CN114451594A - 雾化芯加工方法、雾化芯、雾化器及气溶胶发生装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种雾化芯加工方法、雾化芯、雾化器及气溶胶发生装置，该雾化芯加工方法采用微加工技术在低阻硅晶圆和玻璃晶圆上分别加工第一通孔和第二通孔，利用键合工艺将低阻硅晶圆和玻璃晶圆键合连接，键合过程中保证第一通孔与第二通孔对准，使得第一通孔与第二通孔贯通形成传输和存储气溶胶形成基质液体的孔道。这样，由该方法加工的雾化芯，低阻硅晶圆通电产生的热量可直接加热孔道内的气溶胶形成基质，使流经孔道的气溶胶形成基质均匀受热并雾化，克服传统雾化芯对气溶胶形成基质加热不均匀且雾化芯容易发生干烧的问题。并且，通过玻璃晶圆隔在低阻硅晶圆和气溶胶形成基质之间，可以避免低阻硅晶圆产生的高温直接加热气溶胶形成基质。

Description

雾化芯加工方法、雾化芯、雾化器及气溶胶发生装置

技术领域

本发明属于雾化芯加工及模拟吸烟技术领域，特别地，涉及一种雾化芯加工方法、雾化芯、雾化器及气溶胶发生装置。

背景技术

当前，在使用焦耳热原理制作的气溶胶发生装置的雾化器中，雾化芯一般采用金属发热丝-导油材料结合的结构。该雾化芯利用金属发热丝通电后产生的热量，将导油材料内存储的气溶胶形成基质液体加热，达到雾化气溶胶形成基质液体的目的。

然而，采用金属发热丝-导油材料结合结构的雾化芯，容易受到金属发热丝的构型、导油材料内存储气溶胶形成基质的分布、雾化芯与导油材料接触不良导致发热不均等因素影响，造成气溶胶形成基质液体受热不均匀、雾化芯干烧以及导油材料受热碳化等问题。

发明内容

基于现有技术中存在的上述问题，本发明实施例的目的之一在于提供一种通过阳极键合工艺将具有多个第一通孔的低阻硅晶圆和具有多个第二通孔的玻璃晶圆键合，键合时使得各第一通孔与第二通孔对准并贯通，以构成传输和存储气溶胶形成基质液体的孔道的雾化芯加工方法。由该方法加工的雾化芯，在低阻硅晶圆通电产生的热量后，可直接加热孔道内的气溶胶形成基质，使流经孔道的气溶胶形成基质均匀受热并雾化。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种雾化芯加工方法，包括如下步骤：

低阻硅晶圆制作：在硅晶圆烧制过程中，添加掺杂剂，以将所述硅晶圆制作成具有导电性的低阻硅晶圆；

加工通孔：采用微细加工技术在所述低阻硅晶圆上加工若干第一通孔，采用微细加工技术在玻璃晶圆上对应加工若干第二通孔；

键合连接：将所述低阻硅晶圆的键合面和所述玻璃晶圆的键合面分别进行清洁和抛光，采用键合工艺对所述低阻硅晶圆与所述玻璃晶圆进行键合连接，在键合过程中将所述第一通孔与所述第二通孔对准，以使所述第一通孔与所述第二通孔贯通，贯通的所述第一通孔与所述第二通孔形成用于传输和存储气溶胶形成基质的孔道，即得到具有贯通的孔道的雾化芯成品。

