CN114258512A

CN114258512A - 器件制造方法

Info

Publication number: CN114258512A
Application number: CN202080058673.6A
Authority: CN
Inventors: R·拉赫曼; C·J·H·兰姆布列支; W·H·亨克夫
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2019-08-16
Filing date: 2020-07-14
Publication date: 2022-03-29
Also published as: TWI751628B; WO2021032362A1; US11709434B2; TW202113496A; US20220276570A1; KR20220034227A

Abstract

一种器件制造方法，包括：使用第一光刻设备对衬底执行第一曝光以形成包括第一特征的第一图案化层；处理所述衬底以将所述第一特征转印至衬底中；并且使用第二光刻设备对所述衬底执行第二曝光以形成包括第二特征的第二图案化层，其中：所述第一光刻设备具有第一控制输入和第二控制输入，所述第一控制输入和所述第二控制输入用于至少部分地独立地控制所述第一特征的第一参数和第二参数；所述第二光刻设备具有第三控制输入，所述第三控制输入用于同时控制所述第二特征的所述第一参数和所述第二参数；并且利用被设置成预偏置所述第一参数和所述第二参数中的至少一个的所述第一控制输入和所述第二控制输入中的至少一个来执行所述第一曝光。

Description

器件制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年8月6日递交的欧洲申请19192073.5和于2019年8月20日递交的申请19192440.6的优先权，这些申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及使用光刻设备的器件制造。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至所述衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可以用以产生待形成在IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置在所述衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行所述图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。

大多数半导体器件需要待形成和转印到所述衬底上的多个图案层。为了所述器件的正常运行，通常存在对连续层之间的可容许的定位误差的限制。两层之间的所述定位误差常常被称为重叠。随着在光刻领域中持续不断期望减小可形成的特征的大小(收缩)，则对重叠的限制变得越来越严格。

重叠可能由所述光刻过程中的各种原因引起，例如曝光期间的所述衬底的定位的误差，以及在所投影图像中的像差。也可能在用于将所述图案转印到所述衬底内的过程步骤(诸如蚀刻)期间引起重叠。一些这样的过程步骤在所述衬底内产生应力，导致所述衬底的局部或全局变形。在所述衬底上形成诸如针对最近开发的存储器类型和MEMS所需要的三维结构也可能导致所述衬底的明显变形。

当然，还存在对其它成像参数和图案化度量(诸如聚焦、剂量、CD、CDU、线边缘粗糙度等)的可容许误差的限制。成像参数和图案化度量中存在各种误差源，其中一些可能引起多种不同形式的误差。

发明内容

本发明旨在提供经改善的光刻器件制造过程。

根据本公开的实施例，提供了一种器件制造方法，包括：

使用第一光刻设备对衬底执行第一曝光以形成包括第一特征的第一图案化层；

处理所述衬底以将所述第一特征转印至衬底中；并且

使用第二光刻设备对所述衬底执行第二曝光以形成包括第二特征的第二图案化层，其中：

所述第一光刻设备具有第一控制输入和第二控制输入，所述第一控制输入和所述第二控制输入用于至少部分地独立地控制所述第一特征的第一参数和第二参数；

所述第二光刻设备具有第三控制输入，所述第三控制输入用于同时控制所述第二特征的所述第一参数和所述第二参数；并且

利用被设置成预偏置所述第一参数和所述第二参数中的至少一个的所述第一控制输入和所述第二控制输入中的至少一个来执行所述第一曝光，以便获得所述第一特征和所述第二特征中的至少一个的、单独使用所述第三控制输入无法获得的特性的值。

根据本公开的实施例，提供了一种用于确定待在器件制造过程中使用的参数的方法，在所述器件制造过程中，使用第一光刻设备对衬底执行第一曝光以形成包括第一特征的第一图案化层，以及使用第二光刻设备对所述衬底执行第二曝光以形成包括第二特征的第二图案化层，所述方法包括：

