CN114325283A - 一种真空光辐照条件下的半导体性能测试系统及其控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种真空光辐照条件下的半导体性能测试系统及其控制方法，属于半导体性能测试技术领域，其中，该系统包括：主控模块、六探针臂探针台、探针台控制模块和液氦制冷系统，主控模块包括主控计算机、超连续谱激光器、半导体器件分析仪、阻抗分析仪和开关矩阵，主控计算机分别与超连续谱激光器、开关矩阵、半导体器件分析仪和阻抗分析仪连接，开关矩阵分别与半导体器件分析仪、阻抗分析仪和六探针臂探针台连接，超连续谱激光器通过光纤引入六探针臂探针台；探针台控制模块与六探针臂探针台、主控计算机连接。该系统可模拟真空、可变温度、可变磁场和连续可调光场等多种环境条件作用下，进而测得航天器相关器件及材料的半导体性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体性能测试技术领域，特别涉及一种适用于航天器相关器件及材料的半导体性能测试表征。
背景技术
航天器在轨服役期间发生的各种空间环境效应是导致航天器中器件及材料发生故障的重要因素，为了揭示材料、器件、系统的空间环境效应动态行为规律和多尺度损伤机理，有必要建立空间综合环境耦合效应理论体系，但是目前还没有耦合真空、极低温度、磁场和光场等多种环境因素耦合作用下的测试系统可以用于科学研究。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此，本发明的一个目的在于提出一种真空光辐照条件下的半导体性能测试系统。
本发明的另一个目的在于提出一种真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法，该方法可同时集合真空、可变温度、可变磁场和连续可调光场等多种环境条件作用下，测试航天器相关器件及材料的半导体性能。
为达到上述目的，本发明一方面实施例提出了一种真空光辐照条件下的半导体性能测试系统，包括：主控模块、六探针臂探针台、探针台控制模块和液氦制冷系统，其中，所述主控模块包括主控计算机、超连续谱激光器、半导体器件分析仪、阻抗分析仪和开关矩阵，所述主控计算机通过GPIB模块和线缆分别与所述超连续谱激光器、所述开关矩阵、所述半导体器件分析仪和所述阻抗分析仪连接，所述开关矩阵通过三通轴线缆分别与所述半导体器件分析仪、所述阻抗分析仪和所述六探针臂探针台连接，所述超连续谱激光器通过光纤引入所述六探针臂探针台；所述探针台控制模块包括温度控制器和磁场控制器，所述温度控制器和所述磁场控制器均通过串行接口线缆与所述六探针臂探针台连接，也均通过GPIB模块和线缆与所述主控计算机连接；所述液氦制冷系统包括液氦压缩机、水冷机和室外机，其中，所述液氦压缩机分别通过不锈钢管与所述六探针臂探针台和所述水冷机连接，所述水冷机通过铜管与所述室外机连接。
本发明实施例的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统，集合真空、极低温度、磁场和光场等多种环境，实现多种不同环境条件情况下的新型纳米材料及器件、半导体材料及器件的特性的研究，并且在这些器件特性在多种环境耦合测试情况下的测量是非破坏性的，可以更加深入地研究半导体器件在空间环境作用下的演化机理。
另外，根据本发明上述实施例的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统还可以具有以下附加的技术特征：
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述六探针臂探针台包括探针臂、加热电阻、超导磁体、显微镜、视频相机、样品台和隔振平台。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述超连续谱激光器产生的激光通过光纤引入所述六探针臂探针台中的样品台，通过光纤使探针臂沿X、Y、Z轴方向移动，将激光的光斑准确照射至待测半导体材料的表面。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述六探针臂探针台和所述液氦制冷系统还通过RS-232串口连接，用于以控制所述液氦制冷系统，降低所述六探针臂探针台中超导磁体和样品台的温度。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述半导体器件分析仪用于测试待测半导体材料的直流电学性能，所述阻抗分析仪用于测试待测半导体材料的|Z||、|Y|、è、R、X、G、B、 L、C、D、Q、复数Z、复数Y、Vac、Iac、Vdc、Idc参数性能。
