CN114498590A - 射频器件的防护电路及电子设备 - Google Patents
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- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 72
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 15
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 7
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 8
- 101150039239 LOC1 gene Proteins 0.000 description 18
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001208 nuclear magnetic resonance pulse sequence Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/042—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage comprising means to limit the absorbed power or indicate damaged over-voltage protection device
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/045—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H5/00—One-port networks comprising only passive electrical elements as network components
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
本发明提供一种射频器件的防护电路及电子设备。该电路包括：射频器件101、天线102、滤波电路103；滤波电路103的一端与射频器件101连接，滤波电路103的另一端与天线102连接，滤波电路103用于滤除射频器件101和天线102之间的低频信号。本发明提供的射频器件的防护电路可以通过位于射频器件和天线之间的滤波电路，滤除射频器件和天线之间的低频信号，这个低频信号中包括电快速瞬变脉冲群，从而可以防止电快速瞬变脉冲群对射频器件的损坏。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术，尤其涉及一种射频器件的防护电路及电子设备。
背景技术
在通信技术领域中，射频器件通常可以通过无线的方式与其余器件进行通信，该射频器件具有无线端口。在实际应用中，在无线端口上对上述射频器件进行防护具有重要作用，防护不当会导致射频器件损坏。
现有技术中，一种对射频器件进行防护的方法可以将射频器件的无线端口和另一个器件进行电气上的连接，使其相互间处于接近或相同的电位，由于电位相同，从而静电荷不会从另一个器件转移到射频器件上，进而可以避免对射频器件的损坏。
可以看出，上述方法无法防止电快速瞬变脉冲群对射频器件的损坏。
发明内容
本发明提供一种射频器件的防护电路及电子设备，用以解决无法防止电快速瞬变脉冲群对射频器件的损坏的问题。
第一方面，本发明提供一种射频器件的防护电路，包括：
射频器件、天线、滤波电路；
所述滤波电路的一端与所述射频器件连接，所述滤波电路的另一端与所述天线连接，所述滤波电路用于滤除所述射频器件和所述天线之间的低频信号。
可选地，所述滤波电路包括第一电容，所述第一电容的电容值小于或等于预设电容阈值。
可选地，所述防护电路还包括：
静电释放防护器件，所述静电释放防护器件的一端接地，所述静电释放防护器件的另一端连接于所述第一电容和所述天线之间的连接线上。
可选地，所述滤波电路包括第二电容和电感，所述第二电容的一端与所述射频器件连接，所述第二电容的另一端与所述天线连接，所述电感的一端接地，所述电感的另一端连接于所述第二电容和所述天线之间的连接线上。
可选地，所述防护电路还包括：
静电释放防护器件，所述静电释放防护器件的一端接地，所述静电释放防护器件的另一端连接于所述第二电容和所述天线之间的连接线上。
可选地，所述滤波电路还包括：
第三电容，所述第三电容位于所述第二电容和所述天线之间的连接线上，所述第三电容的一端与所述第二电容连接，所述第三电容的另一端与所述天线连接。
可选地，所述防护电路还包括：
静电释放防护器件，所述静电释放防护器件的一端接地，所述静电释放防护器件的另一端连接于所述第三电容和所述天线之间的连接线上。