获得与分别由所述第一光刻设备和所述第二光刻设备对所述第一图案化层和所述第二图案化层的曝光相关的量测数据；

确定由所述第二光刻设备曝光的所述第二特征的第一参数与第二参数之间的串扰特性；

确定待在由所述第一光刻设备对所述第一特征的曝光中使用的第一控制值和第二控制值，其中所述第一控制值和第二控制值用于预偏置所述第一特征中的所述第一参数和所述第二参数中的至少一个，以便获得所述第一特征和所述第二特征中的至少一个的、单独使用所述第二光刻设备的控制输入无法获得的特性的值。

附图说明

现在将参考附图通过示例的方式描述本发明的实施例，在附图中：

图1描绘光刻设备连同形成用于半导体器件的生产设施的其它设备；

图2描绘了根据本发明实施例的方法的流程图；

图3描述了误差之间的相关性；

图4描述了使用经耦合的操纵器来校正不同的误差图案；以及

图5描绘了不同类型的光刻设备中的可校正参数和不可校正参数。

具体实施方式

在详细地描述本发明的实施例之前，呈现可以实施本发明的实施例的示例环境是有指导性意义的。

图1图示出半导体生产设施的典型布局。光刻设备100将期望的图案施加至衬底上。光刻设备用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，被替代地称作掩模或掩模版的图案形成装置MA包括待形成在IC的单层上的特征(常常被称作“产品特征”)的电路图案。经由将所述图案形成装置曝光104至设置在所述衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来将此图案转印至衬底“W”(例如，硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。通常，单个衬底将包含被连续地被图案化的相邻目标部分的网络。

已知光刻设备通过照射所述图案形成装置、而同时将所述衬底的所述目标部分同步地定位在所述图案形成装置的图像位置处来照射每个目标部分。所述衬底的受照射的目标部分被称作“曝光场”，或仅被称作“场”。所述衬底上的场的布局典型地是根据笛卡尔二维坐标系而对准(例如，沿彼此正交的X轴和Y轴这两条轴线来对准)的相邻矩形的网络。

对所述光刻设备的要求是所期望的图案准确地再现于所述衬底上。所施加的产品特征的位置和尺寸需要在某些公差内。位置误差可能导致重叠误差(常常被称作“重叠”)。所述重叠是相对于第二层内的第二产品特征在第一层内放置第一产品特征的过程中的误差。所述光刻设备通过在图案化之前将每个晶片与参照物准确地对准来最小化所述重叠误差。通过测量施加至所述衬底的对准标记的位置来进行这种操作。基于对准测量，在所述图案化过程期间控制衬底位置以便防止重叠误差的出现。对准标记通常被形成为产品图像的一部分，所述产品图像形成对重叠进行测量的参考即参照物。替代地，可使用先前形成层的对准标记。

当与所述曝光104相关联的所施加剂量并不在规格内时可能出现所述产品特征的临界尺寸(CD)的误差。出于这种原因，所述光刻设备100必须能够准确地控制施加至所述衬底的所述辐射的所述剂量。在所述衬底并没有相对于与所述图案图像相关联的焦平面正确地定位时也可能出现CD误差。聚焦位置误差通常与衬底表面的非平面度相关联。所述光刻设备通过在图案化之前使用水平传感器测量所述衬底表面形貌来最小化这些聚焦位置误差。在后续图案化期间应用衬底高度校正以确保所述图案形成装置正确成像(聚焦)至所述衬底上。

为了验证与所述光刻过程相关联的所述重叠和CD误差，由量测设备140来检查经图案化的衬底。量测设备的常见示例是散射仪。所述散射仪常规地测量专用量测目标的特性。这些量测目标表示所述产品特征，除了它们的尺寸典型地较大以便允许进行准确的测量之外。所述散射仪通过检测与重叠量测目标相关联的衍射图案的不对称性来测量所述重叠。通过对与CD量测目标相关联的衍射图案进行的分析来测量临界尺寸。CD量测目标用于测量最近曝光层的结果。重叠目标用于测量先前层和最近层的位置之间的差异。量测工具的另一示例是基于电子束(e-beam)的检查工具，诸如扫描电子显微镜(SEM)。

