CN114499178A - 一种四象限输出的开关电源 - Google Patents

一种四象限输出的开关电源 Download PDF

Info

Publication number
CN114499178A
CN114499178A CN202210196886.6A CN202210196886A CN114499178A CN 114499178 A CN114499178 A CN 114499178A CN 202210196886 A CN202210196886 A CN 202210196886A CN 114499178 A CN114499178 A CN 114499178A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistor
capacitor
power supply
mos
twenty
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210196886.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114499178B (zh
Inventor
贺江云
廉哲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stelight Instrument Inc
Original Assignee
Stelight Instrument Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stelight Instrument Inc filed Critical Stelight Instrument Inc
Priority to CN202210196886.6A priority Critical patent/CN114499178B/zh
Publication of CN114499178A publication Critical patent/CN114499178A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114499178B publication Critical patent/CN114499178B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/36—Means for starting or stopping converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/42—Circuits or arrangements for compensating for or adjusting power factor in converters or inverters
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本申请公开了一种四象限输出的开关电源，当需开关电源工作在一、三象限时，现场可编程门阵列控制输入电源和高速数模转换器导通，输入电源提供驱动电压，高速数模转换器输出模拟电信号，通过振荡发生电路生成PWM信号，以控制驱动电路输出电压的大小，驱动电路输出一、三象限电流；当需开关电源工作在二、四象限时，驱动电路与输出负载连接，输出负载向驱动电路输入能量，驱动电路将能量输入到功率吸收电路，由功率吸收电路吸收输出负载输入的能量，从而实现四象限输出功能。

Description

一种四象限输出的开关电源
技术领域
本申请涉及电子电路领域，特别是涉及一种四象限输出的开关电源。
背景技术
源表领域要具备四象限输出的功能。市面上绝大多数产品在实现四象限输出采用的电路，绝大多数都是通过线性电源与场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)管或者三极管组成的四象限输出电路。
由于线性电源需要庞大而笨重的变压器，所需的滤波电容的体积和重量也相当大，因此该四象限输出电路体积大，且功耗很大，需要很强的外部散热能力。
由此可见，提供一种不需要线性电源的四象限输出的电源，是本领域人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种四象限输出的开关电源。
为解决上述技术问题，本申请提供一种四象限输出的开关电源，包括：
现场可编程门阵列(11)，驱动电路(12)，功率吸收电路(15)，振荡发生电路(13)，高速数模转换器(14)，
所述现场可编程门阵列(11)与输入电源(16)和所述高速数模转换器(14)连接，用于控制所述输入电源(16)的关闭和导通，以及控制所述高速数模转换器(14)的关闭和导通，
所述高速数模转换器(14)与所述振荡发生电路(13)连接，所述高速数模转换器(14)用于控制所述振荡发生电路(13)生成PWM信号控制所述驱动电路(12)；
所述驱动电路(12)与所述振荡发生电路(13)、所述输入电源(16)和输出负载(17)连接，用于生成四象限电流，
所述功率吸收电路(15)与所述驱动电路(12)连接，用于吸收所述驱动电路(12)输出的功率。
优选地，所述的四象限输出的开关电源，所述驱动电路(12)为H桥驱动电路，包括：第一电阻，第二电阻，第一电容，第二电容，第三电容，第四电容，第五电容，第六电容，第七电容，第一稳压二极管，第二稳压二极管，第一电感，第二电感，第三电感，第一MOS管，第二MOS管，第三MOS管，第四MOS管，第一隔离MOS驱动芯片，第二隔离MOS驱动芯片；
所述第一隔离MOS驱动芯片的方波输入端口与所述振荡发生电路(13)输出端连接，所述第一隔离MOS驱动芯片的供电端口和使能端口接电源，所述第一隔离MOS驱动芯片的频率编辑端口与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端接地，所述第一隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动供电端与所述第一电容第一端和所述第一稳压二极管负极连接，所述第一电容第二端与所述第一隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动接地端连接，所述第一稳压二极管正极与所述第一隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动供电端和电源连接，所述第一隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