CN114247724B - 一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统及方法，所述系统包括：脉冲发生电路，用于产生脉冲方波；电流监测电路，用于感应销毁电流，并对控制开关电路进行控制；控制开关电路，通过控制MOS管的通断，使脉冲方波反复作用于Flash芯片。还包括销毁电压，所述销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚。本发明的系统所需的销毁电压低，只需系统常用的28V即可，简化了电路设计。具备电流监测功能，避免芯片完全销毁后产生的过流损坏控制电路。多芯片销毁过程中通过脉冲可以精准控制，不会出现错漏，提高了电路可靠性。

Description

一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统及方法
技术领域
本发明涉及多脉冲技术领域，特别是涉及一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统及方法。
背景技术
本部分的陈述仅仅是提供了与本发明相关的背景技术信息，不必然构成在先技术。
现有芯片销毁电路多采用高电压持续供电的方法，通过芯片内部热积累达到使芯片失效的目的。为了减少热积累时间，往往还需要加入升压电路将电压升至80V或更高，电路设计复杂。芯片烧穿后电流急剧增大，可能导致控制电路覆铜烧毁等故障，在多芯片销毁过程时导致后续芯片不能有效烧毁，存在可靠性隐患。
因此亟需一种一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出了一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统及方法，其能够通过脉冲控制，反复对芯片施加销毁电压，在芯片内部形成多条击穿通道，达到使芯片失效的目的。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
第一方面，本发明提供一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统，包括：
脉冲发生电路，用于产生脉冲方波；
电流监测电路，用于感应销毁电流，并对控制开关电路进行控制；
控制开关电路，通过控制MOS管的通断，使脉冲方波反复作用于Flash芯片。
进一步地，还包括销毁电压，所述销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚。
进一步地，所述脉冲发生电路，包括脉冲发生器与移位寄存器。
进一步地，所述脉冲发生器产生方波后进入移位寄存器，生成循环选通信号。
进一步地，所述电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流。
进一步地，所述电流监测电路通过Ctrl信号与Sel信号作用于控制开关电路。
进一步地，所述控制开关电路包括多个控制开关，通过循环选通控制开关，使Flash芯片循环接受脉冲冲击。
进一步地，所述控制开关由Ctrl信号与Sel信号通过或门共同作用。
进一步地，所述控制开关电路在Flash芯片销毁后断开销毁电压。
第二方面，本发明提供一种多脉冲冲击销毁Flash芯片方法，包括：
利用销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚；
电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流；
通过Ctrl信号与Sel信号对控制开关电路的多个控制开关进行循环选通控制，从而使Flash芯片循环接受脉冲冲击；
Flash芯片销毁后，由控制开关电路断开销毁电压。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明的系统所需的销毁电压低，只需系统常用的28V即可，简化了电路设计。具备电流监测功能，避免芯片完全销毁后产生的过流损坏控制电路。多芯片销毁过程中通过脉冲可以精准控制，不会出现错漏，提高了电路可靠性。
附加方面的优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
图1为本实施例提供的结构原理图；
图2为本实施例提供的电流监测电路图；
图3为本实施例提供的脉冲发生电路图；
图4为本实施例提供的控制开关电路图。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本发明做进一步说明。
应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本发明提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本发明的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
在本发明中，术语如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“侧”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，只是为了便于叙述本发明各部件或元件结构关系而确定的关系词，并非特指本发明中任一部件或元件，不能理解为对本发明的限制。
本发明中，术语如“固接”、“相连”、“连接”等应做广义理解，表示可以是固定连接，也可以是一体的连接或可拆卸连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的相关科研或技术人员，可以根据具体情况确定上述术语在本发明中的具体含义，不能理解为对本发明的限制。
实施例1
第一方面，本发明提供一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统，包括：
脉冲发生电路，用于产生脉冲方波；
电流监测电路，用于感应销毁电流，并对控制开关电路进行控制；
控制开关电路，通过控制MOS管的通断，使脉冲方波反复作用于Flash芯片。
还包括销毁电压，所述销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚。
所述脉冲发生电路，包括脉冲发生器与移位寄存器。
所述脉冲发生器产生方波后进入移位寄存器，生成循环选通信号。
所述电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流。
所述电流监测电路通过Ctrl信号与Sel信号作用于控制开关电路。
所述控制开关电路包括多个控制开关，通过循环选通控制开关，使Flash芯片循环接受脉冲冲击。
所述控制开关由Ctrl信号与Sel信号通过或门共同作用。
所述控制开关电路在Flash芯片销毁后断开销毁电压。
具体的，
本发明通过脉冲控制，反复对芯片施加销毁电压，在芯片内部形成多条击穿通道，达到使芯片失效的目的。
系统由脉冲发生电路、电流监测模块和控制开关模块组成。
脉冲发生电路(见图3)由脉冲发生器于移位寄存器组成。脉冲发生器采用555经典电路，产生方波，方波频率一般大于需要烧毁芯片数量的2倍，保证每秒对单个芯片产生两次冲击效果。方波进入移位寄存器后产生循环选通信号，图中以4片芯片为例，移位寄存器循环产生选通信号Sel-1、2、3、4。
电流监测电路(见图2)通过Rsc电阻感应销毁电流，当电流超过前端提供能力时，Q1管导通，C1充电后Q2管导通，Ctrl信号输出低电压，电流在正常范围时，Q1管截止，Ctrl信号为高电压。Ctrl信号与Sel信号通过或门共同作用于控制开关电路。
控制开关电路(见图1)控制MOS管的通断，使销毁电压反复作用于Flash芯片。MOS管的导通受选通信号Sel和电流检测信号Ctrl共同控制，正常情况下Ctrl信号一直处高电平，Sel控制MOS管的通断；当芯片烧毁后，芯片通过电流增大，电流检测电路置Ctrl为低电平，MOS不再受Sel信号控制。这样的设计保证单个芯片烧毁后，不会产生过流影响整个系统的工作，保证其他芯片的可靠销毁流程。
实施例2.
一种多脉冲冲击销毁Flash芯片方法，包括：
利用销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚；
电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流；
通过Ctrl信号与Sel信号对控制开关电路的多个控制开关进行循环选通控制，从而使Flash芯片循环接受脉冲冲击；
Flash芯片销毁后，由控制开关电路断开销毁电压。
上述虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。