在半导体生产设施内，光刻设备100和量测设备140形成“光刻元”或“光刻簇”的一部分。所述光刻簇也包括用于将感光抗蚀剂涂覆至衬底W的涂覆设备108、焙烤设备110、用于将经曝光图案显影成实体抗蚀剂图案的显影设备112、蚀刻站122、执行蚀刻后退火步骤的设备124、以及可能另外的处理设备126等。所述量测设备被配置成在显影(112)之后或在另外的处理(例如，蚀刻)之后检查衬底。所述光刻元内的各种设备受管理控制系统SCS控制，所述管理控制系统发出控制信号166以经由光刻设备控制单元LACU 106来控制所述光刻设备从而执行选配方案R。所述SCS允许操作不同的设备，从而得到最大吞吐量和产品产率。重要的控制机制是所述量测设备140对各种设备(经由所述SCS)特别是对所述光刻设备100的反馈146。基于量测反馈的特性，确定了校正性动作以改进后续衬底的处理品质。

通过诸如在例如US2012008127A1中所描述的先进过程控制(APC)之类的方法来常规地控制和校正光刻设备的执行。所述先进过程控制技术使用施加至所述衬底的对于量测目标的测量。制造执行系统(MES)安排APC测量并且将测量结果通信至数据处理单元。所述数据处理单元将测量数据的特性转变为包括用于所述光刻设备的指令的选配方案。这种方法对于抑制与所述光刻设备相关联的漂移现象非常有效。

由所述处理设备所执行的量测数据至校正性动作的处理对半导体制造来说是重要的。除所述量测数据之外，也可能需要单独的图案形成装置、衬底、处理设备的特性和其它情境数据来进一步优化所述制造过程。其中可用的量测和情境数据作为整体被用以对所述光刻过程进行优化的构架通常被称作整体光刻的一部分。例如，与掩模版上的CD误差相关的情境数据可以用以控制各种设备(光刻设备、蚀刻站)使得所述CD误差将不会影响所述制造过程的产率。后续量测数据可接着用以验证控制策略的有效性且可确定另外的校正性动作。

在半导体器件的制造中，层间定位的准确度是重要的，并且随着在业界中对形成较小特征的持续需求，对可容许的重叠的限制变得越来越严格。存在多种控制和补偿系统来最小化重叠，尤其是由于所述光刻设备的内部原因所引起的重叠。另外，重叠可能由诸如以下的过程步骤引起：蚀刻、淀积、抛光(CMP)和退火。这些过程步骤以及潜在的其它过程步骤可引起所述衬底的全局和局部变形，尤其是如果当执行所述过程步骤时所述衬底受到应力的情况下如此。难以控制和减少这些变形。

已知的是，在过程步骤之后，例如通过测量对准标记的相对位置来测量衬底的变形，并且在所述衬底上的后续层的图案化中应用校正。实际上，可有意地使得后续层移位和/或变形，以匹配由过程步骤在先前层上所造成的变形。最终器件即完工器件中所产生的变形通常不会以多层的不对准将会起到至关重要作用的方式来对于器件的运作起到至关重要作用。

已知各种不同类型的光刻设备。光学光刻设备经常由曝光辐射(或者等效地，曝光辐射的源)的波长来表征，波长例如248nm(KrF)、193nm(ArF)或EUV，并且无论光学光刻设备是否为浸没式。使用较短波长的设备、或者浸没式设备，可以成像具有较高分辨率的特征和/或具有各种特性的较严格容限的特征，但是拥有和操作此类设备通常是较为昂贵的。由于在大多数情况下，并非器件的所有层都是同等地至关重要的，则可以使用不同类型的光刻设备来成像器件的不同层。不同的光刻设备可能并非全部具有用于应用图案校正以补偿诸如重叠、剂量、聚焦等参数的相同能力。因此，已知的反馈控制机制可能无法在所有情况中对误差提供充分的补偿。在其他情况下，高性能光刻设备可用于对自身不需要这种机器的层进行图案化，以便实现与需要在高性能光刻设备上进行图案化的另外层相匹配的特性(例如，重叠)。这不是所述光刻设备的高效用法。

在大批量制造中，考虑到不同层的变化的重叠要求，而同时最小化成本，常见的是针对器件的不同层选择使用不同类型的光刻设备。例如，与对在前端器件处理中通常遇到的层进行图案化相比，注入层通常具有关于分辨率和重叠的较低要求。为了最小化利用不同光刻设备而被图案化的层之间的重叠，常见的是“匹配”所述光刻设备。此过程通常称为机器间匹配，并且可由晶片厂(fab)主机计算机使用所述光刻设备上的可用操纵器来完成，其中晶片厂主机计算机向所述光刻设备发送校正。也存在现成的软件产品。在匹配上花费的努力很大程度上取决于所需的容限：在极端情况下，多个连续层在相同的光刻设备上被曝光以保证最大的重叠性能。这种方法对于制造灵活性具有巨大影响并且降低了总体晶片厂效率。理想情况下，使用可用操纵器来匹配光刻设备，使得不同层尽可能地可在不同的光刻设备上曝光。在David Laidler、Koen D′havé、Jan Hermans、Shaunee Cheng的“Mix andmatch overlay optimization strategy for advanced lithography tools(193i andEUV)”；国际光学工程学会(SPIE)学报8326，光学微光刻XXV(2012)中描述了EUV系统与ArF浸没系统之间的匹配。

对重叠和机器间匹配的缩紧要求已导致在光刻设备中实施的功能性的增加，从而改善了重叠和匹配能力，即，在最新近的扫描仪上可以使用较多和较高阶的控制输入。然而，一般不可能对改进对现有的光刻设备的额外控制输入。因而，在使用不同光刻设备来制造给定器件的大批量制造晶片厂中，必须考虑不同光刻设备的能力差异。最近引入的EUV平台进一步使情况复杂化。尽管EUV光刻设备能够以比DUV光刻设备更高的分辨率成像，并且在许多方面具有好得多的性能，但是由于EUV投影系统使用反射镜，则某些场内控制输入是不可能的。通过操纵透镜元件和/或晶片或掩模版平台移动来在DUV光刻设备中实现场内重叠校正，这暗示了针对全部三者的限制将影响可校正参数的可用性/有效性和范围。

本发明旨在改善不同类型的并且具有影响不同组可校正参数的不同控制控制输入的光刻设备之间的场内和/或场间(即，场之间)匹配。光刻设备中的控制输入通常称为操纵器。控制输入可具有与所述设备的简单物理致动器的直接关系，例如，与平台位置相关的控制输入可直接地对移动所述平台的致动器进行驱动。在其它情况中，在所述控制输入与所述光刻设备中的致动器之间可能存在更复杂关系。例如，为了使与特定镜头像差参数相关的控制输入生效，可能需要由多个致动器进行的多次调整，并且也可能影响其他参数。因而，在控制输入与执行器设置之间可能存在多对多的关系。这些控制输入有时被称为虚拟控制旋钮。

概括而言，本发明的实施例可以将不可校正参数(即，由缺少独立地影响这些参数的控制输入的光刻设备所曝光的产品叠层中的特定某层的特定某些参数)移动到由其中可校正这些参数(或相应参数)的设备曝光的层。这可以被描述为垂直地重新分布可校正参数。因此，本发明当某些层由于能力、成本、生产率或其他原因而必须由某些光刻设备曝光时是尤其有用的。

对该基本问题的一种方法是由具有最大组可校正参数的光刻设备在多个层中执行“预偏置”曝光，使得将不需要更改具有经缩减组可校正参数的光刻设备上的任何不可校正参数。这可以在设置给定器件的第一层时实现，假设此层将会利用用于产品层叠层的最灵活光刻设备而被曝光。此方法的缺点可能在于，在处理期间例如由于1)透镜加热、2)晶片加热、3)过程漂移、4)控制回路噪声等引起的任何漂移无法在具有经缩减组可校正参数的系统上被补偿。

替代地，本发明的实施例利用了可校正参数经常以不同程度耦合的事实。这在以下示例中进行了例示，该示例示出了已知的重叠校正模型：

其中dx,dy表示在所述晶片上的给定点i,j处的某一重叠误差。当在以下情况下时，现在可例如在一些阶p与k之间发生耦合(即k_nx^p+…+k_mx^q)：

使得k参数是相互耦合的，假设k_n和k_m之间存在线性关系。

对于

或∞的情况，耦合消失，即k_n和k_m实际上是解耦的。如图3所描绘的，针对

和大约1的情况，遇到了优选的耦合。

耦合可以不仅发生在上述阶之间，而且也发生在x和y方向之间。耦合量和耦合类型具体取决于正在使用的光刻设备的类型。为了应用所描述的方法，则优选的耦合是期望的/合乎需要的，因为这有助于避免必须针对单个参数拨入过大的校正。