优选地，所述键合连接步骤中，采用阳极键合工艺对所述低阻硅晶圆与所述玻璃晶圆进行阳极键合。

优选地，所述加工通孔步骤中，采用干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺加工所述第一通孔。

优选地，所述加工通孔步骤中，采用微钻孔加工方式、激光打孔方式或者湿法刻蚀工艺加工所述第二通孔。

优选地，所述第一通孔和/或所述第二通孔的数量为1～100000。

优选地，所述第一通孔和/或所述第二通孔的尺寸大小为1～1000μm。

优选地，所述低阻硅晶圆和/或所述玻璃晶圆的厚度为300～1000μm。

本发明实施例中的上述一个或多个技术方案，与现有技术相比，至少具有如下有益效果之一：

本发明实施例中的雾化芯加工方法，采用微加工技术在低阻硅晶圆和玻璃晶圆上分别加工第一通孔和第二通孔，利用键合工艺将具有第一通孔的低阻硅晶圆和具有第二通孔的玻璃晶圆键合连接，键合过程中保证低阻硅晶圆的第一通孔与玻璃晶圆的第二通孔对准使得第一通孔与第二通孔贯通形成传输和存储气溶胶形成基质液体的孔。这样，由该方法加工的雾化芯，低阻硅晶圆通电产生的热量可直接加热孔道内的气溶胶形成基质，使流经孔道的气溶胶形成基质均匀受热并雾化，克服传统雾化芯对气溶胶形成基质加热不均匀且雾化芯容易发生干烧的问题，并省去存储气溶胶形成基质的导油材料而不会产生导油材料加热碳化现象。并且，由于玻璃晶圆是良好的热绝缘体，通过玻璃晶圆隔在低阻硅晶圆和气溶胶形成基质之间，可避免低阻硅晶圆产生的高温直接加热气溶胶形成基质，造成气溶胶形成基质发生污染变质。同时，采用微加工技术制作的雾化芯成品率高、成本低，适于大批量生产。

基于现有技术中存在的上述问题，本发明实施例的目的之二在于提供一种在低阻硅晶圆通电产生的热量后，可直接加热孔道内的气溶胶形成基质，使流经孔道的气溶胶形成基质均匀受热并雾化的雾化芯。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种雾化芯，所述雾化芯包括玻璃晶圆和具有导电性的低阻硅晶圆，所述低阻硅晶圆上刻蚀有第一通孔，所述玻璃晶圆上对应刻蚀有第二通孔，所述玻璃晶圆与所述低阻硅晶圆通过键合工艺固定连接，所述第一通孔与所述第二通孔对准并贯通，以使贯通的所述第一通孔与所述第二通孔在所述雾化芯上形成用于传输和存储气溶胶形成基质的孔道。

基于现有技术中存在的上述问题，本发明实施例的目的之三在于提供一种在低阻硅晶圆通电产生的热量后，可直接加热雾化芯内部孔道内的气溶胶形成基质，使流经孔道的气溶胶形成基质均匀受热并雾化的雾化器。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种雾化器，所述雾化器包括雾化芯以及内部设有雾化腔和储液腔的雾化器主体，所述雾化芯设置于所述雾化腔中，所述雾化芯上的孔道的一端与所述储液腔连通，所述雾化芯上的孔道的另一端与所述雾化腔连通，且所述玻璃晶圆的背离所述低阻硅晶圆的一面用于与气溶胶形成基质接触。

基于现有技术中存在的上述问题，本发明实施例的目的之四在于提供一种在低阻硅晶圆通电产生的热量后，可直接加热雾化芯的内部孔道内的气溶胶形成基质，使流经孔道的气溶胶形成基质均匀受热并雾化的气溶胶发生装置。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种气溶胶发生装置，所述气溶胶发生装置包括所述雾化芯或所述雾化器，

本发明实施例中的上述一个或多个技术方案，与现有技术相比，至少具有如下有益效果之一：

本发明实施例中的雾化芯、雾化器及气溶胶发生装置，雾化芯的低阻硅晶圆通电产生的热量，可直接加热雾化芯内部孔道内的气溶胶形成基质，使流经孔道的气溶胶形成基质均匀受热并雾化，克服传统雾化芯对气溶胶形成基质加热不均匀且雾化芯容易发生干烧的问题，并省去存储气溶胶形成基质的导油材料而不会产生导油材料加热碳化现象。并且，由于雾化芯的玻璃晶圆是良好的热绝缘体，使璃晶圆的背离低阻硅晶圆的一面用于与气溶胶形成基质接触，通过玻璃晶圆隔在低阻硅晶圆和气溶胶形成基质之间，可避免低阻硅晶圆产生的高温直接加热气溶胶形成基质，造成气溶胶形成基质发生污染变质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的低阻硅晶圆与玻璃晶圆的剖视结构示意图；

