CN220324694U - 一种射频天线电路以及终端 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例公开了一种射频天线电路以及终端，包括高击穿电压硅TVS和射频天线线路，高击穿电压硅TVS和射频天线线路连接；高击穿电压硅TVS用于保护射频天线线路。本实用新型可以提升射频天线线路的抗静电性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种射频天线电路以及终端。
背景技术
静电放电是消费类电子在电磁兼容认证中强制要求的测试项，这项测试使用IEC61000-4-2所要求的静电放电模拟发生器来产生标准要求的放电波形，在满足标准中针对环境，设置方式等要求的情况下，对被测物施加不同等级的放电电压来验证产品的抗静电干扰的能力。
随着使用金属外壳或者支架作为天线的手机越来越流行，金属外壳或支架天线直接受到静电放电的干扰几乎成为必然，在满足性能和成本的前提下，射频天线的防静电设计成为一种挑战。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种射频天线电路以及终端，可以提升射频天线线路的抗静电性能。
本实用新型实施例第一方面提供了一种射频天线电路，包括高击穿电压硅TVS和射频天线线路，所述高击穿电压硅TVS和所述射频天线线路连接；所述高击穿电压硅TVS用于保护射频天线线路。
本实用新型实施例第二方面提供了一种终端，可以包括第一方面提供的射频天线电路。
实施本实用新型实施例中，高击穿电压硅瞬态二极管(Transient VoltageSuppressor，TVS)和射频天线线路连接，以利用高击穿电压硅TVS在静电放电的电压达到或超过TVS的击穿电压后，高击穿电压硅TVS击穿而表现低阻抗的特性，来实现钳位功能而保护后端，以及利用高击穿电压硅TVS具有较低的结电容的特点，控制插入损耗在一定的合理值范围内，避免对有用信号造成较大的衰减，从而提升射频天线线路的抗静电性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的一种射频天线电路的结构示意图；
图2是本实用新型实施例提供的一种射频天线电路的原理图；
图3是本实用新型实施例提供的一种TVS插入损耗随频率变化曲线的示意图；
图4是本实用新型实施例提供的一种TVS的结电容随不同偏置电压变化的曲线图；
图5是本实用新型实施例提供的一种TVS的功率示意图；
图6是本实用新型实施例提供的一种TVS的电压和电流的曲线示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了一种射频天线电路，可提升射频天线线路的抗静电性能。以下分别进行详细说明。
请参考图1，图1是本实用新型实施例提供的一种射频天线电路的结构示意图，包括高击穿电压硅TVS和射频天线线路，该高击穿电压硅TVS和该射频天线线路连接，以保护射频天线线路。
在一个实施例中，高击穿电压硅TVS可以并联至该射频天线线路，该高击穿电压硅TVS的一端与接地端连接，该高击穿电压硅TVS的另一端与射频天线线路连接。具体可以图2为例进行说明，图2是本实用新型实施例提供的一种射频天线电路的原理图，高击穿电压硅TVS21的一端211与接地端20连接，高击穿电压硅TVS21的另一端212与射频天线线路22连接，其中，射频天线线路22包括天线221和天线的匹配电路Matching Circuit222。
在一个实施例中，高击穿电压硅TVS的结电容小于结电容阈值，其中，该结电容阈值可以是自定义的值。例如，假设结电容阈值为0.5pF，高击穿电压硅TVS的结电容为0.18pF。
如图3所示，图3是本实用新型实施例提供的一种TVS插入损耗随频率变化曲线的示意图，如图3可以看到10GHz处的损耗为0.58dB，对有用信号的衰减在可接受的范围内。由此可知，本实用新型实施例通过采用具有较低的结电容(通常0.18pF)的高击穿电压硅TVS，插入损耗低(0.58dB@10GHz)，这样插入损耗控制在一定的合理值范围内，不至于对有用信号造成较大的衰减。
图4所示，图4是本实用新型实施例提供的一种TVS的结电容随不同偏置电压变化的曲线图，如图4所示，结电容最大变化范围可控制在+/-5％之内，有效减小由于电容变化对射频性能的影响。