可选地，所述射频器件为射频开关，所述滤波电路的一端与所述射频开关的公共端连接。
可选地，所述静电释放防护器件为如下一项：瞬态电压抑制器、压敏电阻、稳压二极管、自恢复保险丝。
第二方面，本发明提供一种电子设备，包括前述任一射频器件的防护电路。
本发明提供的射频器件的防护电路及电子设备，该防护电路包括：射频器件、天线、滤波电路；所述滤波电路的一端与所述射频器件连接，所述滤波电路的另一端与所述天线连接，所述滤波电路用于滤除所述射频器件和所述天线之间的低频信号。本发明提供的射频器件的防护电路可以通过位于射频器件和天线之间的滤波电路，滤除射频器件和天线之间的低频信号，这个低频信号中包括电快速瞬变脉冲群，从而可以防止电快速瞬变脉冲群对射频器件的损坏。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1至图8为本发明实施例提出的可能的射频器件的防护电路示意图；
图9是为本发明实施例提供的一种终端设备的结构示意图。
通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的电路的例子。
如图1所示，本发明提供的射频器件的防护电路，该射频器件的防护电路包括：
射频器件101、天线102、滤波电路103；上述滤波电路103的一端与上述射频器件101连接，上述滤波电路103的另一端与上述天线102连接，上述滤波电路103用于滤除上述射频器件101和上述天线102之间的低频信号。
其中，射频器件101是可以发射和/或接收射频信号的元器件。射频信号是可以辐射到空间的电磁信号，频率范围从300kHz～300GHz之间，高频的射频信号具有远距离传输能力。射频器件101通常由如下至少一个或多个器件构成：电容、电感、电阻和磁珠。射频器件101的射频性能由构成射频器件101的电容、电感、电阻和磁珠的参数、材质决定。
可选地，在本发明实施例的一种示例中，上述射频器件101为射频开关，上述滤波电路103的一端与上述射频开关的公共端连接。在手机中，射频开关与天线102之间的距离较近，从而对射频开关的保护尤为重要。射频器件在使用过程中会产生电快速瞬变脉冲群，例如，射频开关在不断的切换过程中产生电快速瞬变脉冲群。
现有的射频信号的频率通常在700MHZ以上，此时，电快速瞬变脉冲群干扰较小；本发明实施例适用于电快速瞬变脉冲群干扰较大的甚高频(Very high frequency，VHF)的应用场景中，VHF的频率范围为30Mhz～300MHz。
上述电快速瞬变脉冲群(Electrical Fast Transient/Burst，EFT/B)是指数量有限且清晰可辨的脉冲序列或持续时间有限的振荡，脉冲群中的单个脉冲有特定的重复周期、电压幅值、上升时间、脉宽。脉冲群一般发生在电网中众多机械开关在切换过程(例如，切断感性负载、继电器触点弹跳等)时所产生的干扰，这类干扰的特点是成群出现的窄脉冲、脉冲的重复频率较高(kHz-MHz)、上升沿陡峭(ns级)、单个脉冲的持续时间短暂(10-100ns级)、幅度达到kV级。成群出现的窄脉冲可对射频器件101的结电容充电，当能量累计到一定程度后会引起射频器件101的线路或射频器件101的损坏。脉冲群的持续时间为15ms，其脉冲群间隔为300ms，单脉冲宽度为50ns±30％，脉冲幅度2KV，脉冲上升沿5ns±30％，脉冲重复率为2.5KHz±20％，正、负脉冲群的干扰时间为1分钟。
电快速瞬变脉冲群产生的原理如下：当电感性负载(例如继电器、接触器等)在断开时，由于开关触点间隙的绝缘击穿或触点弹跳等原因，在断开处产生的瞬态干扰。当电感性负载多次重复开关，则脉冲群又会以相应的时间间隙多次重复出现。这种瞬态干扰的能量较小，一般不会引起设备的损坏，但由于其频谱分布较宽，所以会对电子设备的可靠工作产生影响。
为了解决上述问题，本发明实施例通过滤波电路103滤除VHF的射频器件101和天线102之间的低频信号，由于射频器件101和天线102之间的电快速瞬变脉冲群为低频信号，从而滤除了射频器件101和天线102之间的电快速瞬变脉冲群，降低射频器件101和天线102之间的电快速瞬变脉冲群干扰，进而达到保护射频器件101的目的。
其中，滤波电路103是任意可以滤除低频信号的电路，由一个或多个电路元器件构成，包括但不限于：电感、电容、电阻。可以理解的是，滤波电路103相当于一个高通滤波器，使高频信号通过，滤除低频信号。
在本发明实施例中，可以在设计电路时在电路中预留四个位置，如图2所示中存在四个位置LOC1、LOC2、LOC2和LOC3，当这四个位置使用的器件不同时，可以实现不同方式的滤波电路103。