动供电端与所述第二电容第一端、所述第三电容第二端连接，所述第二电容第二端与所述第一隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动接地端、所述第三电容的第一端和第二输入电源端连接，所述第一隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动端与所述第一MOS管栅极连接，所述第一隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动端与所述第二MOS管栅极连接，所述第一MOS管漏极接第一输入电源端，所述第一MOS管源极与所述第一隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动接地端、所述第二MOS管漏极和所述第一电感第一端连接，所述第二MOS管源极接所述第二输入电源端，所述第一电感第二端与第七电容第一端和所述输出负载(17)连接，
所述第二隔离MOS驱动芯片的方波输入端口与所述振荡发生电路(13)输出端连接，所述第二隔离MOS驱动芯片的供电端口和使能端口接电源，所述第二隔离MOS驱动芯片的频率编辑端口与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端接地，所述第二隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动供电端与所述第四电容第一端、所述第二稳压二极管正极、所述第六电容第一端和电源连接，所述第六电容第二端接所述第二输入电源端，所述第二隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动接地端与所述第四电容第二端和所述第二输入电源端连接，所述第二隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动供电端与所述第二稳压二极管负极和所述第五电容第一端连接，所述第二隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动接地端与所述第五电容第二端、所述第二电感第一端、所述第三MOS管源极和所述第四MOS管漏极连接，所述第三MOS管漏极接所述第一输入电源端，所述第二隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动端与所述第四MOS管栅极连接，所述第二隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动端与所述第三MOS管栅极连接，所述第二电感第二端与所述第七电容第二端和所述第三电感第一端连接，所述第三电感第二端接地；
其中，所述输入电源(16)包括所述第一输入电源端和所述第二输入电源端。
优选地，所述的四象限输出的开关电源，所述H桥驱动电路还包括：第八电容，第九电容，
所述第八电容第一端与所述第一MOS管漏极连接，所述第八电容第二端接所述第二输入电源端；所述第九电容第一端与所述第三MOS管漏极连接，所述第九电容第二端接所述第二输入电源端。
优选地，所述的四象限输出的开关电源，所述H桥驱动电路还包括：第三稳压二极管、第四稳压二极管、第五稳压二极管、第六稳压二极管；
所述第三稳压二极管负极与所述第一MOS管漏极连接，所述第三稳压二极管正极与所述第一MOS管源极连接；所述第四稳压二极管负极与所述第二MOS管漏极连接，所述第四稳压二极管正极与所述第二MOS管源极连接；所述第五稳压二极管负极与所述第三MOS管漏极连接，所述第五稳压二极管正极与所述第三MOS管源极连接；所述第六稳压二极管负极与所述第四MOS管漏极连接，所述第六稳压二极管正极与所述第四MOS管源极连接。
优选地，所述的四象限输出的开关电源，所述H桥驱动电路还包括：第十电容，第十一电容；
所述第十电容第一端与所述第一隔离MOS驱动芯片的供电端口连接，所述第十电容第二端接地；所述第十一电容第一端与所述第二隔离MOS驱动芯片的供电端口连接，所述第十一电容第二端接地。
优选地，所述的四象限输出的开关电源，所述振荡发生电路(13)包括：第三电阻，第四电阻，第五电阻，第六电阻，第七电阻，第八电阻，第九电阻，第十电阻，第十一电阻，第十二电阻，第十三电阻，第十四电阻，第十五电阻，第十六电阻，第十七电阻，第十八电阻，第十九电阻，第十二电容，第十三电容，第十四电容，第十五电容，第十六电容，第一运算放大器，第二运算放大器，结型场效应管，负反馈电路(31)，高速运放电路(32)，加强驱动电路(33)；
所述高速数模转换器(14)输出端与所述第三电阻第一端和所述第五电阻第一端连接，所述第三电阻第二端与所述第四电阻第一端和所述第一运算放大器正输入端连接，所述第四电阻第二端接地，所述第一运算放大器负输入端与所述第八电阻第一端和所述第九电阻第一端连接，所述第九电阻第二端与所述加强驱动电路(33)连接，所述第八电阻第二端与所述第十二电容第一端连接，所述第一运算放大器输出端与所述第十二电容第二端和所述第十电阻第一端连接，所述第十电阻第二端与所述第十九电阻第一端、所述第十五电容第一端、所述第十五电阻第一端、所述第十六电阻第一端和所述第二运算放大器负输入端连接，所述第十五电容第二端与所述第十九电阻第二端、所述第十四电容第一端、所述第七电阻第一端、所述第十三电阻第一端和所述H桥驱动电路输出端连接，所述第七电阻第二端与所述第六电阻第一端、所述第十三电容第一端和所述第十四电容第二端连接，所述第六电阻第二端与所述第五电阻第二端和所述第十一电阻第一端连接，第十一电阻第二端接地，所述第十三电容第二端通过第十二电阻接地，所述第十三电阻第二端与所述第十七电阻第一端、所述第十八电阻第一端、所述第十六电容第一端、第十四电阻第一端和所述第二运算放大器正输入端连接，所述第十七电阻第二端接电源，所述第十八电阻第二端接地，所述第十六电容第二端与所述第七电容第二端连接，所述第二运算放大器输出端与所述第十四电阻第二端、所述第十六电阻第二端和所述第一隔离MOS驱动芯片的方波输入端口连接，所述第十五电阻第二端接地，
所述第五电阻第二端与所述结型场效应管栅极、所述负反馈电路(31)连接，所述结型场效应管源极接电源，所述结型场效应管漏极与所述高速运放电路(32)连接，所述高速运放电路(32)与所述加强驱动电路(33)连接。
优选地，所述的四象限输出的开关电源，所述负反馈电路(31)，包括：第二十电阻，第一三极管、第二三极管，第三运算放大器；
所述第二十电阻第一端与所述结型场效应管栅极连接，所述第二十电阻第二端与所述第三运算放大器负输入端连接，所述第一三极管集电极与所述第二三极管基极、所述第二三极管发射极和所述第三运算放大器负输入端连接，所述第二三极管集电极与所述第一三极管基极、所述第一三极管发射极和所述第三运算放大器输出端连接，所述第三运算放大器正输入端接地，所述第三运算放大器输出端与所述高速运放电路(32)连接。
