CN114414033A - 一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器及测量方法 - Google Patents
一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器及测量方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及谐振式声传感器,具体是一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器及测量方法。本发明解决了现有谐振式声传感器灵敏度较低的问题。一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器,包括1630nm激光器、第一偏振控制器、1550nm激光器、第二偏振控制器、光纤锥、CaF2晶体谐振腔、长通滤波器、光电探测器、示波器、计算机;1630nm激光器的出射端通过第一偏振控制器与光纤锥的首端连接;1550nm激光器的出射端通过第二偏振控制器与光纤锥的首端连接;光纤锥的尾端通过长通滤波器与光电探测器的入射端连接;CaF2晶体谐振腔与光纤锥耦合;光电探测器的信号输出端与示波器的信号输入端连接;示波器的信号输出端与计算机的信号输入端连接。本发明适用于声信号的测量。
Description
技术领域
本发明涉及谐振式声传感器,具体是一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器及测量方法。
背景技术
谐振式声传感器因其具有体积小、重量轻、成本低等优点,而被广泛应用于声信号的测量。在现有技术条件下,谐振式声传感器普遍基于F-P谐振腔或波导谐振腔进行工作。但在实际应用中,由于F-P谐振腔和波导谐振腔的品质因数较低,导致现有谐振式声传感器存在灵敏度较低的问题。基于此,有必要发明一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器及测量方法,以解决现有谐振式声传感器灵敏度较低的问题。
发明内容
本发明为了解决现有谐振式声传感器灵敏度较低的问题,提供了一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器及测量方法。
本发明是采用如下技术方案实现的:
一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器,包括1630nm激光器、第一偏振控制器、1550nm激光器、第二偏振控制器、光纤锥、CaF2晶体谐振腔、长通滤波器、光电探测器、示波器、计算机;1630nm激光器的出射端通过第一偏振控制器与光纤锥的首端连接;1550nm激光器的出射端通过第二偏振控制器与光纤锥的首端连接;光纤锥的尾端通过长通滤波器与光电探测器的入射端连接;CaF2晶体谐振腔与光纤锥耦合;光电探测器的信号输出端与示波器的信号输入端连接;示波器的信号输出端与计算机的信号输入端连接。
还包括信号发生器、功率放大器、扬声器、分贝仪、频谱仪;信号发生器的信号输出端与功率放大器的信号输入端连接;功率放大器的信号输出端与扬声器的信号输入端连接;扬声器和分贝仪均位于CaF2晶体谐振腔的旁侧;频谱仪的信号输入端与光电探测器的信号输出端连接。
所述1630nm激光器、1550nm激光器均采用连续可调谐窄带激光器。
所述光纤锥采用如下步骤制备而成:首先,从单模光纤的中心部分截取长度为2cm的单模光纤;然后,利用剥线钳将所截取单模光纤的涂覆层和外包层剥掉;然后,利用熔融拉锥机对剥好的单模光纤进行预热;然后,利用氢氧火焰对预热后的单模光纤进行加热,由此制得直径为2μm的光纤锥。
所述CaF2晶体谐振腔采用如下步骤制备而成:首先,利用单点金刚石切削技术对CaF2晶体进行切削,得到直径为5mm、高度为0.5mm的CaF2晶体圆片;然后,利用抛光纸和抛光液对CaF2晶体圆片进行抛光,由此制得CaF2晶体谐振腔。
CaF2晶体谐振腔与光纤锥之间的耦合状态为欠耦合或临界耦合或过耦合,且耦合状态可利用六维调整架进行调控。
所述长通滤波器的截止波长大于1550nm。
一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声测量方法(该方法是基于本发明所述的一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器实现的),该方法是采用如下步骤实现的:
首先,控制传感器进入工作模式;工作模式具体为:1550nm激光器发出1550nm波段的泵浦光,泵浦光依次经第二偏振控制器、光纤锥、CaF2晶体谐振腔、光纤锥入射到长通滤波器,并被长通滤波器吸收;当泵浦光经过CaF2晶体谐振腔时,泵浦光激发CaF2晶体谐振腔的拉曼增益,由此补偿CaF2晶体谐振腔的材料损耗,从而提高CaF2晶体谐振腔的品质因数;同时,1630nm激光器发出1630nm波段的探测光,探测光依次经第一偏振控制器、光纤锥、CaF2晶体谐振腔、光纤锥、长通滤波器入射到光电探测器,然后经光电探测器转换为电信号;电信号传输至示波器,并经示波器转换为谐振谱;谐振谱一方面显示于示波器上,另一方面传输至计算机;
在工作模式下,当声信号作用于CaF2晶体谐振腔时,谐振谱的谐振波长处的光强发生变化;计算机实时监测光强变化量,并将光强变化量代入传感器的声压测量方程,由此计算出声压;所述传感器的声压测量方程表示如下:
式中:ΔI表示光强变化量;P表示声压;A表示CaF2晶体谐振腔有效折射率的变化率,其单位为Pa-1,其大小由CaF2材料参数和CaF2晶体谐振腔的尺寸共同决定;λ表示谐振谱的谐振波长;表示谐振谱一阶导数线性区域的斜率;Q表示CaF2晶体谐振腔的品质因数。
该方法还包括利用信号发生器、功率放大器、扬声器、分贝仪来判断传感器的性能指标是否符合要求;具体步骤如下:
首先,控制传感器进入工作模式;
在工作模式下,信号发生器输出正弦波信号,正弦波信号经功率放大器传输至扬声器,并经扬声器转换为声信号;声信号一方面作用于CaF2晶体谐振腔,使得谐振谱的谐振波长处的光强发生变化,另一方面作用于分贝仪;计算机实时监测光强变化量;分贝仪实时监测声压;
然后,一方面根据光强变化量和声压计算出传感器的灵敏度测试值,另一方面计算出传感器的灵敏度标准值;具体计算公式如下:
式中:S′表示传感器的灵敏度测试值;ΔI表示光强变化量;P表示声压;S表示传感器的灵敏度标准值;A表示CaF2晶体谐振腔有效折射率的变化率,其单位为Pa-1,其大小由CaF2材料参数和CaF2晶体谐振腔的尺寸共同决定;λ表示谐振谱的谐振波长;表示谐振谱一阶导数线性区域的斜率;
然后,将传感器的灵敏度测试值与传感器的灵敏度标准值进行比较,并根据比较结果来判断传感器的性能指标是否符合要求:若传感器的灵敏度测试值与传感器的灵敏度标准值吻合,则表明传感器的性能指标符合要求;若传感器的灵敏度测试值与传感器的灵敏度标准值不吻合,则表明传感器的性能指标不符合要求。
该方法还包括利用信号发生器、功率放大器、扬声器、频谱仪来确定传感器的频率响应范围;具体步骤如下:
首先,控制传感器进入工作模式;
在工作模式下,电信号传输至频谱仪,并经频谱仪转换为频谱;信号发生器输出正弦波信号,正弦波信号经功率放大器传输至扬声器,并经扬声器转换为声信号;声信号作用于CaF2晶体谐振腔;
然后,通过观察频谱来判断传感器能否响应当前频率的声信号:若频谱出现了明显峰值,则表明传感器能够响应当前频率的声信号;若频谱未出现明显峰值,则表明传感器无法响应当前频率的声信号;
然后,改变正弦波信号的频率,使得声信号的频率发生改变,并重复执行上一步骤;以此类推,即可得出传感器的最高响应频率和最低响应频率,由此确定传感器的频率响应范围。
与现有谐振式声传感器相比,本发明不再基于F-P谐振腔或波导谐振腔进行工作,而是基于CaF2晶体谐振腔进行工作,由此具备了灵敏度高的优点。具体而言,由于CaF2晶体谐振腔具有超高的品质因数和极小的模式体积,使得本发明具备了超高的灵敏度。在此基础上,本发明利用拉曼增益对CaF2晶体谐振腔的材料损耗进行补偿,使得CaF2晶体谐振腔的品质因数进一步提高,由此使得本发明的灵敏度进一步提高。此外,由于CaF2晶体谐振腔具有10-11g抗加速度及低噪声干扰,使得本发明具备了良好的稳定性。
本发明结构合理、设计巧妙,有效解决了现有谐振式声传感器灵敏度较低的问题,适用于声信号的测量。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明中频谱出现了明显峰值的示意图。
图中:1-1630nm激光器,2-第一偏振控制器,3-1550nm激光器,4-第二偏振控制器,5-光纤锥,6-CaF2晶体谐振腔,7-长通滤波器,8-光电探测器,9-示波器,10-计算机,11-信号发生器,12-功率放大器,13-扬声器,14-分贝仪,15-频谱仪。
具体实施方式
一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器,包括1630nm激光器1、第一偏振控制器2、1550nm激光器3、第二偏振控制器4、光纤锥5、CaF2晶体谐振腔6、长通滤波器7、光电探测器8、示波器9、计算机10;1630nm激光器1的出射端通过第一偏振控制器2与光纤锥5的首端连接;1550nm激光器3的出射端通过第二偏振控制器4与光纤锥5的首端连接;光纤锥5的尾端通过长通滤波器7与光电探测器8的入射端连接;CaF2晶体谐振腔6与光纤锥5耦合;光电探测器8的信号输出端与示波器9的信号输入端连接;示波器9的信号输出端与计算机10的信号输入端连接。
还包括信号发生器11、功率放大器12、扬声器13、分贝仪14、频谱仪15;信号发生器11的信号输出端与功率放大器12的信号输入端连接;功率放大器12的信号输出端与扬声器13的信号输入端连接;扬声器13和分贝仪14均位于CaF2晶体谐振腔6的旁侧;频谱仪15的信号输入端与光电探测器8的信号输出端连接。
所述1630nm激光器1、1550nm激光器3均采用连续可调谐窄带激光器。
所述光纤锥5采用如下步骤制备而成:首先,从单模光纤的中心部分截取长度为2cm的单模光纤;然后,利用剥线钳将所截取单模光纤的涂覆层和外包层剥掉;然后,利用熔融拉锥机对剥好的单模光纤进行预热;然后,利用氢氧火焰对预热后的单模光纤进行加热,由此制得直径为2μm的光纤锥5。
所述CaF2晶体谐振腔6采用如下步骤制备而成:首先,利用单点金刚石切削技术对CaF2晶体进行切削,得到直径为5mm、高度为0.5mm的CaF2晶体圆片;然后,利用抛光纸和抛光液对CaF2晶体圆片进行抛光,由此制得CaF2晶体谐振腔6。
CaF2晶体谐振腔6与光纤锥5之间的耦合状态为欠耦合或临界耦合或过耦合,且耦合状态可利用六维调整架进行调控。
所述长通滤波器7的截止波长大于1550nm。
一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声测量方法(该方法是基于本发明所述的一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器实现的),该方法是采用如下步骤实现的:
首先,控制传感器进入工作模式;工作模式具体为:1550nm激光器3发出1550nm波段的泵浦光,泵浦光依次经第二偏振控制器4、光纤锥5、CaF2晶体谐振腔6、光纤锥5入射到长通滤波器7,并被长通滤波器7吸收;当泵浦光经过CaF2晶体谐振腔6时,泵浦光激发CaF2晶体谐振腔6的拉曼增益,由此补偿CaF2晶体谐振腔6的材料损耗,从而提高CaF2晶体谐振腔6的品质因数;同时,1630nm激光器1发出1630nm波段的探测光,探测光依次经第一偏振控制器2、光纤锥5、CaF2晶体谐振腔6、光纤锥5、长通滤波器7入射到光电探测器8,然后经光电探测器8转换为电信号;电信号传输至示波器9,并经示波器9转换为谐振谱;谐振谱一方面显示于示波器9上,另一方面传输至计算机10;
在工作模式下,当声信号作用于CaF2晶体谐振腔6时,谐振谱的谐振波长处的光强发生变化;计算机10实时监测光强变化量,并将光强变化量代入传感器的声压测量方程,由此计算出声压;所述传感器的声压测量方程表示如下:
式中:ΔI表示光强变化量;P表示声压;A表示CaF2晶体谐振腔6有效折射率的变化率,其单位为Pa-1,其大小由CaF2材料参数和CaF2晶体谐振腔6的尺寸共同决定;λ表示谐振谱的谐振波长;表示谐振谱一阶导数线性区域的斜率;Q表示CaF2晶体谐振腔6的品质因数。
该方法还包括利用信号发生器11、功率放大器12、扬声器13、分贝仪14来判断传感器的性能指标是否符合要求;具体步骤如下:
首先,控制传感器进入工作模式;
在工作模式下,信号发生器11输出正弦波信号,正弦波信号经功率放大器12传输至扬声器13,并经扬声器13转换为声信号;声信号一方面作用于CaF2晶体谐振腔6,使得谐振谱的谐振波长处的光强发生变化,另一方面作用于分贝仪14;计算机10实时监测光强变化量;分贝仪14实时监测声压;
然后,一方面根据光强变化量和声压计算出传感器的灵敏度测试值,另一方面计算出传感器的灵敏度标准值;具体计算公式如下:
式中:S′表示传感器的灵敏度测试值;ΔI表示光强变化量;P表示声压;S表示传感器的灵敏度标准值;A表示CaF2晶体谐振腔6有效折射率的变化率,其单位为Pa-1,其大小由CaF2材料参数和CaF2晶体谐振腔6的尺寸共同决定;λ表示谐振谱的谐振波长;表示谐振谱一阶导数线性区域的斜率;
然后,将传感器的灵敏度测试值与传感器的灵敏度标准值进行比较,并根据比较结果来判断传感器的性能指标是否符合要求:若传感器的灵敏度测试值与传感器的灵敏度标准值吻合,则表明传感器的性能指标符合要求;若传感器的灵敏度测试值与传感器的灵敏度标准值不吻合,则表明传感器的性能指标不符合要求。
该方法还包括利用信号发生器11、功率放大器12、扬声器13、频谱仪15来确定传感器的频率响应范围;具体步骤如下:
首先,控制传感器进入工作模式;
在工作模式下,电信号传输至频谱仪15,并经频谱仪15转换为频谱;信号发生器11输出正弦波信号,正弦波信号经功率放大器12传输至扬声器13,并经扬声器13转换为声信号;声信号作用于CaF2晶体谐振腔6;
然后,通过观察频谱来判断传感器能否响应当前频率的声信号:若频谱出现了明显峰值,则表明传感器能够响应当前频率的声信号;若频谱未出现明显峰值,则表明传感器无法响应当前频率的声信号;
然后,改变正弦波信号的频率,使得声信号的频率发生改变,并重复执行上一步骤;以此类推,即可得出传感器的最高响应频率和最低响应频率,由此确定传感器的频率响应范围。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式,但是本领域的技术人员应当理解,这些仅是举例说明,本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下,可以对这些实施方式作出多种变更或修改,但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器,其特征在于:包括1630nm激光器(1)、第一偏振控制器(2)、1550nm激光器(3)、第二偏振控制器(4)、光纤锥(5)、CaF2晶体谐振腔(6)、长通滤波器(7)、光电探测器(8)、示波器(9)、计算机(10);1630nm激光器(1)的出射端通过第一偏振控制器(2)与光纤锥(5)的首端连接;1550nm激光器(3)的出射端通过第二偏振控制器(4)与光纤锥(5)的首端连接;光纤锥(5)的尾端通过长通滤波器(7)与光电探测器(8)的入射端连接;CaF2晶体谐振腔(6)与光纤锥(5)耦合;光电探测器(8)的信号输出端与示波器(9)的信号输入端连接;示波器(9)的信号输出端与计算机(10)的信号输入端连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器,其特征在于:还包括信号发生器(11)、功率放大器(12)、扬声器(13)、分贝仪(14)、频谱仪(15);信号发生器(11)的信号输出端与功率放大器(12)的信号输入端连接;功率放大器(12)的信号输出端与扬声器(13)的信号输入端连接;扬声器(13)和分贝仪(14)均位于CaF2晶体谐振腔(6)的旁侧;频谱仪(15)的信号输入端与光电探测器(8)的信号输出端连接。
3.根据权利要求1所述的一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器,其特征在于:所述1630nm激光器(1)、1550nm激光器(3)均采用连续可调谐窄带激光器。
4.根据权利要求1所述的一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器,其特征在于:所述光纤锥(5)采用如下步骤制备而成:首先,从单模光纤的中心部分截取长度为2cm的单模光纤;然后,利用剥线钳将所截取单模光纤的涂覆层和外包层剥掉;然后,利用熔融拉锥机对剥好的单模光纤进行预热;然后,利用氢氧火焰对预热后的单模光纤进行加热,由此制得直径为2μm的光纤锥(5)。
5.根据权利要求1所述的一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器,其特征在于:所述CaF2晶体谐振腔(6)采用如下步骤制备而成:首先,利用单点金刚石切削技术对CaF2晶体进行切削,得到直径为5mm、高度为0.5mm的CaF2晶体圆片;然后,利用抛光纸和抛光液对CaF2晶体圆片进行抛光,由此制得CaF2晶体谐振腔(6)。
6.根据权利要求1所述的一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器,其特征在于:CaF2晶体谐振腔(6)与光纤锥(5)之间的耦合状态为欠耦合或临界耦合或过耦合,且耦合状态可利用六维调整架进行调控。
7.根据权利要求1所述的一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器,其特征在于:所述长通滤波器(7)的截止波长大于1550nm。
8.一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声测量方法,该方法是基于如权利要求1所述的一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声传感器实现的,其特征在于:该方法是采用如下步骤实现的:
首先,控制传感器进入工作模式;工作模式具体为:1550nm激光器(3)发出1550nm波段的泵浦光,泵浦光依次经第二偏振控制器(4)、光纤锥(5)、CaF2晶体谐振腔(6)、光纤锥(5)入射到长通滤波器(7),并被长通滤波器(7)吸收;当泵浦光经过CaF2晶体谐振腔(6)时,泵浦光激发CaF2晶体谐振腔(6)的拉曼增益,由此补偿CaF2晶体谐振腔(6)的材料损耗,从而提高CaF2晶体谐振腔(6)的品质因数;同时,1630nm激光器(1)发出1630nm波段的探测光,探测光依次经第一偏振控制器(2)、光纤锥(5)、CaF2晶体谐振腔(6)、光纤锥(5)、长通滤波器(7)入射到光电探测器(8),然后经光电探测器(8)转换为电信号;电信号传输至示波器(9),并经示波器(9)转换为谐振谱;谐振谱一方面显示于示波器(9)上,另一方面传输至计算机(10);
在工作模式下,当声信号作用于CaF2晶体谐振腔(6)时,谐振谱的谐振波长处的光强发生变化;计算机(10)实时监测光强变化量,并将光强变化量代入传感器的声压测量方程,由此计算出声压;所述传感器的声压测量方程表示如下:
9.根据权利要求8所述的一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声测量方法,其特征在于:该方法还包括利用信号发生器(11)、功率放大器(12)、扬声器(13)、分贝仪(14)来判断传感器的性能指标是否符合要求;具体步骤如下:
首先,控制传感器进入工作模式;
在工作模式下,信号发生器(11)输出正弦波信号,正弦波信号经功率放大器(12)传输至扬声器(13),并经扬声器(13)转换为声信号;声信号一方面作用于CaF2晶体谐振腔(6),使得谐振谱的谐振波长处的光强发生变化,另一方面作用于分贝仪(14);计算机(10)实时监测光强变化量;分贝仪(14)实时监测声压;
然后,一方面根据光强变化量和声压计算出传感器的灵敏度测试值,另一方面计算出传感器的灵敏度标准值;具体计算公式如下:
式中:S′表示传感器的灵敏度测试值;ΔI表示光强变化量;P表示声压;S表示传感器的灵敏度标准值;A表示CaF2晶体谐振腔(6)有效折射率的变化率,其单位为Pa-1,其大小由CaF2材料参数和CaF2晶体谐振腔(6)的尺寸共同决定;λ表示谐振谱的谐振波长;表示谐振谱一阶导数线性区域的斜率;
然后,将传感器的灵敏度测试值与传感器的灵敏度标准值进行比较,并根据比较结果来判断传感器的性能指标是否符合要求:若传感器的灵敏度测试值与传感器的灵敏度标准值吻合,则表明传感器的性能指标符合要求;若传感器的灵敏度测试值与传感器的灵敏度标准值不吻合,则表明传感器的性能指标不符合要求。
10.根据权利要求8所述的一种基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度声测量方法,其特征在于:该方法还包括利用信号发生器(11)、功率放大器(12)、扬声器(13)、频谱仪(15)来确定传感器的频率响应范围;具体步骤如下:
首先,控制传感器进入工作模式;
在工作模式下,电信号传输至频谱仪(15),并经频谱仪(15)转换为频谱;信号发生器(11)输出正弦波信号,正弦波信号经功率放大器(12)传输至扬声器(13),并经扬声器(13)转换为声信号;声信号作用于CaF2晶体谐振腔(6);
然后,通过观察频谱来判断传感器能否响应当前频率的声信号:若频谱出现了明显峰值,则表明传感器能够响应当前频率的声信号;若频谱未出现明显峰值,则表明传感器无法响应当前频率的声信号;
然后,改变正弦波信号的频率,使得声信号的频率发生改变,并重复执行上一步骤;以此类推,即可得出传感器的最高响应频率和最低响应频率,由此确定传感器的频率响应范围。
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CN116499505A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-07-28 | 中北大学 | 一种基于回音壁谐振腔的精密传感测量系统 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL69725A0 (en) * | 1982-09-29 | 1983-12-30 | Univ Leland Stanford Junior | Stabilized fiber optic sensor |
GB9618764D0 (en) * | 1996-09-09 | 1996-10-23 | Univ Southampton | Wavelength-swept fiber laser with frequency shifted feedback |
CN105783955A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-07-20 | 太原理工大学 | 基于高阶斯托克斯波的灵敏度可调分布式光纤传感系统 |
CN109100008A (zh) * | 2018-08-24 | 2018-12-28 | 中北大学 | 一种多薄膜封装式波导耦合谐振腔结构的宽频带、高灵敏度声传感器 |
-
2022
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL69725A0 (en) * | 1982-09-29 | 1983-12-30 | Univ Leland Stanford Junior | Stabilized fiber optic sensor |
GB9618764D0 (en) * | 1996-09-09 | 1996-10-23 | Univ Southampton | Wavelength-swept fiber laser with frequency shifted feedback |
CN105783955A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-07-20 | 太原理工大学 | 基于高阶斯托克斯波的灵敏度可调分布式光纤传感系统 |
CN109100008A (zh) * | 2018-08-24 | 2018-12-28 | 中北大学 | 一种多薄膜封装式波导耦合谐振腔结构的宽频带、高灵敏度声传感器 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
田野;刘文耀;张伟;唐军;刘俊;: "掺铒光纤谐振腔陀螺的谐振腔设计", 微纳电子技术, no. 01, 13 December 2018 (2018-12-13) * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115792277A (zh) * | 2023-02-07 | 2023-03-14 | 中北大学 | 基于CaF2晶体谐振腔的高灵敏度加速度传感器及测量方法 |
CN116499505A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-07-28 | 中北大学 | 一种基于回音壁谐振腔的精密传感测量系统 |
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