为达到上述目的，本发明另一方面实施例提出了真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法，包括以下步骤：步骤S1，将待测半导体材料放置在所述六探针臂探针台的样品台上，根据预设需求控制所述超连续谱激光器、所述温度控制器和所述磁场控制器，以调节环境参数，其中，所述环境参数包括光源参数、温度参数和磁场参数；步骤S2，利用所述矩阵开关选择测试通道以及测试模式，其中，所述测试模式包括IV测试、CV测试和脉冲IV测试；步骤S3，根据所述测试模式利用所述半导体器件分析仪和/或所述阻抗分析仪对调节后的环境参数下的待测半导体材料进行性能测量，得到并显示测试结果。
本发明实施例的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法，集合真空、极低温度、磁场和光场等多种环境，实现多种不同环境条件情况下的新型纳米材料及器件、半导体材料及器件的特性的研究，并且在这些器件特性在多种环境耦合测试情况下的测量是非破坏性的，可以更加深入地研究半导体器件在空间环境作用下的演化机理。
另外，根据本发明上述实施例的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法还可以具有以下附加的技术特征：
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述预设需求包括无需调用环境参数、调用温度参数、调用磁场参数、调用光源参数以及后三种任一组合形式。
进一步地，在本发明的一个实施例中，当调节所述温度参数时，先设置所述六探针臂探针台的样品台的温度参数，再通过所述温度控制器控制加热电阻和液氦制冷系统使样品台温度达到预设温度值，并反馈至主控计算机上进行显示。
进一步地，在本发明的一个实施例中，当调节所述磁场参数时，先利用所述液氦制冷系统将所述六探针臂探针台的超导磁体的温度降低至预设限制温度，之后设置磁场参数，再通过所述磁场控制器使超导磁体达到预设磁场值，反馈至主控计算机上进行显示。
进一步地，在本发明的一个实施例中，当调节所述光源参数时，先设置所述超连续谱激光器的直流光的输出波长范围、脉冲光的输出波长范围以及脉冲时间间隔，再通过光纤将所述超连续谱激光器输出目标光信号照射至待测半导体材料。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本发明一个实施例的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的结构示意图；
图2是本发明一个实施例的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的组合效果图；
图3是本发明一个实施例的六探针臂探针台的内部结构示意图；
图4是本发明一个实施例的六探针臂探针台的联线关系图，其中，(1)室外机与水冷机连接；(2)水冷机与液氦制冷系统连接；(3)液氦制冷系统与六探针臂探针台连接；(4)惰性气体气瓶与探针台；(5)机械泵与六探针臂探针台连接；(6)显微镜与显示器连接； (7)六探针臂探针台与半导体器件分析仪连接；(8)六探针臂探针台与阻抗分析仪连接； (9)超连续谱激光器与六探针臂探针台连接；(10)六探针臂探针台与温度控器连接；(11) 六探针臂探针台与磁场控制器连接；(12)主控计算机与温度控器连接；(13)主控计算机与磁场控制器连接；
图5是本发明一个实施例的主控模块和探针台控制模块的联线关系图，其中，(14)半导体器件分析仪与开关矩阵连接；(15)开关矩阵与六探针臂探针台连接；(16)主控计算机与超连续谱激光器连接；(17)主控计算机与开关矩阵连接；(18)主控计算机与半导体参数分析仪及阻抗分析仪连接；
图6是本发明一个实施例的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法的流程图。
附图标记说明：100-主控模块、101-主控计算机、102-超连续谱激光器、103-半导体器件分析仪、104-阻抗分析仪、105-开关矩阵、200-六探针臂探针台、201-探针臂、202-样品台、203-隔振平台、204-加热电阻、205-超导磁体、206-显微镜、207-视频相机、300探针台控制模块、301-温度控制器、302-磁场控制器、400-液氦制冷系统、401-液氦压缩机、402-水冷机和403-室外机。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面参照附图描述根据本发明实施例提出的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统及其控制方法，首先将参照附图描述根据本发明实施例提出的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统。
图1是本发明一个实施例的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的结构示意图。
如图1所示，该系统包括：主控模块100、六探针臂探针台200、探针台控制模块300、液氦制冷系统400。
如图2-5所示，主控模块100包括主控计算机101、超连续谱激光器102、半导体器件分析仪103(例如B1500A)、阻抗分析仪104(例如E4990A)和开关矩阵105(例如B2201A)，主控计算机101通过GPIB模块和线缆分别与超连续谱激光器102、开关矩阵105、半导体器件分析仪103和阻抗分析仪104连接，开关矩阵105通过三通轴线缆分别与半导体器件分析仪103、阻抗分析仪104和六探针臂探针台200连接，超连续谱激光器102通过光纤引入六探针臂探针台200。六探针臂探针台200包括探针臂201、样品台202、隔振平台203、加热电阻204、超导磁体205、显微镜206和视频相机207。探针台控制模块300包括温度控制器301和磁场控制器302，温度控制器301和磁场控制器302均通过串行接口线缆与六探针臂探针台200连接，也均通过GPIB模块和线缆与主控计算机100连接。液氦制冷系统400包括液氦压缩机401、水冷机402和室外机403，其中，所述液氦压缩机401分别通过不锈钢管与六探针臂探针台300和水冷机402连接，水冷机402通过铜管与室外机403 连接。
如图4所示，本系统还可包括：惰性气体气瓶和机械泵，其中，惰性气体气瓶用于在更换待测半导体材料时，将惰性气体输入改变六探针臂探针台200内部真空气压，也防止空气进入破坏原来环境影响待测半导体材料，机械泵用于更换完待测半导体材料后，将惰性气体吸出，恢复成原真空状态。
需要说明的是，主控计算机101中包含下述的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法，以调用超连续谱激光器102、半导体器件分析仪103(例如B1500A)、阻抗分析仪104和开关矩阵105，以根据测试人员需求对待测半导体材料进行相应的性能测量。
进一步地，超连续谱激光器102，也称“白光”激光器，是一种能够输出高功率、宽光谱的光源，波长范围覆盖400-2400nm，并且光束质量非常高，如安扬激光器型号：SC-PRO，超连续谱激光器102产生的激光通过光纤引入六探针臂探针台中的样品台，通过光纤使探针臂沿X、Y、Z轴方向移动，将光斑准确照射至待测半导体材料的表面。
进一步地，六探针臂探针台即低温闭循环探针台提供了一个可变温、可控温的低温真空平台，如型号：lakeshore CRX-VF，其中，平台上配置的显微镜，可用于观察探针与材料或器件电极的接触，平台可与多种电学测量仪表连用，完成微纳米器件、微纳米材料的电学等相关性能的测试。
进一步地，在本发明的一个实施例中，六探针臂探针台200和液氦制冷系统400还通过RS-232串口连接，用于以控制液氦制冷系统400，降低六探针臂探针台200中超导磁体205和样品台202的温度。
进一步地，在本发明的一个实施例中，半导体器件分析仪103用于测试半导体材料和器件的直流电学性能，提供测试报告，图形，为设计人员提供数据参考，精确快速地进行器件表征，如型号:keysight B1500A。
进一步地，在本发明的一个实施例中，阻抗分析仪104能在20Hz-3 GHz频率范围内对毫欧姆到兆欧姆的所有元器件执行高精度测量的仪器，因而可以测试待测半导体材料的|Z|、|Y|、è、R、X、G、B、L、C、D、Q、复数Z、复数Y、Vac、Iac、Vdc、Idc参数性能，能够轻松评估高质量元器件的真实特征，如型号：keysight E4990A。
需要说明的是，水冷机402用于对液氦压缩机401进行降温，室外机403用于对水冷机402进行降温。
本发明实施例提出的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的工作原理为：将待测半导体材料放置在六探针臂探针台的样品台上，根据预设需求控制超连续谱激光器、温度控制器和磁场控制器，改变六探针臂探针台中的光源参数、温度参数和磁场参数，再通过矩阵开关选择测试通道以及测试模式，利用半导体器件分析仪和/或阻抗分析仪对调节后的环境参数下的待测半导体材料进行性能测量，得到测试结果，并在主控计算机上进行显示和存储，另外，也可以不改变环境参数，直接通过矩阵开关选择测试通道以及测试模式，调用半导体器件分析仪和/或阻抗分析仪对调节后的环境参数下的待测半导体材料进行性能测量，方便做对照试验。
根据本发明实施例提出的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统，集合真空、极低温度、磁场和光场等多种环境，实现多种不同环境条件情况下的新型纳米材料及器件、半导体材料及器件的特性的研究，并且在这些器件特性在多种环境耦合测试情况下的测量是非破坏性的，可以更加深入地研究半导体器件在空间环境作用下的演化机理。
其次参照附图描述根据本发明实施例提出的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法。
图6是本发明一个实施例的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法的 流程图。
在步骤S1中，将待测半导体材料放置在六探针臂探针台的样品台上，根据预设需求控制超连续谱激光器、温度控制器和磁场控制器，以调节环境参数，其中，环境参数包括光源参数、温度参数和磁场参数。
进一步地，在本发明的一个实施例中，预设需求包括无需调用环境参数、调用温度参数、调用磁场参数、调用光源参数以及后三种任一组合形式。
进一步地，在本发明的一个实施例中，当调节温度参数时，先设置六探针臂探针台的样品台的温度参数，再通过温度控制器控制加热电阻和液氦制冷系统使样品台温度达到预设温度值，并反馈至主控计算机上进行显示。
进一步地，在本发明的一个实施例中，当调节磁场参数时，先利用液氦制冷系统将六探针臂探针台的超导磁体的温度降低至预设限制温度，之后设置磁场参数，再通过磁场控制器使超导磁体达到预设磁场值，反馈至主控计算机上进行显示。
进一步地，在本发明的一个实施例中，当调节光源参数时，先设置超连续谱激光器的直流光的输出波长范围、脉冲光的输出波长范围以及脉冲时间间隔，再通过光纤将超连续谱激光器输出目标光信号照射至待测半导体材料。
在一些实施例中，测试人员需要确定待测半导体材料在温度变化环境下半导体材料的特性，则将待测半导体材料放置在六探针臂探针台的样品台上，设置样品台的温度参数(例如4K-500K)，再利用温度控制器控制加热电阻和液氦制冷系统将样品台调节至预设温度值，期间主控计算机实时显示温度值。
在一些实施例中，测试人员需要确定待测半导体材料在磁场变化环境下半导体材料的特性，则将待测半导体材料放置在六探针臂探针台的样品台上，先确定当前超导磁体的温度是否在预设限制温度，若不是，则利用液氦制冷系统将其降低至预设限制温度，反之，则直接设置磁场参数(例如0-2.5T)，再通过磁场控制器控制超导磁体使超导磁体达到预设磁场值，期间主控计算机实时显示磁场强度值。
在一些实施例中，测试人员需要确定待测半导体材料在光源变化环境下半导体材料的特性，则将待测半导体材料放置在六探针臂探针台的样品台上，设置超连续谱激光器的直流光输出波长(例如400-2000nm)、脉冲光输出波长(例如400-2000nm)以及脉冲时间间隔，再通过光纤将超连续谱激光器输出目标光信号照射至待测半导体材料。
在一些实施例中，测试人员需要确定待测半导体材料在温度变化、磁场变化环境下半导体材料的特性，将待测半导体材料放置在六探针臂探针台的样品台上，先通过六探针臂探针台确定当前超导磁体的温度是否在预设限制温度，若不是，则利用液氦制冷系统将其降低至预设限制温度，然后设置磁场参数以及样品台的温度参数，再利用温度控制器控制加热电阻和液氦制冷系统将样品台调节至预设温度值，利用磁场控制器使超导磁体达到预设磁场值，期间主控计算机实时显示温度值和磁场强度值。
在一些实施例中，测试人员需要确定待测半导体材料在温度变化、光源变化环境下半导体材料的特性，将待测半导体材料放置在六探针臂探针台的样品台上，设置样品台的温度参数、超连续谱激光器的直流光输出波长、脉冲光输出波长以及脉冲时间间隔，再利用温度控制器控制加热电阻和液氦制冷系统将样品台调节至预设温度值，同时使超连续谱激光器对待测半导体材料输出目标光信号，期间主控计算机实时显示温度值。
在一些实施例中，测试人员需要确定待测半导体材料在磁场变化、光源变化环境下半导体材料的特性，将待测半导体材料放置在六探针臂探针台的样品台上，则确定当前超导磁体的温度是否在预设限制温度，若不是，则利用液氦制冷系统将其降低至预设限制温度，反之，则直接设置磁场参数，同时设置样品台的温度参数、超连续谱激光器的直流光输出波长、脉冲光输出波长以及脉冲时间间隔，再利用磁场控制器使超导磁体达到预设磁场值，同时通过光纤将超连续谱激光器输出目标光信号照射至待测半导体材料，期间主控计算机实时显示磁场强度值。
在一些实施例中，测试人员需要确定待测半导体材料在温度变化、磁场变化、光源变化环境下半导体材料的特性，将待测半导体材料放置在六探针臂探针台的样品台上，则确定当前超导磁体的温度是否在预设限制温度，若不是，则利用液氦制冷系统将其降低至预设限制温度，反之，则直接样品台的温度参数、磁场参数，同时设置样品台的温度参数、超连续谱激光器的直流光输出波长、脉冲光输出波长以及脉冲时间间隔，再利用温度控制器控制加热电阻和液氦制冷系统将样品台调节至预设温度值、磁场控制器使超导磁体达到预设磁场值，同时通过光纤将超连续谱激光器输出目标光信号照射至待测半导体材料，期间主控计算机实时显示温度值和磁场强度值。
在一些实施例中，测试人员需要确定待测半导体材料在当前环境下的半导体材料的特性，则直接执行步骤S2，无需调整六探针臂探针台200的内部环境参数。
在步骤S2中，利用矩阵开关选择测试通道以及测试模式，其中，测试模式包括IV测试、CV测试和脉冲IV测试。
在步骤S3中，根据测试模式利用半导体器件分析仪和/或阻抗分析仪对调节后的环境参数下的待测半导体材料进行性能测量，得到并显示测试结果。
根据本发明实施例提出的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法，集合真空、极低温度、磁场和光场等多种环境，实现多种不同环境条件情况下的新型纳米材料及器件、半导体材料及器件的特性的研究，并且在这些器件特性在多种环境耦合测试情况下的测量是非破坏性的，可以更加深入地研究半导体器件在空间环境作用下的演化机理。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种真空光辐照条件下的半导体性能测试系统，其特征在于，包括：主控模块、六探针臂探针台、探针台控制模块和液氦制冷系统，其中，
所述主控模块包括主控计算机、超连续谱激光器、半导体器件分析仪、阻抗分析仪和开关矩阵，所述主控计算机通过GPIB模块和线缆分别与所述超连续谱激光器、所述开关矩阵、所述半导体器件分析仪和所述阻抗分析仪连接，所述开关矩阵通过三通轴线缆分别与所述半导体器件分析仪、所述阻抗分析仪和所述六探针臂探针台连接，所述超连续谱激光器通过光纤引入所述六探针臂探针台；
所述探针台控制模块包括温度控制器和磁场控制器，所述温度控制器和所述磁场控制器均通过串行接口线缆与所述六探针臂探针台连接，也均通过GPIB模块和线缆与所述主控计算机连接；
所述液氦制冷系统包括液氦压缩机、水冷机和室外机，其中，所述液氦压缩机分别通过不锈钢管与所述六探针臂探针台和所述水冷机连接，所述水冷机通过铜管与所述室外机连接。
2.根据权利要求1所述的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统，其特征在于，所述六探针臂探针台包括探针臂、加热电阻、超导磁体、显微镜、视频相机、样品台和隔振平台。
3.根据权利要求1所述的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统，其特征在于，所述超连续谱激光器产生的激光通过光纤引入所述六探针臂探针台中的样品台，通过光纤使探针臂沿X、Y、Z轴方向移动，将光斑准确照射至待测半导体材料的表面。
4.根据权利要求1所述的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统，其特征在于，所述六探针臂探针台和所述液氦制冷系统还通过RS-232串口连接，用于以控制所述液氦制冷系统，降低所述六探针臂探针台中超导磁体和样品台的温度。
5.根据权利要求1所述的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统，其特征在于，所述半导体器件分析仪用于测试待测半导体材料的直流电学性能，所述阻抗分析仪用于测试待测半导体材料的|Z|、|Y|、è、R、X、G、B、L、C、D、Q、复数Z、复数Y、Vac、Iac、Vdc、Idc参数性能。
6.一种真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法，其特征在于，基于权利要求1-5任一项所述的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统，包括以下步骤：
步骤S1，将待测半导体材料放置在所述六探针臂探针台的样品台上，根据预设需求控制所述超连续谱激光器、所述温度控制器和所述磁场控制器，以调节环境参数，其中，所述环境参数包括光源参数、温度参数和磁场参数；
步骤S2，利用所述矩阵开关选择测试通道以及测试模式，其中，所述测试模式包括IV测试、CV测试和脉冲IV测试；
步骤S3，根据所述测试模式利用所述半导体器件分析仪和/或所述阻抗分析仪对调节后的环境参数下的待测半导体材料进行性能测量，得到并显示测试结果。
7.根据权利要求6所述的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法，其特征在于，所述预设需求包括无需调用环境参数、调用温度参数、调用磁场参数、调用光源参数以及后三种任一组合形式。
8.根据权利要求7所述的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法，其特征在于，当调节所述温度参数时，先设置所述六探针臂探针台的样品台的温度参数，再通过所述温度控制器控制加热电阻和液氦制冷系统使样品台温度达到预设温度值，并反馈至主控计算机上进行显示。
9.根据权利要求7所述的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法，其特征在于，当调节所述磁场参数时，先利用所述液氦制冷系统将所述六探针臂探针台的超导磁体的温度降低至预设限制温度，之后设置磁场参数，并控制所述磁场控制器使超导磁体达到预设磁场值，反馈至主控计算机上进行显示。
10.根据权利要求7所述的真空光辐照条件下的半导体性能测试系统的控制方法，其特征在于，当调节所述光源参数时，先设置所述超连续谱激光器的直流光的输出波长范围、脉冲光的输出波长范围以及脉冲时间间隔，再通过光纤将所述超连续谱激光器输出目标光信号照射至待测半导体材料。
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