CN114464605A - 一种用于照明灯的封装led制作工艺 - Google Patents
一种用于照明灯的封装led制作工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114464605A CN114464605A CN202111646302.2A CN202111646302A CN114464605A CN 114464605 A CN114464605 A CN 114464605A CN 202111646302 A CN202111646302 A CN 202111646302A CN 114464605 A CN114464605 A CN 114464605A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat pipe
- glue film
- fluorescent glue
- micro heat
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 76
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 61
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 12
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 claims description 10
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 11
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/648—Heat extraction or cooling elements the elements comprising fluids, e.g. heat-pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于照明灯的封装LED制作工艺,包括在待封装LED芯片的发光上表面设置氮化物荧光胶膜;采用微热管;密封微热管;在微热管两端分别镀金属电极;设置挡光层;固化;封装所述带封装LED芯片。该封装LED制作工艺利用微热管可加热以及液态工质易汽化的特性实现冷热循环和能量传递,从而达到了快速散热的效果;设置挡光层使得光线不容易从荧光胶膜的侧面侧漏出去,且采用氮化物体系的荧光胶膜可以使发光更加稳定,最终实现兼顾发光效果好和快速散热的目的。
Description
技术领域
本发明涉及LED发光技术领域,尤其涉及一种用于照明灯的封装LED制作工艺。
背景技术
发光二极管(LED)光源作为一种新型绿色照明光源,以其无污染、长寿命、低损耗、等特点在全球范围内得到了广泛的应用。随着LED的应用和发展,人们对LED的尺寸要求越来越小。为了满足减小LED尺寸的要求,出现了芯片级封装CSP(Chip Scale Package)和晶片级封装WLP,目前的CSP LED主要有两种结构:一种是五面出光CSP LED,这种CSP LED的四个侧面以及顶面都是出光面,底部则设置有正负电极。另一种是单面出光CSP LED,这种CSPLED只有顶面作为出光面,其底面则设置有正负电极。问题在于现有的LED灯结构无法对从荧光胶膜侧面侧漏出来的光进行遮挡,所以这种LED灯单面出光的效果并不好。
此外,目前一般的LED灯丝产品由于散热性能差,光衰特别严重,造成采用LED灯丝的球泡灯等的使用寿命相比其他LED灯短很多。现在使用最多的是COG(Chip-on-glass)灯丝导热率小,不利于散热。但是采用金属基板做灯丝支架不透光,难以实现全周均匀发光的效果。
因此,在现有技术方案下,难以兼顾发光效果好和快速散热两大要求的问题亟待解决。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于照明灯的封装LED制作工艺,该工艺可弥补现有的LED灯难以兼顾发光效果好和快速散热两大要求的不足。
为实现上述目的,本发明提供了一种用于照明灯的封装LED制作工艺,包括以下步骤:
S1、在待封装LED芯片的发光上表面设置氮化物荧光胶膜;
S2、采用透明材质成型具有微热管空腔且一端开口的微热管,将所述微热管竖直放置,且让微热管开口端朝上;
S3、将所述密封盖与所述微热管实现密封连接;
S4、在所述微热管两端分别镀一层金属电极;
S5、在所述待封装LED芯片的侧面设置挡光层,使所述挡光层的上表面不低于所述氮化物荧光胶膜的上表面;
S6、在预设的固化条件下对所述挡光层及所述氮化物荧光胶膜进行固化,直至所述氮化物荧光胶膜和所述挡光层之间完全结合并固化;
S7、在所述微热管的侧面上封装所述带封装LED芯片。
进一步的,所述S3之前还包括:
S21、从所述开口端向所述微热管空腔内灌入液态工质;
S22、在所述微热管底部加热使所述液态工质快速挥发以排出所述微热管空腔内的空气;
