CN114498033A - 基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线 - Google Patents

Abstract

本发明提供了基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，包括依次层叠的辐射贴片、介质层和金属地板；还包括加载部件、探针；辐射贴片通过加载部件与金属地板连接；辐射贴片由至少一个小单元组成，小单元对应设置两个端口；加载部件的数目与小单元的数目匹配；小单元呈矩形，长边长度大于两倍的短边长度；沿着与短边平行的方向，小单元激发六个奇次模；加载部件由用于抑制偶次模的第一短路金属组、用于提升相邻两小单元之间的端口隔离度的第二短路金属组、用于提升小单元内两端口之间隔离度的第三短路金属组、用于展宽频带和改善方向图的第四短路金属组组成。该多端口单天线通讯容量高、端口间隔离度高且极化相同，未引入去耦元件或电路。

Description

基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线

技术领域

本发明涉及天线技术领域，尤其是指基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线。

背景技术

在现代无线通信中，根据信号收发信号的需要和通讯容量的需求，同一个系统中需要多个天线支持，但是，不同天线间以及不同端口间会相互耦合作用，产生抑制天线性能的问题。与其他类型的天线相比，微带贴片天线制造成本低、重量轻、剖面高度低等优点，然而，传统的微带贴片天线多个端口之间耦合程度较高。

为了解决这一问题，在过去的二十年里，研究人员提出了一些有效的方法。专利《一种基于EBG结构的毫米波天线去耦装置》(CN212676475U)公开了：通过在相邻的天线阵列单元之间的介质板顶部设有多个相互呈一字型排列的EBG结构获得了超过50dB的隔离，EBG结构包括金属贴片和导电过孔，金属贴片设置在介质板的顶面，导电过孔一端与金属贴片相连，其另一端穿过介质板与金属地板相连。专利《加载石墨烯去耦网络的微带阵列天线》(CN205944428U)公开了：一种加载石墨烯层的结构用来有效降低微带阵列天线中多个辐射贴片的电磁耦合，石墨烯层与外置直流偏置电压相连，隔离度获得了约20dB的提升。

上述去耦方法应用于多个天线之间，相应的天线存在尺寸大、需要额外的去耦元件等问题，同时提出的去耦方法无法应用于单个辐射器多个端口的去耦问题中。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：设计一种高通讯容量的多端口同极化单天线，并保证端口间在不引入去耦元件或去耦电路的条件下具有高隔离度。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，包括依次层叠的辐射贴片、介质层和金属地板；还包括加载部件、用于向所述辐射贴片馈电的探针；所述辐射贴片通过所述加载部件与所述金属地板连接；所述辐射贴片由至少一个小单元组成，所述小单元对应设置两个所述探针；每个探针对应一个端口；所述加载部件的数目与小单元的数目匹配；所述小单元呈矩形，长边长度为A，短边长度为B；沿着与短边平行的方向，所述小单元激发六个奇次模；沿着从低频指向高频的方向，六个奇次模依次为CM1、CM2、CM3、CM4、CM5、CM6；天线的中心工作频率波长为λ；所述加载部件由用于抑制偶次模的第一短路金属组、用于提升相邻两小单元之间的端口隔离度的第二短路金属组、用于提升小单元内两端口之间隔离度的第三短路金属组、用于展宽频带和改善方向图的第四短路金属组组成；所述第一短路金属组位于所述小单元的一长边边沿旁；所述第二短路金属组设置有两组，分别位于所述小单元的两短边边沿旁；所述第三短路金属组位于CM2、CM4、CM6的电场零点上；所述第四短路金属组位于距离CM5、CM6的电场零点的Φ范围内；所述探针的馈电位置偏离CM1、CM2、CM3、CM4、CM5、CM6的电场零点；其中，A>2B，0≤Φ≤0.05λ。

进一步地，所述第一短路金属组由直径为R1、间距为D1的第一金属柱组成，呈一字型排列，且从一短边边沿延伸至另一短边边沿，其中，0.001λ≤R1≤0.026λ、R1≤D1≤0.076λ。

