_N+1从高变为低，此外发射控制信号Em_N从低变为高。晶体管M13响应于选择信号S_N+1的变化而从断开变为导通。晶体管M15响应于发射控制信号Em_N的变化而从导通变为断开。通过晶体管M15变为断开，复位电位Vrst向驱动晶体管M11的栅极的供应停止。
在时刻T12，晶体管M12、M13、M14和M16导通。晶体管M15和M17断开。由于晶体管M15和M17断开并且晶体管M12和M14导通，因此阈值补偿电压被写入存储电容器C10。在时刻T12，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入开始。
从时刻T12到时刻T13，信号S_N、S_N+1、S_N+2和Em_N的电位电平被保持。在时刻T13，选择信号S_N从低变为高。此外，选择信号S_N+2从高变为低。
晶体管M12、M14和M16响应于选择信号S_N的变化而从导通变为断开。因此，在时刻T13，阈值补偿电压向存储电容器C10的写入结束。从时刻T12到时刻T13的时段是向存储电容器C10写入阈值补偿电压的时段并且在图16的示例中具有1H的长度。
响应于选择信号S_N+2在时刻T13的变化，晶体管M17从断开变为导通。由于晶体管M13和M17导通，因此数据信号Vdata经由晶体管M13和M17写入存储电容器C10。在时刻T13，数据信号Vdata向存储电容器C10的写入开始。从时刻T13到时刻T14，信号S_N、S_N+1、S_N+2和Em_N的电位电平被保持。
在时刻T14，选择信号S_N+1从低变为高。响应于此，晶体管M13从导通变为断开，由此，向第N像素电路行的数据写入结束。从时刻T13到时刻T14的时段是第N像素电路行的数据写入时段，并且长度为1H。在时刻T14之后，选择信号S_N+1保持为高。
在时刻T14，发射控制信号Em_N从高变为低。响应于此，晶体管M15从断开变为导通。由此，驱动电流被供应给OLED元件E1并且OLED元件E1开始发光。在比时刻T14迟1H的时刻，选择信号S_N+2从低变为高，晶体管M17从导通变为断开。由于两个晶体管M13和M17断开，因此在发光时段期间从存储电容器向数据线的泄露可以有效地减少。
图17示出了像素电路及其控制信号的再一配置示例。图17中的主块275_N-1是在第(N-1)像素电路行中包括的像素电路的主块。像素电路270_N是在第N像素电路行中包括的像素电路，主块275_N是像素电路270_N的主块。
为了说明，由包括主块275_N-1的像素电路控制的OLED元件用附图标记E1_N-1表示，并且由像素电路270_N控制的OLED元件用附图标记E1_N表示。OLED元件E1_N-1被包括在第(N-1)像素电路行中，OLED元件E1_N被包括在第N像素电路行中。主块275_N-1和图17中未示出的晶体管M13构成第(N-1)像素电路行中的像素电路。主块275_N-1与未示出的晶体管M13之间的位置关系及电路关系和主块275_N与晶体管M13_N之间的位置关系及电路关系相同。
下面描述像素电路270_N。与图2中的像素电路200相比，晶体管M17(第一晶体管的示例)和晶体管M13(第二晶体管的示例)的连接位置不同。在图2的配置示例中，晶体管M17连接在数据线和晶体管M13之间。在图17的配置示例中，晶体管M13连接在数据线和晶体管M17之间。像该示例一样，用晶体管M13代替晶体管M17不会改变像素电路的操作。
用于控制发光元件E1_N的发光的像素电路270_N中的晶体管M17由选择信号S_N+1控制。像素电路270_N的晶体管M13_N设置在远离像素电路270_N的其他元件的位置。像素电路270_N由晶体管M13_N和包括其他晶体管和电容元件的主块275_N组成。
要由相同控制线控制的像素电路行中的主块例如图5或图14所示沿X轴设置成直线。包括像素电路行的主块且不包括另一像素电路行的主块中的任何元件的区域称为像素电路行的区域(像素电路行区域)。存在分隔彼此相邻的像素电路行区域的边界。
图18示意性地示出了多个连续的像素电路行区域。在图18中，由虚线包围的矩形表示包括像素电路的主块的区域，并且包括主块的这样的区域中的一个用附图标记401表示。区域401可以包括与主块所属于的像素电路不同的像素电路的元件，但不包括另一个主块中包括的元件。在图18中，第(N-1)像素电路行区域用附图标记411_N-1表示，第N像素电路行区域用附图标记411_N表示。像素电路行区域411_N-1和411_N之间的边界412将这两个区域分开。图18的示例中的像素电路行区域沿Y轴具有相同的尺寸(宽度)。
回到图17，晶体管M13_N位于第(N-1)像素电路行区域411_N-1内。用于控制发光元件E1_N的其他晶体管M11至M16位于第N像素电路行区域411_N内。晶体管M13_N由发射控制信号Em_N-1控制。例如，除了主块275_N-1之外，第(N-1)像素电路行区域411_N-1的块区域401还包括晶体管M13_N。除了主块275_N之外，第N像素电路行区域411_N的块区域401还包括晶体管M13_N+1。
晶体管M13_N和M17串联连接在数据线237与由电容器C11和C12组成的存储电容器之间。晶体管M13_N和M17是用于选择要被供应数据信号的像素电路并将数据信号Vdata写入存储电容器的开关晶体管。选择信号和发射控制信号以与参考图3所描述的相同的方式变化。