S23、在所述微热管开口端安装所述密封盖,然后结束对所述微热管底部的加热。
进一步的,所述液态工质包括纯水或乙醇。
进一步的,所述S3中密封连接的方法是:均匀加热所述微热管开口端与密封盖接触部位直至熔化,再逐渐降温,结束加热,使所述微热管开口端和所述密封盖焊接在一起。
进一步的,所述微热管为玻璃透明材质。
进一步的,所述氮化物荧光胶膜包括氮化物红色荧光胶膜以及氮化物绿色荧光胶膜。
进一步的,所述S1包括:
S11、先在所述待封装LED芯片的发光上表面设置所述氮化物红色荧光胶膜;
S12、再在所述氮化物红色荧光胶膜之上设置所述氮化物绿色荧光胶膜。
进一步的,所述S11包括:
通过喷涂工艺在所述待封装LED芯片的发光上表面喷涂氮化物红色荧光胶膜;
所述S12包括:
通过喷涂工艺在所述氮化物红色荧光胶膜之上喷涂氮化物绿色荧光胶膜。
进一步的,所述S5之前包括:
S50、在预设的第一固化条件下对所述氮化物荧光胶膜进行固化至半固化状态;
所述S6包括:
S60、在预设的第二固化条件下对所述挡光层和处于半固化状态的所述氮化物荧光胶膜进行固化,直至所述氮化物荧光胶膜和所述挡光层之间完全结合并固化。
进一步的,所述氮化物红色荧光胶膜制备方法为:将硅胶的A胶、B胶与红色荧光粉混合后利用旋转涂覆法制成荧光胶膜。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
一方面,在待封装LED芯片的发光上表面设置氮化物荧光胶膜,然后在待封装LED芯片上的侧面设置挡光层,通过该方法制备得到的封装LED芯片,氮化物荧光胶膜的侧面可以被挡光层包覆,使得光线不容易从荧光胶膜的侧面侧漏出去。另外,本发明中采用氮化物体系的荧光胶膜可以使发光更加稳定,提升了发光效率,可以获得良好的发光特性。
另一方面,利用微热管特殊的结构,在一端对微热管进行加热,同时利用液态工质易被汽化的特性,将微热管空腔内的气体排出,并利用密封盖密封住微热管空腔,这样,当LED灯丝在工作时,每一个LED芯片都成为了一个热源,热源发出的热量传到微热管的壁面上,该处即为微热管的蒸发端,蒸发端液态工质受热沸腾,上升到较高位置,同时把热量迅速传递出去。由于微热管的两端温度较低,作为微热管的冷凝端,气化的工质在较高处的冷凝端液化后,在重力的作用下回流到较低的位置,完成一次物质循环和能量传递过程,如此循环往复。因此,利用该方法制作的封装LED的散热效果好。在采用低导热率的透明材质制造微热管前提下,该封装LED能够实现四周均匀发光的目的,同时也不会影响散热效果。
从而达到兼顾发光效果和快速散热的目的。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1为本发明一种用于照明灯的封装LED制作工艺的流程图一;
图2为本发明一种用于照明灯的封装LED制作工艺的流程图二;
图3为本发明一种用于照明灯的封装LED制作工艺的流程图三;
图4为本发明一种用于照明灯的封装LED制作工艺的流程图四;
图5为本发明一种用于照明灯的封装LED制作工艺中采用微热管封装LED的结构示意图。
图中:1-待封装LED芯片、2-氮化物荧光胶膜、3-微热管、31-微热管开口端、4-密封盖、5-挡光层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明的目的在于提供一种用于照明灯的封装LED制作工艺,包括以下步骤:
S1、在待封装LED芯片1的发光上表面设置氮化物荧光胶膜2;
S2、采用透明材质成型具有微热管空腔且一端开口的微热管3,将所述微热管竖直放置,且让微热管开口端31朝上;
S3、将所述密封盖4与所述微热管开口端31实现密封连接;
S4、在所述微热管3两端分别镀一层金属电极;
S5、在所述待封装LED芯片1的侧面设置挡光层5,使所述挡光层5的上表面不低于所述氮化物荧光胶膜2的上表面;
S6、在预设的固化条件下对所述挡光层5及所述氮化物荧光胶膜2进行固化,直至所述氮化物荧光胶膜2和所述挡光层5之间完全结合并固化;
S7、在所述微热管3的侧面上封装所述带封装LED芯片1。
请参阅图2,所述S3之前还包括:
S21、从所述开口端31向所述微热管3空腔内灌入液态工质;
S22、在所述微热管3底部加热使所述液态工质快速挥发以排出所述微热管3空腔内的空气;
S23、在所述微热管开口端31安装所述密封盖4,然后结束对所述微热管3底部的加热。
所述液态工质包括纯水或乙醇。
所述S3中密封连接的方法是:均匀加热所述微热管开口端31与密封盖4接触部位直至熔化,再逐渐降温,结束加热,使所述微热管开口端31和所述密封盖4焊接在一起。
所述微热管3为玻璃透明材质。
所述氮化物荧光胶膜2包括氮化物红色荧光胶膜以及氮化物绿色荧光胶膜。
具体的,这类氮化物红色荧光胶膜以及氮化物绿色荧光胶膜的物化性质稳定,在空气和水中不易分解,且光衰小,发光量子高,因此由此制作的封装LED芯片发光稳定。
请参阅图3,所述S1包括:
S11、先在所述待封装LED芯片1的发光上表面设置所述氮化物红色荧光胶膜;
S12、再在所述氮化物红色荧光胶膜之上设置所述氮化物绿色荧光胶膜。
所述S11包括:
通过喷涂工艺在所述待封装LED芯片1的发光上表面喷涂氮化物红色荧光胶膜;
所述S12包括:
通过喷涂工艺在所述氮化物红色荧光胶膜之上喷涂氮化物绿色荧光胶膜。
在本发明的一实施例中,除此以外,印刷、涂覆、点胶、模压等方式也是实现荧光胶膜的设置的可选方式。
请参阅图4,所述S5之前包括:
S50、在预设的第一固化条件下对所述氮化物荧光胶膜2进行固化至半固化状态;
所述S6包括:
S60、在预设的第二固化条件下对所述挡光层5和处于半固化状态的所述氮化物荧光胶膜2进行固化,直至所述氮化物荧光胶膜2和所述挡光层5之间完全结合并固化。
在本发明的一种实施例中,所述第一固化条件包括:在温度为100℃的环境下烘烤15分钟至20分钟;所述第二固化条件包括:在温度为200℃的环境下烘烤120分钟至150分钟。
所述氮化物红色荧光胶膜制备方法为:将硅胶的A胶、B胶与红色荧光粉混合后利用旋转涂覆法制成荧光胶膜。
本发明的工作原理是:
一方面,在待封装LED芯片的发光上表面设置氮化物荧光胶膜,然后在待封装LED芯片上的侧面设置挡光层,通过该方法制备得到的封装LED芯片,氮化物荧光胶膜的侧面可以被挡光层包覆,使得光线不容易从荧光胶膜的侧面侧漏出去。另外,本发明中采用氮化物体系的荧光胶膜可以使发光更加稳定,提升了发光效率,可以获得良好的发光特性。
另一方面,利用微热管特殊的结构,在一端对微热管进行加热,同时利用液态工质易被汽化的特性,将微热管空腔内的气体排出,并利用密封盖密封住微热管空腔,这样,当LED灯丝在工作时,每一个LED芯片都成为了一个热源,热源发出的热量传到微热管的壁面上,该处即为微热管的蒸发端,蒸发端液态工质受热沸腾,上升到较高位置,同时把热量迅速传递出去。由于微热管的两端温度较低,作为微热管的冷凝端,气化的工质在较高处的冷凝端液化后,在重力的作用下回流到较低的位置,完成一次物质循环和能量传递过程,如此循环往复。因此,利用该方法制作的封装LED的散热效果好。在采用低导热率的透明材质制造微热管前提下,该封装LED能够实现四周均匀发光的目的,同时也不会影响散热效果。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (10)
1.一种用于照明灯的封装LED制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在待封装LED芯片(1)的发光上表面设置氮化物荧光胶膜(2);
S2、采用透明材质成型具有微热管空腔且一端开口的微热管(3),将所述微热管竖直放置,且让微热管开口端(31)朝上;
S3、将所述密封盖(4)与所述微热管开口端(31)实现密封连接;
S4、在所述微热管(3)两端分别镀一层金属电极;
S5、在所述待封装LED芯片(1)的侧面设置挡光层(5),使所述挡光层(5)的上表面不低于所述氮化物荧光胶膜(2)的上表面;
S6、在预设的固化条件下对所述挡光层(5)及所述氮化物荧光胶膜(2)进行固化,直至所述氮化物荧光胶膜(2)和所述挡光层(5)之间完全结合并固化;
S7、在所述微热管(3)的侧面上封装所述带封装LED芯片(1)。
2.根据权利要求1所述的一种用于照明灯的封装LED制作工艺,其特征在于,所述S3之前还包括:
S21、从所述开口端(31)向所述微热管(3)空腔内灌入液态工质;
S22、在所述微热管(3)底部加热使所述液态工质快速挥发以排出所述微热管(3)空腔内的空气;
S23、在所述微热管开口端(31)安装所述密封盖(4),然后结束对所述微热管(3)底部的加热。
3.根据权利要求2所述的一种用于照明灯的封装LED制作工艺,其特征在于,所述液态工质包括纯水或乙醇。
4.根据权利要求1所述的一种用于照明灯的封装LED制作工艺,其特征在于,所述S3中密封连接的方法是:均匀加热所述微热管开口端(31)与密封盖(4)接触部位直至熔化,再逐渐降温,结束加热,使所述微热管开口端(31)和所述密封盖(4)焊接在一起。
5.根据权利要求4所述的一种用于照明灯的封装LED制作工艺,其特征在于,所述微热管(3)为玻璃透明材质。
6.根据权利要求1所述的一种用于照明灯的封装LED制作工艺,其特征在于,所述氮化物荧光胶膜(2)包括氮化物红色荧光胶膜以及氮化物绿色荧光胶膜。
7.根据权利要求6所述的一种用于照明灯的封装LED制作工艺,其特征在于,所述S1包括:
S11、先在所述待封装LED芯片(1)的发光上表面设置所述氮化物红色荧光胶膜;
S12、再在所述氮化物红色荧光胶膜之上设置所述氮化物绿色荧光胶膜。
8.根据权利要求7所述的一种用于照明灯的封装LED制作工艺,其特征在于,所述S11包括:
通过喷涂工艺在所述待封装LED芯片(1)的发光上表面喷涂氮化物红色荧光胶膜;
所述S12包括:
通过喷涂工艺在所述氮化物红色荧光胶膜之上喷涂氮化物绿色荧光胶膜。
9.根据权利要求8所述的一种用于照明灯的封装LED制作工艺,其特征在于,所述S5之前包括:
S50、在预设的第一固化条件下对所述氮化物荧光胶膜(2)进行固化至半固化状态;
所述S6包括:
S60、在预设的第二固化条件下对所述挡光层(5)和处于半固化状态的所述氮化物荧光胶膜(2)进行固化,直至所述氮化物荧光胶膜(2)和所述挡光层(5)之间完全结合并固化。
10.根据权利要求9所述的一种用于照明灯的封装LED制作工艺,其特征在于,所述氮化物红色荧光胶膜制备方法为:将硅胶的A胶、B胶与红色荧光粉混合后利用旋转涂覆法制成荧光胶膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111646302.2A CN114464605A (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种用于照明灯的封装led制作工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111646302.2A CN114464605A (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种用于照明灯的封装led制作工艺 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114464605A true CN114464605A (zh) | 2022-05-10 |
Family
ID=81406871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111646302.2A Pending CN114464605A (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种用于照明灯的封装led制作工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114464605A (zh) |
-
2021
- 2021-12-30 CN CN202111646302.2A patent/CN114464605A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8405310B2 (en) | LED lamp and production method of the same | |
US9261242B2 (en) | LED light bulb and LED light-emitting strip being capable of emitting 4TT light | |
CN201078631Y (zh) | 结构改良的白光发光二极管 | |
CN104505456B (zh) | 一种散热良好的大功率白光led及其制造方法 | |
CN101696790A (zh) | 一种大功率led散热封装结构 | |
TWI470164B (zh) | LED bulbs and can be 4π out of the LED light bar | |
CN111403575A (zh) | 适用于单芯片大功率白光led的光子晶体薄膜及其应用 | |
CN102364685A (zh) | 一种无引线的led模组及其制造工艺 | |
CN207500850U (zh) | Led灯丝与led球泡灯 | |
Li et al. | Toward one-hundred-watt-level applications of quantum dot converters in high-power light-emitting diode system using water-cooling remote structure | |
CN201173463Y (zh) | 无反射无重影一体化散热高光效高功率led路灯 | |
CN106958753A (zh) | 一种波长转换装置及光源 | |
CN114464605A (zh) | 一种用于照明灯的封装led制作工艺 | |
CN204943064U (zh) | 曲面异型全周发光led灯泡 | |
CN100414701C (zh) | 发光系统、发光装置及其形成方法 | |
CN205877785U (zh) | 一种使用2πLED灯丝的电源内置球泡灯 | |
CN215220749U (zh) | 一种光源封装结构、led灯泡 | |
WO2022095186A1 (zh) | 一种发光装置及灯泡 | |
CN208240726U (zh) | 一种具有透明胶层的led发光光源 | |
CN112993129A (zh) | 一种光源封装结构及封装工艺、led灯泡 | |
CN205716697U (zh) | 一种led路灯的光源安装结构及led路灯 | |
CN207674193U (zh) | 新型led地面灯 | |
CN202120907U (zh) | 一种无引线的led模组 | |
CN205842265U (zh) | 一种大功率led陶瓷灯 | |
CN204785692U (zh) | 一种节能led灯丝灯 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |