CN114388586A - 显示设备 - Google Patents

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朴熙敏
李濬九
郭惠珍
金载益
朴正善
李娟和
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Abstract

显示设备包括：衬底，在衬底上限定用于显示图像的像素区域和用于透射外部光的透射区域；晶体管，在像素区域中设置在衬底上；第一电极，在像素区域中设置在晶体管上并且电连接到晶体管；像素限定层，暴露第一电极的至少一部分；发射层，在像素区域中设置在第一电极上；表面控制层，在透射区域中设置在衬底上；至少一个坝部，设置在像素区域和透射区域之间并围绕表面控制层；以及第二电极，设置在发射层上。

Description

显示设备
技术领域
本发明的实施方式大体涉及显示设备，并且更具体地，涉及包括透射区域的显示设备。
背景技术
显示设备可以通过基于图像数据生成图像来向用户提供视觉信息。显示设备可以包括透射入射到显示设备上的外部光的透射区域。设置在显示设备的后表面上的功能模块(例如，相机模块、传感器模块等)可以通过透射区域来检测或识别位于显示设备的前表面上的对象、用户等。
显示设备可以包括发射光以显示图像的发光元件和覆盖发光元件的封装层。封装层可以通过防止杂质从外部流入和渗入显示设备来保护发光元件。当杂质从外部流入发光元件中时，发光元件可能劣化或可能发生像素皱缩。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景，且因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人发现，当制造具有像素区域和透射区域的显示设备时，杂质可能容易地通过透射区域流入和渗透到像素区域中的发光元件中，使得发光元件的效率和寿命劣化或降低。
根据本发明的原理构造的具有像素区域和透射区域的显示设备能够通过提供设置在像素区域和透射区域之间的至少一个坝部来增加和改善显示设备的发光元件的效率和寿命。
本发明构思的其它特征将在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本发明构思的实践来获知。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：衬底，在衬底上限定用于显示图像的像素区域和用于透射外部光的透射区域；晶体管，在像素区域中设置在衬底上；第一电极，在像素区域中设置在晶体管上并且电连接到晶体管；像素限定层，暴露第一电极的至少一部分；发射层，在像素区域中设置在第一电极上；表面控制层，在透射区域中设置在衬底上；至少一个坝部，设置在像素区域和透射区域之间并围绕表面控制层；以及第二电极，设置在发射层上。
至少一个坝部在剖视图中可以具有梯形形状。
所述至少一个坝部在剖视图中可以具有倒梯形形状。
所述至少一个坝部可包括第一坝部和与所述第一坝部间隔开的第二坝部。
所述至少一个坝部可包括聚酰亚胺、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、钼、铜、氧化铝和氧化钛中的至少一种。
至少一个坝部由与像素限定层的材料相同的材料形成。
显示设备还可以包括：第一通孔绝缘层，在像素区域中设置在晶体管和第一电极之间；第二通孔绝缘层，在像素区域中设置在第一通孔绝缘层和第一电极之间；以及连接电极，在像素区域中设置在第一通孔绝缘层和第二通孔绝缘层之间，并且连接晶体管和第一电极。
所述至少一个坝部可以由与所述第一通孔绝缘层和所述第二通孔绝缘层中的至少一个的材料相同的材料形成。
第二电极可以不与表面控制层重叠。
显示设备还可以包括中间层，中间层设置在像素区域中的第一电极和像素限定层上、透射区域中的衬底上以及至少一个坝部上，中间层包括发射层和至少一个公共层。
中间层还可以包括设置在像素区域中的公共层上的电子注入层。
电子注入层可以不与表面控制层重叠。
所述至少一个公共层可以包括：第一公共层，设置在所述像素区域中的所述第一电极和所述像素限定层上、设置在所述透射区域中的所述衬底上并且设置在所述至少一个坝部上；以及第二公共层，设置在所述第一公共层上。
发射层可以设置在第一公共层和第二公共层之间，并且可以与第一电极重叠。
显示设备还可以包括在像素区域中设置在第二电极上并且在透射区域中设置在表面控制层上的覆盖层。
至少一个坝部的厚度可以大于第一公共层的厚度、第二公共层的厚度、表面控制层的厚度和覆盖层的厚度之和。
显示设备还可包括设置在表面控制层上并由与第二电极的材料相同的材料形成的团聚颗粒。
表面控制层可以包括氟化合物。
氟化合物可以包括二氟亚甲基、三氟甲基和氟硅烷中的至少一种。
第二电极可以包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、锂(Li)、钙(Ca)、铟(In)和镱(Yb)中的至少一种。
显示设备还可以包括在像素区域中设置在第二电极上并且在透射区域中设置在表面控制层上的封装层。
封装层可以包括：第一无机封装层；设置在第一无机封装层上的有机封装层；以及设置在有机封装层上的第二无机封装层。
第一无机封装层可以覆盖至少一个坝部。
根据另外的一个或多个实施方式，显示设备包括：衬底，在所述衬底上限定用于显示图像的像素区域和用于透射外部光的透射区域；发光元件，设置在所述像素区域中，所述发光元件包括：第一电极，在所述像素区域中设置在所述衬底上；第二电极，设置为面对所述第一电极；以及中间层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括与所述第一电极接触的第一层和与所述第二电极接触的第二层；至少一个坝部，围绕所述透射区域；以及表面控制层，在所述透射区域中设置在所述衬底上，其中：所述中间层的所述第一层从所述像素区域延伸以覆盖所述至少一个坝部并且与所述透射区域中的所述表面控制层重叠，以及所述中间层的所述第二层从所述像素区域延伸以覆盖所述至少一个坝部，并且不与所述透射区域中的所述表面控制层重叠。
中间层的第一层可以包括公共层，并且中间层的第二层可以包括电子注入层。
应当理解，前面的概括性描述和下面的详细描述两者都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图示出了本发明的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明构思，其中，附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被结合在本说明书中并且构成本说明书的一部分。
图1是根据本发明的原理构造的显示设备的实施方式的一部分的平面图。
图2是图1的显示设备的第一区域的平面图。
图3是图1的显示设备的第二区域的平面图。
图4是沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
图5是图4的坝部、表面控制层和第二电极的平面图。
图6和图7是图4的区域II的示例的剖视图。
图8是图1的显示设备的另一个实施方式的剖视图。
图9是图1的显示设备的另一个实施方式的剖视图。
图10是图1的显示设备的另一个实施方式的剖视图。
图11是图1的显示设备的另一个实施方式的剖视图。
图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18和图19是示出根据本发明原理的制造显示设备的方法的实施方式的图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对本发明的各种实施方式或实施例的透彻理解。如本文所使用的，“实施方式”和“实施例”是可互换的词，它们是采用本文所公开的发明构思中的一个或多个的设备或方法的非限制性示例。然而，显然，可以在没有这些具体细节的情况下或通过一个或多个等效布置来实践各种实施方式。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和设备，以避免不必要地模糊各种实施方式。此外，各种实施方式可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不背离本发明构思的情况下，实施方式的特定形状、配置和特性可以在另一个实施方式中使用或实现。
除非另有说明，否则所说明的实施方式应被理解为提供在实践中可实施本发明构思的一些方式的不同细节的说明性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本发明构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中单独或统称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
在附图中交叉影线和/或阴影的使用通常用于使相邻元件之间的边界变得清楚。因此，除非另有说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示出的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当实施方式可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。同样，相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称为在另一个元件或层上、连接到或联接到另一个元件或层时，它可以直接在另一个元件或层上、直接连接到或直接联接到另一个元件或层，或者可以存在介于中间的元件或层。然而，当元件或层被称为直接在另一个元件或层上、直接连接到或直接联接到另一个元件或层时，不存在介于中间的元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有介于中间的元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和所有组合。
尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
出于描述的目的，在本文中可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“高于”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一个元件(多个元件)的关系。除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果附图中的设备翻转，则被描述为在其它元件或特征下方或下面的元件将随之定向为在其它元件或特征上方。因此，术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两种取向。此外，装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且因此，本文使用的空间相对描述语应被相应地解释。
本文所使用的术语用于描述特定实施方式的目的，而不旨在进行限制。除非上下文另外清楚地指示，否则如本文所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式。此外，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。还应注意，如本文所使用的，术语“基本”、“约”和其它类似术语用作近似的术语，而不用作程度的术语，且因此，用于为会由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差留出余量。如本文所使用的，术语“在平面图中”用于描述从垂直于包含元件的衬底或平面的点的视图。