进一步地，所述第二短路金属组由直径为R2、间距为D2的第二金属柱组成，呈一字型排列，且从一长边边沿延伸至另一长边边沿，其中，0.001λ≤R2≤0.026λ、R2≤D2≤0.076λ。

进一步地，所述第三短路金属组由均位于长边中垂线的位置上的两个第三金属柱组成，且第三金属柱位于与所述第一短路金属组位置相对的另一长边边沿旁；所述第三金属柱直径为R3，两第三金属柱之间的间隙为D3，所述第三金属柱与所述另一长边之间的最小间隙为S3，其中，0.11λ≤R3≤0.15λ、0≤D3≤0.067λ，0≤S3≤0.053λ。

进一步地，所述第四短路金属组由一个直径为R4的第四金属柱、两个直径为R5的第五金属柱组成；所述第四金属柱位于两所述第五金属柱之间，两所述第五金属柱之间的间距为D5，其中，0.067λ≤R4≤0.11λ，0.027λ≤R5≤0.053λ，0.15λ≤D5≤0.18λ。

进一步地，所述第四短路金属组呈一字型，其长度方向与所述第一短路金属组的长度方向相互平行；所述第四短路金属组设置有两组，两组所述第四短路金属组关于辐射贴片的长边的中垂线呈镜像分布；所述第四金属柱到所述第一短路金属组的距离为H1，所述第四金属柱到所述长边的中垂线的距离为H2，其中，0.25λ≤H1≤0.3λ，0.39λ≤H2≤0.41λ。

进一步地，所述探针与所述辐射贴片之间的连接点为馈电点，所述辐射贴片上设置有数目与所述馈电点数目匹配的用于调节天线阻抗匹配的环形槽；所述环形槽与所述馈电点同心，槽宽为C，内径为R，其中，0.002λ≤C≤0.007λ，0.07λ≤R≤0.11λ。

进一步地，所述馈电点到所述第一短路金属组的距离为H3，所述馈电点到所述长边的中垂线的距离为H4，其中，0.09λ≤H3≤0.14λ，0.12λ≤H4≤0.21λ。

进一步地，所述小单元设置有两个，且两所述小单元的第一短路金属组重合；两所述小单元关于所述第一短路金属组呈镜像对称。

进一步地，所述辐射贴片的投影均落在所述金属地板上；所述介质层由介电常数为ε的介质板构成，厚度为H，其中，1.4λ≤A≤1.45λ，0.39λ≤B≤0.43λ，2.8≤ε≤3.7，0.06λ≤H≤0.073λ。

本发明的有益效果在于：形成一种高通讯容量的多端口单天线，天线端口间并未引入去耦元件或去耦电路，但端口间隔离度高，同时各端口保持相同的极化，天线具有剖面低、宽带特性，结构简单，加工方便，具有极大的、实用的应用意义。

附图说明

下面结合附图详述本发明的具体结构

图1为本发明的基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线的俯视示意图；

图2为本发明的基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线的层状结构示意图；

图3是本发明实施例的基于多模融合的宽带高隔离度四端口同极化贴片天线的仿真和实测的回波损耗曲线图，其中，1端口和2端口为同一小单元中的两个端口，3端口和4端口为另一小单元的两个端口，1端口、2端口、3端口、4端口顺时针或逆时针摆放；

图4是本发明实施例的基于多模融合的宽带高隔离度四端口同极化贴片天线的仿真和实测的多端口间的S参数曲线图，其中，(a)为1端口与2端口之间、3端口与4端口之间的S参数曲线图，(b)为1端口与3端口之间、2端口与4端口之间的S参数曲线图，(c)为1端口与4端口之间、2端口与3端口之间的S参数曲线图；

图5是本发明实施例的基于多模融合的宽带高隔离度四端口同极化贴片天线的辐射方向图一，其中，(a)为在3.77GHz处仿真的E面辐射方向图，(b)在3.77GHz处仿真的H面辐射方向图，(c)为在3.67GHz处实测的E面辐射方向图，(d)为在3.67GHz处实测的H面辐射方向图；

