CN114415150A - 激光雷达apd保护方法、装置、存储介质及激光雷达系统 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及激光雷达的技术领域，尤其是涉及一种激光雷达APD保护方法、装置、存储介质及激光雷达系统，其中，一种激光雷达APD保护方法应用于包括主控单元、激光器以及APD的激光雷达系统中的主控单元，所述方法包括以下步骤：以一定重频发射一脉冲信号触发所述激光器发射光脉冲；产生一控制信号，切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态，所述盲区为根据测量需求预先定义的距离范围。本申请通过设置的控制信号控制APD的工作状态，使APD在盲区内不工作，从而降低了APD由于测量点与目标物之间的距离太小，APD接收的回光信号太强导致APD被烧毁的情况发生。在不增加成本且保证APD探测性能的基础上，降低了APD被烧毁的概率。
Description
技术领域
本申请涉及激光雷达的技术领域，尤其是涉及一种激光雷达APD保护方法、装置、存储介质及激光雷达系统。
背景技术
激光雷达是以发射激光束探测目标的位置、速度等特征量的主动遥感设备，激光雷达通常包括发射系统、接收系统以及信息处理系统等部分。其中，激光雷达的接收系统通常包括各种形式的光电探测器，例如APD（Avalanche Photo Diode，雪崩光电二极管）光电探测器。具体的，使用APD作为光电探测器的激光雷达的工作原理为：通过发射系统（通常为激光器）产生两路激光信号，其中一路为参考光，另一路为探测光，参考光作为激光发射时刻被记录，探测光则用于探测目标物，当探测光打在目标物上时，会产生回光信号，APD接收回光信号并转换成电信号处理，在信息处理系统的共同作用下得到距离信息。
其中，APD通常具有一个损伤阈值，当回光强度大于APD损伤阈值时，APD会被烧毁。APD进行光电转换通常需要低压电+5v、-5V（由低压电路提供）以及高压（由高压电路提供）。一般情况下，为了保证APD探测器有较高的灵敏度以及较小的暗噪声会需要将APD的高压设定在合适的数值，同时，为了防止APD被烧毁，又不能将高压设置得过高。
为了同时达到上述目的，现有的解决方法为选用带有更高损伤阈值的APD或者降低高压供电电压，但是，选用更高损伤阈值的APD存在成本高的缺陷，降低高压供电电压则存在影响APD的灵敏度导致影响测程的不足。
基于上述情况，相关技术有待进一步改进。
发明内容
为了在不增加成本且保证APD光电探测器探测性能的基础上，降低APD光电探测器被烧毁的概率，对APD起到一定的保护作用，本申请提供一种激光雷达APD保护方法、装置、存储介质及激光雷达系统。
第一方面，本申请提供的一种激光雷达APD保护方法采用如下的技术方案：
一种激光雷达APD保护方法，应用于包括主控单元、激光器以及APD的激光雷达系统中的主控单元，所述方法包括以下步骤：
以一定重频发射一脉冲信号触发所述激光器发射光脉冲；
产生一控制信号，切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态，所述盲区为根据测量需求预先定义的距离范围。
通过采用上述技术方案，通过设置的控制信号控制APD的工作状态，使APD在盲区内不工作，从而降低了APD由于测量点与目标物之间的距离太小，APD接收的回光信号太强导致APD被烧毁的情况发生。与相关技术中通过控制APD的高压供电电路或者选用损伤阈值更高的技术方案相比，本申请技术方案在不增加成本且保证APD探测性能的基础上，降低了APD被烧毁的概率，对APD起到了很好的保护作用。
可选的，所述APD的低压供电电路包括MOS管，通过所述MOS管的导通与否控制所述APD的低压供电电路的通断，所述产生一控制信号切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态包括：
产生一控制信号控制所述MOS管以切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态。
通过采用上述技术方案，通过设置MOS管，通过控制信号控制MOS管达到控制APD的低压供电电路通断的目的，整体设置简单且工作可靠性强。
可选的，所述控制信号在所述脉冲信号上升沿前一定时间产生。
采用上述技术方案，考虑到MOS管存在开启延时的情况，因此使主控单元产生的控制信号在脉冲信号上升沿前一定时间产生，以确保激光器发射光脉冲时，主控单元产生的控制信号已经使APD的低压供电电路处于切断状态，从而使APD在盲区内处于不工作状态，以达到防止APD在盲区内被烧毁的技术效果。
第二方面，本申请提供的一种激光雷达APD保护装置采用如下的技术方案：
一种激光雷达APD保护装置，应用于包括主控单元、激光器以及APD的激光雷达系统中的主控单元，包括：
发射模块，用于以一定重频发射一脉冲信号触发所述激光器发射光脉冲；
以及，控制模块，用于产生一控制信号，切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态，所述盲区为根据测量需求预先定义的距离范围。
通过采用上述技术方案，通过控制模块产生一控制信号控制APD的工作状态，使APD在盲区内不工作，从而降低了APD由于测量点与目标物之间的距离太小，APD接收的回光信号太强导致APD被烧毁的情况发生。与相关技术中通过控制APD的高压供电电路或者选用损伤阈值更高的技术方案相比，本申请技术方案在不增加成本且保证APD探测性能的基础上，降低了APD被烧毁的概率，对APD起到了很好的保护作用。
可选的，所述APD的低压供电电路包括MOS管，通过所述MOS管的导通与否控制所述APD的低压供电电路的通断，所述控制模块包括切断单元，所述切断单元用于产生一控制信号控制所述MOS管以切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态。
可选的，还包括调整模块，所述调整模块用于使所述控制信号在所述脉冲信号上升沿前一定时间产生。
第三方面，本申请提供的一种激光雷达系统采用如下的技术方案：
一种激光雷达系统，包括主控单元、激光器以及APD，所述主控单元与所述激光器连接用于以一定重频发射一脉冲信号触发所述激光器发射光脉冲，所述主控单元与所述APD连接用于产生一控制信号，切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态，所述盲区为根据测量需求预先定义的距离范围。
通过采用上述技术方案，通过主控单元产生一控制信号控制APD的工作状态，使APD在盲区内不工作，从而降低了APD由于测量点与目标物之间的距离太小，APD接收的回光信号太强导致APD被烧毁的情况发生。与相关技术中通过控制APD的高压供电电路或者选用损伤阈值更高的技术方案相比，本申请技术方案在不增加成本且保证APD探测性能的基础上，降低了APD被烧毁的概率，对APD起到了很好的保护作用。
可选的，所述APD的低压供电电路包括MOS管，所述主控单元与所述MOS管连接，所述主控单元用于产生一控制信号控制所述MOS管以切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态。
可选的，所述主控单元包括FPGA芯片。
第四方面，本申请提供的一种存储介质采用如下的技术方案：
一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序在计算机上运行时，实现如上所述的激光雷达APD防烧毁方法。
由上可知，本申请具有的有益技术效果包括：通过设置的控制信号控制APD的工作状态，使APD在盲区内不工作，从而降低了APD由于测量点与目标物之间的距离太小，APD接收的回光信号太强导致APD被烧毁的情况发生。与相关技术中通过控制APD的高压供电电路或者选用损伤阈值更高的技术方案相比，本申请技术方案在不增加成本且保证APD探测性能的基础上，降低了APD被烧毁的概率，对APD起到了很好的保护作用。
本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1是本申请实施例中一种激光雷达APD保护方法的示意性流程图。
图2是本申请实施例中一种激光雷达APD保护装置的示意性结构图。
图3是本申请实施例中APD的供电时序图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
第一方面，参照图1，本申请实施例公开一种激光雷达APD保护方法，该方法应用于包括主控单元、激光器以及APD的激光雷达系统中的主控单元，该方法包括以下步骤：
S1、以一定重频发射一脉冲信号触发激光器发射光脉冲。
S2、产生一控制信号，切断APD的低压供电电路，使APD在盲区内处于关断状态，盲区为根据测量需求预先定义的距离范围。
在一些实施例中， APD的低压供电电路包括MOS管，通过MOS管的导通与否控制APD的低压供电电路的通断，上述的步骤S2具体包括：
产生一控制信号控制MOS管以切断APD的低压供电电路，使APD在盲区内处于关断状态。
在一些实施例中，控制信号在脉冲信号上升沿前一定时间产生。
在一些实施例中，主控单元采用FPGA芯片。
具体的，主控单元发出一定重频（需要说明的是，此处重频的范围可根据具体测量需求进行选择）的脉冲信号，通过该脉冲信号触发激光器以该重频产生光脉冲信号。激光器产生的光脉冲信号通常包括两路，其中一路为参考光信号，另一路为探测光信号。通常通过PIN二极管将参考光信号转换为电信号，采用高速比较器以恒定阈值的方式，提取参考光信号的上升沿信号，作为每一周期的起始信号start。探测光信号则被发射出去，当遇到目标物时经过漫反射以回光信号形式被APD接收，经过放大整形以及高速比较之后得到终止信号stop，最后采用时间间隔测量法将stop与start的时间差转换为距离信息即可得到测量结果。
具体的，APD通常具有一个损伤阈值，当目标物距离测量点的距离太近时，容易导致回光信号的强度大于APD的损伤阈值，进而导致APD被烧毁，为了减少这种情况的发生，在本申请技术方案中，预先定义一盲区，并通过主控单元产生一个控制信号，使APD在盲区内处于关断状态。其中，盲区可以根据测量需求预先设置，盲区通常为目标物与测量点间的较近距离。例如，对于量程为1500m的激光雷达系统，可以将盲区设置为0m-15m，对于量程为1000m的激光雷达系统，可以将盲区设置为0m-10m。
具体的，APD正常工作时需要外部电源同时提供+5V、-5V 以及一定数值的高压，其中+5V和-5V由低压供电电路提供，一定数值的高压则由高压供电电路提供。为了使APD在盲区内处于关断状态，在本申请技术方案中，通过主控单元产生一能够控制APD低压供电电路通断的控制信号，从而使APD在盲区内不工作而在非盲区内工作。
具体的，APD的低压供电电路包括MOS管（其中，MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。）在本申请技术方案中，通过主控单元产生的控制信号来控制MOS管的导通与否，从而通过MOS管来控制APD的低压供电电路的通断，进而达到使APD在盲区内不工作而在非盲区内工作的技术效果。
具体的，考虑到MOS管存在开启延时的情况，在本申请技术方案中，通过主控单元产生的控制信号在脉冲信号上升沿前一定时间产生，以确保激光器发射光脉冲时，主控单元产生的控制信号已经使APD的低压供电电路处于切断状态，从而使APD在盲区内处于不工作状态，以达到防止APD在盲区内被烧毁的技术效果。
具体的，主控单元可选用MCU、单片机或者FPGA芯片等，在本申请技术方案中，优选并行处理能力优越的FPGA芯片。
举例来说，FPGA芯片以重频100kHz的脉冲信号触发激光器发射光脉冲，则光脉冲的重频也为100kHz，即激光器出光间隔时间为10微秒，根据式L=0.5*C*T（其中，L为距离，C为真空中的光速，C=3*10^8m/s，T为时间，此处T具体为出光周期）计算，每一出光周期内，可以测量的最大距离L=0.5*3*10^8*10μs=1500m，预定义盲区为15m，则通过公式L=0.5*C*T（L为距离，C为真空中的光速，C=3*10^8m/s，T为时间，此处T具体为时间间隔）可以计算得到盲区15m对应的时间间隔为100ns，为了避免APD在盲区范围内工作，通过FPGA产生一控制信号，控制MOS管切断APD的低压供电电路，使APD在上述的100ns内处于不工作状态，而100ns之后，再控制MOS管接通APD的低压供电电路，使APD正常工作。其中，考虑到MOS管存在开启或者关闭延迟的情况，可以使控制信号先于脉冲信号一定时间产生，例如，使控制信号在起始信号start上升沿10ns之前产生，通过控制信号控制MOS管切断APD的低压供电电路，持续（100-10）ns即90ns之后，再通过控制信号控制MOS管接通APD的低压供电电路，使APD正常工作，具体可参见图3所示的APD供电时序图，图中fpluse代表起始信号start，ctrl代表控制信号，U代表APD低压供电电路中+5V的电压，需要说明的是，-5V的控制方式参考+5V进行设计即可。
第二方面，参照图2，本申请实施例公开一种激光雷达APD保护装置，该装置应用于包括主控单元、激光器以及APD的激光雷达系统中的主控单元，该装置包括：
发射模块100，用于以一定重频发射一脉冲信号触发激光器发射光脉冲；
以及，控制模块200，用于产生一控制信号，切断APD的低压供电电路，使APD在盲区内处于关断状态，盲区为根据测量需求预先定义的距离范围。
在一些实施例中，APD的低压供电电路包括MOS管，通过MOS管的导通与否控制APD的低压供电电路的通断，控制模块200包括切断单元，切断单元用于产生一控制信号控制MOS管以切断APD的低压供电电路，使APD在盲区内处于关断状态。
在一些实施例中，激光雷达APD保护装置还包括调整模块，调整模块用于使所述控制信号在脉冲信号上升沿前一定时间产生。
具体的，主控单元通过发射模块100发出一定重频（需要说明的是，此处重频的范围可根据具体测量需求进行选择）的脉冲信号，通过该脉冲信号触发激光器以该重频产生光脉冲信号。激光器产生的光脉冲信号通常包括两路，其中一路为参考光信号，另一路为探测光信号。通常通过PIN二极管将参考光信号转换为电信号，采用高速比较器以恒定阈值的方式，提取参考光信号的上升沿信号，作为每一周期的起始信号start。探测光信号则被发射出去，当遇到目标物时经过漫反射以回光信号形式被APD接收，经过放大整形以及高速比较之后得到终止信号stop，最后采用时间间隔测量法将stop与start的时间差转换为距离信息即可得到测量结果。
具体的，APD通常具有一个损伤阈值，当目标物距离测量点的距离太近时，容易导致回光信号的强度大于APD的损伤阈值，进而导致APD被烧毁，为了减少这种情况的发生，在本申请技术方案中，预先定义一盲区，主控单元通过控制模块200产生一个控制信号，使APD在盲区内处于关断状态。其中，盲区可以根据测量需求预先设置，盲区通常为目标物与测量点间的较近距离。例如，对于量程为1500m的激光雷达系统，可以将盲区设置为0m-15m，对于量程为1000m的激光雷达系统，可以将盲区设置为0m-10m。
具体的，APD正常工作时需要外部电源同时提供+5V、-5V 以及一定数值的高压，其中+5V和-5V由低压供电电路提供，一定数值的高压则由高压供电电路提供。为了使APD在盲区内处于关断状态，在本申请技术方案中，通过主控单元产生一能够控制APD低压供电电路通断的控制信号，从而使APD在盲区内不工作而在非盲区内工作。
具体的，APD的低压供电电路包括MOS管（其中，MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。）在本申请技术方案中，通过主控单元产生的控制信号来控制MOS管的导通与否，从而通过MOS管来控制APD的低压供电电路的通断，进而达到使APD在盲区内不工作而在非盲区内工作的技术效果。
具体的，考虑到MOS管存在开启延时的情况，在本申请技术方案中，还设置有调整模块，主控单元通过调整模块使产生的控制信号在脉冲信号上升沿前一定时间产生，以确保激光器发射光脉冲时，主控单元产生的控制信号已经使APD的低压供电电路处于切断状态，从而使APD在盲区内处于不工作状态，以达到防止APD在盲区内被烧毁的技术效果。
具体的，主控单元可选用MCU、单片机或者FPGA芯片等，在本申请技术方案中，优选并行处理能力优越的FPGA芯片。
举例来说，FPGA芯片以重频100kHz的脉冲信号触发激光器发射光脉冲，则光脉冲的重频也为100kHz，即激光器出光间隔时间为10微秒，根据式L=0.5*C*T（L为距离，C为真空中的光速，C=3*10^8m/s，T为时间，此处T具体为出光周期）计算，每一出光周期内，可以测量的最大距离L=0.5*3*10^8*10μs=1500m，预定义盲区为15m，则通过公式L=0.5*C*T（L为距离，C为真空中的光速，C=3*10^8m/s，T为时间，此处T具体为时间间隔）可以计算得到盲区15m对应的时间间隔为100ns，为了避免APD在盲区范围内工作，通过FPGA产生一控制信号，控制MOS管切断APD的低压供电电路，使APD在上述的100ns内处于不工作状态，而100ns之后，再控制MOS管接通APD的低压供电电路，使APD正常工作。其中，考虑到MOS管存在开启或者关闭延迟的情况，可以使控制信号先于脉冲信号一定时间产生，例如，使控制信号在起始信号start上升沿10ns之前产生，通过控制信号控制MOS管切断APD的低压供电电路，持续（100-10）ns即90ns之后，再通过控制信号控制MOS管接通APD的低压供电电路，使APD正常工作，具体可参见图3所示的APD供电时序图，图中fpluse代表起始信号start，ctrl代表控制信号，U代表APD低压供电电路中+5V的电压，需要说明的是，-5V的控制方式参考+5V进行设计即可。
第三方面，本申请提供一种激光雷达系统，包括主控单元、激光器以及APD，主控单元与激光器连接用于以一定重频发射一脉冲信号触发激光器发射光脉冲，主控单元与APD连接用于产生一控制信号，切断APD的低压供电电路，使APD在盲区内处于关断状态，盲区为根据测量需求预先定义的距离范围。
在一些实施例中，APD的低压供电电路包括MOS管，通过MOS管的导通与否控制APD的低压供电电路的通断，主控单元与MOS管连接，主控单元用于产生一控制信号控制MOS管以切断APD的低压供电电路，使APD在盲区内处于关断状态。
在一些实施例中，主控单元包括FPGA芯片。
具体的，主控单元发出一定重频（需要说明的是，此处重频的范围可根据具体测量需求进行选择）的脉冲信号，通过该脉冲信号触发激光器以该重频产生光脉冲信号。激光器产生的光脉冲信号通常包括两路，其中一路为参考光信号，另一路为探测光信号。通常通过PIN二极管将参考光信号转换为电信号，采用高速比较器以恒定阈值的方式，提取参考光信号的上升沿信号，作为每一周期的起始信号start。探测光信号则被发射出去，当遇到目标物时经过漫反射以回光信号形式被APD接收，经过放大整形以及高速比较之后得到终止信号stop，最后采用时间间隔测量法将stop与start的时间差转换为距离信息即可得到测量结果。
具体的，APD通常具有一个损伤阈值，当目标物距离测量点的距离太近时，容易导致回光信号的强度大于APD的损伤阈值，进而导致APD被烧毁，为了减少这种情况的发生，在本申请技术方案中，预先定义一盲区，并通过主控单元产生一个控制信号，使APD在盲区内处于关断状态。其中，盲区可以根据测量需求预先设置，盲区通常为目标物与测量点间的较近距离。例如，对于量程为1500m的激光雷达系统，可以将盲区设置为0m-15m，对于量程为1000m的激光雷达系统，可以将盲区设置为0m-10m。
具体的，APD正常工作时需要外部电源同时提供+5V、-5V 以及一定数值的高压，其中+5V和-5V由低压供电电路提供，一定数值的高压则由高压供电电路提供。为了使APD在盲区内处于关断状态，在本申请技术方案中，通过主控单元产生一能够控制APD低压供电电路通断的控制信号，从而使APD在盲区内不工作而在非盲区内工作。
具体的，APD的低压供电电路包括MOS管（其中，MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。）在本申请技术方案中，通过主控单元产生的控制信号来控制MOS管的导通与否，从而通过MOS管来控制APD的低压供电电路的通断，进而达到使APD在盲区内不工作而在非盲区内工作的技术效果。
具体的，考虑到MOS管存在开启延时的情况，在本申请技术方案中，通过主控单元产生的控制信号在脉冲信号上升沿前一定时间产生，以确保激光器发射光脉冲时，主控单元产生的控制信号已经使APD的低压供电电路处于切断状态，从而使APD在盲区内处于不工作状态，以达到防止APD在盲区内被烧毁的技术效果。
具体的，主控单元可选用MCU、单片机或者FPGA芯片等，在本申请技术方案中，优选并行处理能力优越的FPGA芯片。
举例来说，FPGA芯片以重频100kHz的脉冲信号触发激光器发射光脉冲，则光脉冲的重频也为100kHz，即激光器出光间隔时间为10微秒，根据式L=0.5*C*T（L为距离，C为真空中的光速，C=3*10^8m/s，T为时间，此处T具体为出光周期）计算，每一出光周期内，可以测量的最大距离L=0.5*3*10^8*10μs=1500m，预定义盲区为15m，则通过公式L=0.5*C*T（L为距离，C为真空中的光速，C=3*10^8m/s，T为时间，此处T具体为时间间隔）可以计算得到盲区15m对应的时间间隔为100ns，为了避免APD在盲区范围内工作，通过FPGA产生一控制信号，控制MOS管切断APD的低压供电电路，使APD在上述的100ns内处于不工作状态，而100ns之后，再控制MOS管接通APD的低压供电电路，使APD正常工作。其中，考虑到MOS管存在开启或者关闭延迟的情况，可以使控制信号先于脉冲信号一定时间产生，例如，使控制信号在起始信号start上升沿10ns之前产生，通过控制信号控制MOS管切断APD的低压供电电路，持续（100-10）ns即90ns之后，再通过控制信号控制MOS管接通APD的低压供电电路，使APD正常工作，具体可参见图3所示的APD供电时序图，图中fpluse代表起始信号start，ctrl代表控制信号，U代表APD低压供电电路中+5V的电压，需要说明的是，-5V的控制方式参考+5V进行设计即可。
第四方面，本申请实施例还提供一种存储介质，该存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。
其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-OnlyMemory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种激光雷达APD保护方法，应用于包括主控单元、激光器以及APD的激光雷达系统中的主控单元，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
以一定重频发射一脉冲信号触发所述激光器发射光脉冲；
产生一控制信号，切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态，所述盲区为根据测量需求预先定义的距离范围。
2.根据权利要求1所述的一种激光雷达APD保护方法，其特征在于：所述APD的低压供电电路包括MOS管，通过所述MOS管的导通与否控制所述APD的低压供电电路的通断，所述产生一控制信号切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态包括：
产生一控制信号控制所述MOS管以切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态。
3.根据权利要求2所述的一种激光雷达APD保护方法，其特征在于：所述控制信号在所述脉冲信号上升沿前一定时间产生。
4.一种激光雷达APD保护装置，应用于包括主控单元、激光器以及APD的激光雷达系统中的主控单元，其特征在于，包括：
发射模块，用于以一定重频发射一脉冲信号触发所述激光器发射光脉冲；
以及，控制模块，用于产生一控制信号，切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态，所述盲区为根据测量需求预先定义的距离范围。
5.根据权利要求4所述的一种激光雷达APD保护装置，其特征在于，所述APD的低压供电电路包括MOS管，通过所述MOS管的导通与否控制所述APD的低压供电电路的通断，所述控制模块包括切断单元，所述切断单元用于产生一控制信号控制所述MOS管以切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态。
6.根据权利要求4所述的激光雷达APD保护装置，其特征在于，还包括调整模块，所述调整模块用于使所述控制信号在所述脉冲信号上升沿前一定时间产生。
7.一种激光雷达系统，其特征在于，包括主控单元、激光器以及APD，所述主控单元与所述激光器连接用于以一定重频发射一脉冲信号触发所述激光器发射光脉冲，所述主控单元与所述APD连接用于产生一控制信号，切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态，所述盲区为根据测量需求预先定义的距离范围。
8.根据权利要求7所述的一种激光雷达系统，其特征在于，所述APD的低压供电电路包括MOS管，所述主控单元与所述MOS管连接，所述主控单元用于产生一控制信号控制所述MOS管以切断所述APD的低压供电电路，使所述APD在盲区内处于关断状态。
9.根据权利要求7所述的一种激光雷达系统，其特征在于，所述主控单元包括FPGA芯片。
10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序在计算机上运行时，实现如权利要求1至3任一项所述的方法。
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|---|---|---|---|
| CN202111616135.7A CN114415150A (zh) | 2021-12-27 | 2021-12-27 | 激光雷达apd保护方法、装置、存储介质及激光雷达系统 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202111616135.7A Pending CN114415150A (zh) | 2021-12-27 | 2021-12-27 | 激光雷达apd保护方法、装置、存储介质及激光雷达系统 |
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2021
- 2021-12-27 CN CN202111616135.7A patent/CN114415150A/zh active Pending
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