优选地，所述的四象限输出的开关电源，所述高速运放电路(32)包括：第二十一电阻，第二十二电阻，第二十三电阻，第二十四电阻，高速运放芯片；
所述结型场效应管漏极与所述第二十一电阻第一端、所述第二十二电阻第一端连接，所述第三运算放大器输出端与所述第二十三电阻第一端连接，所述第二十一电阻第二端接电源，所述第二十二电阻第二端与所述高速运放芯片反相输入端连接，所述第二十三电阻第二端与所述第二十四电阻第一端和所述高速运放芯片同相输入端连接，所述高速运放芯片输出端与所述加强驱动电路(33)连接。
优选地，所述的四象限输出的开关电源，所述加强驱动电路(33)包括：第二十五电阻，第二十六电阻，第二十七电阻，第二十八电阻，第十八电容，第十九电容，第三三极管，第四三极管，第五三极管，第六三极管，第十七电容，
所述高速运放芯片输出端与所述第二十五电阻第一端、所述第十七电容第一端、所述第九电阻第二端、所述第二十七电阻第一端和所述第十八电容第一端连接，所述第二十五电容第二端与所述第十七电容第二端、所述第三三极管基极、第四三极管基极和电源连接，所述第三三极管集电极和所述第五三极管集电极接电源，所述第三三极管发射极与所述第四三极管发射极和所述第二十六电阻第一端连接，所述第二十六电阻第二端与所述第二十八电阻第二端和所述第十九电容第一端连接，所述第二十七电阻第二端与所述第十八电容第二端、所述第五三极管基极、所述第六三极管基极和电源连接，所述第四三极管集电极和所述第六三极管集电极接地，所述第五三极管发射极与所述第六三极管发射极和所述第二十八电阻第一端连接，所述第十九电容第二端与所述第十六电容第二端连接。
优选地，所述的四象限输出的开关电源，所述功率吸收电路(15)包括：电解电容，第七稳压二极管，第二十九电阻；
所述电解电容正极与所述第七稳压二极管负极、所述第二十九电阻第一端和所述第一输入电源端连接，所述电解电容负极与所述第七稳压二极管正极、所述第二十九电阻第二端和所述第二输入电源端连接。
本申请所提供的四象限输出的开关电源，包括：现场可编程门阵列，驱动电路，功率吸收电路，振荡发生电路，高速数模转换器，其中，现场可编程门阵列与输入电源和高速数模转换器连接，高速数模转换器与振荡发生电路连接，驱动电路与振荡发生电路、功率吸收电路、输入电源和输出负载连接；现场可编程门阵列用于控制输入电源的关闭和导通，以及控制高速数模转换器的关闭和导通，高速数模转换器用于输出正负电压及调节驱动电路输出电压的大小，振荡发生电路用于生成脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation，PWM)信号控制驱动电路，驱动电路用于生成四象限电流，功率吸收电路用于吸收驱动电路输出的功率，当需开关电源工作在一、三象限(开关电源视为直流输出电源)时，现场可编程门阵列控制输入电源和高速数模转换器导通，输入电源提供驱动电压，高速数模转换器输出模拟电信号，通过振荡发生电路生成PWM信号，以控制驱动电路输出电压的大小，驱动电路输出一、三象限电流；当需开关电源工作在二、四象限(开关电源视为直流电子负载)时，现场可编程门阵列控制输入电源和高速数模转换器关闭，振荡发生电路不输出PWM信号，此时开关电源可看作直流电子负载，输出负载看作电源，驱动电路与输出负载连接，输出负载向驱动电路输入能量，驱动电路将能量输入到功率吸收电路，由功率吸收电路吸收输出负载输入的能量，从而实现四象限输出功能。本申请提供的四象限输出的开关电源不需要线性电源，体积小，功耗小。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种四象限输出的开关电源的示意图；
图2为本申请实施例提供的一种H桥驱动电路的电路图；
图3为本申请实施例提供的一种振荡发生电路的电路图；
图4为本申请实施例提供的一种功率吸收电路的电路图；
其中，附图标记如下：11为现场可编程门阵列，12为驱动电路，13为振荡发生电路，14为高速数模转换器，15为功率吸收电路，16为输入电源，17为输出负载，31为负反馈电路，32为高速运放电路，33为加强驱动电路。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护范围。
本申请的核心是提供一种四象限输出的开关电源。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。
传统的直流电源工作于坐标系的第一象限，当输出电压恒定时，输出电流随负载而变化，当输出电流恒定时，输出电压随负载而变化。而四象限电源工作于坐标系的四个象限中，当工作在第一象限、第三象限时，四象限电源作为电源；当工作在第二象限、第四象限，四象限电源作为负载吸收。
图1为本申请实施例提供的一种四象限输出的开关电源的示意图，如图一所示，四象限输出的开关电源，包括：
现场可编程门阵列11(Field Programmable Gate Array，FPGA)，驱动电路12，功率吸收电路15，振荡发生电路13，高速数模转换器14，
现场可编程门阵列11与输入电源16和高速数模转换器14连接，用于控制输入电源16的关闭和导通，以及控制高速数模转换器14的关闭和导通，
高速数模转换器14与振荡发生电路13连接，高速数模转换器14用于控制振荡发生电路13生成PWM信号控制驱动电路12；
驱动电路12与振荡发生电路13、输入电源16和输出负载17连接，用于生成四象限电流，
功率吸收电路15与驱动电路12连接，用于吸收驱动电路12输出的功率。
本实施例提到的现场可编程门阵列11与输入电源16和高速数模转换器14连接，相当于控制开关，控制输入电源16的关闭和导通以及控制高速数模转换器14的关闭和导通。本实施例不限制现场可编程门阵列11的具体型号，根据实际情况选择即可。
需要说明的是，本实施例提到的高速数模转换器14指的是将数字信号转换为模拟信号的装置，高速数模转换器14与振荡发生电路13连接，振荡发生电路13与驱动电路12连接，通过高速数模转换器14可调节输出电压的正负，高速数模转换器14向振荡发生电路13发送模拟电信号，振荡发生电路13根据模拟电信号生成PWM信号，并将PWM信号发送至驱动电路12，驱动电路12根据PWM信号输出四象限电压。驱动电路12输出电压的大小根据振荡发生电路13生成的PWM信号的占空比决定。
具体地，当开关电源工作在第一象限和第三象限时，现场可编程门阵列11控制输入电源16和高速数模转换器14导通，输入电源16提供驱动电压，高速数模转换器14输出模拟电信号，通过振荡发生电路13生成PWM信号，以控制驱动电路12输出电压的大小，驱动电路12输出一、三象限电流，此时，开关电源可看作直流输出电源，此时，功率吸收电路15不工作；
