CN114402435A - 固态摄像装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种能够获得具有高图像质量的图像的固态摄像装置。固态摄像装置包括像素单元，像素单元被构造为使得多个单位像素以二维阵列状设置，所述多个单位像素被构造为包括多个光电转换单元和多个微透镜，所述多个光电转换单元形成在基板上并产生与入射光的光量相对应的信号电荷，所述多个微透镜被构造为使得针对多个光电转换单元组之中的一个光电转换单元组形成一个微透镜，各光电转换单元组由相邻的至少两个以上的光电转换单元构成，光电转换单元之间通过杂质层彼此绝缘，并且所述多个微透镜将入射光引导到多个光电转换单元组中的各者。另外，固态摄像装置包括多个光吸收层，所述多个光吸收层形成在微透镜与基板之间并且吸收由微透镜引导到光电转换单元组的入射光的一部分。

Description

固态摄像装置和电子设备
技术领域
本技术涉及固态摄像装置和电子设备。
背景技术
在相关技术中，作为相邻的两个光电转换单元共享一个微透镜的结构，已经提出了一种可以基于由两个光电转换单元产生的信号电荷来计算与被摄体之间的距离的固态摄像装置(例如，参见专利文献1)。在专利文献1所公开的固态摄像装置中，在微透镜聚集光的位置处设置有散射体，从而聚集的光被散射体散射并朝着相邻的两个光电转换单元分配。另外，抑制了由于制造期间的未对准而导致的光电转换单元之间的光接收灵敏度的差异。
引用文献列表
专利文献
专利文献1：JP 2013-211413 A
发明内容
技术问题
然而，在专利文献1所公开的固态摄像装置中，光由散射体分配，因此散射光会侵入到周围的光电转换单元，从而导致有可能发生光学混色。因此，由固态摄像装置获得的图像的质量可能劣化。
本公开的目的在于提供一种能够获得质量更高的图像的固态摄像装置和电子设备。
解决问题的技术方案
本公开的固态摄像装置包括：(a)像素单元，其被构造为使得多个单位像素以二维阵列状设置，所述多个单位像素被构造为包括多个光电转换单元和多个微透镜，所述多个光电转换单元形成在基板上并产生与入射光的光量相对应的信号电荷，所述多个微透镜被构造为使得针对多个光电转换单元组之中的一个光电转换单元组形成一个微透镜，各光电转换单元组由相邻的至少两个以上的光电转换单元构成，光电转换单元之间通过杂质层彼此绝缘，并且所述多个微透镜将入射光引导到多个光电转换单元组中的各者；以及(b)多个光吸收层，其形成在微透镜与基板之间，并且吸收由微透镜引导到光电转换单元组的入射光的一部分。
另外，本公开的电子设备包括：(a)固态摄像装置，其包括像素单元和多个光吸收层，像素单元被构造为使得多个单位像素以二维阵列状设置，所述多个单位像素被构造为包括多个光电转换单元和多个微透镜，所述多个光电转换单元形成在基板上并产生与入射光的光量相对应的信号电荷，所述多个微透镜被构造为使得针对多个光电转换单元组之中的一个光电转换单元组形成一个微透镜，各光电转换单元组由相邻的至少两个以上的光电转换单元构成，光电转换单元之间通过杂质层彼此绝缘，所述多个微透镜将入射光引导到多个光电转换单元组中的各者，所述多个光吸收层形成在微透镜与基板之间并且吸收由微透镜引导到光电转换单元组的入射光的一部分；(b)光学透镜，其使来自被摄体的图像光在固态摄像装置的摄像表面上成像；以及(c)信号处理电路，其对从固态摄像装置输出的信号执行信号处理。
附图说明
图1是示出根据本公开第一实施例的固态摄像装置的整体构造的图。
图2是示出沿图1中的线A-A的像素区域的剖面构造的图。
图3A是示出像素区域的剖面构造的放大图。
图3B是示出沿图3A中的线B-B的彩色滤光片和光吸收层的平面构造的图。
图3C是示出沿图3A中的线C-C的光电转换单元组和光电转换单元的平面构造的图。
图4A是示出像素区域的剖面构造的放大图。
图4B是示出沿图4A中的线D-D的彩色滤光片和光吸收层的平面构造的图。
图4C是示出沿图4A中的线E-E的光电转换单元组和光电转换单元的平面构造的图。
图5A是示出像素区域的剖面构造的放大图。
图5B是示出沿图5A中的线F-F的彩色滤光片和光吸收层的平面构造的图。
图6是示出像素区域的剖面构造的放大图。
图7是示出相关技术中的固态摄像装置的像素区域的剖面构造的放大图。
图8A是示出像素区域的剖面构造的放大图。
图8B是示出沿图8A中的线G-G的彩色滤光片和光吸收层的平面构造的图。
图9A是示出像素区域的剖面构造的放大图。
图9B是示出沿图9A中的线H-H的彩色滤光片和光吸收层的平面构造的图。
图10是示出彩色滤光片和光吸收层的平面构造的图。
图11是示出像素区域的剖面构造的放大图。
图12A是示出彩色滤光片和光吸收层的制造步骤的流程的图。
图12B是示出彩色滤光片和光吸收层的制造步骤的流程的图。
图12C是示出彩色滤光片和光吸收层的制造步骤的流程的图。
图13是示出根据变形例的固态摄像装置的彩色滤光片和光吸收层的平面构造的图。