图2为本发明实施例提供的低阻硅晶圆加工有第一通孔与玻璃晶圆加工有第二通孔的剖视结构示意图；

图3为加工有第一通孔的低阻硅晶圆与加工有第二通孔的玻璃晶圆键合连接后的剖视结构示意图；

图4为加工有第一通孔的低阻硅晶圆与加工有第二通孔的玻璃晶圆键合连接后的轴测视图。

其中，图中各附图标记：

1-低阻硅晶圆；2-玻璃晶圆；3-第一通孔；4-第二通孔；5-孔道。

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

需要说明的是，当元件被称为“连接于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在整个说明书中参考“一个实施例”或“实施例”意味着结合实施例描述的特定特征，结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，“在一个实施例中”、“在一些实施例中”或“在其中一些实施例中”的短语出现在整个说明书的各个地方，并非所有的指代都是相同的实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何合适的方式组合特定的特征，结构或特性。

本发明实施例提供的一种雾化芯加工方法，包括如下步骤：

1)低阻硅晶圆制作：在硅晶圆烧制过程中，添加掺杂剂，以将硅晶圆制作成具有导电性的低阻硅晶圆1。在其中一些实施例中，低阻硅晶圆1是在硅晶圆烧制时，掺杂一些离子等掺杂剂，制作成具有较高导电率的硅晶片。可以理解地，掺杂剂可以是硼元素或磷元素但不限于硼元素或磷元素，掺杂剂也可以是其它能够精确控制低阻硅晶圆1电阻率的其他离子或其他元素。由于低阻硅晶圆1是由普通硅晶圆进行离子掺杂制成的，离子掺杂后的低阻硅晶圆1具有良好的导电性，仅需控制离子掺杂的浓度和调节低阻硅晶片的尺寸，就可以获得具有合适的电阻率的低阻硅晶圆1，然后在低阻硅晶圆1上施加合适的电压，低阻硅晶圆1通电就会产生适量的焦耳热，由于低阻硅晶圆1具有良好的导热性，可以使得整个低阻硅晶圆1的加热面都将具有良好的热均匀性，从而能够使得气溶胶形成基质均匀受热并雾化成烟雾。

2)加工通孔：请结合参阅图2，采用微细加工技术在低阻硅晶圆1上加工若干第一通孔3，采用微细加工技术在玻璃晶圆2上对应加工若干第二通孔4。

可以理解地，在其中一些实施例中，加工通孔步骤中，可采用干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺，在低阻硅晶圆1上加工若干第一通孔3。优选地，采用DRIE(深反应离子刻蚀)等干法刻蚀工艺，在低阻硅晶圆1上蚀刻若干第一通孔3。第一通孔3的形状可以是圆形、方形、三角形、菱形，但不限于圆形、方形、三角形、菱形。例如第一通孔3的形状还可以是椭圆形、梯形、弯月形、梅花形等其他形状。第一通孔3的尺寸大小可控制在1～1000μm，优选地，第一通孔3的尺寸大小为30～100μm。第一通孔3的开设数量可控制为1～100000，优选地，第一通孔3的开设数量为10～10000。

可以理解地，在其中一些实施例中，加工通孔步骤中，可采用微钻孔加工方式、激光打孔方式或者湿法刻蚀工艺，在玻璃晶圆2上对应加工若干第二通孔4。第二通孔4的形状可以是圆形、方形、三角形、菱形，但不限于圆形、方形、三角形、菱形。例如第二通孔4的形状还可以是椭圆形、梯形、弯月形、梅花形等其他形状。第二通孔4的尺寸大小可控制在1～1000μm，优选地，第二通孔4的尺寸大小为30～100μm。第二通孔4的开设数量可控制为1～100000，优选地，第二通孔4的开设数量为10～10000。

可以理解地，在其中一些实施例中，玻璃晶圆2可以是但不局限于由具有可以阳极键合的玻璃制作，玻璃晶圆2的型号可以是但不局限于BF33、Pyrex7740等型号，其隔热性能好，并可以通过机械、化学等加工方式在玻璃晶圆2上加工形成贯通的第二通孔4。其中，机械加工方式包括微钻孔加工、激光打孔等加工方式，化学加工方式包括湿法刻蚀，例如，氢氟酸腐蚀，激光改性后的湿法刻蚀。

可以理解地，在其中一些实施例中，在硅晶圆烧制过程中，低阻硅晶圆1厚度控制在300～1000um之间，以保证贯穿设置于低阻硅晶圆1上的第一通孔3具有一定的轴向长度，延长气溶胶形成基质流经第一通孔3的时间，有利于气溶胶形成基质均匀受热雾化。相应地，玻璃晶圆2的厚度控制在300～1000um之间，以保证贯穿设置于玻璃晶圆2上的第二通孔4具有一定的轴向长度，延长气溶胶形成基质流经第二通孔4的时间，有利于气溶胶形成基质均匀受热雾化。请结合参阅图1，在其中一些实施例中，玻璃晶圆2的厚度可以与低阻硅晶圆1的厚度保持一致。在其中另一些实施例中，玻璃晶圆2的厚度，也可以与低阻硅晶圆1的厚度不相同。

3)键合连接：请结合参阅图2、图3和图4，将低阻硅晶圆的键合面和玻璃晶圆的键合面分别进行清洁、抛光和活化处理后，采用键合工艺对低阻硅晶圆1与玻璃晶圆2进行键合连接，在键合过程中将第一通孔3与第二通孔4对准，以使第一通孔3与第二通孔4贯通，贯通的第一通孔3与第二通孔4形成用于传输和存储气溶胶形成基质的孔道5，即得到具有贯通的孔道5的雾化芯成品。

可以理解地，在其中一些实施例中，玻璃晶圆2可以是但不局限于由具有可以阳极键合的玻璃制作，玻璃晶圆2的型号可以是但不局限于BF33、Pyrex7740等型号。请结合参阅图3，为了保证雾化器的雾化腔中气溶胶形成基质，能够顺利通过由第一通孔3与第二通孔4贯通形成的孔道5，进入雾化器的雾化腔中，低阻硅晶圆1上的若干第一通孔3分别与玻璃晶圆2上的若干第二通孔4对齐且贯通。当玻璃晶圆2为具有阳极键合的玻璃制作时，玻璃晶圆2中应含有钠离子、钾离子等金属离子，从而保证阳极键合工艺的展开，从而采用阳极键合工艺对低阻硅晶圆1与玻璃晶圆2进行阳极键合。具体地，请结合参阅图3和图4分别在低阻硅晶圆1上开设第一通孔3，在玻璃晶圆2上开设第二通孔4后，可以通过阳极键合的对准工艺使得第一通孔3与第二通孔4对齐。阳极键合的对准工艺是在低阻硅晶圆1和玻璃晶圆2的键合的过程中，在显微镜下改变低阻硅晶圆1与玻璃晶圆2之间的相对位置，使得低阻硅晶圆1和玻璃晶圆2上的对位标记重合，从而实现了低阻硅晶圆1与玻璃晶圆2之间的精准对位。通常阳极键合的对准工艺的精度可达到5μm以下，该实施方式中的第一通孔3和第二通孔4的尺寸一般在30μm到100μm，因此该阳极键合的对准工艺可以实现第一通孔3与第二通孔4对齐。并且，玻璃晶圆2与低阻硅晶圆1采用阳极键合工艺(又称静电键合、场助键合)固定连接，其在高温、高电压下促进玻璃晶圆2中的金属离子的定向流动，在紧贴低阻硅晶圆1的玻璃晶圆2表面形成空间电荷耗尽层，该空间电荷耗尽层带负电，与带正电的低阻硅晶圆1之间形成了强大的静电吸引力，使低阻硅晶圆1和玻璃晶圆2之间形成硅-氧共价键，最后完成了阳极键合。阳极键合完成后的玻璃晶圆2与低阻硅晶圆1之间具有良好的粘合性。可以理解地，玻璃晶圆2与低阻硅晶圆1除了采用阳极键合工艺(又称静电键合、场助键合)固定连接，在其中一些实施例中，玻璃晶圆2与低阻硅晶圆1还可以采用金硅共熔键合、硅/硅直接键合以及玻璃焊料烧结等键合工艺固定连接，由于金硅共熔键合、硅/硅直接键合以及玻璃焊料烧结等键合工艺为本领域技术人员所公知的技术手段，在此不作赘述。

