CN114446607A - 线圈组件 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种线圈组件。该线圈组件包括：主体，包括一个表面、一个端表面、另一个端表面、一个侧表面和另一个侧表面；支撑基板，设置在主体中；线圈单元，设置在支撑基板上并且包括第一引线图案和第二引线图案；第一狭槽部分和第二狭槽部分，分别设置在一个端表面和另一个端表面中的每个与一个表面之间的边缘部分中；第三狭槽部分和第四狭槽部分，分别设置在一个侧表面和另一个侧表面中的每个与一个表面之间的边缘部分中；第一外电极和第二外电极，延伸到第一狭槽部分和第二狭槽部分以分别接触第一引线图案和第二引线图案。第三狭槽部分和第四狭槽部分的深度中的至少一个比第一狭槽部分和第二狭槽部分的深度中的至少一个浅。

Description

线圈组件
本申请要求于2020年11月5日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0146590号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(一种线圈组件)是在电子装置中与电阻器和电容器一起使用的典型无源电子组件。
随着电子装置逐渐具有更高的性能和变得紧凑，在电子装置中使用大量的电子组件，并且电子组件的尺寸减小。
线圈组件的外电极通常分别形成在主体的在长度方向上彼此相对的两个表面上。在这种情况下，线圈组件的总长度或总宽度会由于外电极的厚度而增加。此外，当线圈组件安装在安装板上时，线圈组件的外电极可能接触与安装板相邻的其他组件，从而导致电短路。
发明内容
本公开的一方面可提供一种线圈组件，该线圈组件的特性是防止由于漏电流而劣化。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体，包括一个表面、连接到所述一个表面并且彼此相对的一个端表面和另一个端表面、以及分别连接所述一个表面和所述另一个端表面并且彼此相对的一个侧表面和另一个侧表面；支撑基板，设置在所述主体中；线圈单元，设置在所述支撑基板上并且包括第一引线图案和第二引线图案；第一狭槽部分，设置在所述主体的一个端表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中，并且使所述第一引线图案暴露；第二狭槽部分，设置在所述主体的所述另一个端表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中，并且使所述第二引线图案暴露；第三狭槽部分，设置在所述主体的所述另一个侧表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中；第四狭槽部分，设置在所述主体的所述另一个侧表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中，所述第三狭槽部分和所述第四狭槽部分的深度中的至少一个比所述第一狭槽部分和所述第二狭槽部分的深度中的至少一个浅；第一外电极和第二外电极，在所述主体的所述一个表面上彼此间隔开并且延伸到所述第一狭槽部分和所述第二狭槽部分以分别与所述第一引线图案和所述第二引线图案接触；以及表面绝缘层，设置在所述主体上并且设置在所述第一狭槽部分、所述第二狭槽部分、所述第三狭槽部分、所述第四狭槽部分的至少一部分中。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体，包括一个表面、分别连接到所述一个表面并且彼此相对的一个端表面和另一个端表面、以及分别连接所述一个端表面和另一个端表面并且彼此相对的一个侧表面和另一个侧表面；支撑基板，设置在所述主体中；线圈，设置在所述支撑基板上，并且包括线圈图案以及连接到所述线圈图案的第一引线图案和第二引线图案；第一狭槽部分，设置在所述主体的所述一个端表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中，并且使所述第一引线图案暴露；第二狭槽部分，设置在所述主体的所述另一个端表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中，并且使所述第二引线图案暴露；第三狭槽部分，设置在所述主体的所述一个侧表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中；第四狭槽部分，设置在所述主体的所述另一个侧表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中；第一外电极和第二外电极，在所述主体的所述一个表面上彼此间隔开并且延伸到所述第一狭槽部分和所述第二狭槽部分，以分别与所述第一引线图案和所述第二引线图案接触；以及表面绝缘层，设置在所述主体上并且设置在所述第一狭槽部分、所述第二狭槽部分、所述第三狭槽部分、所述第四狭槽部分的至少一部分中。从所述线圈图案到所述一个表面的距离大于所述第三狭槽部分和所述第四狭槽部分的深度。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体；支撑基板，设置在所述主体中；线圈单元，设置在所述支撑基板上并且设置在所述主体中；第一狭槽部分，从所述主体的表面延伸以使所述线圈单元的一部分暴露，并且设置在所述主体的长度方向上的端部上；第二狭槽部分，从所述主体的表面延伸并且设置在所述主体的宽度方向上的侧部上；以及外电极，设置在所述主体的所述表面上，并且延伸到所述第一狭槽部分，以连接到所述线圈单元的所述一部分。所述第二狭槽部分的深度小于所述第一狭槽部分的深度。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：
图1是示意性地示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的示图；
图2是根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的仰视图；
图3是示出省略了图2中的第三绝缘层的一部分的示图；
图4是示出省略了图3中的第三绝缘层的剩余部分的示图；
图5是示出省略了图4中的第一绝缘层和第二绝缘层的示图；
图6是示出省略了图5中的外电极的示图；
图7是沿图1的线I-I'截取的截面图；
图8是沿图1的线II-II'截取的截面图；
图9是线圈单元的分解示图；
图10和图11分别是示意性地示出根据本公开中的第一示例性实施例的对应于图7的线圈组件的变型的示图；
图12是示意性地示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的示图；
图13是示出省略了图12的第一绝缘层和第二绝缘层的构造的示图；以及
图14是示意性地示出根据本公开中的第三示例性实施例的对应于图7的线圈组件的示图。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述本公开中的示例性实施例。
在附图中，L方向可被定义为第一方向或长度方向，W方向可被定义为第二方向或宽度方向，并且T方向可被定义为第三方向或厚度方向。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开中的示例性实施例的线圈组件，并且在参照附图的描述中，相同或相应的组件由相同的附图标记表示，并且将省略其重复描述。
在电子装置中使用各种类型的电子组件，并且可在这些电子组件之间适当地使用各种类型的线圈组件以去除噪声。
也就是说，在电子装置中，线圈组件可用作功率电感器、高频率(HF)电感器、普通磁珠、高频率磁珠(例如，适用于GHz频段)、共模滤波器等。
(第一示例性实施例和变型)
图1是示意性地示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的示图。图2是根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的仰视图。图3是示出省略了图2中的第三绝缘层的一部分的示图。图4是示出省略了图3中的第三绝缘层的剩余部分的示图。图5是示出省略了图4中的第一绝缘层和第二绝缘层的示图。图6是示出省略了图5中的外电极的示图。图7是沿图1的线I-I'截取的截面图。图8是沿图1的线II-II'截取的截面图。图9是线圈单元的分解示图。
参照图1至图9，根据本公开中的示例性实施例的线圈组件1000可包括主体100、支撑基板200、线圈单元300、外电极400和500以及绝缘层610、620和630，并且还可包括绝缘膜IF。
主体100形成根据本示例性实施例的线圈组件1000的外型，并且线圈单元300和支撑基板200设置在主体100中。
主体100整体上可具有六面体形状。
在图5和图6中，主体100包括在长度方向L上彼此相对的第一表面101和第二表面102、在宽度方向W上彼此相对的第三表面103和第四表面104、以及在厚度方向T上彼此相对的第五表面105和第六表面106。主体100的第一表面至第四表面101、102、103和104中的每个表面对应于主体100的壁表面，主体100的壁表面连接主体100的第五表面105和第六表面106。在下文中，主体100的两个端表面(一个端表面和另一个端表面)可指主体的第一表面101和第二表面102，并且主体100的两个侧表面(一个侧表面和另一个侧表面)可指主体的第三表面103和第四表面104。
通过示例的方式，主体100可形成为使得根据本示例性实施例的包括稍后将描述的外电极400和500以及绝缘层610、620和630的线圈组件1000具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但不限于此。另一方面，上述尺寸仅仅是不反映工艺误差等的设计值，因此，应当理解，在被允许作为工艺误差的范围内的尺寸落入本公开的范围内。
基于线圈组件1000的宽度方向W中心部分处的长度方向L-厚度方向T截面的光学显微镜或扫描电子显微镜(SEM)图像，线圈组件1000的长度可指当线圈组件1000的在截面图像中所示的最外边界线连接时平行于长度方向L的多条线段的长度中的最大值。可选地，上述线圈组件1000的长度可指当线圈组件1000的在截面图像中所示的最外边界线连接时平行于长度方向L的多个线段中的至少三条线段的算术平均值。
基于线圈组件1000的宽度方向W中心部分处的长度方向L-厚度方向T截面的光学显微镜或SEM图像，线圈组件1000的厚度可指当线圈组件1000的在截面图像中所示的最外边界线连接时平行于厚度方向T的多条线段的长度中的最大值。可选地，上述线圈组件1000的厚度可指当线圈组件1000的在截面图像中所示的最外边界线连接时平行于厚度方向T的多条线圈中的至少三条线圈的算术平均值。
基于线圈组件1000的厚度方向T中心部分处的长度方向L-宽度方向W截面的光学显微镜或SEM图像，线圈组件1000的宽度可指当线圈组件1000的在截面的图像中所示的最外边界线连接时，平行于宽度方向W的多条线段的长度中的最大值。可选地，上述线圈组件1000的宽度可指当线圈组件1000的在截面图像中所示的最外边界线连接时平行于宽度方向W的多条线段中的至少三条线段的算术平均值。
可选地，线圈组件1000的长度、宽度和厚度中的每个可通过千分尺测量方法来测量。利用千分尺测量方法，线圈组件1000的长度、宽度和厚度中的每个可使用计量(Gage)可重复性和再现性(R&R)的千分尺通过如下步骤测量：设置零点，将根据本示例性实施例的线圈组件1000插入到千分尺的尖端之间的空间中，并且转动千分尺的测量杆。在通过千分尺测量方法测量线圈组件1000的长度时，线圈组件1000的长度可指一次测量的值，或者可指多次测量的值的算术平均值。这可同样应用于线圈组件1000的宽度和厚度的测量。
主体100可包括磁性材料和树脂。具体地，主体100可通过堆叠其中磁性材料分散在树脂中的至少一个磁性复合片来形成。然而，主体100可具有除了将磁性材料分散在树脂中的结构之外的结构。例如，主体100可利用磁性材料(诸如铁氧体)形成。
磁性材料可以是铁氧体或磁性金属粉末。
铁氧体可以是例如尖晶石型铁氧体(诸如Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体或Ni-Zn基铁氧体)、六方晶系铁氧体(诸如Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体或Ba-Ni-Co基铁氧体)、石榴石型铁氧体(诸如Y基铁氧体)和Li基铁氧体中的至少一种。
磁性金属粉末可包括选自由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中的至少任意一种。例如，磁性金属粉末可以是纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末和Fe-Cr-Al基合金粉末中的至少一种。
磁性金属粉末可以是非结晶的或结晶的。例如，磁性金属粉末可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末，但不限于此。
铁氧体和磁性金属粉末可各自具有约0.1μm至30μm的平均直径，但不限于此。
主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种类型的磁性材料。这里，不同类型的磁性材料指分散在树脂中的磁性材料通过平均直径、成分、结晶度和形状中的任意一个彼此区分。
树脂可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等单体，或者可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等作为混合物，但不限于此。
主体100包括穿过稍后将描述的支撑基板200和线圈单元300的芯110。芯110可通过用磁性复合片填充穿透线圈单元300和支撑基板200中的每个的中心部分的过孔来形成，但不限于此。
第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2形成在主体100的第一表面101和第二表面102中的每个与主体100的第六表面106之间的边缘部分处。具体地，第一狭槽部分S1形成在主体100的第一表面101与主体100的第六表面106之间的边缘部分处，并且第二狭槽部分S2形成在主体100的第二表面102与主体100的第六表面106之间的边缘部分处。另一方面，第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2可具有深度(h1，第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2基于厚度方向T的长度)，稍后将描述的引线图案331和332通过该深度暴露于第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的内表面，但该深度不延伸到主体100的第五表面105。也就是说，第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2不在厚度方向T上穿透主体100。
第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2分别在主体100的宽度方向W上延伸到主体100的第三表面103和第四表面104。也就是说，第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2可具有沿着主体100的整个宽度方向W形成的狭槽的形状。第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2可通过沿着在多个边界线中与每个线圈组件的宽度方向相对应的边界线在线圈条的一个表面上执行预切割来形成，所述多个边界线将处于在每个线圈组件被个体化之前的状态的线圈条水平的每个线圈组件个体化。调整预切割期间的深度，使得引线图案331和332暴露。
第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4分别形成在主体100的第三表面103和第四表面104中的每个与主体100的第六表面106之间的边缘部分处。具体地，第三狭槽部分S3形成在主体100的第三表面103与主体100的第六表面106之间的边缘部分处，并且第四狭槽部分S4形成在主体100的第四表面104与主体100的第六表面106之间的边缘部分处。
第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4在主体100的长度方向L上延伸到主体100的第一表面101和第二表面102，并且分别连接到第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2。也就是说，第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4可具有在主体100的整个长度方向L上形成的狭槽的形状。第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4可通过沿着在多个边界线中与每个线圈组件的长度方向相对应的边界线在线圈条的一个表面上执行预切割来形成，所述多个边界线将处于在每个线圈组件被个体化之前的状态的线圈条水平的每个线圈组件个体化。第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4不延伸到主体100的第五表面105。第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4在厚度方向T上不穿透主体100。
通常，在将线圈条分离成个体组件的主体的全切割工艺中，切割刀片向主体施加应力。由切割刀片引起的应力相对于主体的下表面集中在主体的下表面的边缘部分和顶点上，并且由于该应力，主体的区域被损坏或掉落，导致主体中产生裂纹，从而导致漏电流(碎裂缺陷)。在这个示例性实施例中，由于形成在主体100的第六表面106的整个边缘部分上的狭槽部分S1、S2、S3和S4，主体100的第六表面106不与全切割的切割刀片接触。结果，在沿着使每个线圈组件个体化的边界线执行全切割时，可防止由于主体100的第六表面106的区域被损坏或掉落而发生裂纹。此外，能够减少由于裂纹引起的漏电流的发生。
第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4中的每个的深度h2可比第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的深度h1浅。第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2需要将引线图案331和332暴露于其内表面以将稍后将描述的引线图案331和332与外电极400和500连接，第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的深度h1应具有等于或大于从主体100的至少一个表面到引线图案331和332的距离的值。然而，由于第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4不暴露引线图案331和332，因此第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4的深度h2可比第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的深度h1浅，只要第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4的深度h2满足大于0的条件即可。从线圈单元300到第六表面106的距离大于第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4的深度h2。在这种情况下，可使由于第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4的形成而引起的主体100的磁性材料的损耗最小化。也就是说，能够使主体的磁性材料的损耗最小化，同时使碎裂缺陷最少化。
另一方面，狭槽部分S1、S2、S3和S4的内表面也构成主体100的表面，但是在本公开中，为了便于描述，狭槽部分S1、S2、S3和S4的内表面与主体100的表面不同。另外，在图5至图7中，示出了第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2具有平行于主体100的第一表面101和第二表面102的内壁以及平行于主体100的第五表面105和第六表面106的底表面，但这是为了便于描述，并且本示例性实施例的范围不限于此。作为示例，相对于根据本示例性实施例的线圈组件100的长度方向-厚度方向截面(LT截面)，第一狭槽部分S1可具有连接主体100的第一表面101和第六表面106的弯曲形状的内表面。第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的描述也可同样适用于第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4。在下文中，为了便于描述，将描述狭槽部分S1、S2、S3和S4具有内壁和底表面。
支撑基板200嵌入主体100中。支撑基板200被构造为支撑稍后将描述的线圈单元300。
支撑基板200可利用绝缘材料形成，绝缘材料包括热固性绝缘树脂(诸如环氧树脂)、热塑性绝缘树脂(诸如聚酰亚胺)或感光绝缘树脂，或者可利用通过在热固性绝缘树脂或热塑性绝缘树脂中浸渍增强材料(诸如玻璃纤维或无机填料)而制备的绝缘材料形成。作为示例，支撑基板200可利用绝缘材料(诸如半固化片、味之素堆积膜(Ajinomoto build-upfilm，ABF)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光电介质(PID)等)形成，但不限于此。
可使用选自二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、黏土、云母粉、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)中的至少一种作为无机填料。
当支撑基板200利用包括增强材料的绝缘材料形成时，支撑基板200可提供更优异的刚性。如果支撑基板200利用不包括玻璃纤维的绝缘材料形成，则支撑基板200在减小根据本示例性实施例的线圈组件1000的厚度方面是有利的。另外，可基于具有相同尺寸的主体100来增加由线圈单元300和/或磁性材料占据的体积，从而改善组件特性。当支撑基板200利用包括感光绝缘树脂的绝缘材料形成时，可减少用于形成线圈单元300的工艺的数量，这有利于降低生产成本和形成细过孔。
线圈单元300设置在主体100内部以表现线圈组件的特性。例如，当本示例性实施例的线圈组件1000用作功率电感器时，线圈单元300可用于通过将电场存储为磁场并保持输出电压来稳定电子装置的电力。
线圈单元300包括线圈图案311和312、过孔321、322和323、引线图案331和332以及虚设引线图案341和342。具体地，相对于图1、图7和图8的方向，第一线圈图案311、第一引线图案331和第二引线图案332布置在支撑基板200的面向主体100的第六表面106的下表面上，并且第二线圈图案312、第一虚设引线图案341和第二虚设引线图案342布置在支撑基板200的与支撑基板200的下表面相对的上表面上。在支撑基板200的下表面上，第一线圈图案311与第一引线图案331间隔开，并且与第二引线图案332接触并连接。在支撑基板200的上表面上，第二线圈图案312与第一虚设引线图案341接触并连接，并且与第二虚设引线图案342间隔开。第一过孔321穿过支撑基板200与第一线圈图案311和第二线圈图案312中的每个的内端接触并连接。第二过孔322穿过支撑基板200与第一引线图案331和第一虚设引线图案341接触并连接。第三过孔323穿过支撑基板200与第二引线图案332和第二虚设引线图案342接触并连接。因此，线圈单元300可整体用作单个线圈。
第一线圈图案311和第二线圈图案312中的每个可具有扁平螺旋的形状，其中，至少一匝围绕芯110形成。例如，第一线圈图案311可在支撑基板200的下表面上围绕芯110形成至少一匝。
第一引线图案331和第二引线图案332暴露于第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2。具体地，第一引线图案331暴露于第一狭槽部分S1的内表面，并且第二引线图案332暴露于第二狭槽部分S2的内表面。由于稍后将描述的外电极400和500的连接部410和510设置在第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2中，因此线圈单元300和外电极400和500彼此接触并连接。另一方面，在下文中，为了便于描述，如图5至图7和图9所示，假设第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2延伸到引线图案331和332中的每个的至少一部分的内侧，使得引线图案暴露于第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的内壁和底表面，但是这仅是示例性的，并且该示例性实施例的范围不限于此。也就是说，可调整第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的深度h1，使得引线图案331和332仅暴露于第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的底表面。另一方面，当引线图案331和332暴露于第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的底表面和内壁两者时，引线图案331和332与外电极400和500的连接部410和510之间的接触面积可增大，以增大线圈单元300与外电极400和500之间的结合力。
引线图案331和332的暴露于第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的内表面的一个表面可具有比引线图案331和332的其他表面更高的表面粗糙度。例如，在通过电镀形成引线图案331和332之后在引线图案331和332以及主体100上形成第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的情况下，可在狭槽部分形成工艺中去除引线图案331和332的一部分。因此，与引线图案331和332的其他表面相比，由于切割尖端的抛光，引线图案331和332的暴露于第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的内壁和底表面的一个表面可具有高表面粗糙度。如稍后所述，外电极400和500形成为薄膜，因此其与主体100的结合力可能较弱。然而，由于外电极400和500与引线图案331和332的具有相对高表面粗糙度的一个表面接触并连接，因此可改善外电极400和500与引线图案331和332之间的结合力。
引线图案331和332以及虚设引线图案341和342分别暴露于主体100的第一表面101和第二表面102。也就是说，第一引线图案331暴露于主体100的第一表面101，并且第二引线图案332暴露于主体100的第二表面102。第一虚设引线图案341暴露于主体100的第一表面101，并且第二虚设引线图案342暴露于主体100的第二表面102。因此，如图6所示，第一引线图案331连续地暴露于第一狭槽部分S1的内壁、第一狭槽部分S1的底表面和主体100的第一表面101，并且第二引线图案332连续地暴露于第二狭槽部分S2的内壁、第二狭槽部分S2的底表面和主体100的第二表面102。
线圈图案311和312、过孔321、322和323、引线图案331和332以及虚设引线图案341和342中的至少一个可包括至少一个导电层。
作为示例，当通过电镀在支撑基板200的上表面侧上形成第二线圈图案312、虚设引线图案341和342以及过孔321、322和323时，第二线圈图案312、虚设引线图案341和342以及过孔321、322和323可各自包括种子层和电镀层。这里，电镀层可具有单层结构或多层结构。多层电镀层可以以另一个电镀层沿着任意一个电镀层的表面形成的共形膜结构形成，或者可以以另一个电镀层仅堆叠在任意一个电镀层的一个表面上的形状形成。种子层可通过无电镀方法或气相沉积方法(诸如溅射)形成。第二线圈图案312的种子层、虚设引线图案341和342的种子层以及过孔321、322和323的种子层可一体地形成，使得在它们之间可以不形成边界，但不限于此。第二线圈图案312的电镀层、虚设引线图案341和342的电镀层以及过孔321、322和323的电镀层可一体地形成，使得在它们之间可不形成边界，但不限于此。
作为另一示例，当通过分开形成第一线圈图案311和引线图案331和332以及第二线圈图案312和虚设引线图案341和342并且随后在支撑基板200上共同堆叠第一线圈图案311和引线图案331和332以及第二线圈图案312和虚设引线图案341和342来形成线圈单元300时，过孔321、322和323可包括高熔点金属层和熔点低于高熔点金属层的熔点的低熔点金属层。这里，低熔点金属层可利用包括铅(Pb)和/或锡(Sn)的焊料形成。在共同堆叠时，低熔点金属层的至少一部分可由于压力和温度而熔化，以在低熔点金属层和第二线圈图案312之间的边界处形成例如金属间化合物(IMC)层。
如图7和图8所示，作为示例，第一线圈图案311、引线图案331和332可形成在支撑基板200的下表面上并从支撑基板200的下表面突出，第二线圈图案312、虚设引线图案341和342可形成在支撑基板200的上表面上并从支撑基板200的上表面突出。作为另一示例，第一线圈图案311和引线图案331和332可从支撑基板200的下表面突出，并且第二线圈图案312和虚设引线图案341和342可嵌入支撑基板200的上表面中，并且第二线圈图案312和虚设引线图案341和342的上表面可暴露于支撑基板200的上表面。在这种情况下，凹部可形成在第二线圈图案312的上表面上和/或虚设引线图案341和342的上表面上，使得支撑基板200的上表面和第二线圈图案312的上表面和/或虚设引线图案341和342的上表面可不共面。
线圈图案311和312、过孔321、322和323、引线图案331和332以及虚设引线图案341和342均可利用导电材料(诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金)形成，但不限于此。
外电极400和500设置为在主体的第六表面106上彼此间隔开，并且分别朝向第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2延伸，以与第一引线图案331和第二引线图案332接触。外电极400和500包括设置在狭槽部分S1和S2中并连接到线圈单元300的连接部410和510以及设置在主体100的第六表面106上的垫部420和520。具体地，第一外电极400包括第一连接部410和第一垫部420，第一连接部410设置在第一狭槽部分S1的底表面和内壁上并且与线圈单元300的第一引线图案331接触并连接，第一垫部420设置在主体100的第六表面106上。第二外电极500包括第二连接部510和第二垫部520，第二连接部510设置在第二狭槽部分S2的底表面和内壁上并且与线圈单元300的第二引线图案332接触并连接，第二垫部520设置在主体100的第六表面106上。第一垫部420和第二垫部520设置为在主体100的第六表面上彼此间隔开。
外电极400和500分别形成在狭槽部分S1和S2的底表面和内壁以及主体100的第六表面106上。也就是说，外电极400和500以共形膜的形式形成在狭槽部分S1和S2的内表面和主体100的第六表面106上。第一外电极400的第一连接部410和第一垫部420以相同的工艺一起形成，并且可一体地形成在第一狭槽部分S1的内表面和主体100的第六表面106上，并且第二外电极500的第二连接部510和第二垫部520以相同的工艺一起形成，并且可一体地形成在第二狭槽部分S2的内表面和主体100的第六表面106上。也就是说，在第一连接部410和第一垫部420之间可不形成边界，并且在第二连接部510和第二垫部520之间可不形成边界。
外电极400和500可通过气相沉积方法(诸如溅射)和/或电镀方法形成，但是该方法不限于此。
外电极400和500可利用导电材料(诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、铬(Cr)、钛(Ti)或它们的合金)形成，但不限于此。外电极400和500可具有单层结构或多层结构。作为示例，外电极400和500通过电镀形成在包括铜(Cu)的垫部420和520上，并且外电极400和500可包括第一层和第二层，第一层和第二层分别包括镍(Ni)和锡(Sn)，但是结构不限于此。
连接部410和510可设置在第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的中心部分处，以分别与主体100的第三表面103和第四表面104间隔开。也就是说，连接部410和510可分别设置在第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的内表面在宽度方向W上的中心部分处。由于引线图案331和332分别暴露于第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的内表面在宽度方向W上的中心部分处，因此连接部410和510可分别仅形成在第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的内表面的分别暴露引线图案331和332的区域中。
垫部420和520可设置在主体100的第六表面106上并且与主体100的第三表面103和第四表面104中的每个间隔开。在这种情况下，能够防止根据本示例性实施例的线圈组件1000在宽度方向W上与安装在安装板的外侧等上的其他组件短路。
从主体100的第三表面103和第四表面104中的每个到垫部420和520的距离中的至少一个距离可小于从主体100的第三表面103和第四表面104中的每个到连接部410和510的距离中的至少一个距离。例如，连接部410和510在宽度方向W上的长度d1可比垫部420和520在宽度方向W上的长度d2短。当根据该示例性实施例的线圈组件1000安装在安装板上时，主体100的第六表面106用作安装表面，并且外电极400和500的垫部420和520可通过结合构件(诸如焊料)连接到安装板的连接垫。在这种情况下，由于垫部420和520在宽度方向W上的长度d2大于连接部410和510在宽度方向W上的长度d1，因此可增加垫部420和520与结合构件(诸如焊料等)接触的面积，以改善垫部420和520与安装板之间的结合力。另外，由于连接部410和510在宽度方向W上的长度d1小于垫部420和520在宽度方向W上的长度d2，因此可防止与在长度方向上相邻地安装在安装板上的其他组件短路。也就是说，在外电极400和500的组件中，可通过减小在安装时设置为与其他组件最相邻的连接部410和510的尺寸(宽度方向W上的长度d1)来减小与其他组件短路的可能性。
绝缘膜IF设置在线圈单元300和主体100之间以及支撑基板200和主体100之间。绝缘膜IF可形成在引线图案331和332、线圈图案311和312、支撑基板200以及虚设引线图案341和342的表面上，但不限于此。绝缘膜IF用于使线圈单元300和主体100绝缘，并且可包括已知的绝缘材料(诸如聚对二甲苯等)，但不限于此。作为另一示例，绝缘膜IF可包括绝缘材料(诸如除了聚对二甲苯以外的环氧树脂)。绝缘膜IF可通过气相沉积法形成，但不限于此。作为另一示例，可通过在其上形成有线圈单元300的支撑基板200的两个表面上堆叠和固化用于形成绝缘膜IF的绝缘膜来形成绝缘膜IF，或者可通过在其上形成有线圈单元300的支撑基板200的两个表面上涂覆和固化用于形成绝缘膜IF的绝缘膏来形成绝缘膜IF。另一方面，由于上述原因，绝缘膜IF是在本示例性实施例中可省略的组件。也就是说，如果主体100在根据本示例性实施例的线圈组件1000的设计操作电流和电压下具有足够的电阻，则在该示例性实施例中可省略绝缘膜IF。
表面绝缘层610、620和630设置在主体100上，并且表面绝缘层610、620和630的至少一部分填充狭槽部分S1、S2、S3和S4的至少一部分。在该示例性实施例的情况下，表面绝缘层610、620和630包括第一绝缘层610、第二绝缘层620和第三绝缘层630，第一绝缘层610设置在第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2上并填充第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4的至少一部分以将连接部410和510分别与主体100的第三表面103和第四表面104间隔开，第二绝缘层620设置在主体100的第六表面106上且暴露垫部420和520，第三绝缘层630可设置在主体100的第一表面101和第二表面102上并覆盖连接部410和510。
第一绝缘层610设置在第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2中。在第一绝缘层610中形成使连接部410和510暴露的开口O。具体地，参照图4，第一绝缘层610形成为填充第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2，并且通过开口O在第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的内表面上分开。对于设置在第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2中的第一绝缘层610，从第一绝缘层610的与第一狭槽部分S1的内壁和第二狭槽部分S2的内壁接触的一个表面到面向第一绝缘层610的该一个表面的另一个表面的距离可分别对应于第一狭槽部分S1的宽度和第二狭槽部分S2的宽度(即，在长度方向L上从主体100的第一表面101到第一狭槽部分S1的内壁的距离，从主体100的第二表面102到第二狭槽部分S2的内壁的距离)。结果，设置在第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2上的第一绝缘层610的另一个表面可与主体100的第一表面101和第二表面102基本上共面。由于第一绝缘层610形成为整体填充第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2，因此与第一绝缘层610未形成在第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2中的情况相比，可减少根据本示例性实施例的线圈组件1000的外观缺陷。
第一绝缘层610从第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2延伸以填充第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4的至少一部分。在该示例性实施例中，参照图4，形成第一绝缘层610以填充第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4。参照设置在第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4中的第一绝缘层610，从第一绝缘层610的与第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4的内壁接触的一个表面到第一绝缘层610的面向其的该一个表面的另一个表面的距离可分别对应于第三狭槽部分S3的宽度和第四狭槽部分S4的宽度(即，在宽度方向W上从主体100的第三表面103到第三狭槽部分S3的内壁的距离，从主体100的第四表面104到第四狭槽部分S4的内壁的距离)。结果，设置在第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4上的第一绝缘层610的另一个表面可与主体100的第三表面103和第四表面104基本上共面。由于第一绝缘层610形成为填充第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4，因此与第一绝缘层610未形成在第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4中的情况相比，可减少根据本示例性实施例的线圈组件1000的外观缺陷。
第二绝缘层620可设置在主体100的第六表面106上并且使垫部420和520暴露。第二绝缘层620可设置在垫部420和520在宽度方向W上的两端的外侧，以将垫部420和520与主体100的第三表面103和第四表面104间隔开。第二绝缘层620可防止根据本示例性实施例的线圈组件1000与在宽度方向W上与其相邻安装的其他组件短路。另外，在安装根据本示例性实施例的线圈组件1000时，第二绝缘层620可防止因结合构件(诸如焊料等)导致的由根据本示例性实施例的线圈组件1000在安装板中占据的有效安装面积的增加。
第一绝缘层610和第二绝缘层620可彼此一体地形成。作为示例，第一绝缘层610和第二绝缘层620可使用相同的绝缘材料在相同的工艺中一起形成，因此，它们之间可不形成边界。作为示例，第一绝缘层610和第二绝缘层620可通过使用绝缘膏的丝网印刷方法、喷墨印刷方法等形成，以便一体地形成。另一方面，在该示例性实施例的情况下，在形成外电极400和500之前，可在狭槽部分S1、S2、S3和S4上形成第一绝缘层610，并且可在主体100的第六表面106上形成第二绝缘层620。因此，在主体100的第六表面106上以及第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的内表面上选择性地形成外电极400和500时，第一绝缘层610和第二绝缘层620可用作掩模。作为示例，在通过镀覆方法形成外电极400和500时，第一绝缘层610和第二绝缘层620可用作阻镀层。
第一绝缘层610和第二绝缘层620可在每个线圈组件被个体化之前的状态下在线圈条水平时共同形成在每个线圈组件上。也就是说，形成第一绝缘层610和第二绝缘层620的工艺可在上述预切割工艺和个体化工艺(全切割工艺)之间执行。
第三绝缘层630设置在主体100的第一表面101和第二表面102上，并且覆盖连接部410和510。在该示例性实施例中，第三绝缘层630包括覆盖层631和精整层632，覆盖层631覆盖主体100的第一表面至第五表面101、102、103、104和105，精整层632设置在第一表面101和第二表面102上以覆盖连接部410和510。
覆盖层631设置在主体100的第一表面至第五表面101、102、103、104和105上，并且覆盖设置在狭槽部分S1、S2、S3和S4的内表面上的第一绝缘层610。覆盖层631不延伸到设置在主体100的第六表面106上的第二绝缘层620。另一方面，开口O可延伸到覆盖层631以将连接部410和510暴露到外部。在这种情况下，在主体100上选择性地形成外电极400和500时，覆盖层631可与第一绝缘层610和第二绝缘层620一起用作掩模。因此，覆盖层631可在形成第一绝缘层610和第二绝缘层620的工艺与形成外电极400和500的工艺之间的工艺中形成。覆盖层631与主体100的第一表面至第五表面101、102、103、104和105中的每个接触，并且与狭槽部分S1、S2、S3和S4的内壁上的第一绝缘层610的另一个表面接触。形成覆盖层631的工艺可在完成使线圈条个体化的工艺之后执行。
精整层632设置在主体100的第一表面101和第二表面102上，以分别覆盖覆盖层631以及连接部410和510。在本示例性实施例中，第一绝缘层610和第二绝缘层620可形成在主体100的除了其中要形成连接部410和510以及垫部420和520的区域之外的表面上，并且形成在狭槽部分S1、S2、S3和S4的内表面上，临时构件可附接到其中要形成连接部410和510以及垫部420和520的区域，覆盖层631可形成在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105上，可移除临时构件以将引线图案331和332暴露到外部，然后可在移除临时构件的地方形成连接部410和510以及垫部420和520。因此，连接部410和510暴露到外部而不被覆盖层631覆盖。精整层632设置在主体100的第一表面101和第二表面102中的每个上，以覆盖未被覆盖层631覆盖的连接部410和510。
绝缘层610、620和630中的每个可包括热塑性树脂(诸如聚苯乙烯、乙酸乙烯酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、橡胶、丙烯酸等)、热固性树脂(诸如苯酚、环氧树脂、氨基甲酸乙酯、三聚氰胺、醇酸树脂等)、感光树脂、聚对二甲苯、SiOx或SiNx。绝缘层610、620和630中的每个还可包括绝缘填料(诸如无机填料)，但不限于此。
图10和图11是示意性地示出根据本公开中的第一示例性实施例的对应于图7的线圈组件的变型的示图。
参照图10，在本公开中的第一示例性实施例的变型的情况下，可省略上述第三过孔323。也就是说，参照图9，第二虚设引线图案342与线圈单元300和外电极400和500之间的电连接无关，因此，在该变型中，省略了用于引线图案332和第二虚设引线图案342之间的连接的第三过孔323。然而，在本变型的情况下，由于没有省略第二虚设引线图案342，因此可使工艺期间支撑基板200的翘曲最小化。
参照图11，在本公开的第一示例性实施例的另一变型的情况下，可如图10所示的变型中那样省略第三过孔323，并且另外，可省略第二虚设引线图案342。在该变型中，主体100的磁性材料的有效体积可增加与第二虚设引线图案342的体积相对应的体积。
(第二示例性实施例)
图12是示意性地示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的示图。图13是示出省略了图12中的第一绝缘层和第二绝缘层的构造的示图。另一方面，在图12中，为了便于描述，省略了根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件2000的第三绝缘层。
参照图1至图11、图12和图13，根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件2000包括与根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000的狭槽部分不同的狭槽部分S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7和S8。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与第一示例性实施例不同的狭槽部分S5、S6、S7和S8。对于本示例性实施例的其余构造，可按原样应用本公开中的第一示例性实施例中的描述。此外，本公开中的第一示例性实施例中描述的变型可以按原样应用于本示例性实施例。
当比较图4和图5以及图12和图13时，根据本示例性实施例的线圈组件2000还包括第五狭槽部分至第八狭槽部分S5、S6、S7和S8。
第五狭槽部分至第八狭槽部分S5、S6、S7和S8形成在主体100的第一表面至第四表面101、102、103和104中的每个与主体100的第五表面105之间的边缘部分处。具体地，第五狭槽部分S5形成在主体100的第一表面101和主体100的第五表面105之间的边缘部分处，第六狭槽部分S6形成在主体100的第二表面102和主体100的第五表面105之间的边缘部分处，第七狭槽部分S7形成在主体100的第三表面103和主体100的第五表面105之间的边缘部分处，并且第八狭槽部分S8形成在主体100的第四表面104和主体100的第五表面105之间的边缘部分处。在该示例性实施例中，不仅第一狭槽部分至第四狭槽部分S1、S2、S3和S4形成在主体100的第六表面106的边缘部分处，而且第五狭槽部分至第八狭槽部分S5、S6、S7和S8形成在主体100的第五表面105的边缘部分处。因此，在完全切割期间发生在主体100的第五表面105侧上的碎裂缺陷可被最少化。第五狭槽部分至第八狭槽部分S5、S6、S7和S8的深度h3可与第三狭槽部分S3和第四狭槽部分S4的深度h2基本上相等或基本上相同，但是本公开的范围不限于此。一个深度和另一个深度彼此基本上相同或基本上相等可意味着一个深度和另一个深度彼此完全相同或完全相等，并且还意味着一个深度和另一个深度之间的差异在本领域普通技术人员可识别的工艺误差或测量误差内。深度h2、深度h3、深度h1、电子组件的长度、宽度和/或厚度或两个元件之间的距离可通过基于光学显微镜或扫描电子显微镜(SEM)图像的方法测量。
在该示例性实施例中，第一绝缘层610和第二绝缘层620也可设置在第五狭槽部分至第八狭槽部分S5、S6、S7和S8上和主体100的第五表面105上，以及第一狭槽部分至第四狭槽部分S1、S2、S3和S4上和主体100的第六表面106上，但是本示例性实施例的范围不限于此。
(第三示例性实施例)
图14是示意性地示出根据本公开中的第三示例性实施例的对应于图7的线圈组件的示图。
参照图1至图11、图12和图13以及图14，根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件3000包括与根据本公开的第一示例性实施例的线圈组件1000和第二示例性实施例的线圈组件2000的引线图案331和332不同的引线图案331和332。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与第一示例性实施例和第二示例性实施例的引线图案331和332不同的引线图案331和332。对于该示例性实施例的其余构造，可按原样应用本公开的第一示例性实施例和第二示例性实施例中的描述。另外，本公开中的第一示例性实施例中描述的变型可按原样应用于本示例性实施例。
参照图14，在应用于本示例性实施例的线圈单元300中，引线图案331和332中的每个的厚度t1大于第一线圈图案311的厚度t2。在本示例性实施例中，通过将引线图案331和332中的每个的厚度t1形成为大于第一线圈图案311的厚度t2，第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2的深度h1可形成得相对较浅。因此，根据本示例性实施例的线圈组件可减少当形成第一狭槽部分S1和第二狭槽部分S2时发生的主体100的磁性材料的损耗。
如上所述，根据本公开中的示例性实施例，可防止由于漏电流引起的线圈组件的特性的劣化。
虽然上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员易于理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可进行变型和变化。

Claims (26)

1.一种线圈组件，包括：
主体，包括一个表面、分别连接到所述一个表面并且彼此相对的一个端表面和另一个端表面、以及分别连接所述一个端表面和所述另一个端表面并且彼此相对的一个侧表面和另一个侧表面；
支撑基板，设置在所述主体中；
线圈单元，设置在所述支撑基板上并且包括第一引线图案和第二引线图案；
第一狭槽部分，设置在所述主体的所述一个端表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中，并且使所述第一引线图案暴露；
第二狭槽部分，设置在所述主体的所述另一个端表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中，并且使所述第二引线图案暴露；
第三狭槽部分，设置在所述主体的所述一个侧表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中；
第四狭槽部分，设置在所述主体的所述另一个侧表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中，其中，所述第三狭槽部分的深度和所述第四狭槽部分的深度中的至少一个比所述第一狭槽部分的深度和所述第二狭槽部分的深度中的至少一个浅；
第一外电极和第二外电极，在所述主体的所述一个表面上彼此间隔开并且分别延伸到所述第一狭槽部分和所述第二狭槽部分，以分别与所述第一引线图案和所述第二引线图案接触；以及
表面绝缘层，设置在所述主体上并且设置在所述第一狭槽部分至所述第四狭槽部分的至少一部分中。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，
第三狭槽部分和第四狭槽部分中的每个的深度比第一狭槽部分和第二狭槽部分中的每个的深度浅。
3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，
所述第一外电极包括设置在所述主体的所述一个表面上的第一垫部和连接到所述第一垫部并且设置在所述第一狭槽部分的内表面上以与所述第一引线图案接触的第一连接部，并且
所述第二外电极包括设置在所述主体的所述一个表面上的第二垫部和连接到所述第二垫部并且设置在所述第二狭槽部分的内表面上以与所述第二引线图案接触的第二连接部。
4.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，
所述第一连接部和所述第二连接部分别设置在所述第一狭槽部分和所述第二狭槽部分的中心部分处，并且分别与所述主体的所述一个侧表面和所述另一个侧表面间隔开。
5.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，
所述表面绝缘层包括：
第一绝缘层，设置在所述第一狭槽部分和所述第二狭槽部分中以将所述连接部与所述主体的所述一个侧表面和所述另一个侧表面中的每个间隔开，并且设置在所述第三狭槽部分和所述第四狭槽部分的至少一部分中；
第二绝缘层，设置在所述主体的所述一个表面上并使所述第一垫部和所述第二垫部暴露；以及
第三绝缘层，设置在所述主体的所述一个端表面和所述主体的所述另一个端表面上并且覆盖所述第一连接部和所述第二连接部。
6.根据权利要求5所述的线圈组件，其中，
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层是一体的。
7.根据权利要求5所述的线圈组件，其中，
所述第三绝缘层覆盖设置在所述第一狭槽部分和所述第二狭槽部分上的所述第一绝缘层的至少一部分。
8.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，
所述第一垫部和所述第二垫部分别与所述主体的所述一个侧表面和所述另一个侧表面间隔开。
9.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，
从所述主体的所述一个侧表面到所述第一垫部或所述第二垫部的距离比从所述主体的所述一个侧表面到所述第一连接部或所述第二连接部的距离短，和/或从所述主体的所述另一个侧表面到所述第一垫部或所述第二垫部的距离比从所述主体的所述另一个侧表面到所述第一连接部或所述第二连接部的距离短。
10.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，
所述主体还包括与所述主体的所述一个表面相对的另一个表面，并且还包括分别设置在所述主体的所述另一个表面与所述主体的所述一个侧表面、所述另一个侧表面、所述一个端表面和所述另一个端表面中的每个之间的边缘部分中的第五狭槽部分、第六狭槽部分、第七狭槽部分和第八狭槽部分。
11.根据权利要求10所述的线圈组件，其中，
所述第三狭槽部分和所述第四狭槽部分的深度与所述第五狭槽部分至所述第八狭槽部分的深度基本相同。
12.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，
所述线圈单元包括：
第一线圈图案，设置在所述支撑基板的面向所述主体的所述一个表面的一个表面上；
第二线圈图案，设置在所述支撑基板的另一个表面上，所述支撑基板的所述另一个表面面向所述支撑基板的一个表面；以及
第一过孔，设置在所述支撑基板中并且连接所述第一线圈图案和所述第二线圈图案的内端，
其中，所述第一引线图案设置为在所述支撑基板的所述一个表面上与所述第一线圈图案间隔开，并且
所述第二引线图案设置在所述支撑基板的所述一个表面上并且连接到所述第一线圈图案。
13.根据权利要求12所述的线圈组件，其中，
所述线圈单元还包括：
第一虚设引线图案，设置在所述支撑基板的所述另一个表面上并且连接到所述第二线圈图案；以及
第二过孔，设置在所述支撑基板中并且连接所述第一引线图案和所述第一虚设引线图案。
14.根据权利要求13所述的线圈组件，其中，
所述线圈单元还包括：
第二虚设引线图案，设置为在所述支撑基板的所述另一个表面上与所述第二线圈图案和所述第一虚设引线图案中的每个间隔开。
15.根据权利要求14所述的线圈组件，其中，
所述线圈单元还包括设置在所述支撑基板中并且连接所述第二引线图案和所述第二虚设引线图案的第三过孔。
16.根据权利要求12所述的线圈组件，其中，
所述第一引线图案和所述第二引线图案中的每个的厚度大于所述第一线圈图案的厚度。
17.一种线圈组件，包括：
主体，包括一个表面、分别连接到所述一个表面并且彼此相对的一个端表面和另一个端表面、以及分别连接所述一个端表面和所述另一个端表面并且彼此相对的一个侧表面和另一个侧表面；
支撑基板，设置在所述主体中；
线圈，设置在所述支撑基板上，并且包括线圈图案以及连接到所述线圈图案的第一引线图案和第二引线图案；
第一狭槽部分，设置在所述主体的所述一个端表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中，并且使所述第一引线图案暴露；
第二狭槽部分，设置在所述主体的所述另一个端表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中，并且使所述第二引线图案暴露；
第三狭槽部分，设置在所述主体的所述一个侧表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中；
第四狭槽部分，设置在所述主体的所述另一个侧表面与所述主体的所述一个表面之间的边缘部分中；
第一外电极和第二外电极，在所述主体的所述一个表面上彼此间隔开并且分别延伸到所述第一狭槽部分和所述第二狭槽部分，以分别与所述第一引线图案和所述第二引线图案接触；以及
表面绝缘层，设置在所述主体上并且设置在所述第一狭槽部分至所述第四狭槽部分的至少一部分中，
其中，从所述线圈图案到所述一个表面的距离大于所述第三狭槽部分和所述第四狭槽部分的深度。
18.根据权利要求17所述的线圈组件，其中，
所述第一外电极包括设置在所述主体的所述一个表面上的第一垫部和连接到所述第一垫部并设置在所述第一狭槽部分的内表面上以与所述第一引线图案接触的第一连接部，并且
所述第二外电极包括设置在所述主体的所述一个表面上的第二垫部和连接到所述第二垫部并设置在所述第二狭槽部分的内表面上以与所述第二引线图案接触的第二连接部。
19.根据权利要求18所述的线圈组件，其中，
所述第一连接部和所述第二连接部分别设置在所述第一狭槽部分和所述第二狭槽部分的中心部分处，并且分别与所述主体的所述一个侧表面和所述另一个侧表面间隔开。
20.根据权利要求18所述的线圈组件，其中，
所述表面绝缘层包括：
第一绝缘层，设置在所述第一狭槽部分和所述第二狭槽部分中以将所述连接部与所述主体的所述一个侧表面和所述另一个侧表面中的每个间隔开，并且设置在所述第三狭槽部分和所述第四狭槽部分的至少一部分中；
第二绝缘层，设置在所述主体的所述一个表面上并且使所述第一垫部和所述第二垫部暴露；以及
第三绝缘层，设置在所述主体的所述一个端表面和所述主体的所述另一个端表面上并且覆盖所述第一连接部和所述第二连接部。
21.根据权利要求18所述的线圈组件，其中，
所述第一垫部和所述第二垫部分别与所述主体的所述一个侧表面和所述另一个侧表面间隔开。
22.根据权利要求17所述的线圈组件，其中，
所述主体还包括与所述主体的所述一个表面相对的另一个表面，并且还包括分别设置在所述主体的所述另一个表面与所述主体的所述一个侧表面、所述另一个侧表面、所述一个端表面和所述另一个端表面中的每个之间的边缘部分中的第五狭槽部分、第六狭槽部分、第七狭槽部分和第八狭槽部分。
23.根据权利要求22所述的线圈组件，其中，
所述第三狭槽部分和所述第四狭槽部分的深度与所述第五狭槽部分至所述第八狭槽部分的深度基本相同。
24.一种线圈组件，包括：
主体；
支撑基板，设置在所述主体中；
线圈单元，设置在所述支撑基板上并且设置在所述主体中；
第一狭槽部分，从所述主体的表面延伸以使所述线圈单元的一部分暴露，并且设置在所述主体的长度方向上的端部上；
第二狭槽部分，从所述主体的所述表面延伸并且设置在所述主体的宽度方向上的侧部上；以及
外电极，设置在所述主体的所述表面上，并且延伸到所述第一狭槽部分以连接到所述线圈单元的所述一部分，
其中，所述第二狭槽部分的深度小于所述第一狭槽部分的深度。
25.根据权利要求24所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：
第三狭槽部分，从所述主体的与一个表面相对的另一个表面延伸，并且设置在所述主体的在所述长度方向上的所述端部上；以及
第四狭槽部分，从所述主体的所述另一个表面延伸并且设置所述主体的在所述宽度方向上的所述侧部上。
26.根据权利要求25所述的线圈组件，其中，
所述第三狭槽部分和所述第四狭槽部分的深度小于所述第一狭槽部分的深度。
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