图14是示出根据变形例的固态摄像装置的彩色滤光片和光吸收层的平面构造的图。
图15是示出根据变形例的固态摄像装置的彩色滤光片和光吸收层的平面构造的图。
图16是示出根据变形例的固态摄像装置的彩色滤光片和光吸收层的平面构造的图。
具体实施方式
在下文中，将参照图1至图16说明根据本公开实施例的固态摄像装置1和电子设备的示例。将按照以下顺序来说明本公开的实施例。注意，本公开不限于以下示例。另外，本说明书中所记载的效果仅是说明性的而非限制性的，并且可以获得其他效果。
1.第一实施例：固态摄像装置
1-1固态摄像装置的整体构造
1-2主要部件的构造
1-3光吸收层的制造方法
1-4变形例
2.第二实施例：电子设备
<1.第一实施例>
[1-1固态摄像装置的整体构造]
将说明根据本公开第一实施例的固态摄像装置1。图1是示出根据本公开第一实施例的固态摄像装置1的整体的示意性构造图。
图1中的固态摄像装置1是背面照射型互补金属氧化物半导体(CMOS：complementary metal oxide semiconductor)图像传感器。如图16所示，固态摄像装置1(101)经由光学透镜102使来自被摄体的图像光(入射光106)进入，将在摄像表面上成像的入射光106的光量以像素为单位转换为电信号，并且将电信号作为像素信号输出。
如图1所示，根据第一实施例的固态摄像装置1包括基板2、像素区域3、垂直驱动电路4、列信号处理电路5、水平驱动电路6、输出电路7和控制电路8。
像素区域3包括以二维阵列状规则地布置在基板2上的多个像素9。像素9包括图2所示的光电转换单元21和多个像素晶体管(未示出)。作为多个像素晶体管，例如，可以采用四个晶体管，即传输晶体管、复位晶体管、选择晶体管和放大晶体管。另外，例如，可以采用除选择晶体管之外的三个晶体管。
垂直驱动电路4由例如移位寄存器构成，选择期望的像素驱动线10，向所选择的像素驱动线10供应用于驱动像素9的脉冲，并且以行为单位驱动像素9。即，垂直驱动电路4以行为单位在垂直方向上依次对像素区域3中的像素9执行选择扫描，并且经由垂直信号线11向列信号处理电路5供应基于根据在各像素9的光电转换单元21中接收的光量而产生的信号电荷的像素信号。
例如，列信号处理电路5针对像素9的各列设置，并且针对各像素列对从对应于一行的像素9输出的信号执行诸如噪声去除等信号处理。例如，列信号处理电路5执行诸如相关双采样(CDS：correlated double sampling)和模数(AD：analog digital)转换等信号处理以去除像素固有的固定模式噪声。
水平驱动电路6由例如移位寄存器构成，将水平扫描脉冲依次输出到列信号处理电路5以按顺序选择各列信号处理电路5，并且将经过信号处理的像素信号从各列信号处理电路5输出到水平信号线12。
输出电路7对从各列信号处理电路5经由水平信号线12依次供应的像素信号执行信号处理，并且输出该像素信号。可以使用的信号处理的示例包括缓冲、黑电平调整、阵列偏差校正和各种数字信号处理等。
控制电路8基于垂直同步信号、水平同步信号和主时钟信号产生作为垂直驱动电路4、列信号处理电路5和水平驱动电路6等的操作基准的时钟信号或控制信号。另外，控制电路8将所产生的时钟信号或控制信号输出到垂直驱动电路4、列信号处理电路5和水平驱动电路6等。
[1-2主要部件的构造]
接下来，将说明图1中的固态摄像装置1的详细构造。图2是示出根据第一实施例的固态摄像装置1的像素区域3的剖面构造的图。在图2中，将背面照射型CMOS图像传感器(CMOS型固态摄像装置)用作固态摄像装置1。
如图2所示，根据第一实施例的固态摄像装置1包括光接收层15，在该光接收层15中，基板2、绝缘膜13和遮光膜14按此顺序层叠。另外，在光接收层15的绝缘膜13侧的表面(在下文中，也称为“后表面S1”)上形成有集光层18，在该集光层18中，彩色滤光片16和微透镜17(芯片上透镜、晶片透镜)按此顺序层叠。此外，配线层19和支撑基板20按此顺序层叠在光接收层15的基板2侧的表面(在下文中，也称为“表面S2”)上。同时，光接收层15的后表面S1与绝缘膜13的后表面为同一表面，因此在以下说明中，将绝缘膜13的后表面称为“后表面S1”。另外，光接收层15的表面S2与基板2的表面为同一表面，因此在以下说明中，将基板2的表面称为“表面S2”。
基板2由例如包含硅(Si)的半导体基板构成，并且如图1所示，形成像素区域3。如图2所示，在像素区域3中，形成在基板2上的多个光电转换单元21，即被构造为包括嵌入到基板2中的多个光电转换单元21的多个像素9以二维阵列状设置。在光电转换单元21中，产生与入射光22的光量相对应的信号电荷，并且累积所产生的信号电荷。
