CN114465599A - 集成芯片及其制备方法 - Google Patents

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CN114465599A CN202111681558.7A CN202111681558A CN114465599A CN 114465599 A CN114465599 A CN 114465599A CN 202111681558 A CN202111681558 A CN 202111681558A CN 114465599 A CN114465599 A CN 114465599A
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Shenzhen Huixin Communication Technology Co ltd
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Abstract

本发明公开一种集成芯片及其制备方法，其中，集成芯片包括衬底、压电层、声表面波谐振器以及谐振电路单元；压电层形成于衬底层的一侧上，压电层上形成有隔离凹槽，以将压电层分隔成并排间隔设置的第一部分和第二部分；声表面波谐振器形成于压电层上，且对应第一部分设置；谐振电路单元形成于压电层上，且对应第二部分设置；其中，声表面波谐振器的电信号输入端电连接外部信号源，声表面波谐振器的电信号输出端电连接谐振电路单元；通过将声表面波谐振器和谐振电路单元集成于同一芯片上，可以提升滤波器的带宽，同时提高器件集度、减小功耗、降低芯片面积和制造成本。

Description

集成芯片及其制备方法
技术领域
本发明涉及通信设备技术领域，尤其是一种集成芯片及其制备方法。
背景技术
5G通信带动射频前端市场高速发展。与4G相比，5G手机中射频前端各种器件都会大幅增加。5G网络的部署分为两个阶段，第一阶段为Sub-6GHz,第二阶段为毫米波频段。具体地讲，第一阶段新增四个频段，即n41(频率范围2.496-2.69GHz,带宽196MHz),n77(频率范围3.3-4.2GHz,带宽900MHz),n78(频率范围3.3-3.8GHz,带宽500MHz),n79(频率范围4.4-5.0GHz,带宽600MHz)。5G和未来通信使用的频率将越来越高，以满足移动通信对更大带宽的需求。
在4G及以前的通信中，射频滤波器主要有SAW滤波器，即声表面波滤波器(SurfaceAcoustic Wave)，而现有的普通声表面波滤波器，应用频段较低；能适用高频段的声表面波滤波器制作工艺复杂，成本较高。
发明内容
为了达到5G和未来通信对带宽的要求，现有的滤波器通常会在封装阶段将分立的电感、电容、电组元件贴装在一起形成匹配电路，以达到增加带宽的目的，如此，导致器件面积大、电路损耗大、制造成本高。
本发明的主要目的是提出一种集成芯片及其制备方法，旨在解决现有的适用于高频段的声表面波滤波器制作工艺复杂、成本较高的问题。
为实现上述目的，本发明提出一种集成芯片，包括：
衬底；
压电层，形成于所述衬底层的一侧上，所述压电层上形成有隔离凹槽，以将所述压电层分隔成并排间隔设置的第一部分和第二部分；
声表面波谐振器，形成于所述压电层上，且对应所述第一部分设置；以及，
谐振电路单元，形成于所述压电层上，且对应所述第二部分设置；
其中，所述声表面波谐振器的电信号输入端电连接外部信号源，所述声表面波谐振器的电信号输出端电连接所述谐振电路单元。
可选地，所述声表面波谐振器包括：
叉指换能器，设于所述压电层，包括并排设置的输入换能器和输出换能器，所述输入换能器用以将输入的电信号转化为声波输出，所述输出换能器用以接收所述输入换能器输出的声波、并转化为电信号输出；以及，
两个反射器，分设于所述输入换能器和所述输出换能器相背离的两侧；