可选地，在本发明实施例的一种示例中，位置LOC1或位置LOC2上可以设置第一电容1031，位置LOC3和位置LOC4处于断开状态。当位置LOC1上设置第一电容1031时，位置LOC2可以用线路直接连接；同理，当位置LOC2上设置第一电容1031时，位置LOC1可以用线路直接连接。从而可以得到图3所示的防护电路，图1中的滤波电路103包括图3中的第一电容1031，上述第一电容1031的电容值小于或等于预设电容阈值。
其中，预设电容阈值用于将第一电容1031限定在一个较小的范围内，该预设电容阈值尽量小，从而使得第一电容1031尽量小，以使其不影响射频器件101的射频信号。
上述第一电容1031可以是小于或等于预设电容阈值的任意电容，本发明实施例对其不加以限制。本发明实施例可以通过取值较小的电容实现对低频信号的滤波，成本较低，电路较简单。
可选地，在本发明实施例的一种示例中，可以将位置LOC1、位置LOC2中的其中一个位置与位置LOC3、位置LOC4中的其中一个位置任意组合，并在位置LOC1或位置LOC2中设置第一电容1031，在位置LOC3或位置LOC4中设置静电释放防护器件1032。当在位置LOC1中设置第一电容1031，位置LOC3或LOC4中设置静电释放防护器件1032，或在位置LOC2中设置第一电容1031，位置LOC4中设置静电释放防护器件1032时，可以得到如图4所示的防护电路。当第一电容设置于位置LOC1中时，图4所示的防护电路可以理解为基于图3所示的电路，在位置LOC3或位置LOC4中设置静电释放防护器件1032得到的。
需要说明的是，当位置LOC1上设置第一电容1031时，通过线路将位置LOC2两端连接；同理，当位置LOC2上设置第一电容1031时，通过线路将位置LOC1两端连接。当位置LOC3上设置静电释放防护器件时，位置LOC4处于断开状态；同理，当位置LOC4上设置静电释放防护器件时，位置LOC3处于断开状态。
其中，静电释放防护器件1032的一端接地，上述静电释放防护器件1032的另一端连接于上述第一电容1031和上述天线102之间的连接线上。
上述静电释放(Electro-Static discharge，ESD)防护器件1032用于防止射频器件101和天线102之间的静电释放，进而避免静电释放对射频器件101的损坏。静电是一种自然现象，通常通过接触、摩擦、电器间感应等方式产生，其存在长时间积聚、高电压(可以产生几千伏甚至上万伏的静电)、低电量、小电流和作用时间短的特点，静电释放是静电产生的静电荷从一个物体向一个器件未经控制地转移，导致该器件损坏。尽管ESD发生时转移的静电荷总量通常很小(纳库伦级别)，然而放电的能量积累在硅片上很小的一个区域内。发生在几个纳秒内的ESD能产生超过1A的峰值电流，1A的峰值电流甚至可以蒸发金属连线和穿透氧化层，从而导致器件的金属连线和氧化层被破坏，最终导致器件损坏，无法使用。在发明中，该器件为射频器件101。
常用的静电释放防护器件1032为如下一项：瞬态电压抑制器、压敏电阻、稳压二极管、自恢复保险丝。
其中，瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor)可以是一个二极管，也称为瞬态电压抑制二极管，当TVS的两极受到反向瞬态高能量冲击时，其可以以10-12秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。TVS具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。
上述压敏电阻(Voltage Dependent Resistor，VDR)是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。压敏电阻的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一种。常用的VDR为氧化锌(ZnO)压敏电阻，它的主体材料包括二价元素锌(Zn)和六价元素氧(O)，从而从材料的角度来看，氧化锌压敏电阻器是一种Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体。
压敏电阻是一种限压型防护器件，其利用压敏电阻的非线性特性实现保护。当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。压敏电阻的响应时间为纳秒级，比气体放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千皮法的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。压敏电阻器简称VDR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。