图2中描绘了根据本发明实施例的过程。此过程使用第一光刻设备T1和第二光刻设备T2，其中所述第一光刻设备比所述第二光刻设备更“灵活”。在此情境中，这意思是所述第一光刻设备具有能够对所述第二光刻设备不能独立地校正的参数进行校正的至少一个控制输入。在实施例中，所述第一光刻设备具有第一控制输入和第二控制输入以至少部分地独立地控制第一参数和第二参数，而所述第二光刻设备具有以耦合方式影响所述第一参数和所述第二参数两者的第三控制输入。在实施例中，可以耦合多于两个参数，并且可以在多于一个参数中应用预偏置。

初始步骤是确定S1所述第二光刻设备中所述第一参数与所述第二参数之间的耦合。可以通过以所述控制输入的不同设置来曝光衬底并且测量结果，根据经验来确定所述耦合；或者通过模拟来在理论上确定所述耦合。对所述耦合的确定可以被确定一次，或者可以周期性地重复或在如果经受漂移或变化原因的情况下按照需要进行。

下一步骤是确定S2待利用(例如两个)耦合的参数中的一个参数而应用于所述第一光刻设备(具有最广泛可校正组)中的预偏置。这在图4中被图示，图4在顶部行中示出了所述第一光刻设备中的参数，并且在底部行中示出了所述第二光刻设备中的参数。左图指示了不存在本发明的情况下的参数且右图指示了本发明中的参数。如所指示的，第一参数在所述第二设备中是不可校正的，但是与在所述第二设备中可校正的第二参数耦合。相应的其他可校正参数演变为辅助分量并且用于补偿原始不可校正参数。

使用具有所确定的预偏置的所述第一光刻设备T1(其是较灵活的光刻设备)来曝光S3第一层Ln。使用合适的过程步骤(诸如注入或蚀刻)来将所述第一层显影和转印S4到所述衬底中。可选地，以常见方式曝光和处理S5其他层。

使用所述第二(较不灵活的)光刻设备T2曝光(S6)第二层Lm。在此曝光步骤中，在与所述第一参数耦合的所述第二参数中应用校正，并且因此引起在该第一参数中的校正。这导致了所述器件的期望性质(例如，两个层的特征的相对位置)的改进。出于控制目的，可以对所述第二层Lm执行测量S7，并且计算S8校正，并且将校正反馈至对待应用于后续衬底曝光中的预偏置的确定。以此方式，可以考虑所述第二光刻设备中的参数的耦合中的漂移或其他变化。

可应用本发明的特定参数的示例是在某些光刻设备中无法由用户控制的某些重叠项。可由所述用户运用(在理想情况下)完全笔直的参考晶片或者利用具有密集场内布局的经蚀刻标记并且利用合适的量测工具来匹配晶片，来直接地完成对耦合参数的确定。

这种方法的应用示例将会是运用在EUV系统上耦合的k12和k13，以针对EUV系统上的k13引入一些校正可能性。这将会需要利用k12对先前层进行预偏置，从而使得将会需要在EUV系统上应用k12校正且同时将会处理可能源自透镜加热、晶片加热等的k13分量。应注意，k12和k13跨越不同方向上而耦合，所以尤其对于单向DRAM或NAND层，这将会是用以控制k13的一种选项。在LOGIC器件中也遇到类似的情况，其中层上的某一方向具有比另一方向更小的余量即裕度，并且可执行平衡动作。本发明可以使用的另一对重叠参数是k7和k20。

用于使用垂直分布可校正参数的另一应用示例将会是必须将遗留的即旧式的(例如KrF(248nm))平台与较新近系统(例如ArF(193nm)干式或浸没系统)匹配的情况。对于KrF系统，某些可校正参数可能完全不可用，这可通过采用在KrF上耦合的参数和较灵活的新近曝光平台来重新补偿。这遵循与图5所概略描摹的相同的图案，其中将会需要在KrF上闭合ki和ki+1的校正能力间隙即校正能力差距。