关于光电转换单元21，如图3A、图3B和图3C以及图4A、图4B和图4C所示，相邻的至少两个以上的光电转换单元21构成光电转换单元组23。在图3A、图3B和图3C中，示出了由四个光电转换单元21构成的光电转换单元组23。此外，在图4A、图4B和图4C中，示出了由两个光电转换单元21构成的光电转换单元组23。对图3A所示的彩色滤光片16和微透镜17执行稍后说明的瞳孔校正。在构成光电转换单元组23的光电转换单元21之间形成通过将杂质注入到基板2中而形成的杂质层24。作为杂质，例如，可以使用将光电转换单元21之间电气分离并使入射光22能够透过杂质层24的材料。例如，可以采用诸如磷、砷和硼等元素。
另外，在光电转换单元组23之间，形成从基板2的绝缘膜13侧的表面(在下文中，也称为“后表面S3”)沿深度方向形成的凹槽部25和被构造为包括填充到凹槽部25中的绝缘膜13的像素间遮光部26，从而光电转换单元组23彼此物理分离。
绝缘膜13连续地覆盖基板2的整个后表面S3侧(光接收表面侧的整体)。另外，遮光膜14以将多个光电转换单元组23中的各者的光接收表面在绝缘膜13的后表面S1侧的一部分(光接收表面侧的一部分)中开口的方式形成为格子形状。
彩色滤光片16被形成为在绝缘膜13的后表面S1侧(光接收表面侧)对应于各光电转换单元组23。因此，彩色滤光片16形成以二维阵列状规则地布置的彩色滤光片阵列27。各彩色滤光片16被构造为使诸如红色、绿色或蓝色等期望由光电转换单元组23接收的入射光22的特定波长透过。另外，彩色滤光片16使具有特定波长的入射光22透过，并且使透过的入射光22入射在基板2的光电转换单元21上。
另外，如图3A和图5A所示，对各彩色滤光片16执行所谓的瞳孔校正。在瞳孔校正中，从像素区域3(稍后说明的像素单元30)的中心部朝向像素区域3的外周部，当在平面图中观察时，相比与彩色滤光片16相对应的光电转换单元组23的中心，彩色滤光片16的中心部向像素区域3(像素单元30)的中心部侧偏移。与图3A所示的彩色滤光片16等相比，图5A示出了形成在像素区域3的外周部侧的彩色滤光片16等。通过对彩色滤光片16执行光瞳校正，在像素区域3(像素单元30)的外周部中，入射在光电转换单元21上的倾斜入射光22可以经由微透镜17透过彩色滤光片16。
微透镜17被形成为在彩色滤光片16的后表面S4侧(光接收表面侧)对应于各光电转换单元组23。即，针对多个光电转换单元组23中的一个光电转换单元组23形成一个微透镜17。因此，微透镜17形成以二维阵列状规则地布置的微透镜阵列28。各微透镜17被构造为聚集入射光22并将聚集的入射光22经由彩色滤光片16引导到多个光电转换单元21中的各者。
另外，如图3A和图5A所示，对各微透镜17执行所谓的瞳孔校正。在瞳孔校正中，从像素区域3(像素单元30)的中心部朝向像素区域3的外周部，当在平面图中观察时，相比与微透镜17相对应的光电转换单元组23的中心，微透镜17的中心部向像素区域3(像素单元30)的中心部侧偏移。通过对微透镜17执行光瞳校正，在像素区域3(像素单元30)的外周部中，入射在微透镜17上的倾斜入射光22可以入射在光电转换单元21上。
将包括一个光电转换单元组23和一个微透镜17的构造视为单位像素29，并且单位像素29以二维阵列状布置以构成像素单元30。
以此方式，当采用由相邻的至少两个以上的光电转换单元21(光电转换单元组23)共享一个微透镜17的结构时，在由同一光电转换单元组23中所包括的各个光电转换单元21产生的信号电荷之间存在差异。因此，在根据第一实施例的固态摄像装置1中，可以基于该差异来计算与被摄体之间的距离。
如图3A、图3B、图5A、图5B和图6所示，在微透镜17与基板2之间形成对应于各光电转换单元组23的光吸收层31。在图3A、图3B、图5A和图5B中，示出了形成在彩色滤光片16的微透镜17侧的表面上的光吸收层31。此外，在图6中，示出了形成为嵌入到彩色滤光片16的基板2侧的表面中的光吸收层31。各光吸收层31由能够吸收入射光22的材料形成。另外，光吸收层31的平面形状的面积小于彩色滤光片16的平面形状的面积，即，小于光电转换单元组23的平面形状的面积。通过使光吸收层31的平面形状的面积小于光电转换单元组23的平面形状的面积，如图3A所示，光吸收层31可以吸收通过微透镜17引导到光电转换单元组23的入射光22的一部分。在图3A中，由虚线表示通过微透镜17引导到光电转换单元组23的入射光22之中的在微透镜17的外周侧的入射光22的光路32。此外，在图3A中，由网点(halftone dot)表示入射光22由光吸收层31吸收并减弱的区域33。
在此，入射光22倾斜地入射在像素单元30的外周部上。因此，在未形成光吸收层31的情况下，如图7所示，入射在光电转换单元组23中的位于像素单元30的中心部侧的光电转换单元21(在下文中，也称为“中心侧光电转换单元21a”)上的入射光22透过杂质层24并入射在位于像素单元30的外周侧的光电转换单元21(在下文中，也称为“外周侧光电转换单元21b”)上。因此，由中心侧光电转换单元21a和外周侧光电转换单元21b产生的信号电荷之间的差异增大。因此，由同一光电转换单元组23中所包括的光电转换单元21(即两个以上的光电转换单元21，入射光22由同一微透镜17引导到该两个以上的光电转换单元21且具有相同波长(颜色)的光入射在该两个以上的光电转换单元21上)产生的信号电荷之间的差异(同色灵敏度差异)可能增大。结果，通过重排马赛克(remosaic)处理而获得的图像的质量可能劣化。
作为减小信号电荷之间的差异的方法，例如，还可以考虑通过像素间遮光部26将同一光电转换单元组23中所包括的光电转换单元21之间分离。然而，在通过像素间遮光部26分离光电转换单元21的情况下，入射光22在像素间遮光部26中散射，从而导致散射光有可能侵入到其他光电转换单元组23中所包括的光电转换单元21，并且发生光学混色。因此，由固态摄像装置1获得的图像的质量可能劣化。
另一方面，在根据第一实施例的固态摄像装置1中，由于设置有光吸收层31，因此可以采用其中吸收透过微透镜17的入射光22的一部分的构造，从而减小由同一光电转换单元组23中所包括的各个光电转换单元21产生的信号电荷之间的差异。例如，如图3A和图3B所示，通过在彩色滤光片16的中心部附近形成光吸收层31，可以减少直接入射在外周侧光电转换单元21b上的入射光22的光量，因此可以减小由中心侧光电转换单元21a和外周侧光电转换单元21b产生的信号电荷之间的差异。因此，可以抑制通过重排马赛克处理而获得的图像的质量的劣化。另外，例如，由于与使用像素间遮光部26的情况不同，不会发生入射光22的散射，因此可以防止光学混色。
另外，例如，如图8A所示，通过在比彩色滤光片16的中心部更靠近像素单元30的中心部侧形成光吸收层31，可以减少经由中心侧光电转换单元21a和杂质层24入射在外周侧光电转换单元21b上的入射光22的光量，因此可以减小由中心侧光电转换单元21a和外周侧光电转换单元21b产生的信号电荷之间的差异。
另外，如图3A、图3B、图5A和图5B所示，随着形成有光吸收层31的单位像素29与像素单元30的中心部之间的距离越远，当在平面图中观察时，光吸收层31相对于彩色滤光片16的位置变得越靠近像素单元30的中心部侧。图3A和图3B示出了光吸收层31与像素单元30的中心部之间的距离相对较近的情况。另外，图5A和图5B示出了光吸收层31与像素单元30的中心部之间的距离相对较远的情况。因此，在像素单元30的外周部中，可以更适当地吸收倾斜地入射在光电转换单元21上的入射光22之中的透过中心侧光电转换单元21a和杂质层24并入射在外周侧光电转换单元21b上的入射光22，并且可以减小由中心侧光电转换单元21a和外周侧光电转换单元21b产生的信号电荷之间的差异。
另外，如图3A、图3B、图5A和图5B所示，光吸收层31的平面形状是如下的预定形状：其中，随着形成有光吸收层31的单位像素29与像素单元30的中心部之间的距离越远，光吸收层31在与穿过单位像素29和像素单元30的中心部的线平行的方向上变得越长。图5A和图5B示出了在上述方向上比图3A和图3B所示的光吸收层31更长的光吸收层31。因此，在像素单元30的外周部中，可以更适当地吸收倾斜地入射在光电转换单元21上的入射光22之中的透过中心侧光电转换单元21a和杂质层24并入射在外周侧光电转换单元21b上的入射光22，并且可以减小由中心侧光电转换单元21a和外周侧光电转换单元21b产生的信号电荷之间的差异。
预定形状可以例如是如图3B、图5B和图8B所示的矩形形状，或如图9A和图9B所示的椭圆形形状。在使用矩形形状的情况下，可以使光吸收层31的形成更容易。另外，光由微透镜17聚集，并且光吸收层31设置在彩色滤光片16的具有最强光强度的中央部中，由此可以在抑制灵敏度降低的同时抑制同色灵敏度差异。在此，在像素区域3的外周部中产生的倾斜入射光22的剖面形状是椭圆形形状。因此，在将椭圆形形状用作预定形状的情况下，可以仅覆盖彩色滤光片16的具有最强光强度的中央部，并且可以使灵敏度的降低最小化。
另外，光吸收层31的厚度可以小于彩色滤光片16的厚度。通过减小光吸收层31的厚度，可以进一步减小微透镜17与光电转换单元21之间的距离，并且可以使根据第一实施例的固态摄像装置1进一步小型化。
另外，作为光吸收层31的材料，例如，可以使用与任意一种彩色滤光片16的材料相同的材料。通过使用相同的材料，可以使用例如用于形成彩色滤光片16的设备来形成光吸收层31，并且可以容易地形成光吸收层31。
在这种情况下，例如，如图3B所示，彩色滤光片16和形成在该彩色滤光片16中的光吸收层31可以由不同的材料形成。即，可以采用其中透过彩色滤光片16的光的波长区域和透过形成在该彩色滤光片16中的光吸收层31的光的波长区域不同的构造。通过这种构造，与透过彩色滤光片16的光的波长区域和透过光吸收层31的光的波长区域由相同材料形成的情况相比，可以提高光吸收层31吸收入射光22的功能。
另外，例如，如图10所示，彩色滤光片16和形成在该彩色滤光片16中的光吸收层31可以由相同的材料形成。即，可以采用其中透过彩色滤光片16的光的波长区域和透过形成在该彩色滤光片16中的光吸收层31的光的波长区域相同的构造。通过这种构成，可以在形成彩色滤光片16时形成光吸收层31，并且可以容易地形成光吸收层31。
配线层19形成在基板2的表面S2侧，并且被构造为包括隔着层间绝缘膜34层叠为多层(在图2中为三层)的配线35。经由形成在配线层19中的多层配线35来驱动构成像素9的像素晶体管。
支撑基板20形成在配线层19的与面向基板2的表面相反的一侧的表面上。支撑基板20是用于在固态摄像装置1的制造阶段中确保基板2的强度的基板。作为支撑基板20的材料，例如，可以使用硅(Si)。
在具有上述构造的固态摄像装置1中，从基板2的后表面侧(光接收层15的后表面S1侧)照射光，照射的光透过微透镜17和彩色滤光片16，并且透过的光由光电转换单元21进行光电转换，从而产生信号电荷。另外，所产生的信号电荷经由形成在基板2的表面S2侧的像素晶体管通过由配线35形成的图1所示的垂直信号线11而作为像素信号输出。
另外，可以基于所产生的信号电荷之中的由同一光电转换单元组23中所包括的各个光电转换单元21产生的信号电荷之间的差异来计算与被摄体之间的距离。
[1-3光吸收层的制造方法]
接下来，将说明根据第一实施例的固态摄像装置1的光吸收层31的制造方法。图11是示出包括通过本制造方法制造的光吸收层31的像素区域3的图。
图11示出了形成在彩色滤光片16的微透镜17侧的表面上的光吸收层31和形成在彩色滤光片16的基板2侧的表面上的光吸收层31混合的情况。另外，彩色滤光片16和形成在该彩色滤光片16中的光吸收层31由不同的材料形成。即，在使红色波长透过的彩色滤光片16(在图11中标记为“16R”)的基板2侧的表面上，形成使绿色波长透过的光吸收层31(在图11中标记为“31G”)，并且在使绿色波长透过的彩色滤光片16(在图11中标记为“16G”)的微透镜17侧的表面上，形成使蓝色波长透过的光吸收层31(在图11中标记为“31B”)。另外，虽然在图11中未示出，但是在使蓝色波长透过的彩色滤光片16的基板2侧的表面上，形成使绿色波长透过的彩色滤光片16G。另外，光吸收层31(31G、31B)的厚度与彩色滤光片16(16R、16G)的厚度相同。
在根据第一实施例的固态摄像装置1的光吸收层31的制造方法中，首先，(1)将使绿色波长透过的彩色滤光片抗蚀剂涂覆到光接收层15的整个后表面S1上。然后，(2)经由在用于形成使绿色波长透过的彩色滤光片16G和光吸收层31G的位置处形成孔的掩模，用UV灯照射彩色滤光片抗蚀剂，以将所涂覆的彩色滤光片抗蚀剂曝光。然后，(3)从光接收层15的后表面S1去除未曝光的彩色滤光片抗蚀剂。由此，如图12A所示，形成使绿色波长透过的彩色滤光片16G和光吸收层31G。
然后，使用使红色波长透过的彩色滤光片抗蚀剂来执行上述步骤(1)至(3)。由此，如图12B所示，形成使红色波长透过的彩色滤光片16R。然后，使用使蓝色波长透过的彩色滤光片抗蚀剂来执行上述步骤(1)至(3)。由此，形成使蓝色波长透过的彩色滤光片16和光吸收层31B(参见图12C)。以此方式，在形成彩色滤光片16时，同时形成由与彩色滤光片16相同的材料形成的光吸收层31，因此与形成光吸收层31的步骤是另一步骤的方法相比，可以减少步骤数量。
注意，如图3A等所示，在使光吸收层31的厚度小于彩色滤光片16的厚度的情况下，可以使用以下方法：在用于形成光吸收层31的位置处，减少彩色滤光片抗蚀剂的涂覆量，增加用于涂覆的旋涂机的转数以使彩色滤光片抗蚀剂较薄地延展，或降低材料的粘度。
如上所述，在根据第一实施例的固态摄像装置1中，设置有多个光吸收层31，这些光吸收层31形成在微透镜17与基板2之间，并且吸收由微透镜17引导到光电转换单元组23的入射光22的一部分。因此，例如，可以通过调整光吸收层31的图案形状和位置来控制入射在同一光电转换单元组23中所包括的光电转换单元21上的入射光22的光量，并且可以减小由光电转换单元21产生的信号电荷之间的差异(同色灵敏度差异)。结果，可以抑制通过重排马赛克处理而获得的图像的质量的劣化。另外，例如，由于与使用用于散射光的散射体和像素间遮光部26的情况不同，不会发生入射光22的散射，因此可以防止光学混色。结果，可以提供一种能够获得图像质量更高的图像的固态摄像装置1。
此外，在根据第一实施例的固态摄像装置1中，光吸收层31吸收已经透过微透镜17的入射光22的一部分，从而由同一光电转换单元组23中所包括的各个光电转换单元21产生的信号电荷之间的差异减小。因此，例如，可以减小同一光电转换单元组23中所包括的光电转换单元21之间的灵敏度差异。因此，可以进一步提高通过重排马赛克处理而获得的图像的质量。
[1-4变形例]
(1)在根据第一实施例的固态摄像装置1中，已经以光吸收层31的平面形状是矩形形状或椭圆形形状的情况为例进行了说明。然而，例如，如图13所示，可以采用其中光吸收层31的平面形状包括通过将光吸收层31设置在入射到杂质层24的微透镜17侧的表面(光接收表面)上的入射光22的光路上而形成的十字形状的结构。通过光吸收层31的平面形状包括十字形状的构造，可以防止入射在一个光电转换单元21上的倾斜入射光22透过杂质层24并入射在其他光电转换单元21上，并且可以减小同一光电转换单元组23中所包括的光电转换单元21之间的灵敏度差异。另外，还可以使光吸收层31的形成更容易。
(2)另外，例如，如图14所示，可以采用其中光吸收层31的平面形状包括通过将光吸收层31设置在入射到像素间遮光部26的微透镜17侧的表面(光接收表面)上的入射光22的光路上而形成的边框形状的构造。通过光吸收层31的平面形状包括边框形状的构造，可以防止入射光22入射在像素间遮光部26的微透镜17侧的表面上，防止入射光22由于像素间遮光部26而散射，并且防止由于散射的入射光22而在光电转换单元21的信号电荷中产生噪声(混色)。另外，还可以使光吸收层31的形成更容易。
另外，例如，如图15所示，可以采用其中光吸收层31的平面形状包括图13所示的十字形状和图14所示的边框形状组合的形状的构造。
<2.第二实施例：电子设备>
接下来，将说明根据本公开第二实施例的电子设备100。图16是根据本公开第二实施例的电子设备100的示意性构造图。
根据第二实施例的电子设备100包括固态摄像装置101、光学透镜102、快门装置103、驱动电路104和信号处理电路105。在根据第二实施例的电子设备100中，示出了在将根据本公开第一实施例的固态摄像装置1作为固态摄像装置101而用于电子设备(例如，相机)的情况下的实施例。
光学透镜102使来自被摄体的图像光(入射光106)在固态摄像装置101的摄像表面上成像。由此，在固态摄像装置101中在一定时段内累积信号电荷。快门装置103控制固态摄像装置101的光照射时段和遮光时段。驱动电路104供应用于控制固态摄像装置101的传输操作和快门装置103的快门操作的驱动信号。通过从驱动电路104供应的驱动信号(时序信号)，执行将信号传输到固态摄像装置101的操作。信号处理电路105对从固态摄像装置101输出的信号(像素信号)执行各种信号处理。经过信号处理的视频信号存储在诸如存储器等存储介质中，或输出到监视器。
注意，可以应用固态摄像装置1的电子设备100不限于相机，并且固态摄像装置1也可以应用到其他电子设备。固态摄像装置1可以应用到诸如移动电话或平板终端等移动设备的诸如相机模块等摄像装置。
此外，在第二实施例中，采用其中将根据第一实施例的固态摄像装置1作为固态摄像装置101而用于电子设备的构造，但是也可以采用其他构造。例如，可以在电子设备中使用根据变形例的固态摄像装置1。
注意，本技术还可以采用以下构造。
(1)一种固态摄像装置，其包括：
像素单元，其被构造为使得多个单位像素以二维阵列状设置，所述多个单位像素被构造为包括多个光电转换单元和多个微透镜，所述多个光电转换单元形成在基板上并产生与入射光的光量相对应的信号电荷，所述多个微透镜被构造为使得针对多个光电转换单元组之中的一个所述光电转换单元组形成一个所述微透镜，各所述光电转换单元组由相邻的至少两个以上的所述光电转换单元构成，所述光电转换单元之间通过杂质层彼此绝缘，并且所述多个微透镜将所述入射光引导到多个所述光电转换单元组中的各者；以及
多个光吸收层，其形成在所述微透镜与所述基板之间，并且吸收由所述微透镜引导到所述光电转换单元组的所述入射光的一部分。
(2)根据(1)所述的固态摄像装置，其中，所述光吸收层吸收已经透过所述微透镜的所述入射光的一部分，从而由同一所述光电转换单元组中所包括的各个所述光电转换单元产生的所述信号电荷之间的差异变小。
(3)根据(1)或(2)所述的固态摄像装置，其中，所述光吸收层的平面形状的面积小于所述光电转换单元组的平面形状的面积。
(4)根据(3)所述的固态摄像装置，其中，所述光吸收层的所述平面形状是如下的预定形状：其中，随着形成有所述光吸收层的所述单位像素与所述像素单元的中心部之间的距离越远，所述光吸收层在与穿过所述单位像素和所述像素单元的所述中心部的线平行的方向上变得越长。
(5)根据(4)所述的固态摄像装置，其中，所述平面形状是矩形形状。
(6)根据(4)所述的固态摄像装置，其中，所述平面形状是椭圆形形状。
(7)根据(1)至(3)中任一项所述的固态摄像装置，其中，所述光吸收层的平面形状包括通过将所述光吸收层设置在入射到所述杂质层的所述微透镜侧的表面上的所述入射光的光路上而形成的十字形状。
(8)根据(1)至(3)中任一项所述的固态摄像装置，其还包括：
像素间遮光部，其形成在所述光电转换单元组之间，
其中，所述光吸收层的平面形状包括通过将所述光吸收层设置在入射到所述像素间遮光部的所述微透镜侧的表面上的所述入射光的光路上而形成的边框形状。
(9)根据(1)至(8)中任一项所述的固态摄像装置，其还包括：
彩色滤光片，其设置在所述光电转换单元与所述微透镜之间，
其中，所述光吸收层形成在所述彩色滤光片的所述微透镜侧的表面上或所述彩色滤光片的所述基板侧的表面上，并且
所述光吸收层的材料是与任意一种所述彩色滤光片相同的材料。
(10)根据(9)所述的固态摄像装置，其中，所述彩色滤光片的材料与形成在该彩色滤光片中的所述光吸收层的材料相同。
(11)根据(9)所述的固态摄像装置，其中，所述彩色滤光片的材料与形成在该彩色滤光片中的所述光吸收层的材料不同。
(12)根据(9)至(11)中任一项所述的固态摄像装置，其中，所述光吸收层的厚度小于所述彩色滤光片的厚度。
(13)根据(9)至(12)中任一项所述的固态摄像装置，其中，随着形成有所述光吸收层的所述单位像素与所述像素单元的中心部之间的距离越远，当在平面图中观察时，所述光吸收层相对于所述彩色滤光片的位置变得越靠近所述像素单元的所述中心部侧。
(14)根据(1)至(13)中任一项所述的固态摄像装置，其中，所述微透镜被构造为使得，从所述像素单元的中心部朝向所述像素单元的外周部，当在平面图中观察时，相比与所述微透镜相对应的所述光电转换单元组的中心，所述微透镜的中心部向所述像素单元的所述中心部侧偏移。
(15)根据(1)至(14)中任一项所述的固态摄像装置，其还包括：
彩色滤光片，其设置在所述光电转换单元与所述微透镜之间，
其中，所述彩色滤光片被构造为使得，从所述像素单元的中心部朝向所述像素单元的外周部，当在平面图中观察时，相比与所述彩色滤光片相对应的所述光电转换单元组的中心，所述彩色滤光片的中心部向所述像素单元的所述中心部侧偏移。
(16)一种电子设备，其包括：
固态摄像装置，其包括像素单元和多个光吸收层，所述像素单元被构造为使得多个单位像素以二维阵列状设置，所述多个单位像素被构造为包括多个光电转换单元和多个微透镜，所述多个光电转换单元形成在基板上并产生与入射光的光量相对应的信号电荷，所述多个微透镜被构造为使得针对多个光电转换单元组之中的一个所述光电转换单元组形成一个所述微透镜，各所述光电转换单元组由相邻的至少两个以上的所述光电转换单元构成，所述光电转换单元之间通过杂质层彼此绝缘，所述多个微透镜将所述入射光引导到多个所述光电转换单元组中的各者，所述多个光吸收层形成在所述微透镜与所述基板之间并且吸收由所述微透镜引导到所述光电转换单元组的所述入射光的一部分；
光学透镜，其使来自被摄体的图像光在所述固态摄像装置的摄像表面上成像；以及
信号处理电路，其对从所述固态摄像装置输出的信号执行信号处理。
附图标记列表
1 固态摄像装置
2 基板
3 像素区域
4 垂直驱动电路
5 列信号处理电路
6 水平驱动电路
7 输出电路
8 控制电路
9 像素
10 像素驱动线
11 垂直信号线
12 水平信号线
13 绝缘膜
14 遮光膜
15 光接收层
16 彩色滤光片
17 微透镜
18 集光层
19 配线层
20 支撑基板
21 光电转换单元
21a 中心侧光电转换单元
21b 外周侧光电转换单元
22 入射光
23 光电转换单元组
24 杂质层
25 凹槽部
26 像素间遮光部
27 彩色滤光片阵列
28 微透镜阵列
29 单位像素
30 像素单元
31 光吸收层
32 光路
33 区域
34 层间绝缘膜
35 配线
100 电子设备
101 固态摄像装置
102 光学透镜
103 快门装置
104 驱动电路
105 信号处理电路
106 入射光

Claims (16)

1.一种固态摄像装置，其包括：
像素单元，其被构造为使得多个单位像素以二维阵列状设置，所述多个单位像素被构造为包括多个光电转换单元和多个微透镜，所述多个光电转换单元形成在基板上并产生与入射光的光量相对应的信号电荷，所述多个微透镜被构造为使得针对多个光电转换单元组之中的一个所述光电转换单元组形成一个所述微透镜，各所述光电转换单元组由相邻的至少两个以上的所述光电转换单元构成，所述光电转换单元之间通过杂质层彼此绝缘，并且所述多个微透镜将所述入射光引导到多个所述光电转换单元组中的各者；以及
多个光吸收层，其形成在所述微透镜与所述基板之间，并且吸收由所述微透镜引导到所述光电转换单元组的所述入射光的一部分。
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，所述光吸收层吸收已经透过所述微透镜的所述入射光的一部分，从而由同一所述光电转换单元组中所包括的各个所述光电转换单元产生的所述信号电荷之间的差异变小。
3.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，所述光吸收层的平面形状的面积小于所述光电转换单元组的平面形状的面积。
4.根据权利要求3所述的固态摄像装置，其中，所述光吸收层的所述平面形状是如下的预定形状：其中，随着形成有所述光吸收层的所述单位像素与所述像素单元的中心部之间的距离越远，所述光吸收层在与穿过所述单位像素和所述像素单元的所述中心部的线平行的方向上变得越长。
5.根据权利要求4所述的固态摄像装置，其中，所述平面形状是矩形形状。
6.根据权利要求4所述的固态摄像装置，其中，所述平面形状是椭圆形形状。
7.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，所述光吸收层的平面形状包括通过将所述光吸收层设置在入射到所述杂质层的所述微透镜侧的表面上的所述入射光的光路上而形成的十字形状。
8.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其还包括：
像素间遮光部，其形成在所述光电转换单元组之间，
其中，所述光吸收层的平面形状包括通过将所述光吸收层设置在入射到所述像素间遮光部的所述微透镜侧的表面上的所述入射光的光路上而形成的边框形状。
9.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其还包括：
彩色滤光片，其设置在所述光电转换单元与所述微透镜之间，
其中，所述光吸收层形成在所述彩色滤光片的所述微透镜侧的表面上或所述彩色滤光片的所述基板侧的表面上，并且
所述光吸收层的材料是与任意一种所述彩色滤光片相同的材料。
10.根据权利要求9所述的固态摄像装置，其中，所述彩色滤光片的材料与形成在该彩色滤光片中的所述光吸收层的材料相同。
11.根据权利要求9所述的固态摄像装置，其中，所述彩色滤光片的材料与形成在该彩色滤光片中的所述光吸收层的材料不同。
12.根据权利要求9所述的固态摄像装置，其中，所述光吸收层的厚度小于所述彩色滤光片的厚度。
13.根据权利要求9所述的固态摄像装置，其中，随着形成有所述光吸收层的所述单位像素与所述像素单元的中心部之间的距离越远，当在平面图中观察时，所述光吸收层相对于所述彩色滤光片的位置变得越靠近所述像素单元的所述中心部侧。
14.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，所述微透镜被构造为使得，从所述像素单元的中心部朝向所述像素单元的外周部，当在平面图中观察时，相比与所述微透镜相对应的所述光电转换单元组的中心，所述微透镜的中心部向所述像素单元的所述中心部侧偏移。
15.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其还包括：
彩色滤光片，其设置在所述光电转换单元与所述微透镜之间，
其中，所述彩色滤光片被构造为使得，从所述像素单元的中心部朝向所述像素单元的外周部，当在平面图中观察时，相比与所述彩色滤光片相对应的所述光电转换单元组的中心，所述彩色滤光片的中心部向所述像素单元的所述中心部侧偏移。
16.一种电子设备，其包括：
固态摄像装置，其包括像素单元和多个光吸收层，所述像素单元被构造为使得多个单位像素以二维阵列状设置，所述多个单位像素被构造为包括多个光电转换单元和多个微透镜，所述多个光电转换单元形成在基板上并产生与入射光的光量相对应的信号电荷，所述多个微透镜被构造为使得针对多个光电转换单元组之中的一个所述光电转换单元组形成一个所述微透镜，各所述光电转换单元组由相邻的至少两个以上的所述光电转换单元构成，所述光电转换单元之间通过杂质层彼此绝缘，所述多个微透镜将所述入射光引导到多个所述光电转换单元组中的各者，所述多个光吸收层形成在所述微透镜与所述基板之间并且吸收由所述微透镜引导到所述光电转换单元组的所述入射光的一部分；
光学透镜，其使来自被摄体的图像光在所述固态摄像装置的摄像表面上成像；以及
信号处理电路，其对从所述固态摄像装置输出的信号执行信号处理。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002026304A (ja) * 2000-07-03 2002-01-25 Sony Corp 固体撮像素子
JP4682504B2 (ja) * 2002-09-20 2011-05-11 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2006237315A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
JP2013157442A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Nikon Corp 撮像素子および焦点検出装置
JP5750394B2 (ja) * 2012-03-30 2015-07-22 富士フイルム株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
JP2015060855A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP2019175912A (ja) * 2018-03-27 2019-10-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、及び、画像処理システム

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