图6是本发明实施例的基于多模融合的宽带高隔离度四端口同极化贴片天线的辐射方向图二，其中，(a)为在4.05GHz处仿真的E面辐射方向图，(b)在4.05GHz处仿真的H面辐射方向图，(c)为在3.94GHz处实测的E面辐射方向图，(d)为在3.94GHz处实测的H面辐射方向图；

图7是本发明实施例的基于多模融合的宽带高隔离度四端口同极化贴片天线的辐射方向图三，其中，(a)为在4.17GHz处仿真的E面辐射方向图，(b)在4.17GHz处仿真的H面辐射方向图，(c)为在4.11GHz处实测的E面辐射方向图，(d)为在4.11GHz处实测的H面辐射方向图；

图8是本发明实施例的基于多模融合的宽带高隔离度四端口同极化贴片天线在工作频带内的仿真和实测的增益曲线图；

图9是本发明实施例的基于多模融合的宽带高隔离度四端口同极化贴片天线的端口极化方向示意图；

其中，1-第一短路金属组，2-第二短路金属组，3-第三短路金属组，4-第四短路金属组，41-第四金属柱，42-第五金属柱，5-馈电点，6-辐射贴片，61-小单元，62-环形槽，7-介质层，8-金属地板。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

请参阅图1以及图2，基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，包括依次层叠的辐射贴片6、介质层7和金属地板8；还包括加载部件、用于向所述辐射贴片6馈电的探针；所述辐射贴片6通过所述加载部件与所述金属地板8连接；所述辐射贴片6由至少一个小单元61组成，所述小单元61对应设置两个所述探针；每个探针对应一个端口；所述加载部件的数目与小单元61的数目匹配；所述小单元61呈矩形，长边长度为A，短边长度为B；沿着与短边平行的方向，所述小单元61激发六个奇次模；沿着从低频指向高频的方向，六个奇次模依次为CM1、CM2、CM3、CM4、CM5、CM6；天线的中心工作频率波长为λ；所述加载部件由用于抑制偶次模的第一短路金属组1、用于提升相邻两小单元61之间的端口隔离度的第二短路金属组2、用于提升小单元61内两端口之间隔离度的第三短路金属组3、用于展宽频带和改善方向图的第四短路金属组4组成；所述第一短路金属组1位于所述小单元61的一长边边沿旁；所述第二短路金属组2设置有两组，分别位于所述小单元61的两短边边沿旁；所述第三短路金属组3位于CM2、CM4、CM6的电场零点上；所述第四短路金属组4位于距离CM5、CM6的电场零点的Φ范围内，即所述第四短路金属组位于CM5、CM6的电场零点上或附近；所述探针的馈电位置偏离CM1、CM2、CM3、CM4、CM5、CM6的电场零点；其中，A>2B，0≤Φ≤0.05λ。由于辐射贴片6的电场零点位置并非单一坐标点的位置，却囊括了一个较大的范围区域，故Φ为第四短路金属组4与CM5、CM6的最近的电场零点位置的距离。

本实施例所形成的高通讯容量的多端口单天线，天线端口间并未引入去耦元件或去耦电路，但端口间隔离度高，同时各端口保持相同的极化，天线具有剖面低、宽带特性，结构简单，加工方便，具有极大的、实用的应用意义。

由于CM1、CM2、CM3、CM4、CM5、CM6等多个模式的叠加，在CM1、CM3、CM5的作用下，CM2、CM4、CM6的电场零点发生弯折，所以，所述探针的馈电位置应偏离CM1、CM2、CM3、CM4、CM5、CM6的电场零点。激励时，非激励馈电位置位于多模式叠加后弯折电场零点附近，可以实现同一小单元61内端口间的去耦。