当开关电源工作在第二象限和第四象限时，现场可编程门阵列11控制输入电源16和高速数模转换器14关闭，振荡发生电路13不输出PWM信号，此时开关电源可看作直流电子负载，输出负载17看作电源，驱动电路12与输出负载17连接，输出负载17向驱动电路12输入能量，驱动电路12将能量输入到功率吸收电路15，由功率吸收电路15吸收输出负载17输入的能量。
本申请实施例提供的四象限输出的开关电源，当开关电源工作在一、三象限时，由输入电源16提供直流电压给驱动电路12，振荡发生电路13在高速数模转换器14的控制下输出PWM信号，驱动电路12接收PWM信号输出一三象限电流；当需开关电源工作在二、四象限(开关电源视为直流电子负载)时，输入电源16、现场可编程门阵列11、振荡发生电路13和高速数模转换器14不工作，输出负载17向驱动电路12输入能量，驱动电路12将能量输入到功率吸收电路15，由功率吸收电路15吸收输出负载17输入的能量，从而实现四象限输出功能。本申请提供的四象限输出的开关电源不需要线性电源，体积小，功耗小。
根据上述实施例，本实施例提供一种优选方案，所述驱动电路12为H桥驱动电路，图2为本申请实施例提供的一种H桥驱动电路的电路图，如图2所示，H桥驱动电路，包括：第一电阻R1，第二电阻R2，第一电容C1，第二电容C2，第三电容C3，第四电容C4，第五电容C5，第六电容C6，第七电容C7，第一稳压二极管D1，第二稳压二极管D2，第一电感L1，第二电感L2，第三电感L3，第一MOS管Q1，第二MOS管Q2，第三MOS管Q3，第四MOS管Q4，第一隔离MOS驱动芯片U1，第二隔离MOS驱动芯片U2；
第一隔离MOS驱动芯片U1的方波输入端口与振荡发生电路13输出端连接，第一隔离MOS驱动芯片U1的供电端口和使能端口接电源，第一隔离MOS驱动芯片U1的频率编辑端口与第一电阻R1的第一端连接，第一电阻R1的第二端接地，第一隔离MOS驱动芯片U1的A路门级驱动供电端与第一电容C1第一端和第一稳压二极管D1负极连接，第一电容C1第二端与第一隔离MOS驱动芯片U1的A路门级驱动接地端连接，第一稳压二极管D1正极与第一隔离MOS驱动芯片U1的B路门级驱动供电端和电源连接，第一隔离MOS驱动芯片U1的B路门级驱动供电端与第二电容C2第一端、第三电容C3第二端连接，第二电容C2第二端与第一隔离MOS驱动芯片U1的B路门级驱动接地端、第三电容C3的第一端和第二输入电源端V2连接，第一隔离MOS驱动芯片U1的A路门级驱动端与第一MOS管Q1栅极连接，第一隔离MOS驱动芯片U1的B路门级驱动端与第二MOS管Q2栅极连接，第一MOS管Q1漏极接第一输入电源端V1，第一MOS管Q1源极与第一隔离MOS驱动芯片U1的A路门级驱动接地端、第二MOS管Q2漏极和第一电感L1第一端连接，第二MOS管Q2源极接第二输入电源端V2，第一电感L1第二端与第七电容C7第一端和输出负载17连接，
第二隔离MOS驱动芯片U2的方波输入端口与振荡发生电路13输出端连接，第二隔离MOS驱动芯片U2的供电端口和使能端口接电源，第二隔离MOS驱动芯片U2的频率编辑端口与第二电阻R2的第一端连接，第二电阻R2的第二端接地，第二隔离MOS驱动芯片U2的A路门级驱动供电端与第四电容C4第一端、第二稳压二极管D2正极、第六电容C6第一端和电源连接，第六电容C6第二端接第二输入电源端V2，第二隔离MOS驱动芯片U2的A路门级驱动接地端与第四电容C4第二端和第二输入电源端V2连接，第二隔离MOS驱动芯片U2的B路门级驱动供电端与第二稳压二极管D2负极和第五电容C5第一端连接，第二隔离MOS驱动芯片U2的B路门级驱动接地端与第五电容C5第二端、第二电感L2第一端、第三MOS管Q3源极和第四MOS管Q4漏极连接，第三MOS管Q3漏极接第一输入电源端V1，第二隔离MOS驱动芯片U2的A路门级驱动端与第四MOS管Q4栅极连接，第二隔离MOS驱动芯片U2的B路门级驱动端与第三MOS管Q3栅极连接，第二电感L2第二端与第七电容C7第二端和第三电感L3第一端连接，第三电感L3第二端接地；
其中，输入电源16包括第一输入电源端V1和第二输入电源端V2。
需要说明的是，第一隔离MOS驱动芯片U1的方波输入端口与振荡发生电路13输出端连接，振荡发生电路13输出PWM信号，H桥驱动电路根据PWM信号输出电压，PWM信号的占空比决定了输出电压的大小。
本实施例提到的H桥驱动电路，由第一MOS管Q1，第二MOS管Q2，第三MOS管Q3和第四MOS管Q4构成全桥驱动电路12，第一隔离MOS驱动芯片U1和第二隔离MOS驱动芯片U2是两个半桥驱动芯片，拥有两个门级驱动电路12，分别驱动一个MOS管，另外，由于驱动电路12可能会产生较大的回灌电流，第一隔离MOS驱动芯片U1和第二隔离MOS驱动芯片U2隔离H桥与前端电路的连接。
需要说明的是，输入电源16包括第一输入电源端V1和第二输入电源端V2，第一输入电源端V1和第二输入电源端V2输入稳定的驱动电压，优选地，在本实施例中，第一输入电源端V1和第二输入电源端V2之间压降为80V。另外，第一输入电源端V1和第二输入电源端V2与输出电压不共地。
另外，需要说明的是，如图2所示，V4端口作为一个网络端口与振荡发生电路13连接。
通过本实施例提供的H桥驱动电路，当开关电源工作在一、三象限时，由第一输入电源端V1和第二输入电源端V2提供直流电压给H桥驱动电路，振荡发生电路13在高速数模转换器14的控制下输出PWM信号，H桥驱动电路接收PWM信号输出一三象限电流；当需开关电源工作在二、四象限(开关电源视为直流电子负载)时，输入电源16、现场可编程门阵列11、振荡发生电路13和高速数模转换器14不工作，输出负载17向H桥驱动电路输入能量，H桥驱动电路将能量输入到功率吸收电路15，由功率吸收电路15吸收输出负载17输入的能量，从而实现四象限输出功能。本申请提供的四象限输出的开关电源不需要线性电源，体积小，功耗小。
另外，本实施例提供一种优选方案，如图2所示，H桥驱动电路还包括：第八电容C8，第九电容C9，
第八电容C8第一端与第一MOS管Q1漏极连接，第八电容C8第二端接第二输入电源端V2；第九电容C9第一端与第三MOS管Q3漏极连接，第九电容C9第二端接第二输入电源端V2。
第八电容C8，第九电容C9用于滤波，稳定输入电压。
根据上述实施例，本实施例提供一种优选方案，如图2所示，H桥驱动电路还包括：第三稳压二极管D3、第四稳压二极管D4、第五稳压二极管D5、第六稳压二极管D6；
第三稳压二极管D3负极与第一MOS管Q1漏极连接，第三稳压二极管D3正极与第一MOS管Q1源极连接；第四稳压二极管D4负极与第二MOS管Q2漏极连接，第四稳压二极管D4正极与第二MOS管Q2源极连接；第五稳压二极管D5负极与第三MOS管Q3漏极连接，第五稳压二极管D5正极与第三MOS管Q3源极连接；第六稳压二极管D6负极与第四MOS管Q4漏极连接，第六稳压二极管D6正极与第四MOS管Q4源极连接。
本实施例提到的第三稳压二极管D3、第四稳压二极管D4、第五稳压二极管D5、第六稳压二极管D6分别连接在第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的漏极和源极之间，用于保护MOS管，吸收脉冲尖峰。
另外，根据上述实施例，本实施例提供一种优选方案，如图2所示，H桥驱动电路还包括：第十电容C10，第十一电容C11；
第十电容C10第一端与第一隔离MOS驱动芯片U1的供电端口连接，第十电容C10第二端接地；第十一电容C11第一端与第二隔离MOS驱动芯片U2的供电端口连接，第十一电容C11第二端接地。
第十电容C10与第十一电容C11接地，用于滤除干扰信号。
根据上述实施例，本实施例提供一种优选方案，图3为本实施例提供的一种振荡发生电路13的电路图，如图3所示，振荡发生电路13包括：第三电阻R3，第四电阻R4，第五电阻R5，第六电阻R6，第七电阻R7，第八电阻R8，第九电阻R9，第十电阻R10，第十一电阻R11，第十二电阻R12，第十三电阻R13，第十四电阻R14，第十五电阻R15，第十六电阻R16，第十七电阻R17，第十八电阻R18，第十九电阻R19，第十二电容C12，第十三电容C13，第十四电容C14，第十五电容C15，第十六电容C16，第一运算放大器U31，第二运算放大器U32，结型场效应管U34，负反馈电路31，高速运放电路32，加强驱动电路33；
高速数模转换器14输出端与第三电阻R3第一端和第五电阻R5第一端连接，第三电阻R3第二端与第四电阻R4第一端和第一运算放大器U31正输入端连接，第四电阻R4第二端接地，第一运算放大器U31负输入端与第八电阻R8第一端和第九电阻R9第一端连接，第九电阻R9第二端与加强驱动电路33连接，第八电阻R8第二端与第十二电容C12第一端连接，第一运算放大器U31输出端与第十二电容C12第二端和第十电阻R10第一端连接，第十电阻R10第二端与第十九电阻R19第一端、第十五电容C15第一端、第十五电阻R15第一端、第十六电阻R16第一端和第二运算放大器U32负输入端连接，第十五电容C15第二端与第十九电阻R19第二端、第十四电容C14第一端、第七电阻R7第一端、第十三电阻R13第一端和H桥驱动电路输出端连接，第七电阻R7第二端与第六电阻R6第一端、第十三电容C13第一端和第十四电容C14第二端连接，第六电阻R6第二端与第五电阻R5第二端和第十一电阻R11第一端连接，第十一电阻R11第二端接地，第十三电容C13第二端通过第十二电阻R12接地，第十三电阻R13第二端与第十七电阻R17第一端、第十八电阻R18第一端、第十六电容C16第一端、第十四电阻R14第一端和第二运算放大器U32正输入端连接，第十七电阻R17第二端接电源，第十八电阻R18第二端接地，第十六电容C16第二端与第七电容C7第二端连接，第二运算放大器U32输出端与第十四电阻R14第二端、第十六电阻R16第二端和第一隔离MOS驱动芯片U1的方波输入端口连接，第十五电阻R15第二端接地，
第五电阻R5第二端与结型场效应管U34栅极、负反馈电路31连接，结型场效应管U34源极接电源，结型场效应管U34漏极与高速运放电路32连接，高速运放电路32与加强驱动电路33连接。
本实施例提到的振荡发生电路13与高速数模转换器14连接，高速数模转换器14、第五电阻R5、第六电阻R6的电阻比决定了输出的PWM信号占空比。
另外，需要说明的是，结型场效应管U34在0V导通，第一运算放大器U31与第二运算放大器U32组成方波发生电路，生成PWM信号，驱动H桥驱动电路的导通与关断。
另外，本实施例提供一种优选方案，负反馈电路31，包括：第二十电阻R20，第一三极管D31、第二三极管D32，第三运算放大器U33；
第二十电阻R20第一端与结型场效应管U34栅极连接，第二十电阻R20第二端与第三运算放大器U33负输入端连接，第一三极管D31集电极与第二三极管D32基极、第二三极管D32发射极和第三运算放大器U33负输入端连接，第二三极管D32集电极与第一三极管D31基极、第一三极管D31发射极和第三运算放大器U33输出端连接，第三运算放大器U33正输入端接地，第三运算放大器U33输出端与高速运放电路32连接。
第三运算放大器U33同向端接地，电路稳定时，结型场效应管U34的栅极为0V。第一三极管D31、第二三极管D32保护第三运算放大器U33，防止电压压差过大。
另外，需要说明的是，如图3所示，电容C21作为滤波电容，电阻R30作为限流电阻保护第三运算放大器U33。三极管D37、三极管D38保护第一运算放大器U31，防止电压压差过大。
另外，本实施例提供一种优选方案，高速运放电路32包括：第二十一电阻R21，第二十二电阻R22，第二十三电阻R23，第二十四电阻R24，高速运放芯片U35；
结型场效应管U34漏极与第二十一电阻R21第一端、第二十二电阻R22第一端连接，第三运算放大器U33输出端与第二十三电阻R23第一端连接，第二十一电阻R21第二端接电源，第二十二电阻R22第二端与高速运放芯片U35反相输入端连接，第二十三电阻R23第二端与第二十四电阻R24第一端和高速运放芯片U35同相输入端连接，高速运放芯片U35输出端与加强驱动电路33连接。
需要说明的是，本实施例不限制高速运放芯片U35的具体型号，根据实际情况选择即可。
另外，本实施例提供一种优选方案，加强驱动电路33包括：第二十五电阻R25，第二十六电阻R26，第二十七电阻R27，第二十八电阻R28，第十八电容C18，第十九电容C19，第三三极管D33，第四三极管D34，第五三极管D35，第六三极管D36，第十七电容C17，
高速运放芯片U35输出端与第二十五电阻R25第一端、第十七电容C17第一端、第九电阻R9第二端、第二十七电阻R27第一端和第十八电容C18第一端连接，第二十五电容第二端与第十七电容C17第二端、第三三极管D33基极、第四三极管D34基极和电源连接，第三三极管D33集电极和第五三极管D35集电极接电源，第三三极管D33发射极与第四三极管D34发射极和第二十六电阻R26第一端连接，第二十六电阻R26第二端与第二十八电阻R28第二端和第十九电容C19第一端连接，第二十七电阻R27第二端与第十八电容C18第二端、第五三极管D35基极、第六三极管D36基极和电源连接，第四三极管D34集电极和第六三极管D36集电极接地，第五三极管D35发射极与第六三极管D36发射极和第二十八电阻R28第一端连接，第十九电容C19第二端与第十六电容C16第二端连接。
高速运放芯片U35与结型场效应管U34、H桥驱动电路共同组成了一个闭环电路，通过第十九电容C19连到H桥驱动电路输出的V4网络。比较的一端接V4耦合过来的正弦波，另一端接V4耦合过来的正弦波取反，然后生成一个PWM型号来驱动H桥驱动电路的四个MOS管的开通与关断。
另外，本实施例提供一种优选方案，图4为本申请实施例提供的一种功率吸收电路的电路图，如图4所示，功率吸收电路15包括：电解电容C20，第七稳压二极管D7，第二十九电阻R29；
电解电容C20正极与第七稳压二极管D7负极、第二十九电阻R29第一端和第一输入电源端V1连接，电解电容C20负极与第七稳压二极管D7正极、第二十九电阻R29第二端和第二输入电源端V2连接。
当现场可编程门阵列11检测到电路工作在二、四象限时，会切断输入电压。此时H桥驱动模块的电路由一、三象限的降压电路，转换成升压电路。外部灌入的能量由稳压二极管来吸收，以此来实现四象限输出的功能。本实施例不限制稳压二极管的数量，可串联多个稳压二极管，以吸收能量。
以上对本申请所提供的四象限输出的开关电源进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。
还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (10)

1.一种四象限输出的开关电源，其特征在于，包括：
现场可编程门阵列(11)、驱动电路(12)、功率吸收电路(15)、振荡发生电路(13)、高速数模转换器(14)；
所述现场可编程门阵列(11)与输入电源(16)和所述高速数模转换器(14)连接，用于控制所述输入电源(16)的关闭和导通，以及控制所述高速数模转换器(14)的关闭和导通；
所述高速数模转换器(14)与所述振荡发生电路(13)连接，所述高速数模转换器(14)用于控制所述振荡发生电路(13)生成PWM信号控制所述驱动电路(12)；
所述驱动电路(12)与所述振荡发生电路(13)、所述输入电源(16)和输出负载(17)连接，用于生成四象限电流；
所述功率吸收电路(15)与所述驱动电路(12)连接，用于吸收所述驱动电路(12)输出的功率。
2.根据权利要求1所述的四象限输出的开关电源，其特征在于，所述驱动电路(12)为H桥驱动电路，包括：第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第一稳压二极管、第二稳压二极管、第一电感、第二电感、第三电感、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一隔离MOS驱动芯片、第二隔离MOS驱动芯片；
所述第一隔离MOS驱动芯片的方波输入端口与所述振荡发生电路(13)输出端连接，所述第一隔离MOS驱动芯片的供电端口和使能端口接电源，所述第一隔离MOS驱动芯片的频率编辑端口与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端接地，所述第一隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动供电端与所述第一电容第一端和所述第一稳压二极管负极连接，所述第一电容第二端与所述第一隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动接地端连接，所述第一稳压二极管正极与所述第一隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动供电端和电源连接，所述第一隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动供电端与所述第二电容第一端、所述第三电容第二端连接，所述第二电容第二端与所述第一隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动接地端、所述第三电容的第一端和第二输入电源端连接，所述第一隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动端与所述第一MOS管栅极连接，所述第一隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动端与所述第二MOS管栅极连接，所述第一MOS管漏极接第一输入电源端，所述第一MOS管源极与所述第一隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动接地端、所述第二MOS管漏极和所述第一电感第一端连接，所述第二MOS管源极接所述第二输入电源端，所述第一电感第二端与第七电容第一端和所述输出负载(17)连接；
所述第二隔离MOS驱动芯片的方波输入端口与所述振荡发生电路(13)输出端连接，所述第二隔离MOS驱动芯片的供电端口和使能端口接电源，所述第二隔离MOS驱动芯片的频率编辑端口与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端接地，所述第二隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动供电端与所述第四电容第一端、所述第二稳压二极管正极、所述第六电容第一端和电源连接，所述第六电容第二端接所述第二输入电源端，所述第二隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动接地端与所述第四电容第二端和所述第二输入电源端连接，所述第二隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动供电端与所述第二稳压二极管负极和所述第五电容第一端连接，所述第二隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动接地端与所述第五电容第二端、所述第二电感第一端、所述第三MOS管源极和所述第四MOS管漏极连接，所述第三MOS管漏极接所述第一输入电源端，所述第二隔离MOS驱动芯片的A路门级驱动端与所述第四MOS管栅极连接，所述第二隔离MOS驱动芯片的B路门级驱动端与所述第三MOS管栅极连接，所述第二电感第二端与所述第七电容第二端和所述第三电感第一端连接，所述第三电感第二端接地；
其中，所述输入电源(16)包括所述第一输入电源端和所述第二输入电源端。
3.根据权利要求2所述的四象限输出的开关电源，其特征在于，所述H桥驱动电路还包括：第八电容、第九电容；
所述第八电容第一端与所述第一MOS管漏极连接，所述第八电容第二端接所述第二输入电源端；所述第九电容第一端与所述第三MOS管漏极连接，所述第九电容第二端接所述第二输入电源端。
4.根据权利要求3所述的四象限输出的开关电源，其特征在于，所述H桥驱动电路还包括：第三稳压二极管、第四稳压二极管、第五稳压二极管、第六稳压二极管；
所述第三稳压二极管负极与所述第一MOS管漏极连接，所述第三稳压二极管正极与所述第一MOS管源极连接；所述第四稳压二极管负极与所述第二MOS管漏极连接，所述第四稳压二极管正极与所述第二MOS管源极连接；所述第五稳压二极管负极与所述第三MOS管漏极连接，所述第五稳压二极管正极与所述第三MOS管源极连接；所述第六稳压二极管负极与所述第四MOS管漏极连接，所述第六稳压二极管正极与所述第四MOS管源极连接。
5.根据权利要求4所述的四象限输出的开关电源，其特征在于，所述H桥驱动电路还包括：第十电容、第十一电容；
所述第十电容第一端与所述第一隔离MOS驱动芯片的供电端口连接，所述第十电容第二端接地；所述第十一电容第一端与所述第二隔离MOS驱动芯片的供电端口连接，所述第十一电容第二端接地。
6.根据权利要求2所述的四象限输出的开关电源，其特征在于，所述振荡发生电路(13)包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第十七电阻、第十八电阻、第十九电阻、第十二电容、第十三电容、第十四电容、第十五电容、第十六电容、第一运算放大器、第二运算放大器、结型场效应管、负反馈电路(31)、高速运放电路(32)、加强驱动电路(33)；
所述高速数模转换器(14)输出端与所述第三电阻第一端和所述第五电阻第一端连接，所述第三电阻第二端与所述第四电阻第一端和所述第一运算放大器正输入端连接，所述第四电阻第二端接地，所述第一运算放大器负输入端与所述第八电阻第一端和所述第九电阻第一端连接，所述第九电阻第二端与所述加强驱动电路(33)连接，所述第八电阻第二端与所述第十二电容第一端连接，所述第一运算放大器输出端与所述第十二电容第二端和所述第十电阻第一端连接，所述第十电阻第二端与所述第十九电阻第一端、所述第十五电容第一端、所述第十五电阻第一端、所述第十六电阻第一端和所述第二运算放大器负输入端连接，所述第十五电容第二端与所述第十九电阻第二端、所述第十四电容第一端、所述第七电阻第一端、所述第十三电阻第一端和所述H桥驱动电路输出端连接，所述第七电阻第二端与所述第六电阻第一端、所述第十三电容第一端和所述第十四电容第二端连接，所述第六电阻第二端与所述第五电阻第二端和所述第十一电阻第一端连接，第十一电阻第二端接地，所述第十三电容第二端通过第十二电阻接地，所述第十三电阻第二端与所述第十七电阻第一端、所述第十八电阻第一端、所述第十六电容第一端、第十四电阻第一端和所述第二运算放大器正输入端连接，所述第十七电阻第二端接电源，所述第十八电阻第二端接地，所述第十六电容第二端与所述第七电容第二端连接，所述第二运算放大器输出端与所述第十四电阻第二端、所述第十六电阻第二端和所述第一隔离MOS驱动芯片的方波输入端口连接，所述第十五电阻第二端接地；
所述第五电阻第二端与所述结型场效应管栅极、所述负反馈电路(31)连接，所述结型场效应管源极接电源，所述结型场效应管漏极与所述高速运放电路(32)连接，所述高速运放电路(32)与所述加强驱动电路(33)连接。
7.根据权利要求6所述的四象限输出的开关电源，其特征在于，所述负反馈电路(31)，包括：第二十电阻、第一三极管、第二三极管、第三运算放大器；
所述第二十电阻第一端与所述结型场效应管栅极连接，所述第二十电阻第二端与所述第三运算放大器负输入端连接，所述第一三极管集电极与所述第二三极管基极、所述第二三极管发射极和所述第三运算放大器负输入端连接，所述第二三极管集电极与所述第一三极管基极、所述第一三极管发射极和所述第三运算放大器输出端连接，所述第三运算放大器正输入端接地，所述第三运算放大器输出端与所述高速运放电路(32)连接。
8.根据权利要求7所述的四象限输出的开关电源，其特征在于，所述高速运放电路(32)包括：第二十一电阻、第二十二电阻、第二十三电阻、第二十四电阻、高速运放芯片；
所述结型场效应管漏极与所述第二十一电阻第一端、所述第二十二电阻第一端连接，所述第三运算放大器输出端与所述第二十三电阻第一端连接，所述第二十一电阻第二端接电源，所述第二十二电阻第二端与所述高速运放芯片反相输入端连接，所述第二十三电阻第二端与所述第二十四电阻第一端和所述高速运放芯片同相输入端连接，所述高速运放芯片输出端与所述加强驱动电路(33)连接。
9.根据权利要求8所述的四象限输出的开关电源，其特征在于，所述加强驱动电路(33)包括：第二十五电阻、第二十六电阻、第二十七电阻、第二十八电阻、第十八电容、第十九电容、第三三极管、第四三极管、第五三极管、第六三极管、第十七电容；
所述高速运放芯片输出端与所述第二十五电阻第一端、所述第十七电容第一端、所述第九电阻第二端、所述第二十七电阻第一端和所述第十八电容第一端连接，所述第二十五电容第二端与所述第十七电容第二端、所述第三三极管基极、第四三极管基极和电源连接，所述第三三极管集电极和所述第五三极管集电极接电源，所述第三三极管发射极与所述第四三极管发射极和所述第二十六电阻第一端连接，所述第二十六电阻第二端与所述第二十八电阻第二端和所述第十九电容第一端连接，所述第二十七电阻第二端与所述第十八电容第二端、所述第五三极管基极、所述第六三极管基极和电源连接，所述第四三极管集电极和所述第六三极管集电极接地，所述第五三极管发射极与所述第六三极管发射极和所述第二十八电阻第一端连接，所述第十九电容第二端与所述第十六电容第二端连接。
10.根据权利要求9所述的四象限输出的开关电源，其特征在于，所述功率吸收电路(15)包括：电解电容、第七稳压二极管、第二十九电阻；
所述电解电容正极与所述第七稳压二极管负极、所述第二十九电阻第一端和所述第一输入电源端连接，所述电解电容负极与所述第七稳压二极管正极、所述第二十九电阻第二端和所述第二输入电源端连接。
CN202210196886.6A 2022-03-01 2022-03-01 一种四象限输出的开关电源 Active CN114499178B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210196886.6A CN114499178B (zh) 2022-03-01 2022-03-01 一种四象限输出的开关电源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210196886.6A CN114499178B (zh) 2022-03-01 2022-03-01 一种四象限输出的开关电源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114499178A true CN114499178A (zh) 2022-05-13
CN114499178B CN114499178B (zh) 2023-03-31

Family

ID=81483897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210196886.6A Active CN114499178B (zh) 2022-03-01 2022-03-01 一种四象限输出的开关电源

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114499178B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115642788A (zh) * 2022-12-23 2023-01-24 深圳市首航新能源股份有限公司 一种电源驱动电路及其系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2636496Y (zh) * 2003-07-24 2004-08-25 中国科学院近代物理研究所 大功率四象限直流脉冲开关电源
CN102638177A (zh) * 2012-04-23 2012-08-15 华北电力大学 一种双向四象限变频器
CN102684510A (zh) * 2011-03-18 2012-09-19 上海雷诺尔科技股份有限公司 一种适用于级联式高压变频器的智能集成单元模块
CN103607123A (zh) * 2013-11-21 2014-02-26 青岛威控电气有限公司 一种组合式四象限煤矿防爆变频器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2636496Y (zh) * 2003-07-24 2004-08-25 中国科学院近代物理研究所 大功率四象限直流脉冲开关电源
CN102684510A (zh) * 2011-03-18 2012-09-19 上海雷诺尔科技股份有限公司 一种适用于级联式高压变频器的智能集成单元模块
CN102638177A (zh) * 2012-04-23 2012-08-15 华北电力大学 一种双向四象限变频器
CN103607123A (zh) * 2013-11-21 2014-02-26 青岛威控电气有限公司 一种组合式四象限煤矿防爆变频器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115642788A (zh) * 2022-12-23 2023-01-24 深圳市首航新能源股份有限公司 一种电源驱动电路及其系统
CN115642788B (zh) * 2022-12-23 2023-03-17 深圳市首航新能源股份有限公司 一种电源驱动电路及其系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN114499178B (zh) 2023-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8385092B1 (en) Power converter with current vector controlled dead time
CN104682736A (zh) 五电平整流器
CN102969915B (zh) 一种高功率因数恒流控制电路
CN212969479U (zh) 一种Heric逆变电路和Heric逆变器
Kharjule Voltage source inverter
CN111181362B (zh) 高抗扰SiC MOSFET驱动电路及工作方法
CN114499178B (zh) 一种四象限输出的开关电源
CN209787041U (zh) 一种三相升降压型pfc整流电路
CN212572416U (zh) I型三电平变换器和不间断电源模块
CN113676029A (zh) 一种基于igbt的有源钳位电路
CN214412606U (zh) 半桥驱动电源、igbt驱动装置及汽车
Huang et al. Study of the protection and driving characteristics for high voltage high power IGBT modules used in traction convertor
CN110932588B (zh) 一种改进的heric光伏逆变器及其调制方法
CN215268097U (zh) 一种逆变器及光伏设备
CN203014698U (zh) 一种高功率因数恒流控制电路
CN114977118A (zh) 一种基于sic-mosfet的伺服系统直流母线过压控制电路及方法
CN112234857A (zh) 一种大容性负载的开关式驱动功放
CN110687951A (zh) 一种可快速关断的高精度压控电流源
CN218733873U (zh) 隔离驱动电路和隔离驱动开关电源电路
CN216819736U (zh) 一种带有缓冲保护的单相spwm逆变器电路
CN110417257B (zh) Buck软开关模块、buck电路、一字型和t字型三电平电路
CN216390786U (zh) 一种rcd馈能式自供电功率开关管驱动电路
CN219999227U (zh) 一种三电平变换器
CN211151810U (zh) 一种Buck变换器的无源缓冲电路
CN212324081U (zh) 一种用nmos做零位的igbt推挽电路及装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: Building 5, No. 1508, Xiangjiang Road, High-tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province, 215129

Applicant after: Suzhou Lianxun Instrument Co.,Ltd.

Address before: 215129 Building 1, No. 1508, Xiangjiang Road, high tech Zone, Suzhou, Jiangsu

Applicant before: STELIGHT INSTRUMENT Inc.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant