CN114284740A - 一种高功率微波共形波导缝隙阵天线 - Google Patents

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谢平
金晖
王冬
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本发明公开了一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,包括波导,所述波导上设有若干缝隙、表面波抑制结构,若干缝隙构成缝隙阵。本发明解决了现有技术存在的表面波严重影响天线辐射效率等问题。

Description

一种高功率微波共形波导缝隙阵天线
技术领域
本发明涉及高功率微波技术领域,具体是一种高功率微波共形波导缝 隙阵天线。
背景技术
随着高功率微波技术的发展,高功率微波正走向实用化,高功率微波辐 射装置一个重要的应用场景是与载体共形,常规共形天线阵列由于对功率 容量要求不高,因此大都采用贴片天线技术路线,而贴片天线功率容量较 低不适应高功率微波应用。波导缝隙阵具有高功率容量、高增益、高效率 和剖面的技术特点,因此波导缝隙阵成为高功率微波共形阵列首先形式, 但共形天线存在表面波严重影响天线辐射效率的技术难题。
发明内容
为克服现有技术的不足,本发明提供了一种高功率微波共形波导缝隙 阵天线,解决现有技术存在的表面波严重影响天线辐射效率等问题。
本发明解决上述问题所采用的技术方案是:
一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,包括波导,所述波导上设有若 干缝隙、表面波抑制结构,若干缝隙构成缝隙阵。
作为一种优选的技术方案,所述波导为扇形波导。
作为一种优选的技术方案,所述缝隙为宽边纵缝。
作为一种优选的技术方案,所述缝隙的长轴与波导宽边中心线平行, 所述缝隙的长度为波导波长的0.4~0.7倍,所述缝隙的宽度为波导波长的 0.01~0.25倍。
作为一种优选的技术方案,所述缝隙的边缘倒圆角。
作为一种优选的技术方案,所述表面波抑制结构为微波扼流槽结构。
作为一种优选的技术方案,所述表面波抑制结构分布在所述波导辐射 面的两侧。
作为一种优选的技术方案,还包括设于所述波导上的介质窗。
作为一种优选的技术方案,所述介质窗的形状为弧形。
作为一种优选的技术方案,所述介质窗的材料为绝缘材料。
本发明相比于现有技术,具有以下有益效果:
(1)本发明抑制了表面波,解决了共形天线存在表面波严重影响天线 辐射效率的问题;
(2)本发明能够实现与圆柱共形,通过抑制表面波结构提高辐射效率, 实现高功率微波高效辐射;
(3)本发明能够实现高功率共形辐射系统低剖面和紧凑化、小型化;
(4)本发明能够实现共形波导缝隙阵几百兆瓦量级的高功率微波功 率容量。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
图2为共形波导缝隙阵的馈入反射波形;
图3为具有表面波抑制结构的共形波导缝隙阵天线H面方向图;
图4为没有设计表面波抑制结构的共形波导缝隙阵天线H面方向图。
附图中标记及相应的零部件名称:1、波导,2、缝隙,3、表面波抑制 结构,4、介质窗。
具体实施方式
下面结合实施例及附图,对本发明作进一步的详细说明,但本发明的 实施方式不限于此。
实施例1
如图1至图4所示,一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,包括波导1, 所述波导1上设有若干缝隙2、表面波抑制结构3,若干缝隙2构成缝隙阵。
由于采用了表面波抑制结构3,抑制了表面波,解决了共形天线存在表 面波严重影响天线辐射效率的问题。
作为一种优选的技术方案,所述波导1为扇形波导。
扇形波导传输损耗小、传输效率高。
作为一种优选的技术方案,所述缝隙2为宽边纵缝。
作为一种优选的技术方案,所述缝隙2的长轴与波导宽边中心线平行, 所述缝隙2的长度为波导1波长的0.4~0.7倍,所述缝隙2的宽度为波导 1波长的0.01~0.25倍。
这便于满足驻波阵的谐振条件。
作为一种优选的技术方案,所述缝隙2的边缘倒圆角。
这能够降低缝隙边缘处的电场强度,提高功率容量。
作为一种优选的技术方案,所述表面波抑制结构3为微波扼流槽结构。
这样的结构简单,容易制作,抑制表面波效果好。
作为一种优选的技术方案,所述表面波抑制结构3分布在所述波导1 辐射面的两侧。
这便于进一步提高抑制表面波的效果。
实施例2
如图1至图4所示,作为实施例1的进一步优化,本实施例包含了实 施例1的全部技术特征,除此之外,本实施例还包括以下技术特征:
作为一种优选的技术方案,还包括设于所述波导1上的介质窗4。
这便于通过介质窗4将高功率微波辐射到自由空间中去。
作为一种优选的技术方案,所述介质窗4的形状为弧形。
这进一步增加了将高功率微波辐射到自由空间中去的效果。
作为一种优选的技术方案,所述介质窗4的材料为绝缘材料。
这使得介质窗4抗辐射性能好。
实施例3
如图1至图4所示,本实施例包含实施例1、实施例2的全部技术特征, 本实施例在实施例1、实施例2的基础上,提供更细化的实施方式。
一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,尤其是一种高功率微波共形波 导缝隙阵天线包含:基于扇形波导1宽边纵缝驻波阵,表面波抑制结构3 及共形阵列天线介质窗4等结构;
所述的基于扇形波导1宽边纵缝驻波阵由:扇形波导1、宽边纵缝等结 构构成。波导1微波传播方向的末端设置短路面;所述缝隙沿扇形波导1 最大宽边中心线两侧交错分布于波导1一侧,缝隙的长度方向与波导1宽 边中心线平行,共形宽边纵缝波导缝隙阵工作在谐振状态,缝隙电导是并 联关系,同一根扇形波导1缝隙电导相同,单根波导1全部缝隙电导之和 为1,导纳之和为0,波导1馈入反射小于-20dB。缝隙长度约半波导1波 长;缝隙间距半波导1波长;波导1末端的缝隙距离短路面四分之一波导1 波长。
所述的表面波抑制结构3为相邻扇形辐射波导1间及共形阵列边缘的 扼流结构,扼流槽结构深度约四分之一波长,扼流槽结构宽度约十分之一 波长,对于低频辐射,为实现阵列低剖面可,扼流槽可填充高介电常数绝 缘介质。
所述的阵列共形阵列天线介质窗4是由低介电常数绝缘介质材料(例 如聚四氟乙烯或聚乙烯材料)构成的与圆柱形共形的平板天线辐射窗。天 线窗厚度约15mm,天线窗可承受1个大气压的内压。
如图1所示,本实施例的一种高功率微波共形宽边纵缝波导缝隙阵, 包括基于扇形波导1的宽边纵缝共形波导缝隙阵、表面波抑制结构3和介 质窗4;
现以一L波段共形高功率微波共形阵列为例进行方案说明。
宽边纵缝共形波导缝隙阵基于扇形波导1,本方案扇形波导1内径与柱 面直径相同。扇形波导1的平均宽度(扇形波导1内弧长与外弧长平均值) 大于半扇形波导1波长,小于扇形波导1波长;扇形波导1径向长度(厚 度)大于扇形波导1平均宽边尺寸的四分之一,小于扇形波导1平均宽边 尺寸的二分之一;
宽边缝隙沿扇形波导1宽边中心线两侧交错分布于波导1一侧,缝隙 的长轴与波导1宽边中心线平行,缝隙的长度约为0.49倍波导1波长,缝 隙的宽度约为0.15倍波导1波长,相邻两缝隙之间的间距为半波导1波长, 以满足驻波阵的谐振条件;
缝隙的边缘倒圆角,缝隙边缘倒圆角的半径为缝隙壁厚的一半,能够 降低缝隙边缘处的电场强度,提高功率容量。
在实施例中,高功率共形宽边纵缝波导缝隙阵工作在谐振状态,缝隙 的长度及与波导1宽边中心线距离满足驻波阵谐振条件:缝隙电导之和为1, 导纳之和为0,波导1馈入反射小于-20dB;
表面波抑制结构3为微波扼流槽结构,分布在每根扇形波导1辐射面 两侧,扼流槽深约四分之一波长,扼流槽结构宽度约十分之一波长。对于L 波段扼流槽内填充高介电常数的陶瓷块(介电常数9.5);
共形波导缝隙阵介质窗4为低介电常数的聚乙烯弧形平板结构,介质 窗4同时作为天线辐射波导1的真空封板,需要耐受1个大气压的内压, 为防止内压下介质窗4结构破坏同时兼顾天线轻量化,介质窗4厚设计为 约15mm左右。
图2为高功率共形波导缝隙阵电场分布(馈入微波功率1w),最大电场 位于波导1辐射缝隙处,设波导1腔内真空击穿阈值为550kV/cm,则共形天 线可承受0.58GW的功率容量。图3和图4分别是天线介质窗4真空侧和大 气侧电场分布图,设介质窗4真空侧和大气侧微波击穿阈值均为40Kv/cm, 则介质窗4真空侧和大气侧高功率微波功率容量分别为0.48GW和0.42GW, 因此共形波导1缝隙功率容量分析为0.42GW。共形阵列天线增益约15.3dB (增加扼流结构会提高天线增益不小于1dB)。
本发明的一种高功率微波共形波导缝隙阵列,通过扇形波导1设计实 现与圆柱面共形,通过设计共形宽边纵缝波导缝隙阵、抑制表面波扼流结 构以及共形阵列馈入波导1相位调节机构实现共形阵列相位补偿从而实现 较高的共形阵列口径辐射效率。
本发明通过基于扇形波导1的柱面共形宽边纵缝驻波阵辐射高功率微 波,通过表面波抑制结构3抑制表面波传输,提高共形天线口径效率,通 过介质窗4将高功率微波辐射到自由空间中去,同时实现辐射波导1腔真 空密封,解决高功率微波波导1腔内高功率微波功率容量技术问题。
本发明的发明目的在于:针对高功率微波共型天线发展需求和面临的 技术问题,提供一种高功率波导1缝隙共型阵列天线设计方案,解决了共 形高功率微波波导缝隙阵高效辐射一系列技术问题。
综上所述,采用本发明的一种高功率共形宽边纵缝波导缝隙阵,能够 实现与圆柱共形,通过抑制表面波结构提高辐射效率,实现高功率微波高 效辐射。
由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:
1、能够实现波导缝隙阵与圆柱面共形;
2、能够实现共形天线较高口径辐射效率;
3、能够实现高功率共形辐射系统低剖面和紧凑化、小型化;
4、能够实现共形波导缝隙阵几百兆瓦量级的高功率微波功率容量。
如上所述,可较好地实现本发明。
本说明书中所有实施例公开的所有特征,或隐含公开的所有方法或过 程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合 和/或扩展、替换。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式 上的限制,依据本发明的技术实质,在本发明的精神和原则之内,对以上 实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等,均仍属于本发明技术 方案的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,其特征在于,包括波导(1),所述波导(1)上设有若干缝隙(2)、表面波抑制结构(3),若干缝隙(2)构成缝隙阵。
2.根据权利要求1所述的一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,其特征在于,所述波导(1)为扇形波导。
3.根据权利要求2所述的一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,其特征在于,所述缝隙(2)为宽边纵缝。
4.根据权利要求3所述的一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,其特征在于,所述缝隙(2)的长轴与波导宽边中心线平行,所述缝隙(2)的长度为波导(1)波长的0.4~0.7倍,所述缝隙(2)的宽度为波导(1)波长的0.01~0.25倍。
5.根据权利要求4所述的一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,其特征在于,所述缝隙(2)的边缘倒圆角。
6.根据权利要求5所述的一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,其特征在于,所述表面波抑制结构(3)为微波扼流槽结构。
7.根据权利要求6所述的一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,其特征在于,所述表面波抑制结构(3)分布在所述波导(1)辐射面的两侧。
8.根据权利要求1至7任一项所述的一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,其特征在于,还包括设于所述波导(1)上的介质窗(4)。
9.根据权利要求8所述的一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,其特征在于,所述介质窗(4)的形状为弧形。
10.根据权利要求9所述的一种高功率微波共形波导缝隙阵天线,其特征在于,所述介质窗(4)的材料为绝缘材料。
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