Claims (7)

1.一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统，其特征在于，包括：
脉冲发生电路，用于产生脉冲方波和产生选通信号Sel；
电流监测电路，用于感应销毁电流，并对控制开关电路进行控制；
所述电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流；控制开关电路，通过控制MOS管的通断，使脉冲方波反复作用于Flash芯片；MOS管的导通受选通信号Sel和电流检测信号Ctrl共同控制，正常情况下Ctrl信号一直处高电平，Sel控制MOS管的通断；当芯片烧毁后，芯片通过电流增大，电流检测电路置Ctrl为低电平，MOS不再受Sel信号控制；
所述控制开关电路包括多个控制开关，通过循环选通控制开关，使Flash芯片循环接受脉冲冲击；
所述控制开关由Ctrl信号与Sel信号通过或门共同作用。
2.如权利要求1所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统，其特征在于，还包括销毁电压，所述销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚。
3.如权利要求2所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统，其特征在于，所述脉冲发生电路，包括脉冲发生器与移位寄存器。
4.如权利要求3所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统，其特征在于，所述脉冲发生器产生方波后进入移位寄存器，生成循环选通信号。
5.如权利要求1所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统，其特征在于，所述电流监测电路通过Ctrl信号与Sel信号作用于控制开关电路。
6.如权利要求1所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统，其特征在于，所述控制开关电路在Flash芯片销毁后断开销毁电压。
7.一种多脉冲冲击销毁Flash芯片方法，基于权利要求1-6任一项所述的多脉冲冲击销毁Flash芯片系统，其特征在于，包括：
利用销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚；
电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流；
通过Ctrl信号与Sel信号对控制开关电路的多个控制开关进行循环选通控制，从而使Flash芯片循环接受脉冲冲击；
Flash芯片销毁后，由控制开关电路断开销毁电压。
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