上述稳压二极管(Zener diode)又称为齐纳二极管，稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。
自恢复保险丝是一种过流电子保护元件，采用高分子有机聚合物在高压、高温、硫化反应的条件下，掺加导电粒子材料后，经过特殊的工艺加工而成。传统保险丝过流保护，仅能保护一次，烧断了需更换，而自恢复保险丝具有过流过热保护，自动恢复双重功能。自恢复保险丝是一种能量的动态平衡，流过自恢复保险丝的电流，由于电流热效应的关系，产生一定程度的热量(自恢复保险丝都存在阻值)，产生的热全部或部分散发到环境中，而没有散发出去的热便会提高自恢复保险丝元件的温度。正常工作时的温度较低，产生的热和散发的热达到平衡。
自恢复保险丝元件初始处于低阻状态，自恢复保险丝未启动保护作用。当流过自恢复保险丝元件的电流，增加或环境温度升高，但如果达到产生的热和散发的热的平衡时，自恢复保险丝仍未启动保护作用。
当电流或环境温度再提高时，自恢复保险丝会达到较高的温度。若此时电流或环境温度，继续再增加，产生的热量，会大于散发出去的热量，使得自恢复保险丝元件温度骤增，在此阶段，很小的温度变化会造成阻值的大幅提高，这时自恢复保险丝元件处于高阻保护状态，阻抗的增加限制了电流，电流在很短时间内急剧下降，从而保护电路设备免受损坏，只要施加的电压所产生的热量足够自恢复保险丝元件散发出的热量，处于变化状态下的自恢复保险丝元件便可以一直处于高阻状态。当施加的电压消失时，自恢复保险丝便可以自动恢复了。
本发明实施例不仅可以通过第一电容1031滤除低频信号，以避免电快速瞬变脉冲群对射频器件101的损坏，还可以通过ESD防护器件1032避免静电释放对射频器件101的损坏。
可选地，在本发明实施例的一种示例中，可以将位置LOC1、位置LOC2中的其中一个位置与位置LOC3、位置LOC4中的其中一个任意组合，并在位置LOC1或LOC2中设置第二电容1033，在位置LOC3或位置LOC4中设置电感1034。当在位置LOC1中设置第二电容1033，位置LOC3或LOC4中设置电感1034，或在位置LOC2中设置第二电容1033，位置LOC4中设置电感1034时，可以得到如图5所示的防护电路，上述图1中的滤波电路103包括图5中的第二电容1033和电感1034，上述第二电容1033的一端与上述射频器件101连接，上述第二电容1033的另一端与上述天线102连接，上述电感1034的一端接地，上述电感1034的另一端连接于上述第二电容1033和上述天线102之间的连接线上。
需要说明的是，当位置LOC1上设置第二电容1033时，通过线路将位置LOC2两端连接；同理，当位置LOC2上设置第二电容1033时，通过线路将位置LOC1两端连接。当位置LOC3上设置电感1034时，位置LOC4处于断开状态；同理，当位置LOC4上设置电感1034时，位置LOC3处于断开状态。
可选地，在本发明实施例的一种示例中，可以在位置LOC1或LOC2中设置第二电容1033，在位置LOC3中设置电感1034，在位置LOC4中设置静电释放防护器件1032，可以得到如图6所示的防护电路，上述图1中的滤波电路103包括图6中的第二电容1033、电感1034和静电释放防护器件1032。其中，上述静电释放防护器件1032的一端接地，上述静电释放防护器件1032的另一端连接于上述第二电容1033和上述天线102之间的连接线上。
可以理解的是，上述图6所示的电路可以理解为是基于图5所示的电路，在位置LOC4上设置静电释放防护器件1032得到的。
可选地，可以在位置LOC1中设置第二电容1033，在位置LOC2中设置第三电容1035，在位置LOC3中设置电感1034，可以得到如图7所示的防护电路，上述图1中的滤波电路103包括图7中的第二电容1033、电感1034和第三电容1035。其中，上述第三电容1035位于上述第二电容1033和上述天线102之间的连接线上，上述第三电容1035的一端与上述第二电容1033连接，上述第三电容1035的另一端与上述天线102连接。
当上述图5所示的电路中的第二电容1033设置于位置LOC1中，且电感1034设置于位置LOC3中时，上述图7所示的电路可以理解为是基于图5所示的电路，在位置LOC2中设置静电释放防护器件1032得到的。
可选地，在本发明实施例的一种示例中，基于图7所示的电路，在位置LOC4中设置静电释放防护器件1032得到如图8所示的电路，上述图1中的滤波电路103包括图8中的第二电容1033、电感1034、第三电容1035和静电释放防护器件1032。其中，上述静电释放防护器件1032的一端接地，上述静电释放防护器件1032的另一端连接于上述第三电容1035和上述天线102之间的连接线上。