可应用本发明的另一示例情况是对EUV与DUV光刻设备之间的聚焦相关参数进行匹配。聚焦可以认为是z位置误差，并且如对于x和y方向，很多参数仅仅是弱耦合的，一些参数是强耦合的，并且相当多参数是完全不耦合的。

在聚焦相关参数中，在以下之间存在最多耦合：

·绕x轴的旋转(Rx)和场曲率(FC)

·绕y轴的旋转(Ry)和像散偏移(即，跨越沿x的狭缝的恒定像散(Ast_0)与像散曲率(即，跨越沿x的狭缝的二阶像散(Ast_2))

·聚焦(z)和Ast_0

由于在EUV投影光学器件箱中缺少操纵器，则在EUV上的这些耦合与DUV透镜相比更明显，仅可移动五个反射镜中的四个反射镜，且弯曲的狭缝经由移动晶片和掩模版平台而创造了操纵机会，但同时也有助于增强某些参数之间的耦合。

结合上述方法的控制回路操作的一个特定方面需要强调：参数耦合以两种方式起作用：在具有低的校正灵活性的光刻设备T2上，假设可校正参数ki与不可校正参数kj链接/关联。这表示期望所述控制回路不改变先前层上的ki，由于光刻设备T2将会沿循先前层，因而非预期地/无意地引入针对参数kj的贡献。

因而，实施例利用了不期望的、但普遍存在于所述光刻设备中的系统性质。具体地，实施例允许优化混合和匹配重叠(MMO)-使用不同光刻设备用于在给定衬底上印制不同层而获得的重叠性能。本发明不对特定机器性质生效，但是将这些特定机器性质用于使产品上性能获益。

本发明的实施例可以涵盖以下步骤中的一些或全部步骤：

·确定串扰分量(例如，经由晶片上测试(针对所需的可校正参数而定制得测试设计)，或替代地根据仅基于软件进行的模拟)

·确定所需的并且待应用于较灵活的光刻设备上的预偏置的量

·在不太灵活的工具上应用辅助参数

·可选地，由于耦合可能发生在多于两个参数之间，则可能需要一些迭代平衡/优化

·确认增益

因而，本发明可以解决针对某些光刻设备的缺少场内重叠校正参数的问题，从而降低了不可校正分量保留在产品上的风险。

注意的是，在某些情况下，施加至所述可校正参数的预偏置可能对于与该度量相关的性能是不利的，这是例如由于增加了一个方向上的重叠(即使改善了正交方向上的重叠)。然而，在许多情况下，一个参数可能比其他参数更重要，例如在曝光长线时，在垂直于这些线的方向上的重叠比在平行方向上的重叠更重要。在第二光刻设备中不可校正参数的情况可应用本发明。

在以下编号方面的列表中披露了本发明的其它实施例。

1.一种器件制造方法，包括：

处理所述衬底以将所述第一特征转印至衬底中；并且

2.根据方面1所述的方法，其中，所述特性是所述第一特征与所述第二特征之间的重叠。

3.根据方面2所述的方法，其中，所述参数是场内重叠参数。

4.根据方面1所述的方法，其中，所述参数是聚焦相关参数。

5.根据前述方面中的任一项所述的方法，其中，所述第一控制输入、所述第二控制输入和所述第三控制输入中的至少一个被配置成控制投影系统的光学操纵器。

6.根据前述方面中的任一项所述的方法，其中，所述第一控制输入、所述第二控制输入和所述第三控制输入中的至少一个被配置成控制图案化装置的支撑结构或衬底平台的位置、取向和/或轨道。

7.根据前述方面中的任一项所述的方法，其中，所述第一光刻设备使用具有第一波长的曝光辐射，并且所述第二光刻设备使用具有第二波长的曝光辐射，所述第二波长与所述第一波长不同。

8.根据方面7所述的方法，其中，所述第一波长是193nm，并且所述第二波长是248nm或在从4nm至20nm的范围内。

9.一种包括计算机可读代码的计算机程序，所述计算机可读代码当由计算机系统执行时用于控制第一光刻设备和第二光刻设备以执行根据前述方面中的任一项所述的方法。

10.一种用于确定待在器件制造过程中使用的参数的方法，在所述器件制造过程中，使用第一光刻设备对衬底执行第一曝光以形成包括第一特征的第一图案化层，以及使用第二光刻设备对所述衬底执行第二曝光以形成包括第二特征的第二图案化层，所述方法包括：

11.根据方面10所述的方法，其中，所述特性是所述第一特征与所述第二特征之间的重叠。

12.根据方面11所述的方法，其中，所述参数是场内重叠参数或场间重叠参数。

13.根据方面12所述的方法，其中，所述重叠参数是重叠的空间模型中的二阶项和/或三阶项的系数。

14.根据方面10至13中的任一项所述的方法，其中，所述第二光刻设备不具有对所述第一参数和所述第二参数的独立控制。

15.根据方面10至14中的任一项所述的方法，还包括：获得与使用所述第一控制值和所述第二控制值而执行的曝光相关的其它量测数据，以及基于所述其它量测数据确定经调整的第一控制值和第二控制值。

虽然上文已描述本发明的具体实施例，但应了解，可以用与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。

实施例可包括包含机器可读指令的一个或更多个序列的计算机程序，所述机器可读指令被配置成指示如图1中所描绘的各种设备以执行测量和优化步骤并且控制如上文描述的后续曝光过程。例如，可以在图1的控制单元LACU或管理控制系统SCS或两者的组合内执行这种计算机程序。也可以提供其中储存有这种计算机程序的数据储存介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。

尽管上文可特定地参考在光学光刻的情境中对本发明的实施例的使用，但应了解，本发明可以用于其它应用(例如压印光刻术)中，且在情境允许的情况中不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上所产生的所述图案。可以将所述图案形成装置的所述形貌压入被供应至所述衬底的抗蚀剂的层中，在所述衬底上，所述抗蚀剂是通过施加电磁辐射、热、压力或其组合而固化的。在所述抗蚀剂被固化之后，将所述图案形成装置移出所述抗蚀剂，从而在抗蚀剂中留下图案。

本发明中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如具有为或约为365纳米、355纳米、248纳米、193纳米、157纳米或126纳米的波长)和极紫外线(EUV)辐射(例如具有在1纳米至100纳米的范围内的波长)，以及粒子束，诸如离子束或电子束。可使用合适的源在UV和EUV波长内进行散射仪以及其它检查设备的实施，且本公开绝不限于使用IR和可见光辐射的系统。

术语“透镜”在情境允许的情况下可指代各种类型的光学部件中的任一个或其组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式以及静电式光学部件。反射式部件很可能用于在UV和/或EUV范围内操作的设备中。

本发明的广度和范围不应受上述示例性实施例中的任一实施例限制，而应仅根据下列权利要求书及其等效物加以限定。

Claims

1.一种器件制造方法，包括：

处理所述衬底以将所述第一特征转印至衬底中；以及

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述特性是所述第一特征与所述第二特征之间的重叠。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述参数是场内重叠参数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述参数是聚焦相关参数。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一控制输入、所述第二控制输入和所述第三控制输入中的至少一个被配置成控制投影系统的光学操纵器。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一控制输入、所述第二控制输入和所述第三控制输入中的至少一个被配置成控制图案化装置的支撑结构或衬底平台的位置、取向和/或轨道。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光刻设备使用具有第一波长的曝光辐射，并且所述第二光刻设备使用具有第二波长的曝光辐射，所述第二波长与所述第一波长不同。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一波长是193nm，并且所述第二波长是248nm或在从4nm至20nm的范围内。

9.一种包括计算机可读代码的计算机程序，所述计算机可读代码当由计算机系统执行时用于控制第一光刻设备和第二光刻设备以执行根据权利要求1所述的方法。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述特性是所述第一特征与所述第二特征之间的重叠。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述参数是场内重叠参数或场间重叠参数。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述重叠参数是重叠的空间模型中的二阶项和/或三阶项的系数。

14.根据权利要求10至13中的任一项所述的方法，其中，所述第二光刻设备不具有对所述第一参数和所述第二参数的独立控制。

15.根据权利要求10所述的方法，还包括：获得与使用所述第一控制值和所述第二控制值而执行的曝光相关的其它量测数据，以及

基于所述其它量测数据确定经调整的第一控制值和第二控制值。