如上所述，晶体管M13_N设置在第(N-1)像素电路行区域411_N-1中。晶体管M13_N由不同于第N像素电路行的像素电路行的发射控制信号(在图17的示例中，第(N-1)像素电路行的发射控制信号Em_N-1)控制。因此，用于控制像素电路270_N的控制线减少以实现有效的元件布局。
图19示出了像素电路及其控制信号的再一配置示例。主要描述与图17中的配置示例的不同之处。晶体管M13_N-1是用于控制OLED元件E1_N-1的发光的晶体管。
晶体管M13_N(第二晶体管的示例)设置在第N像素电路行区域411_N中。在图19的配置示例中，可以认为主块包括像素电路的所有元件。晶体管M13_N的栅极与从用于传输第(N-1)像素电路行的发射控制信号Em_N-1的控制信号线232B分支的传输线(控制信号线)238连接。控制信号线232B延伸穿过第(N-1)像素电路行区域411_N-1。
发射控制信号Em_N-1经由传输线238被供应给晶体管M13_N的栅极。如本示例所示，用于控制第N像素电路行的像素电路的晶体管M13_N的信号通过从设置在与第N像素电路行区域411_N不同的位置的控制信号线分支的传输线被供应。因此，用于控制像素电路270_N的控制线减少以实现有效的元件布局。
尽管图17和图18中的示例包括设置在第(N-1)像素电路行区域411_N-1内的像素电路270_N的晶体管M13_N，但是可以考虑像素电路270_N的晶体管M17设置在第(N+1)像素电路行区域411_N+1中的另一示例。这种配置可以通过将晶体管M17_N连接在晶体管M13_N和数据线之间并将晶体管M13_N设置在第N像素电路行区域411_N内来得到。
图20示出了具有这种配置的像素电路及其控制信号的示例。主要描述与图17中的配置示例的不同之处。图20示出了第N像素电路行中的像素电路270_N和第(N+1)像素电路行中的像素电路的主块275_N+1。晶体管M17_N-1是包括在第(N-1)像素电路行中的晶体管。
第N像素电路行由控制信号S_N、Em_N-1、Em_N和S_N+1控制。第(N+1)像素电路行由控制信号S_N+1、Em_N、Em_N+1和图20中未示出的S_N+2控制。
在像素电路270_N中，晶体管M13_N(第二晶体管的示例)和晶体管M17_N(第一晶体管的示例)的连接位置与图17的示例中的连接位置相比被替换。像素电路270_N的晶体管M17_N设置在远离像素电路270_N的其他元件的位置。
主块275_N+1由晶体管M11至M16以及电容器C11和C12组成并且不包括晶体管M17(图20中未示出)。换言之，像素电路270_N的主块由像素电路270_N的除晶体管M17_N之外的元件构成。
图21示意性地示出了多个连续的像素电路行区域。主要描述与图18的不同之处。在图21的配置示例中，来自第N移位寄存器单元312的控制线以及来自第(N-1)和第N移位寄存器单元322的控制线延伸穿过第N像素电路行区域411_N。
晶体管M17_N设置在第(N+1)像素电路行区域411_N+1中。像素电路270_N的其他晶体管M11至M16设置在第N像素电路行区域411_N中。除了主块275_N+1之外，第(N+1)像素电路行区域411_N+1的块区域401还可以包括晶体管M17_N。除了主区块275_N之外，第N像素电路行区域411_N的区块区域401还可以包括晶体管M17_N-1。
图22示出了与图19的配置示例相比，晶体管M17的控制信号线从相邻像素电路行的区域引出的配置示例。主要描述与图20中的配置示例的不同之处。晶体管M17_N设置在第N像素电路行区域411_N内。可以认为图22的配置示例中的主块包括像素电路的所有元件。晶体管M17_N的栅极与从用于传输第(N+1)像素电路行的选择信号S_N+1的控制信号线231A分支的传输线(控制信号线)239连接。控制信号线231A延伸穿过第(N+1)像素电路行区域411_N+1。
选择信号S_N+1经由传输线239被供应给晶体管M17_N的栅极。由此可见，用于控制第N像素电路行中的像素电路的晶体管M17_N的信号通过从位于第N像素电路行区域411_N外部的控制信号线分支的传输线被供应。因此，用于控制像素电路270_N的控制线减少以实现有效的元件布局。
如上所述，已经描述了本发明的实施方式；然而，本发明不限于上述实施方式。本领域技术人员可以在本发明的范围内容易地对上述实施方式中的各个要素进行修改、添加或转换。一个实施方式的配置的一部分可以被另一实施方式的配置替换，或者一个实施方式的配置可以合并到另一实施方式的配置中。

Claims (13)

1.一种显示装置，包括：
包括多个像素电路行的显示区域；以及
驱动电路，
其中，所述多个像素电路行中的每一个像素电路行包括多个像素电路，
其中，所述多个像素电路中的每一个像素电路包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管被配置为控制流向发光元件的电流量；
存储电容器，所述存储电容器被配置为保持所述驱动晶体管的控制电压；
串联连接的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置为将数据信号传输到所述存储电容器；以及
阈值补偿晶体管，所述阈值补偿晶体管被配置为将所述驱动晶体管的阈值补偿电压写入所述存储电容器，