其中，所述声表面波谐振器的电信号输入端包括所述输入换能器的输入端，所述声表面波谐振器的电信号输出端包括所述输出换能器的输出端。
可选地，所述谐振电路单元包括：
第一介质层，形成于所述压电层背离所述衬底层的端面；以及，
元器件组，形成于所述第一介质层，所述元器件组包括并排间隔设置且相互电连接的电感、电容以及电阻；
其中，所述声表面波谐振器的电信号输出端与所述电感、所述电容或者所述电感中的一个电连接。
可选地，所述谐振电路单元包括：
第二介质层，形成于所述压电层背离所述衬底层的一侧；以及，
元器件层组，包括依次层叠设置的电感层、电容层以及电阻层，所述电感层、所述电容层以及所述电阻层之间电连接；
其中，所述声表面波谐振器的电信号输出端与所述电感层、所述电容层或所述电阻层中的一个电连接。
可选地，所述谐振电路单元与所述声表面波谐振器之间设有互联结构，以使所述声表面波谐振器电连接所述谐振电路单元。
可选地，所述压电层设置为氮化铝薄膜。
本发明基于上述的集成芯片，还提出一种集成芯片制备方法，包括：
提供一衬底层；
在所述衬底层上形成压电层；
在所述压电层内制作隔离凹槽，以将所述压电层分隔成并排设置的第一部分和第二部分；
对应所述第一部分、在所述压电层上形成声表面波谐振器；
对应所述第二部分、在所述压电层上形成谐振电路单元；
制作互联结构，以使至少所述声表面波谐振器电连接所述谐振电路单元。
可选地，所述“对应所述第一部分、在所述压电层上形成声表面波谐振器”的步骤包括：
在所述压电层背离所述衬底层的一侧形成并排设置的输入换能器和输出换能器，其中，在由所述第一部分指向所述第二部分的方向上，所述输入换能器和所述输出换能器间隔设置；
在所述输入换能器和所述输出换能器相背离的两侧分别形成两个反射器；
在所述压电层背离所述衬底层的端面上形成第一钝化层，其中，所述第一钝化层覆盖所述输入换能器、所述输出换能器以及所述两个反射器。
可选地，所述“对应所述第二部分、在所述压电层上形成谐振电路单元”的步骤包括：
在所述压电层上形成第一介质层；
在所述第一介质层上形成金属间介质层；
在所述金属间介质层上分别形成电感金属线、电容金属线、以及电阻金属线，以分别形成电感、电容以及电阻；
在所述“制作互联结构”的步骤中：所述互联结构还设于所述电感、所述电容以及所述电阻之间。
可选地，所述“对应所述第二部分、在所述压电层上形成谐振电路单元”的步骤包括：
在所述压电层上形成第二介质层；
在所述第二介质层上形成第一金属间介质层；
在所述第一金属间介质层内形成电感金属线，以形成电感；
在所述第一金属间介质层上形成电容介质层；
在所述电容介质层上形成第二金属间介质层；
在所述第二金属间介质层内形成电容金属线，以形成电容；
在所述第二金属间介质层上形成有第三金属介质层；
在所述第三金属介质层上形成有电阻金属线，以形成电阻；
在所述第三金属介质层上形成有钝化层，以覆盖所述电阻；
在所述“制作互联结构”的步骤中：所述互联结构还设于所述电感、所述电容以及所述电阻之间。
本发明的技术方案中，提供一衬底，在所述衬底上形成压电层，通过设置所述隔离凹槽，将所述压电层分隔成并排间隔设置的第一部分和第二部分；所述声表面波谐振器对应所述第一部分设置；所述谐振电路单元对应所述第二部分设置；其中，所述声表面波谐振器的电信号输入端电连接外部信号源，所述声表面波谐振器的电信号输出端电连接所述谐振电路单元；也即，通过将所述谐振电路单元与所述声表面波谐振器集成于同一芯片上，以此提升器件的集成度、增加通信带宽、提高系统效率，同时减少芯片面积、降低成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明提供的集成芯片第一实施例的结构示意图；
图2为本发明提供的集成芯片第二实施例的结构示意图；
图3为本发明提供的集成芯片的制备方法一实施例的流程图；
图4为图3中的S40步骤的一实施例的流程图；
图5为图3中的S50步骤的第一实施例的流程图；