本发明实施例还提供一种由上述任一实施例中的雾化芯加工方式加工制作的雾化芯，该雾化芯用于气溶胶发生装置的雾化器，其可在电驱动作用下发热，将雾化器的储液腔中的气溶胶形成基质加热雾化形成烟雾，以供用户吸食而达到模拟吸烟的效果。该雾化芯包括玻璃晶圆2和具有导电性的低阻硅晶圆1，低阻硅晶圆1上刻蚀有第一通孔3，玻璃晶圆2上对应刻蚀有第二通孔4，玻璃晶圆2与低阻硅晶圆1通过键合工艺固定连接，第一通孔3与第二通孔4对准并贯通，以使贯通的第一通孔3与第二通孔4在雾化芯上形成用于传输和存储气溶胶形成基质的孔道5。则在使用时，将雾化芯的孔道5的一端与雾化器的储液腔连通，将雾化芯的孔道5的另一端与雾化器的雾化腔连通，在气泵、液泵等驱动装置的驱动作用下和/或孔道5的毛细作用下，储液腔中的气溶胶形成基质可通过孔道5向雾化腔中流动，气溶胶形成基质在孔道5中流动的过程中，低阻硅晶圆1通电产生的热量可对孔道5内的气溶胶形成基质进行加热，孔道5内的气溶胶形成基质便可均匀受热而在孔道5内雾化形成烟雾，雾化形成的烟雾流至雾化腔以供用户吸食。

本发明实施例提供的雾化芯，与现有技术相比，雾化芯的低阻硅晶圆1通电产生的热量，可直接加热雾化芯内部孔道5内的气溶胶形成基质，使流经孔道5的气溶胶形成基质均匀受热并雾化，克服传统雾化芯对气溶胶形成基质加热不均匀且雾化芯容易发生干烧的问题，并省去存储气溶胶形成基质的导油材料而不会产生导油材料加热碳化现象。并且，由于雾化芯的玻璃晶圆2是良好的热绝缘体，使璃晶圆的背离低阻硅晶圆1的一面用于与气溶胶形成基质接触，通过玻璃晶圆2隔在低阻硅晶圆1和气溶胶形成基质之间，可避免低阻硅晶圆1产生的高温直接加热气溶胶形成基质，造成气溶胶形成基质发生污染变质。此外，雾化芯采用低阻硅晶圆1作为焦耳热的产生结构，相对于常规的多孔金属发热件，具有重金属排放量低，低阻硅晶圆1上的第一通孔3的数目、孔径、开设位置可控(便于第一通孔3与玻璃晶圆2上的第二通孔4对齐并贯通形成孔道5)，大规模量产时制造成本低廉。雾化芯的玻璃晶圆2相对于常规的多孔陶瓷，具有不掉落粉尘颗粒的优点，玻璃晶圆2上的第二通孔4的数目、孔径、开设位置可控(便于第二通孔4与低阻硅晶圆1上的第二通孔4对齐并贯通形成孔道5)。

本发明实施例还提供一种雾化器，该雾化器包括上述任一实施例中的雾化芯以及内部设有雾化腔(图中未示出)和储液腔的雾化器主体(图中未示出)，雾化芯设置于雾化腔中，雾化芯上的孔道5的一端与储液腔连通，雾化芯上的孔道5的另一端与雾化腔连通，且玻璃晶圆2的背离低阻硅晶圆1的一面用于与气溶胶形成基质接触。则在使用时，在气泵、液泵等驱动装置的驱动作用下和/或孔道5的毛细作用下，储液腔中的气溶胶形成基质可通过孔道5向雾化腔中流动，气溶胶形成基质在孔道5中流动的过程中，低阻硅晶圆1通电产生的热量可对孔道5内的气溶胶形成基质进行加热，孔道5内的气溶胶形成基质便可均匀受热而在孔道5内雾化形成烟雾，雾化形成的烟雾流至雾化腔以供用户吸食。并且，由于低阻硅晶圆1具有的良好的导热性，如果低阻硅晶圆1直接与储液腔中的气溶胶形成基质接触，低阻硅晶圆1产生的热量会迅速传导至储液腔中，一方面会造成低阻硅晶圆1升温速率慢，影响气溶胶形成基质的雾化，另一方面在雾化器使用过程中会反复加热储液腔中的气溶胶形成基质，造成储液腔中气溶胶形成基质的污染和变质。因此，在低阻硅晶圆1与气溶胶形成基质接触的一端设置玻璃晶圆2，将玻璃晶圆2的背离低阻硅晶圆1的一面用于与储液腔中的气溶胶形成基质接触，这样，由于玻璃晶圆2具有良好的隔热性，通过玻璃晶圆2隔在低阻硅晶圆1和气溶胶形成基质之间，可避免低阻硅晶圆1产生的高温直接加热气溶胶形成基质，并隔绝低阻硅晶圆1产生的热量传导至储液腔中，使得整个雾化芯能够快速升温，同时又能保证与雾化芯接触的储液腔中的气溶胶形成基质始终保持在较低的温度，进而储液腔中气溶胶形成基质反复加热而产生污染和变质。