本文参考作为理想化实施方式和/或中间结构的示意图的截面图和/或分解图来描述各种实施方式。这样，应预期到由例如制造技术和/或公差导致的与图示的形状的偏差。因此，本文公开的实施方式不应一定被解释为限于具体示出的区域形状，而是应包括由例如制造导致的形状的偏差。以这种方式，在附图中所示的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映设备的区域的实际形状，且因此，不一定旨在进行限制。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语，诸如在常用词典中定义的术语，应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化的或过于形式化的含义来解释，除非本文明确地如此定义。
在下文中，将参考图1、图2、图3、图4、图5、图6和图7描述根据实施方式的显示设备。
图1是示出根据实施方式的显示设备的一部分的平面图。
参考图1，根据实施方式的显示设备100可以包括第一区域A1和第二区域A2。第一区域A1和第二区域A2中的每一个可以是用于显示图像的显示区域。第一区域A1可以包括透射外部光的透射区域。因为第一区域A1包括透射区域，所以第一区域A1的透射率可以大于第二区域A2的透射率。换句话说，第二区域A2的透射率可以小于第一区域A1的透射率。第一区域A1可以在显示图像的同时透射入射到第一区域A1中的外部光。
第一区域A1和第二区域A2可以定位成彼此相邻。在实施方式中，第二区域A2可以围绕第一区域A1的至少一部分。例如，在平面图中，第一区域A1可以设置在显示设备100内部以与显示设备100的边缘间隔开，并且第二区域A2可以完全围绕第一区域A1。
在实施方式中，第一区域A1在平面图中可以具有圆形形状。然而，实施方式不限于此，并且在另一实施方式中，第一区域A1在平面图中可以具有各种多边形形状。
功能模块300可以设置在显示设备100的后表面上。在平面图中，功能模块300可以设置在第一区域A1中。功能模块300可以接收通过第一区域A1的外部光。
在实施方式中，功能模块300可以包括：相机模块，用于拍摄或生成位于显示设备100的前表面上的对象的图像；面部识别传感器模块，用于检测用户的面部；瞳孔识别传感器，用于检测用户的眼睛；加速度传感器模块和地磁传感器模块，用于确定显示设备100的运动；接近传感器模块和红外传感器模块，用于检测显示设备100的前表面是否闭合；以及亮度传感器模块，用于测量外部亮度的程度等。
图2是示出图1中的第一区域A1的平面图。图3是示出图1中的第二区域A2的平面图。
参考图1、图2和图3，第一区域A1可以包括第一像素区域PA1、透射区域TA和第一围绕区域SA1，并且第二区域A2可以包括第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2。第一像素区域PA1和第二像素区域PA2中的每一个可以是其中布置有像素并且从其中发射从每个像素产生的光的区域。例如，第一围绕区域SA1可以例如在平面图中围绕第一像素区域PA1和透射区域TA。例如，在平面图中，第二围绕区域SA2可以围绕第二像素区域PA2。
第一像素区域PA1可以包括发射具有不同颜色的光的多个第一子像素区域SRA1、SGA1和SBA1，并且第二像素区域PA2可以包括发射具有不同颜色的光的多个第二子像素区域SRA2、SGA2和SBA2。在实施方式中，第一子像素区域SRA1、SGA1和SBA1可以包括发射红光的第一红色像素区域SRA1、发射绿光的第一绿色像素区域SGA1和发射蓝光的第一蓝色像素区域SBA1，并且第二子像素区域SRA2、SGA2和SBA2可以包括发射红光的第二红色像素区域SRA2、发射绿光的第二绿色像素区域SGA2和发射蓝光的第二蓝色像素区域SBA2。
透射区域TA可以是透射入射到显示设备100中的外部光的区域。由于第一区域A1包括透射外部光的透射区域TA，因此设置在显示设备100的与第一区域A1对应的后表面上的功能模块300可以通过透射区域TA来检测或识别位于显示设备100的前表面上的对象或用户。第一围绕区域SA1可以围绕第一像素区域PA1和透射区域TA。第二围绕区域SA2可以围绕第二像素区域PA2。第一围绕区域SA1和第二围绕区域SA2中的每一个可以是不发光并且不透射外部光的区域。
由于第一区域A1包括透射区域TA，因此每单位面积的第一子像素区域SRA1、SGA1和SBA1的数量可以小于每单位面积的第二子像素区域SRA2、SGA2和SBA2的数量。换句话说，第一区域A1的分辨率可以小于第二区域A2的分辨率。
在实施方式中，第一子像素区域SRA1、SGA1和SBA1的布置结构可以不同于第二子像素区域SRA2、SGA2和SBA2的布置结构。例如，第一子像素区域SRA1、SGA1和SBA1可以以条纹方式布置，并且第二子像素区域SRA2、SGA2和SBA2可以以
Figure BDA0003301660730000091
方式布置。例如，第一像素区域PA1可以包括一个第一红色像素区域SRA1、一个第一绿色像素区域SGA1和一个第一蓝色像素区域SBA1。第二像素区域PA2可以包括一个第二红色像素区域SRA2、两个第二绿色像素区域SGA2和一个第二蓝色像素区域SBA2。然而，实施方式不限于此，且在另一实施方式中，第一子像素区域SRA1、SGA1和SBA1的布置结构可大体上与第二子像素区域SRA2、SGA2和SBA2的布置结构相同。例如，第一子像素区域SRA1、SGA1和SBA1以及第二子像素区域SRA2、SGA2和SBA2中的每一个可以以