基于本发明实施例提供的上述电路，可以有效提高对射频器件101的防护效果。在实验中采用射频开关作为射频器件，当采用图3所示的电路时，实验证明，当第一电容在小于或等于68皮法时，对射频信号的影响较小。当第一电容为68皮法时，实验证明对100kHZ的射频信号的衰减大于或等于44dB，对230MHZ的衰减为0.1dB，并且射频开关并未被损坏。
当采用图5所示的电路时，实验证明，当第二电容为68皮法左右，电感为82纳亨时，对100KHZ的射频信号的衰减大于105DB，对230MHZ的射频信号的衰减为0.2dB，并且射频开关并未损坏。
本发明实施例还提供了一种电子设备，包括如前述任一项上述的射频器件101的防护电路。
一种典型的电子设备为终端设备，图9是根据一示例性实施例示出的一种终端设备的框图，该设备可以是移动电话，计算机，数字广播终端，消息收发设备，游戏控制台，平板设备，医疗设备，健身设备，个人数字助理等。
终端设备800可以包括以下一个或多个组件：处理组件802，存储器804，电源组件806，多媒体组件808，音频组件810，输入/输出(I/O)接口812，传感器组件814，以及通信组件816。
处理组件802通常控制终端设备800的整体操作，诸如与显示，电话呼叫，数据通信，相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件802可以包括一个或多个处理器820来执行指令，以完成处理过程的全部或部分步骤。此外，处理组件802可以包括一个或多个模块，便于处理组件802和其他组件之间的交互。例如，处理组件802可以包括多媒体模块，以方便多媒体组件808和处理组件802之间的交互。
存储器804被配置为存储各种类型的数据以支持在终端设备800的操作。这些数据的示例包括用于在终端设备800上操作的任何应用程序或方法的指令，联系人数据，电话簿数据，消息，图片，视频等。存储器804可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(EPROM)，可编程只读存储器(PROM)，只读存储器(ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
电源组件806为终端设备800的各种组件提供电力。电源组件806可以包括电源管理系统，一个或多个电源，及其他与为终端设备800生成、管理和分配电力相关联的组件。
多媒体组件808包括在上述终端设备800和用户之间的提供一个输出接口的屏幕。在一些实施例中，屏幕可以包括液晶显示器(LCD)和触摸面板(TP)。如果屏幕包括触摸面板，屏幕可以被实现为触摸屏，以接收来自用户的输入信号。触摸面板包括一个或多个触摸传感器以感测触摸、滑动和触摸面板上的手势。上述触摸传感器可以不仅感测触摸或滑动动作的边界，而且还检测与上述触摸或滑动操作相关的持续时间和压力。在一些实施例中，多媒体组件808包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当终端设备800处于操作模式，如拍摄模式或视频模式时，前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。
音频组件810被配置为输出和/或输入音频信号。例如，音频组件810包括一个麦克风(MIC)，当终端设备800处于操作模式，如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时，麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器804或经由通信组件816发送。在一些实施例中，音频组件810还包括一个扬声器，用于输出音频信号。
I/O接口812为处理组件802和外围接口模块之间提供接口，上述外围接口模块可以是键盘，点击轮，按钮等。这些按钮可包括但不限于：主页按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。
传感器组件814包括一个或多个传感器，用于为终端设备800提供各个方面的状态评估。例如，传感器组件814可以检测到终端设备800的打开/关闭状态，组件的相对定位，例如上述组件为终端设备800的显示器和小键盘，传感器组件814还可以检测终端设备800或终端设备800一个组件的位置改变，用户与终端设备800接触的存在或不存在，终端设备800方位或加速/减速和终端设备800的温度变化。传感器组件814可以包括接近传感器，被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件814还可以包括光传感器，如CMOS或CCD图像传感器，用于在成像应用中使用。在一些实施例中，该传感器组件814还可以包括加速度传感器，陀螺仪传感器，磁传感器，压力传感器或温度传感器。