本发明实施例还提供一种气溶胶发生装置，该气溶胶发生装置包括上述任一实施例中的雾化器，气溶胶发生装置在雾化器的雾化腔内设置雾化芯，通过雾化芯的低阻硅晶圆1通电产生的热量，可直接加热雾化芯内部孔道5内的气溶胶形成基质，使流经孔道5的气溶胶形成基质均匀受热并雾化，克服传统雾化芯对气溶胶形成基质加热不均匀且雾化芯容易发生干烧的问题，并省去存储气溶胶形成基质的导油材料而不会产生导油材料加热碳化现象。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种雾化芯加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

低阻硅晶圆制作：在硅晶圆烧制过程中，添加掺杂剂，以将所述硅晶圆制作成具有导电性的低阻硅晶圆；

加工通孔：采用微细加工技术在所述低阻硅晶圆上加工若干第一通孔，采用微细加工技术在玻璃晶圆上对应加工若干第二通孔；

键合连接：将所述低阻硅晶圆的键合面和所述玻璃晶圆的键合面分别进行清洁和抛光，采用键合工艺对所述低阻硅晶圆与所述玻璃晶圆进行键合连接，在键合过程中将所述第一通孔与所述第二通孔对准，以使所述第一通孔与所述第二通孔贯通，贯通的所述第一通孔与所述第二通孔形成用于传输和存储气溶胶形成基质的孔道，即得到具有贯通的孔道的雾化芯成品。

2.如权利要求1所述的雾化芯加工方法，其特征在于，所述键合连接步骤中，采用阳极键合工艺对所述低阻硅晶圆与所述玻璃晶圆进行阳极键合。

3.如权利要求1所述的雾化芯加工方法，其特征在于，所述加工通孔步骤中，采用干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺加工所述第一通孔。

4.如权利要求1所述的雾化芯加工方法，其特征在于，所述加工通孔步骤中，采用微钻孔加工方式、激光打孔方式或者湿法刻蚀工艺加工所述第二通孔。

5.如权利要求1所述的雾化芯加工方法，其特征在于，所述第一通孔和/或所述第二通孔的数量为1～100000。

6.如权利要求1所述的雾化芯加工方法，其特征在于，所述第一通孔和/或所述第二通孔的尺寸大小为1～1000μm。

7.如权利要求1至6任一项所述的雾化芯加工方法，其特征在于，所述低阻硅晶圆和/或所述玻璃晶圆的厚度为300～1000μm。

8.一种雾化芯，其特征在于，所述雾化芯包括玻璃晶圆和具有导电性的低阻硅晶圆，所述低阻硅晶圆上刻蚀有第一通孔，所述玻璃晶圆上对应刻蚀有第二通孔，所述玻璃晶圆与所述低阻硅晶圆通过键合工艺固定连接，所述第一通孔与所述第二通孔对准并贯通，以使贯通的所述第一通孔与所述第二通孔在所述雾化芯上形成用于传输和存储气溶胶形成基质的孔道。

9.一种雾化器，包括雾化芯以及内部设有雾化腔和储液腔的雾化器主体，其特征在于，所述雾化芯为如权利要求8所述的雾化芯，所述雾化芯设置于所述雾化腔中，所述雾化芯上的孔道的一端与所述储液腔连通，所述雾化芯上的孔道的另一端与所述雾化腔连通，且所述玻璃晶圆的背离所述低阻硅晶圆的一面用于与气溶胶形成基质接触。

10.一种气溶胶发生装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的雾化芯或如权利要求9所述的雾化器。

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