Figure BDA0003301660730000092
方式排列。
在平面图中，透射区域TA可以具有各种形状。在实施方式中，如图2所示，透射区域TA在平面图中可以具有圆形形状。然而，实施方式不限于此，并且在另一实施方式中，在平面图中，透射区域TA可以具有八边形形状、十六边形形状等。
图4是示出沿着图2中的线I-I'截取的显示设备100的剖视图。图5是示出图4中的坝部、表面控制层和第二电极的平面图。
第二区域A2的第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2的横截面结构可以分别与第一区域A1的第一像素区域PA1和第一围绕区域SA1的横截面结构基本相同或相似。因此，为了便于描述，描述将集中在第一区域A1上。
参考图2、图3、图4和图5，显示设备100可以包括衬底110、有源层120、多个导电层140、161、162和190、多个无机绝缘层130、150和170、多个有机绝缘层180和200、第一电极210、像素限定层220、中间层230、表面控制层240、第二电极250、覆盖层260和封装层270。
衬底110可以是透明绝缘衬底。例如，衬底110可以由玻璃、石英、塑料等形成。
位于彼此不同的层中的有源层120和导电层140、161、162和190可以设置在衬底110上。导电层140、161、162和190可以包括栅电极140、源电极161、漏电极162和连接电极190。有源层120以及导电层140、161、162和190可以设置在第一像素区域PA1、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中。
在有源层120与导电层140、161、162和190之间进行绝缘的无机绝缘层130、150和170以及有机绝缘层180和200可以设置在衬底110上。无机绝缘层130、150和170可以包括栅极绝缘层130、层间绝缘层150和钝化层170。有机绝缘层180和200可以包括第一通孔绝缘层180和第二通孔绝缘层200。
有源层120可以设置在衬底110上。有源层120可以由非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等形成。有源层120可以包括源电极区、漏电极区和设置在源电极区和漏电极区之间的沟道区。P型或N型杂质可以掺杂在源电极区和漏电极区中。
栅极绝缘层130可以设置在有源层120上。栅极绝缘层130可以覆盖衬底110上的有源层120。栅极绝缘层130可使栅电极140与有源层120绝缘。栅极绝缘层130可以由诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料形成。
在实施方式中，栅极绝缘层130可以设置在第一像素区域PA1、透射区域TA、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中。然而，实施方式不限于此，且栅极绝缘层130可设置在第一像素区域PA1、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中，且可不设置在透射区域TA中。
栅电极140可以设置在栅极绝缘层130上。栅电极140可以与有源层120的沟道区重叠。栅电极140可以由诸如金属、金属的合金等的导电材料形成。例如，栅电极140可以由钼(Mo)、铜(Cu)等形成。
层间绝缘层150可以设置在栅电极140上。层间绝缘层150可以覆盖栅极绝缘层130上的栅电极140。层间绝缘层150可以使源电极161和漏电极162与栅电极140绝缘。层间绝缘层150可以由诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料形成。
在实施方式中，层间绝缘层150可以设置在第一像素区域PA1、透射区域TA、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中。然而，实施方式不限于此，并且层间绝缘层150可以设置在第一像素区域PA1、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中，并且可以不设置在透射区域TA中。
源电极161和漏电极162可以设置在层间绝缘层150上。源电极161可以连接到有源层120的源电极区，且漏电极162可以连接到有源层120的漏电极区。源电极161和漏电极162可以由诸如金属、金属的合金等的导电材料形成。例如，源电极161和漏电极162可以由铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)等形成。有源层120、栅电极140、源电极161和漏电极162可以构成晶体管TR。晶体管TR可以设置在第一像素区域PA1和第二像素区域PA2中。
钝化层170可以设置在源电极161和漏电极162上。钝化层170可以覆盖层间绝缘层150上的源电极161和漏电极162。钝化层170可以保护晶体管TR。钝化层170可以由诸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘材料形成。
在实施方式中，钝化层170可以设置在第一像素区域PA1、透射区域TA、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中。然而，实施方式不限于此，钝化层170可以设置在第一像素区域PA1、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中，并且可以不设置在透射区域TA中。
第一通孔绝缘层180可以设置在钝化层170上。第一通孔绝缘层180可以在晶体管TR之上提供平坦化的表面。第一通孔绝缘层180可以由诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料形成。第一通孔绝缘层180可以设置在第一像素区域PA1、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中，并且可以不设置在透射区域TA中。
连接电极190可以设置在第一通孔绝缘层180上。连接电极190可以连接到漏电极162。连接电极190可以由诸如金属、金属的合金等的导电材料形成。例如，连接电极190可以由铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)等形成。
第二通孔绝缘层200可以设置在连接电极190上。第二通孔绝缘层200可以覆盖第一通孔绝缘层180上的连接电极190。第二通孔绝缘层200可以由诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料形成。第二通孔绝缘层200可以设置在第一像素区域PA1、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中，并且可以不设置在透射区域TA中。
第一电极210可以设置在第二通孔绝缘层200上。第一电极210可以连接到连接电极190。换句话说，连接电极190可以连接晶体管TR和第一电极210。第一电极210可以设置在第一像素区域PA1和第二像素区域PA2中。第一电极210可以由诸如金属、透明导电氧化物等的导电材料形成。
像素限定层220可以设置在第一电极210上。像素限定层220可以包括暴露第一电极210的至少一部分(例如，中央部分)的像素开口，以限定第一像素区域PA1和第二像素区域PA2。此外，像素限定层220可以将第二电极250与第一电极210的边缘隔开，以防止在第一电极210的边缘和第二电极250之间发生电弧等。像素限定层220可以由诸如聚酰亚胺(PI)等的有机绝缘材料形成。像素限定层220可以设置在第一围绕区域SA1和第二围绕区域SA2中，并且可以不设置在第一像素区域PA1、透射区域TA和第二像素区域PA2中。
可以在钝化层170上在第一像素区域PA1和透射区域TA之间设置至少一个坝部DM。例如，坝部DM可以设置在透射区域TA和第一围绕区域SA1之间的边界处。在平面图中，坝部DM可以围绕透射区域TA。此外，第一围绕区域SA1可以在平面图中围绕坝部DM。在实施方式中，坝部DM可以具有单层结构。
坝部DM可以包括能够抑制或防止湿气渗透的材料。在实施方式中，坝部DM可以包括聚酰亚胺(PI)、氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)、氮氧化硅(SiOXNY)、钼(Mo)、铜(Cu)、氧化铝(AlOX)和氧化钛(TiOX)中的至少一种。
在实施方式中，坝部DM可以包括与像素限定层220的材料基本相同的材料。在这样的实施方式中，坝部DM可以与像素限定层220基本同时形成。
中间层230可以在第一像素区域PA1和第二像素区域PA2中设置在第一电极210上、在第一围绕区域SA1和第二围绕区域SA2中设置在像素限定层220上、在透射区域TA中设置在钝化层170上并且设置在坝部DM上。中间层230可以包括发射层232和至少一个公共层。在实施方式中，中间层230可以包括第一公共层231、发射层232、第二公共层233和电子注入层234。
第一公共层231可以在第一像素区域PA1和第二像素区域PA2中设置在第一电极210上、在第一围绕区域SA1和第二围绕区域SA2中设置在像素限定层220上、在透射区域TA中设置在钝化层170上并且设置在坝部DM上。第一公共层231可以具有单层结构或多层结构。第一公共层231可以包括空穴注入层和/或空穴传输层。第一公共层231还可以包括除空穴注入层和空穴传输层之外的功能层。
发射层232可以设置在第一公共层231上。发射层232可以与第一电极210重叠。发射层232可以设置在第一像素区域PA1和第二像素区域PA2中，并且可以不设置在透射区域TA、第一围绕区域SA1和第二围绕区域SA2中。发射层232可以包括有机发光材料和量子点中的至少一种。
在实施方式中，有机发光材料可以包括低分子有机化合物或高分子量有机化合物。例如，低分子有机化合物可以包括铜酞菁、N,N'-二苯基联苯胺、三-(8-羟基喹啉)铝等。高分子有机化合物可以包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)、聚苯胺、聚对苯撑乙烯、聚芴等。
在实施方式中，量子点可以包括包含II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合的核。在实施方式中，量子点可以具有包括核和包围核的壳的核-壳结构。壳可以防止核的化学变性，从而用作用于保持半导体特性的保护层和用于向量子点赋予电泳特性的充电层。
第二公共层233可以设置在第一公共层231和发射层232上。第二公共层233可以具有单层结构或多层结构。第二公共层233可以包括电子传输层。第二公共层233还可以包括除电子传输层之外的功能层。第二公共层233可以设置在第一像素区域PA1、透射区域TA、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中。
表面控制层240可以在透射区域TA中设置在中间层230上。表面控制层240可以设置在透射区域TA中，并且可以不设置在第一像素区域PA1、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中。
表面控制层240可以包括氟(F)化合物。在实施方式中，氟化合物可以包括二氟亚甲基、三氟甲基和氟硅烷中的至少一种。例如，表面控制层240可以是通过用氟(F)化合物处理而形成的低表面张力层或防污层。
在实施方式中，表面控制层240的表面张力在室温下可以大于0mJ/m2并且小于或等于约30mJ/m2。由于表面控制层240具有上述范围(即，约0mJ/m2至约30mJ/m2)的表面张力，电子注入层234和表面控制层240之间的粘附性可以小于电子注入层234和第二公共层233之间的粘附性，并且第二电极250和表面控制层240之间的粘附性可以小于第二电极250和第二公共层233之间的粘附性。
电子注入层234可以设置在第二公共层233上。电子注入层234可以设置在第一像素区域PA1、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中，但可以不设置在透射区域TA中。
在实施方式中，电子注入层234可以不与表面控制层240重叠。由于电子注入层234不与表面控制层240重叠，电子注入层234可以不设置在透射区域TA中。
电子注入层234可以通过金属自图案化方法形成。具体地，当在第二公共层233上形成表面控制层240之后，在第二公共层233上形成电子注入层234时，由于电子注入层234和表面控制层240之间的相对低的粘附性，可以仅在第二公共层233的其上没有形成表面控制层240的部分上形成电子注入层234。例如，图案化的电子注入层234可以在没有额外的图案化工艺的情况下形成。
第二电极250可以设置在中间层230上。第二电极250可以与第一电极210相对，并且中间层230可以在第一电极210和第二电极250之间。第二电极250可以设置在第一像素区域PA1、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中，并且可以不设置在透射区域TA中。
在实施方式中，第二电极250可以包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、锂(Li)、钙(Ca)、铟(In)和镱(Yb)中的至少一种。第一电极210、中间层230和第二电极250可以构成发光元件EL。发光元件EL可以设置在第一像素区域PA1和第二像素区域PA2中。
在实施方式中，第二电极250可以不与表面控制层240重叠。由于第二电极250不与表面控制层240重叠，因此第二电极250可以不设置在透射区域TA中。
第二电极250可以通过金属自图案化方法形成。具体地，当在第二公共层233上形成表面控制层240之后，在电子注入层234上形成第二电极250时，可以仅在第二公共层233的一部分上形成第二电极250，在该部分上没有通过第二电极250和表面控制层240之间的相对低的粘附性形成表面控制层240。例如，图案化的第二电极250可以在没有额外的图案化工艺的情况下形成。
坝部DM可以在平面图中围绕表面控制层240。此外，在平面图中，第二电极250可以围绕坝部DM。在实施方式中，当表面控制层240在平面图中具有圆形形状时，坝部DM可以在平面图中具有围绕表面控制层240的闭合形状(例如，圆环形状、多边形或椭圆形)。
覆盖层260可以在透射区域TA中设置在表面控制层240上并且在第一像素区域PA1、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2中设置在第二电极250上。覆盖层260可以保护发光元件EL，并且可以用于提高从发光元件EL发射的光的效率。覆盖层260可以包括有机材料a-NPD、NPB、TPD、m-MTDARA、Alq3、CuPc等和/或无机材料LiF、MgF2、CaF2等。
封装层270可以设置在覆盖层260上。封装层270可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
封装层270可以设置在发光元件EL上，可以防止杂质从外部流入或渗透到发光元件EL中，并且可以保护发光元件EL免受外部冲击。封装层270可以具有遍及第一像素区域PA1、透射区域TA、第一围绕区域SA1、第二像素区域PA2和第二围绕区域SA2的平坦化上表面。
在实施方式中，封装层270可以包括设置在覆盖层260上的第一无机封装层271、设置在第一无机封装层271上的有机封装层272以及设置在有机封装层272上的第二无机封装层273。第一无机封装层271和第二无机封装层273可以减少或基本阻止诸如氧气、湿气等的杂质流入或渗透到发光元件EL中。有机封装层272可以改善封装层270的密封特性，可以减轻或减小第一无机封装层271和第二无机封装层273的内部应力，可以补偿第一无机封装层271和第二无机封装层273的缺陷，并且可以向第二无机封装层273提供平坦的上表面。
第一无机封装层271可覆盖坝部DM。坝部DM的下部可接触钝化层170，并且坝部DM的上表面可接触第一公共层231。坝部DM可以防止包括在表面控制层240中的氟(F)从设置在透射区域TA中的表面控制层240流入或渗透到设置在第一像素区域PA1中的发光元件EL中。因此，坝部DM可以防止由于氟(F)引起的发光元件EL的劣化和像素收缩。
图6和图7是示出图4中的区域II的示例的剖视图。
参考图4和图6，在实施方式中，坝部DM在剖视图中可以具有梯形形状。在这样的实施方式中，坝部DM的与第一公共层231接触的上表面的宽度可以小于坝部DM的与钝化层170接触的下表面的宽度。
在实施方式中，坝部DM的厚度TH1可以大于第一公共层231的厚度、第二公共层233的厚度、表面控制层240的厚度和覆盖层260的厚度之和TH2。因此，坝部DM可以将设置在透射区域TA中的第一公共层231、第二公共层233和覆盖层260与设置在第一围绕区域SA1中的第一公共层231、第二公共层233和覆盖层260分开。如上所述，第一无机封装层271可以覆盖坝部DM。
参考图7，在实施方式中，坝部DM在剖视图中可以具有倒梯形形状。在这样的实施方式中，坝部DM的与第一公共层231接触的上表面的宽度可以大于坝部DM的与钝化层170接触的下表面的宽度。
在下文中，将参考图8描述根据实施方式的显示设备。
图8是示出根据实施方式的显示设备101的剖视图。除了坝部DM之外，参考图8描述的显示设备101可以与参考图4描述的显示设备100基本相同或相似。因此，为了便于描述，将省略对重复元件的描述。
参考图8，在实施方式中，坝部DM可以具有包括两个层的多层结构。坝部DM可以包括第一层DMa和设置在第一层DMa上的第二层DMb。
在实施方式中，坝部DM可以包括与第一通孔绝缘层180和第二通孔绝缘层200中的至少一个的材料基本相同的材料。例如，坝部DM的第一层DMa可以包括与第一通孔绝缘层180的材料基本相同的材料，并且坝部DM的第二层DMb可以包括与第二通孔绝缘层200的材料基本相同的材料。例如，坝部DM的第一层DMa可以与第一通孔绝缘层180基本同时形成，并且坝部DM的第二层DMb可以与第二通孔绝缘层200基本同时形成。
在下文中，将参考图9描述根据实施方式的显示设备。
图9是示出根据实施方式的显示设备102的剖视图。除了坝部DM还包括第三层外，参考图9描述的显示设备102可以与参考图8描述的显示设备101基本相同或相似。因此，为了便于描述，将省略对重复元件的描述。
参考图9，在实施方式中，坝部DM可以具有包括三个层的多层结构。例如，坝部DM可以具有三个或更多个层。坝部DM可以包括第一层DMa、设置在第一层DMa上的第二层DMb以及设置在第二层DMb上的第三层DMc。
在实施方式中，坝部DM可以包括与第一通孔绝缘层180、第二通孔绝缘层200和像素限定层220中的至少一个的材料基本相同的材料。例如，坝部DM的第一层DMa可以包括与第一通孔绝缘层180的材料基本相同的材料，坝部DM的第二层DMb可以包括与第二通孔绝缘层200的材料基本相同的材料，并且坝部DM的第三层DMc可以包括与像素限定层220的材料基本相同的材料。例如，坝部DM的第一层DMa可以与第一通孔绝缘层180基本同时形成，坝部DM的第二层DMb可以与第二通孔绝缘层200基本同时形成，并且坝部DM的第三层DMc可以与像素限定层220基本同时形成。
在下文中，将参考图10描述根据实施方式的显示设备。
图10是示出根据实施方式的显示设备103的剖视图。除了坝部DM包括多个坝部外，参考图10所描述的显示设备103可以与参考图4所描述的显示设备100基本相同或相似。因此，为了便于描述，将省略对重复元件的描述。
参考图10，在实施方式中，至少一个坝部DM可以包括多个坝部。在实施方式中，至少一个坝部DM可以包括第一坝部DM1和与第一坝部DM1间隔开的第二坝部DM2。然而，实施方式不限于此，并且在另一实施方式中，至少一个坝部DM可以包括彼此间隔开的三个或更多个坝部。
当在透射区域TA和第一像素区域PA1之间形成多个坝部时，可以进一步阻挡表面控制层240中包括的氟(F)从设置在透射区域TA中的表面控制层240向设置在第一像素区域PA1中的发光元件EL的流入。例如，尽管来自透射区域TA的氟(F)穿过第一坝部DM1，但是第二坝部DM2可以阻挡氟(F)流入第一像素区域PA1中。
在下文中，将参考图11描述根据实施方式的显示设备。
图11是示出根据实施方式的显示设备104的剖视图。除了进一步包括团聚颗粒外，参考图11描述的显示设备104可以与参考图4描述的显示设备100基本相同或相似。因此，为了便于描述，将省略对重复元件的描述。
参考图11，根据实施方式的显示设备104还可以包括设置在表面控制层240和覆盖层260之间的颗粒(例如，团聚颗粒255)。团聚颗粒255可包括与电子注入层234和/或第二电极250的材料基本相同的材料。当通过金属自图案化方法形成电子注入层234和第二电极250时，形成电子注入层234的材料和/或形成第二电极250的材料可以团聚，并且团聚颗粒255可以保留在表面控制层240上。
下文中，将参考图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18和图19描述根据实施方式的制造显示设备的方法。
图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18和图19是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的图。
参考图12和图13，可以在其上形成有第一电极210和像素限定层220的衬底110上形成至少一个坝部DM。
首先，有源层120、栅极绝缘层130、栅电极140、层间绝缘层150、源电极161和漏电极162、钝化层170、第一通孔绝缘层180、连接电极190、第二通孔绝缘层200、第一电极210和像素限定层220可以顺序地形成在衬底110上。在实施方式中，可以在像素区域PA、透射区域TA和围绕区域SA中形成栅极绝缘层130、层间绝缘层150和钝化层170，并且可以在像素区域PA和围绕区域SA中形成有源层120、栅电极140、源电极161和漏电极162、第一通孔绝缘层180、连接电极190和第二通孔绝缘层200。可在像素区域PA中形成第一电极210，且可在围绕区域SA中形成像素限定层220。
然后，可以在钝化层170上形成坝部DM。坝部DM可以形成在透射区域TA和围绕区域SA之间。
在实施方式中，可以通过涂覆工艺和光刻工艺形成坝部DM。在另一个实施方式中，可以通过诸如溅射方法、化学气相沉积(CVD)等的沉积工艺和光刻工艺来形成坝部DM。在又一个实施方式中，坝部DM可以通过喷墨工艺形成。