图6为图3中的S50步骤的第二实施例的流程图。
本发明提供的实施例附图标号说明：
Figure BDA0003452918740000041
Figure BDA0003452918740000051
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
在4G及以前的通信中，射频滤波器主要有SAW滤波器，即声表面波滤波器(SurfaceAcoustic Wave)，而现有的普通声表面波滤波器，应用频段较低；能适用高频段的声表面波滤波器制作工艺复杂，成本较高。
鉴于此，本发明提供一种集成芯片及其制备方法。图1至图2为本发明提供的集成芯片的具体实施例；图3至图6为本发明提供的集成芯片的制备方法的具体实施例。
请参阅图1至图2，所述集成芯片100包括衬底1、压电层2、声表面波谐振器3以及谐振电路单元4；所述压电层2形成于所述衬底1层的一侧上，所述压电层2上形成有隔离凹槽21，以将所述压电层2分隔成并排间隔设置的第一部分和第二部分；所述声表面波谐振器3形成于所述压电层2上，且对应所述第一部分设置；所述谐振电路单元4形成于所述压电层2上，且对应所述第二部分设置；其中，所述声表面波谐振器3的电信号输入端电连接外部信号源，所述声表面波谐振器3的电信号输出端电连接所述谐振电路单元4。
本发明的技术方案中，提供一衬底1，在所述衬底1上形成压电层2，通过设置所述隔离凹槽21，将所述压电层2分隔成并排间隔设置的第一部分和第二部分；所述声表面波谐振器3对应所述第一部分设置；所述谐振电路单元4对应所述第二部分设置；其中，所述声表面波谐振器3的电信号输入端电连接外部信号源，所述声表面波谐振器3的电信号输出端电连接所述谐振电路单元4；也即，通过将所述谐振电路单元4与所述声表面波谐振器3集成于同一芯片上，以此提升器件的集成度、增加通信带宽、提高系统效率，同时减少芯片面积、降低成本。
具体地，所述声表面波谐振器3包括叉指换能器31以及两个反射器32，所述叉指换能器31设于所述压电层2，包括并排设置的输入换能器311和输出换能器312，所述输入换能器311用以将输入的电信号转化为声波输出，所述输出换能器312用以接收所述输入换能器311输出的声波、并转化为电信号输出；两个所述反射器32分设于所述输入换能器311和所述输出换能器312相背离的两侧；其中，所述声表面波谐振器3的电信号输入端包括所述输入换能器311的输入端，所述声表面波谐振器3的电信号输出端包括所述输出换能器312的输出端；需要说明的是，所述声表面波谐振器3是通过在所述压电层2上制作所述输入换能器311和所述输出换能器312，实现声能与电能的转换。所述输入换能器311通过逆压电效应将输入的电信号转变成声波，此声波沿所述压电层2基片的表面传播，最终由所述输出换能器312将声波转变成电信号输出，也即，所述声表面波谐振器3的功能是通过对在所述压电层2上传播的声波进行各种处理，并利用声/电换能器的特性来完成的。
需要说明的是，所述衬底1的材料可以选用硅、绝缘硅(SOI)、碳化硅、蓝宝石、玻璃等；以具有良好的绝缘性能；同时，所述衬底1的尺寸一般设置为2-6英寸；在所述衬底1的材质设置为硅(包括绝缘硅)时，所述衬底1的尺寸可以设置为4-12寸，以提升滤波器的规模生产能力、降低成本。
本发明对于所述压电层2的材质不做限制，所述压电层2的材质可以选用氧化锌、锆钛酸铅系(PZT)，氮化镓系、钽酸锂、铌酸锂中的一种，具体地，在本实施例中，所述压电层2设置为氮化铝薄膜，进一步地，可以对所述氮化铝薄膜进行惨杂作为所述压电层2，以提高所述压电层2的压电系数，从而提升所述声表面波谐振器3的机电耦合系数，进而提高所述滤波器的性能。