实施例2

在上述结构基础上，所述第一短路金属组1由直径为R1、间距为D1的第一金属柱组成，呈一字型排列，且从一短边边沿延伸至另一短边边沿，其中，0.001λ≤R1≤0.026λ、0.001λ≤D1≤0.076λ。在此结构下，进一步有效地抑制偶次模的形成，使短边更好地形成CM1、CM2、CM3、CM4、CM5、CM6等奇次模，提升天线的带宽和增益。

实施例3

在上述结构基础上，所述第二短路金属组2由直径为R2、间距为D2的第二金属柱组成，呈一字型排列，且从一长边边沿延伸至另一长边边沿，其中，0.001λ≤R2≤0.026λ、0.001λ≤D2≤0.076λ。在此结构下，进一步有效地提升相邻两小单元61之间的端口隔离度。R1＝R2时，并不影响短边奇次模的形成，也不影响相邻两小单元61之间的端口隔离度。

实施例4

在上述结构基础上，所述第三短路金属组3由均位于长边中垂线的位置上的两个第三金属柱组成，且第三金属柱位于与所述第一短路金属组1位置相对的另一长边边沿旁；所述第三金属柱直径为R3，两第三金属柱之间的间隙为D3，所述第三金属柱与所述另一长边之间的最小间隙为S3，其中，0.11λ≤R3≤0.15λ、0≤D3≤0.067λ，0≤S3≤0.053λ。在实际加工中，其中一个第三金属柱可以有一部分凸出辐射贴片6的边沿。在此结构下，进一步有效地提升小单元61内两端口之间隔离度.

实施例5

在上述结构基础上，所述第四短路金属组4由一个直径为R4的第四金属柱41、两个直径为R5的第五金属柱42组成；所述第四金属柱41位于两所述第五金属柱42之间，两所述第五金属柱42之间的间距为D5，其中，0.067λ≤R4≤0.11λ，0.027λ≤R5≤0.053λ，0.15λ≤D5≤0.18λ。在此结构下，进一步有效地展宽天线频带、改善天线的方向图。

实施例6

在上述结构基础上，所述第四短路金属组4呈一字型，其长度方向与所述第一短路金属组1的长度方向相互平行；所述第四短路金属组4设置有两组，两组所述第四短路金属组4关于辐射贴片6的长边的中垂线呈镜像分布；所述第四金属柱41到所述第一短路金属组1的距离为H1，所述第四金属柱41到所述长边的中垂线的距离为H2，其中，0.25λ≤H1≤0.3λ，0.39λ≤H2≤0.41λ。在此结构下，进一步有效地展宽天线频带、改善天线的方向图。

实施例7

在上述结构基础上，所述探针与所述辐射贴片6之间的连接点为馈电点5，所述辐射贴片6上设置有数目与所述馈电点5数目匹配的用于调节天线阻抗匹配的环形槽62；所述环形槽62与所述馈电点5同心，槽宽为C，内径为R，其中，0.002λ≤C≤0.007λ，0.07λ≤R≤0.11λ。在此结构下，天线阻抗匹配，端口间的隔离度高。

实施例8

在上述结构基础上，所述馈电点5到所述第一短路金属组1的距离为H3，所述馈电点5到所述长边的中垂线的距离为H4，其中，0.09λ≤H3≤0.14λ，0.12λ≤H4≤0.21λ。在此结构下，天线阻抗匹配，端口间的隔离度高。

实施例9

在上述结构基础上，所述小单元61设置有两个，且两所述小单元61的第一短路金属组1重合；两所述小单元61关于所述第一短路金属组1呈镜像对称。在此结构下，小单元61与小单元61之间的端口隔离度更高，在同等通讯容量下，辐射贴片面积更小，即天线结构更小，但单位面积上的通讯容量更高。

实施例10

在上述结构基础上，所述辐射贴片6的投影均落在所述金属地板8上；所述介质层7由介电常数为ε的介质板构成，厚度为H，其中，1.4λ≤A≤1.45λ，0.39λ≤B≤0.43λ，2.8≤ε≤3.7，0.06λ≤H≤0.073λ。在此结构下，进一步优化天线的各项性能。