其中，所述驱动电路被配置为每经过预定时段，将控制信号脉冲从所述多个像素电路行中的一行移位到下一行，
其中，所述控制信号脉冲的脉冲宽度是所述预定时段的两倍或更多，
其中，所述驱动电路被配置为：
在阈值补偿时段中，保持所述阈值补偿晶体管导通以向所述存储电容器写入所述阈值补偿电压；以及
在所述阈值补偿时段之后的数据写入时段中，保持所述阈值补偿晶体管断开并且保持所述第一晶体管和所述第二晶体管导通以将所述数据信号写入所述存储电容器，
其中，所述控制信号脉冲的脉冲宽度是所述数据写入时段的两倍或更多，以及
其中，所述驱动电路被配置为：
通过第一控制信号脉冲控制所述第一晶体管；
通过不同于所述第一控制信号脉冲的第二控制信号脉冲控制所述第二晶体管；
在所述数据写入时段开始之前，通过所述第一控制信号脉冲的起始沿使所述第一晶体管导通；
在所述阈值补偿时段结束后，保持所述第一晶体管导通，并通过所述第二控制信号脉冲的起始沿使所述第二晶体管导通，以开始所述数据写入时段；以及
通过所述第一控制信号脉冲的结束沿使所述第一晶体管断开以结束所述数据写入时段。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述控制信号脉冲的脉冲宽度是所述数据写入时段的三倍或更多，以及
其中，所述阈值补偿时段是所述数据写入时段的两倍或更多。
3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
发射控制开关晶体管，所述发射控制开关晶体管被配置为使从所述驱动晶体管向所述发光元件的驱动电流的供应启动/停止，
其中，所述驱动电路被配置为：
在所述阈值补偿时段和所述数据写入时段中，保持所述发射控制开关晶体管断开；以及
在所述数据写入时段结束后使所述发射控制开关晶体管导通。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动电路被配置为：
在所述阈值补偿时段之前的复位时段期间向所述驱动晶体管的栅极供应复位电位；以及
在所述复位时段期间保持所述第一晶体管和所述第二晶体管断开。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述驱动电路被配置为通过所述第一控制信号脉冲的起始沿使所述第一晶体管导通同时所述阈值补偿时段开始。
6.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述驱动电路包括第一驱动器和第二驱动器，
其中，所述第一驱动器被配置为每经过预定时段，将具有第一极性的控制信号脉冲从所述多个像素电路行中的一行移位到下一行，
其中，所述第二驱动器被配置为每经过所述预定时段，将具有与所述第一极性相反的极性的控制信号脉冲从所述多个像素电路行中的一行移位到下一行，以及
其中，来自所述第一驱动器的控制信号脉冲与来自所述第二驱动器的控制信号脉冲同步。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述驱动电路被配置为，通过来自所述第一驱动器的两个控制信号脉冲和来自所述第二驱动器的两个控制信号脉冲来控制所述多个像素电路中的每一个像素电路。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动电路被配置为在所述发光元件发光的时段中通过所述第二控制信号脉冲的结束沿使所述第二晶体管断开。
9.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述阈值补偿晶体管是n型薄膜晶体管，以及
其中，所述驱动晶体管是p型薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的显示装置，
其中，所述阈值补偿晶体管是第一阈值补偿晶体管，
其中，所述显示装置还包括第二阈值补偿晶体管，所述第二阈值补偿晶体管是n型薄膜晶体管，所述第二阈值补偿晶体管被配置为通过用于控制所述第一阈值补偿晶体管的控制信号脉冲来控制，
其中，所述第一阈值补偿晶体管被配置为当所述第一阈值补偿晶体管导通时将所述驱动晶体管保持在二极管连接状态，以及
其中，所述第二阈值补偿晶体管被配置为当所述第二阈值补偿晶体管导通时向所述存储电容器供应基准电位。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，第N像素电路行中的像素电路的所述第一晶体管或所述第二晶体管设置在与所述第N像素电路行的像素电路行区域不同的像素电路行区域内。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，用于控制第N像素电路行的所述第一控制信号脉冲或所述第二控制信号脉冲被配置为通过从在与所述第N像素电路行的像素电路行区域不同的区域中延伸的控制信号线分支的传输线来控制所述第一晶体管或所述第二晶体管。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述传输线从延伸穿过与所述第N像素电路行的像素电路行区域相邻的像素电路行区域的控制信号线分支。
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