进一步参阅图1，在第一实施例中，所述谐振电路单元4包括第一介质层41以及元器件组，所述第一介质层41形成于所述压电层2背离所述衬底1的端面；所述元器件组形成于所述第一介质层41，所述元器件组包括并排间隔设置且相互电连接的电感42、电容43以及电阻44；其中，所述声表面波谐振器3的电信号输出端与所述电感42电连接；将所述电感42、所述电容43以及所述电阻44依次布设于所述第一介质层41上，结构简单，制作简便。所述电感42、所述电感42、所述电容43的顺序不做限制，依具体设计而定。
具体地，在本实施例中，在所述第一介质层41上形成有金属间介质层49，在所述金属间介质层49上分别形成电感42金属线、电容43金属线、以及电阻44金属线，以分别形成所述电感42、所述电容43以及所述电阻44；如此，既保证所述电感42、所述电容43以及所述电阻44之间绝缘、从而避免短路，而且简化制作工艺。
进一步参阅图2，在第二实施例中，所述谐振电路单元4包括第二介质层45以及元器件层组；所述第二介质层45形成于所述压电层2背离所述衬底1层的一侧；所述元器件层组包括依次层叠设置的电感层46、电容层47以及电阻层48，所述电感层46、所述电容层47以及所述电阻层48之间电连接；其中，所述声表面波谐振器3的电信号输出端与所述电感层46电连接；需要说明的是，在制作所述集成芯片100时，如果将所有元器件设于同一平面上，那所述集成芯片100的面积大致为各个元器件的面积之和。在复杂的电路中，可能会用到十几个甚至几十个元器件，如此，所述集成芯片100的面积就变得很大，导致产品成本增加；通过将所述电容43、所述电阻44以及所述电感42设置为依次层叠设置的电感层46、电容层47以及电阻层48，使得所述集成芯片100的面积大幅减少，不仅简化制作工艺，而且降低生产成本。
需要说明的是，所述电感层46、所述电容层47以及所述电阻层48之间的制作顺序不受限制。
具体地，在本实施例中，在所述第二介质层45上形成有第一金属间介质层491；在所述第一金属间介质层491内形成电感42金属线，以形成所述电感层46；在所述第一金属间介质层491上形成电容43介质层；在所述电容43介质层上形成第二金属间介质层492；在所述第二金属间介质层492内形成电容43金属线，以形成所述电容层47；在所述第二金属间介质层492上形成有第三金属间介质层493；在所述第三金属间介质层493上形成有电阻44金属线，以形成电阻层48；在所述第三金属间介质层493上形成有钝化层5，以覆盖所述电阻层48；如此，既保证所述电感层46、所述电容层47以及所述电阻层48之间绝缘、从而避免短路，而且简化制作工艺。
在本发明中，所述谐振电路单元4与所述声表面波谐振器3之间设有互联结构6，以使所述声表面波谐振器3电连接所述谐振电路单元4；采用所述互联结构6替代传统布线，不仅简化了制作步骤，还简化了所述集成芯片100的内部结构。
在本发明中，所述集成芯片100还包括互联结构6；其中，所述电感42、所述电容43以及所述电阻44通过所述互联结构6电连接；通过所述互联结构6实现所述谐振电路单元4内部各元器件之间的电连接。
具体地，所述互联结构6设置为金属互联结构6或者空气桥结构中的一个。
基于上述的集成芯片，本发明对所述集成芯片的制备方法进行说明。
请参阅图3，为本发明提供的集成芯片的制备方法的第一实施例。
所述集成芯片的制备方法，包括：
S10：提供一衬底层；
S20：在所述衬底层上形成压电层；
S30：在所述压电层内制作隔离凹槽，以将所述压电层分隔成并排设置的第一部分和第二部分；
S40：对应所述第一部分、在所述压电层上形成声表面波谐振器；
S50：对应所述第二部分、在所述压电层上形成谐振电路单元；
S60：制作互联结构，以使至少所述声表面波谐振器电连接所述谐振电路单元。
在本实施例中，在所述衬底上形成压电层，通过设置所述隔离凹槽，将所述压电层分隔成并排间隔设置的第一部分和第二部分；所述声表面波谐振器对应所述第一部分设置；所述谐振电路单元对应所述第二部分设置；其中，所述声表面波谐振器的电信号输入端电连接外部信号源，所述声表面波谐振器的电信号输出端电连接所述谐振电路单元；也即，通过将所述谐振电路单元与所述声表面波谐振器集成于同一芯片上，以此提升器件的集成度、增加通信带宽、提高系统效率，同时减少芯片面积、降低成本。