在上述结构中，第一金属柱、第二金属柱、第三金属柱、第四金属柱41和第五金属柱42均通过贯穿介质层7使所述金属地板8与所述辐射贴片6连接。

为进一步论述本发明的有益效果，利用仿真软件和测试方法对一个具有上述结构的四端口天线进行端口反射系数、端口隔离度、天线方向图及增益进行仿真和测试，测试结果如图3至图8所示。

图3为对实施例天线仿真和测试得到的端口反射系数随工作频率变化的曲线。从图3中可以看出，端口表现出良好的宽带特性。仿真结果中端口反射系数低于-10dB的频段为3.62GHz-4.28GHz，即阻抗带宽为16.7％；测试结果中端口反射系数低于-10dB的频段为3.575GHz-4.205GHz，即阻抗带宽为16.2％，所测得的结果与仿真结果吻合较好，很好地实现了基于多模谐振的微带贴片天线的宽带特性。

图4为对实施例天线仿真和测试得到的多端口间的S参数随工作频率变化的曲线。从图4(a)、图4(b)、图4(c)中可以看出，天线在工作频带内表现出高隔离特性。仿真结果中端口反射系数低于-10dB的频段内端口之间的隔离度为不低于19dB；测试结果中端口反射系数低于-10dB的频段内端口之间的隔离度为不低于20dB，所测得的结果与仿真结果吻合较好，很好地实现了基于多模谐振的微带贴片天线的宽带高隔离特性。

图5为实施例的仿真和测试时的E面和H面的方向图，其中，(a)为在3.77GHz处的E面的仿真结果；(b)为在3.77GHz处的H面的仿真结果；(c)为在3.67GHz处的E面的测试结果；(d)为在3.67GHz处的H面的测试结果。

图6为实施例的仿真和测试时的E面和H面的方向图，其中，(a)为在4.05GHz处的E面的仿真结果；(b)为在4.05GHz处的H面的仿真结果；(c)为在3.94GHz处的E面的测试结果；(d)为在3.94GHz处的H面的测试结果。

图7为实施例的仿真和测试时的E面和H面的方向图，其中，(a)为在4.17GHz处的E面的仿真结果；(b)为在4.17GHz处的H面的仿真结果；(c)为在4.11GHz处的E面的测试结果；(d)为在4.11GHz处的H面的测试结果。

从图5至图7中可以看出，天线在频带内获得了顶端的辐射方向图，增益方向图分布较为稳定，工作性能稳定。

图8为天线工作频带内的仿真和实测的增益曲线图，如图8所示，天线在低频段最大增益仿真结果约为6.5dBi。

图9显示了天线各个端口极化，箭头方向表示天线在不同端口工作时的极化方向。如图9所示，天线的四个端口具有相同极化。

综上所述，本发明提供的基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，为一种高通讯容量的多端口单天线，以一层介质板、一层辐射贴片的电路来实现阻抗匹配的结构；剖面低，结构简单，加工方便；无需引入额外的去耦元件或者电路，有效地去除多端口之间的耦合且各个端口的极化相同，获得较宽的隔离带宽；具有宽带范围内的端口高隔离度；工作频段相对带宽分别增强至16％；工作频段内端口之间的隔离度超过20dB；在频段内增益保持在6dBi左右，增益方向图分布较为稳定、工作性能稳定，具有极大的、实用的应用意义。

此处第一、第二……只代表其名称的区分，不代表它们的重要程度和位置有什么不同。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，其特征在于，包括依次层叠的辐射贴片、介质层和金属地板；还包括加载部件、用于向所述辐射贴片馈电的探针；所述辐射贴片通过所述加载部件与所述金属地板连接；所述辐射贴片由至少一个小单元组成，所述小单元对应设置两个所述探针；每个探针对应一个端口；所述加载部件的数目与小单元的数目匹配；

所述小单元呈矩形，长边长度为A，短边长度为B；沿着与短边平行的方向，所述小单元激发六个奇次模；沿着从低频指向高频的方向，六个奇次模依次为CM1、CM2、CM3、CM4、CM5、CM6；天线的中心工作频率波长为λ；