在一个实施例中，高击穿电压硅TVS的击穿电压大于全球移动通讯系统(GlobalSystem for Mobile Communications，GSM)900最高功率下的单峰值电压幅度。例如，高击穿电压硅TVS的击穿电压为30V，高于GSM900最高功率下的单峰值电压幅度(14.14V)，高击穿电压硅TVS这时不会导通，射频电压不会产生畸变，不会产生射频的高次谐波。
如图5所示，图5是本实用新型实施例提供的一种TVS的功率示意图，当频率为831.8MHz，输入功率在0-33dBm逐渐增大时，TVS由于非线性特性而产生的二次和三次谐波性能；随着基频输入功率的增加，二次和三次谐波的幅度也随之增加，在最高发射功率处(831.8M@33dBm)二次和三次谐波均低于-40dBm,和认证的限值(-36dBm)依然有4dBm的余量。
可选地，高击穿电压硅TVS的动态电阻为0.34欧姆，如图6所示，图6是本实用新型实施例提供的一种TVS的电压和电流的曲线示意图，高击穿电压硅TVS在正向传输线脉冲发生器(Transmission Line Pulse，TLP)(脉冲宽度100ns,上升时间1ns)条件下的击穿电压为30V,高于GSM900最大功率条件下的电压14.14V,这时高击穿电压硅TVS不会被击穿也不会对正常发射性能产生影响，同时高击穿电压硅TVS本身的动态电阻为0.34欧姆，静电条件下能够对后端器件和IC起到有效的保护作用。
本实用新型实施例采用高击穿电压硅TVS与射频天线线路并联的电路，利用高击穿电压硅TVS在静电放电的电压达到或超过高击穿电压硅TVS的击穿电压后，高击穿电压硅TVS击穿而表现低阻抗的特性，来实现钳位功能而保护后端如敏感芯片的端口或器件等，从而提升射频天线线路的抗静电性能。
本实用新型实施例还提供了一种终端，可以包括图1所示的射频天线电路。其中，该终端可以是个人计算机(Personal Computer，PC)、手机、照相机、数字电视接收终端或者智能家电等电子设备，射频天线电路设置于该终端中如手机的天线，可以提升射频天线线路的抗静电性能。
该射频天线电路包括高击穿电压硅TVS和射频天线线路，高击穿电压硅TVS和射频天线线路连接；高击穿电压硅TVS用于保护射频天线线路。
进一步地，高击穿电压硅TVS并联至射频天线线路。
进一步地，高击穿电压硅TVS的一端与接地端连接，高击穿电压硅TVS的另一端与射频天线线路连接。
进一步地，高击穿电压硅TVS的击穿电压大于GSM900最高功率下的单峰值电压幅度。
进一步地，高击穿电压硅TVS的结电容小于结电容阈值。
进一步地，高击穿电压硅TVS的动态电阻为0.34欧姆。
以上所揭露的仅为本实用新型较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种射频天线电路，包括高击穿电压硅TVS和射频天线线路，其特征在于，所述高击穿电压硅TVS和所述射频天线线路连接；所述高击穿电压硅TVS用于保护射频天线线路。
2.如权利要求1所述的射频天线电路，其特征在于，所述高击穿电压硅TVS并联至所述射频天线线路。
3.如权利要求2所述的射频天线电路，其特征在于，所述高击穿电压硅TVS的一端与接地端连接，所述高击穿电压硅TVS的另一端与射频天线线路连接。
4.如权利要求3所述的射频天线电路，其特征在于，所述高击穿电压硅TVS的击穿电压大于全球移动通讯系统GSM900最高功率下的单峰值电压幅度。
5.如权利要求3所述的射频天线电路，其特征在于，所述高击穿电压硅TVS的结电容小于结电容阈值。
6.如权利要求1所述的射频天线电路，其特征在于，所述高击穿电压硅TVS的动态电阻为0.34欧姆。
7.一种终端，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的射频天线电路。
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- 2023-06-25 CN CN202321624045.7U patent/CN220324694U/zh active Active
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