在实施方式中，坝部DM可以与第一通孔绝缘层180、第二通孔绝缘层200和像素限定层220中的至少一个基本同时形成。例如，当坝部DM与像素限定层220基本同时形成时，可以在其上形成有第一电极210的衬底110上遍及像素区域PA、透射区域TA和围绕区域SA形成光刻胶层，并且可以图案化光刻胶层以基本同时形成坝部DM和像素限定层220。
参考图14，可以在其上形成有坝部DM的衬底110上顺序地形成第一公共层231、发射层232和第二公共层233。在实施方式中，可以在像素区域PA、透射区域TA和围绕区域SA中形成第一公共层231和第二公共层233。可以在像素区域PA中形成发射层232。
参考图15和图16，可以在其上形成有第二公共层233的衬底110上形成表面控制层240。表面控制层240可以形成在透射区域TA中。在实施方式中，表面控制层240可以通过诸如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等气相沉积、湿法涂覆方法、丝网印刷方法等形成。
参考图17和图18，电子注入层234和第二电极250可以顺序地形成在其上形成表面控制层240的衬底110上。
电子注入层234和第二电极250可以形成在第二公共层233的其上没有形成表面控制层240的部分上。换句话说，可以在像素区域PA和围绕区域SA中形成电子注入层234和第二电极250。电子注入层234和第二电极250可以通过金属自图案化方法形成。具体地，由于电子注入层234和表面控制层240之间的相对小的粘附性以及第二电极250和表面控制层240之间的相对小的粘附性，电子注入层234和第二电极250可以仅形成在第二公共层233的其上不形成表面控制层240的部分上。例如，图案化的电子注入层234和图案化的第二电极250可以在没有额外的图案化工艺的情况下形成。
在实施方式中，电子注入层234和第二电极250可以在第二公共层233上形成为不与表面控制层240重叠。然而，实施方式不限于此，并且在另一实施方式中，电子注入层234和第二电极250可以在第二公共层233上形成为仅与表面控制层240的边缘重叠。此外，在通过金属自图案化方法形成电子注入层234和第二电极250的工艺中，形成电子注入层234的材料和形成第二电极250的材料可以团聚，并且可以作为团聚颗粒保留在表面控制层240上。
参考图19，可以在其上形成有第二电极250的衬底110上顺序地形成覆盖层260和封装层270。可以在像素区域PA、透射区域TA和围绕区域SA中形成覆盖层260和封装层270。
根据实施方式的显示设备可以应用于包括在计算机、笔记本、移动电话、智能电话、智能焊盘、PMP、PDA、MP3播放器等中的显示设备。
尽管本文已经描述了某些实施方式和实施例，但是根据本说明书，其他实施方式和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这些实施方式，而是限于所附权利要求书以及对于本领域普通技术人员将是显而易见的各种明显修改和等同布置的的更宽泛的范围。

Claims (10)

1.显示设备，包括：
衬底，在所述衬底上限定用于显示图像的像素区域和用于透射外部光的透射区域；
晶体管，在所述像素区域中设置在所述衬底上；
第一电极，在所述像素区域中设置在所述晶体管上并且电连接到所述晶体管；
像素限定层，暴露所述第一电极的至少一部分；
发射层，在所述像素区域中设置在所述第一电极上；
表面控制层，在所述透射区域中设置在所述衬底上；
至少一个坝部，设置在所述像素区域和所述透射区域之间并围绕所述表面控制层；以及
第二电极，设置在所述发射层上。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个坝部在剖视图中具有梯形形状。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个坝部在剖视图中具有倒梯形形状。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个坝部包括第一坝部和与所述第一坝部间隔开的第二坝部。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个坝部由与所述像素限定层的材料相同的材料形成。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二电极不与所述表面控制层重叠。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述表面控制层包括氟化合物。
8.根据权利要求1所述的显示设备，还包括在所述像素区域中设置在所述第二电极上并且在所述透射区域中设置在所述表面控制层上的封装层。
9.显示设备，包括：
衬底，在所述衬底上限定用于显示图像的像素区域和用于透射外部光的透射区域；
发光元件，设置在所述像素区域中，所述发光元件包括：
第一电极，在所述像素区域中设置在所述衬底上；
第二电极，设置为面对所述第一电极；以及
中间层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括与所述第一电极接触的第一层和与所述第二电极接触的第二层；
至少一个坝部，围绕所述透射区域；以及
表面控制层，在所述透射区域中设置在所述衬底上，其中：
所述中间层的所述第一层从所述像素区域延伸以覆盖所述至少一个坝部并且与所述透射区域中的所述表面控制层重叠，以及
所述中间层的所述第二层从所述像素区域延伸以覆盖所述至少一个坝部，并且不与所述透射区域中的所述表面控制层重叠。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中：
所述中间层的所述第一层包括公共层，以及
所述中间层的所述第二层包括电子注入层。
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