所述加载部件由用于抑制偶次模的第一短路金属组、用于提升相邻两小单元之间的端口隔离度的第二短路金属组、用于提升小单元内两端口之间隔离度的第三短路金属组、用于展宽频带和改善方向图的第四短路金属组组成；所述第一短路金属组位于所述小单元的一长边边沿旁；所述第二短路金属组设置有两组，分别位于所述小单元的两短边边沿旁；所述第三短路金属组位于CM2、CM4、CM6的电场零点上；所述第四短路金属组位于距离CM5、CM6的电场零点的Φ范围内；所述探针的馈电位置偏离CM1、CM2、CM3、CM4、CM5、CM6的电场零点；其中，A>2B，0≤Φ≤0.05λ。

2.如权利要求1所述基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，其特征在于，所述第一短路金属组由直径为R1、间距为D1的第一金属柱组成，呈一字型排列，且从一短边边沿延伸至另一短边边沿，其中，0.001λ≤R1≤0.026λ、R1≤D1≤0.076λ。

3.如权利要求1所述基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，其特征在于，所述第二短路金属组由直径为R2、间距为D2的第二金属柱组成，呈一字型排列，且从一长边边沿延伸至另一长边边沿，其中，0.001λ≤R2≤0.026λ、R2≤D2≤0.076λ。

4.如权利要求1所述基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，其特征在于，所述第三短路金属组由均位于长边中垂线的位置上的两个第三金属柱组成，且第三金属柱位于与所述第一短路金属组位置相对的另一长边边沿旁；所述第三金属柱直径为R3，两第三金属柱之间的间隙为D3，所述第三金属柱与所述另一长边之间的最小间隙为S3，其中，0.11λ≤R3≤0.15λ、0≤D3≤0.067λ，0≤S3≤0.053λ。

5.如权利要求1所述基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，其特征在于，所述第四短路金属组由一个直径为R4的第四金属柱、两个直径为R5的第五金属柱组成；所述第四金属柱位于两所述第五金属柱之间，两所述第五金属柱之间的间距为D5，其中，0.067λ≤R4≤0.11λ，0.027λ≤R5≤0.053λ，0.15λ≤D5≤0.18λ。

6.如权利要求5所述基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，其特征在于，所述第四短路金属组呈一字型，其长度方向与所述第一短路金属组的长度方向相互平行；所述第四短路金属组设置有两组，两组所述第四短路金属组关于辐射贴片的长边的中垂线呈镜像分布；所述第四金属柱到所述第一短路金属组的距离为H1，所述第四金属柱到所述长边的中垂线的距离为H2，其中，0.25λ≤H1≤0.3λ，0.39λ≤H2≤0.41λ。

7.如权利要求1至6任一所述基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，其特征在于，所述探针与所述辐射贴片之间的连接点为馈电点，所述辐射贴片上设置有数目与所述馈电点数目匹配的用于调节天线阻抗匹配的环形槽；所述环形槽与所述馈电点同心，槽宽为C，内径为R，其中，0.002λ≤C≤0.007λ，0.07λ≤R≤0.11λ。

8.如权利要求7所述基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，其特征在于，所述馈电点到所述第一短路金属组的距离为H3，所述馈电点到所述长边的中垂线的距离为H4，其中，0.09λ≤H3≤0.14λ，0.12λ≤H4≤0.21λ。

9.如权利要求8所述基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，其特征在于，所述小单元设置有两个，且两所述小单元的第一短路金属组重合；两所述小单元关于所述第一短路金属组呈镜像对称。

10.如权利要求9所述基于多模融合的宽带高隔离度多端口同极化贴片天线，其特征在于，所述辐射贴片的投影均落在所述金属地板上；所述介质层由介电常数为ε的介质板构成，厚度为H，其中，1.4λ≤A≤1.45λ，0.39λ≤B≤0.43λ，2.8≤ε≤3.7，0.06λ≤H≤0.073λ。

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