具体地，请参阅图4，所述“对应所述第一部分、在所述压电层上形成声表面波谐振器”的步骤S40，包括：
S41：在所述压电层背离所述衬底层的一侧形成并排设置的输入换能器和输出换能器，其中，在由所述第一部分指向所述第二部分的方向上，所述输入换能器和所述输出换能器间隔设置；
S42：在所述输入换能器和所述输出换能器相背离的两侧分别形成两个反射器；
S43：在所述压电层背离所述衬底层的端面上形成第一钝化层，其中，所述第一钝化层覆盖所述输入换能器、所述输出换能器以及所述两个反射器。
在本实施例中，所述声表面波谐振器是通过在所述压电层上制作所述输入换能器和所述输出换能器，实现声能与电能的转换。所述输入换能器通过逆压电效应将输入的电信号转变成声波，此声波沿所述压电层基片的表面传播，最终由所述输出换能器将声波转变成电信号输出，也即，所述声表面波谐振器的功能是通过对在所述压电层上传播的声波进行各种处理，并利用声/电换能器的特性来完成的。
具体地，请参阅图5，所述“对应所述第二部分、在所述压电层上形成谐振电路单元”的步骤S50，包括：
S51：在所述压电层上形成第一介质层；
S52：在所述第一介质层上形成金属间介质层；
S53：在所述金属间介质层上分别形成电感金属线、电容金属线、以及电阻金属线，以分别形成电感、电容以及电阻；
其中，在所述“制作互联结构”的步骤S60中：所述互联结构还设于所述电感、所述电容以及所述电阻之间。
在本实施例中，在所述衬底上形成所述第一介质层和所述金属间介质层，将所述电感、所述电容以及所述电阻依次布设在所述金属间介质层上，以实现在所述衬底上设置所述谐振电路单元，结构简单，制作简便。
具体地，请参阅图6，所述“对应所述第二部分、在所述压电层上形成谐振电路单元”的步骤S50，包括：
S51'：在所述压电层上形成第二介质层；
S52'：在所述第二介质层上形成第一金属间介质层；
S53'：在所述第一金属间介质层内形成电感金属线，以形成电感；
S54'：在所述第一金属间介质层上形成电容介质层；
S55'：在所述电容介质层上形成第二金属间介质层；
S56'：在所述第二金属间介质层内形成电容金属线，以形成电容；
S57'：在所述第二金属间介质层上形成有第三金属介质层；
S58'：在所述第三金属介质层上形成有电阻金属线，以形成电阻；
S59'：在所述第三金属介质层上形成有钝化层，以覆盖所述电阻；
其中，在所述“制作互联结构”的步骤S60中：所述互联结构还设于所述电感、所述电容以及所述电阻之间。
在本实施例中，通过将所述电容、所述电阻以及所述电感设置为依次层叠设置的电感层、电容层以及电阻层，使得所述集成芯片的面积大幅减少，不仅简化制作工艺，而且降低生产成本；同时，设置的所述金属间介质层既保证所述电感层、所述电容层以及所述电阻层之间绝缘、从而避免短路，而且简化制作工艺。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
衬底；
压电层，形成于所述衬底层的一侧上，所述压电层上形成有隔离凹槽，以将所述压电层分隔成并排间隔设置的第一部分和第二部分；
声表面波谐振器，形成于所述压电层上，且对应所述第一部分设置；以及，
谐振电路单元，形成于所述压电层上，且对应所述第二部分设置；
其中，所述声表面波谐振器的电信号输入端电连接外部信号源，所述声表面波谐振器的电信号输出端电连接所述谐振电路单元。
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述声表面波谐振器包括：
叉指换能器，设于所述压电层，包括并排设置的输入换能器和输出换能器，所述输入换能器用以将输入的电信号转化为声波输出，所述输出换能器用以接收所述输入换能器输出的声波、并转化为电信号输出；以及，