通信组件816被配置为便于终端设备800和其他设备之间有线或无线方式的通信。终端设备800可以接入基于通信标准的无线网络，如WiFi，2G或3G，或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信组件816经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中，上述通信组件816还包括近场通信(NFC)模块，以促进短程通信。例如，在NFC模块可基于射频识别(RFID)技术，红外数据协会(IrDA)技术，超宽带(UWB)技术，蓝牙(BT)技术和其他技术来实现。
在示例性实施例中，终端设备800可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理设备(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求书指出。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求书来限制。
Claims (10)
1.一种射频器件的防护电路，其特征在于，包括：
射频器件、天线、滤波电路；
所述滤波电路的一端与所述射频器件连接，所述滤波电路的另一端与所述天线连接，所述滤波电路用于滤除所述射频器件和所述天线之间的低频信号。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述滤波电路包括第一电容，所述第一电容的电容值小于或等于预设电容阈值。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，还包括：
静电释放防护器件，所述静电释放防护器件的一端接地，所述静电释放防护器件的另一端连接于所述第一电容和所述天线之间的连接线上。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述滤波电路包括第二电容和电感，所述第二电容的一端与所述射频器件连接，所述第二电容的另一端与所述天线连接，所述电感的一端接地，所述电感的另一端连接于所述第二电容和所述天线之间的连接线上。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，还包括：
静电释放防护器件，所述静电释放防护器件的一端接地，所述静电释放防护器件的另一端连接于所述第二电容和所述天线之间的连接线上。
6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述滤波电路还包括：
第三电容，所述第三电容位于所述第二电容和所述天线之间的连接线上，所述第三电容的一端与所述第二电容连接，所述第三电容的另一端与所述天线连接。
7.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述防护电路还包括：
静电释放防护器件，所述静电释放防护器件的一端接地，所述静电释放防护器件的另一端连接于所述第三电容和所述天线之间的连接线上。
8.根据权利要求1至7任一项所述的电路，其特征在于，所述射频器件为射频开关，所述滤波电路的一端与所述射频开关的公共端连接。
9.根据权利要求3或6或7所述的电路，其特征在于，所述静电释放防护器件1032为如下一项：瞬态电压抑制器、压敏电阻、稳压二极管、自恢复保险丝。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的电路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202011238719.0A CN114498590A (zh) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | 射频器件的防护电路及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114498590A true CN114498590A (zh) | 2022-05-13 |
Family
ID=81491414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011238719.0A Pending CN114498590A (zh) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | 射频器件的防护电路及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114498590A (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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