两个反射器，分设于所述输入换能器和所述输出换能器相背离的两侧；
其中，所述声表面波谐振器的电信号输入端包括所述输入换能器的输入端，所述声表面波谐振器的电信号输出端包括所述输出换能器的输出端。
3.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述谐振电路单元包括：
第一介质层，形成于所述压电层背离所述衬底层的端面；以及，
元器件组，形成于所述第一介质层，所述元器件组包括并排间隔设置且相互电连接的电感、电容以及电阻；
其中，所述声表面波谐振器的电信号输出端与所述电感、所述电容或者所述电感中的一个电连接。
4.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述谐振电路单元包括：
第二介质层，形成于所述压电层背离所述衬底层的一侧；以及，
元器件层组，包括依次层叠设置的电感层、电容层以及电阻层，所述电感层、所述电容层以及所述电阻层之间电连接；
其中，所述声表面波谐振器的电信号输出端与所述电感层、所述电容层或者所述电感层中的一个电连接。
5.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述谐振电路单元与所述声表面波谐振器之间设有互联结构，以使所述声表面波谐振器电连接所述谐振电路单元。
6.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述压电层设置为氮化铝薄膜。
7.一种基于权利要求1-6中任意一项所述的集成芯片的集成芯片制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底层；
在所述衬底层上形成压电层；
在所述压电层内制作隔离凹槽，以将所述压电层分隔成并排设置的第一部分和第二部分；
对应所述第一部分、在所述压电层上形成声表面波谐振器；
对应所述第二部分、在所述压电层上形成谐振电路单元；
制作互联结构，以使至少所述声表面波谐振器电连接所述谐振电路单元。
8.根据权利要求7所述的集成芯片制备方法，其特征在于，所述“对应所述第一部分、在所述压电层上形成声表面波谐振器”的步骤包括：
在所述压电层背离所述衬底层的一侧形成并排设置的输入换能器和输出换能器，其中，在由所述第一部分指向所述第二部分的方向上，所述输入换能器和所述输出换能器间隔设置；
在所述输入换能器和所述输出换能器相背离的两侧分别形成两个反射器；
在所述压电层背离所述衬底层的端面上形成第一钝化层，其中，所述第一钝化层覆盖所述输入换能器、所述输出换能器以及所述两个反射器。
9.根据权利要求7所述的集成芯片制备方法，其特征在于，所述“对应所述第二部分、在所述压电层上形成谐振电路单元”的步骤包括：
在所述压电层上形成第一介质层；
在所述第一介质层上形成金属间介质层；
在所述金属间介质层上分别形成电感金属线、电容金属线、以及电阻金属线，以分别形成电感、电容以及电阻；
在所述“制作互联结构”的步骤中：所述互联结构还设于所述电感、所述电容以及所述电阻之间。
10.根据权利要求7所述的集成芯片制备方法，其特征在于，所述“对应所述第二部分、在所述压电层上形成谐振电路单元”的步骤包括：
在所述压电层上形成第二介质层；
在所述第二介质层上形成第一金属间介质层；
在所述第一金属间介质层内形成电感金属线，以形成电感；
在所述第一金属间介质层上形成电容介质层；
在所述电容介质层上形成第二金属间介质层；
在所述第二金属间介质层内形成电容金属线，以形成电容；
在所述第二金属间介质层上形成有第三金属介质层；
在所述第三金属介质层上形成有电阻金属线，以形成电阻；
在所述第三金属介质层上形成有钝化层，以覆盖所述电阻；
在所述“制作互联结构”的步骤中：所述互联结构还设于所述电感、所述电容以及所述电阻之间。
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