CN114222923A - 电子器件探针头用接触探针的制造方法及相应的接触探针 - Google Patents

Abstract

一种用于制造电子器件测试设备探针头用的至少一个接触探针(10)的制造方法，包括使用选自导体材料或半导体材料的至少一种打印材料对所述接触探针(10)进行亚微米3D打印的步骤。

Description

电子器件探针头用接触探针的制造方法及相应的接触探针

技术领域

本发明在其更一般的方面涉及一种用于制造电子器件探针头用接触探针的制造方法以及相应的接触探针，以下描述将参照该应用领域进行，其唯一目的是简化其说明。

背景技术

众所周知，探针头本质上是一种适于将微结构、特别是集成在晶圆上的电子器件的多个接触焊盘与验证其功能的测试设备的相应通道电连接的设备，特别是电气测试或一般测试。

对集成器件进行的测试即用于检测和隔离已经在生产阶段的有缺陷的器件。通常，探针头随后用于对集成在晶圆上的器件进行电气测试，然后将它们切割并安装到芯片包装封装件内。

探针头通常包括大量接触元件或接触探针，这些接触元件或接触探针由具有良好电气和机械性能的特殊合金形成，并至少配备有用于待测器件的相应多个接触焊盘的接触部分。

一种通常称为“竖直探针头(vertical probe head)”的探针头主要包括至少由一对大致板状且平行的板或导引件保持的多个接触探针。所述导引件配备有合适的孔并且彼此相隔一定距离放置，以便为接触探针的移动和可能的变形留出自由区或空气区。该对导引件具体地包括上导引件和下导引件，它们都设有各自的导引孔，通常由具有良好电气和机械性能的特殊合金形成的接触探针在这些导引孔中轴向滑动。

接触探针与待测器件的各个接触焊盘之间的良好连接是通过探针头对器件本身上的压力来确保的，可在上下导引件中的导引孔内移动的接触探针在所述按压接触期间在两个导引件之间的空气区内弯曲并在所述导引孔内滑动。

此外，可以通过探针本身或其导引件的适当配置来帮助接触探针在空气区中弯曲，如图1中示意性示出的，其中为了图示简单起见，展示了通常包括在探针头中的该多个探针中的仅一个接触探针，图示的探针头属于所谓的移位板类型。

具体地，图1示意性地示出了探针头9，其包括具有相应的上导引孔2A和下导引孔3A的至少一个上板或上导引件(上模具)2和一个下板或下导引件(下模具)3，其具有相应的上导引孔2A和下导引孔3A。具有本质上在根据图中所示的轴线H-H的纵向发展方向上延伸的探针主体1C的至少一个接触探针1在上导引孔2A和下导引孔3A中滑动。多个接触探针1通常位于探针头9内部，其中所述纵向发展方向垂直于待测器件和导引件布置，即，使用该图的局部参考系沿轴线z基本上垂直。

接触探针1具有至少一个接触端或尖端1A。术语端或尖端在本文和下文中表示末端部分，不一定是尖的。具体地，接触尖端1A邻接待测器件4的接触焊盘4A，从而实现所述器件与测试设备(未示出)之间的机械和电接触，其中测试设备的探针头9形成端接元件。

在某些情况下，接触探针以固定方式在上导引件处被限制到探针头上：这些被称为带有阻塞探针的探针头。

或者，探针头与未以固定方式固定而是通过中间板保持与板界面接触的探针一起使用：这些被称为带有非阻塞探针的探针头。中间板是空间转换板，通常称为“空间转换器(space transformer)”，除了与探针的接触外，它还允许相对于待测器件上存在的接触焊盘在空间上重新分配设置在其上的接触焊盘，特别是放松焊盘本身的中心之间的距离限制，也就是说，根据相邻焊盘的中心之间的距离变换空间。

在这种情况下，如图1所示，接触探针1在表示为接触头的区域中具有另一个接触尖端1B，其朝向空间变换器5的多个接触焊盘5A。探针和空间变换器5之间的良好电接触以与待测器件4的接触类似的方式通过接触探针1的接触头1B在空间变换器5的接触焊盘5A上的压力来确保。

如已经解释的，上导引件2和下导引件3由空气区6适当地隔开。该空气区6允许接触探针1在探针头9的操作期间变形，并确保接触探针1的接触尖端1A和接触头1B分别与待测器件4的接触焊盘4A和空间变换器5的接触焊盘5A之间的连接。显然，上导引孔2A和下导引孔3A的大小应允许接触探针1在通过探针头9进行的测试操作期间在其中滑动。

应该注意的是，所述上导引孔2A和下导引孔3A的大小还取决于应该容纳在其中的接触探针1的尺寸公差，该公差导致尺寸增加，因此导致所述上导引孔2A和下导引孔3A的总体积增大，较少数量的上导引孔2A和下导引孔3A可以放置在相应的导引件上，如图2示意性所示，参考上导引件2及其在图2A中放大示出的细节，其中示出了在所述导引孔2A的两个发展方向上具体是根据图中所示的轴线x和y设置的各自的间隙Gx和Gy。为下导引件3的下导引孔3A提供了类似的间隙。

更具体地，建立所述间隙，以确保接触探针1在上导引件2和下导引件3中的上导引孔2A和下导引孔3A中分别正确插入、保持和滑动。

接触探针的尺寸公差也影响其他因素，例如接触头1B的大小，以确保它们抵靠在上导引件2上并允许将接触探针1在探针头9的正常操作期间正确固定在其内部，即使在没有探针头9应该抵接的待测器件4的晶圆的情况下。

还已知的是，接触探针1的尺寸公差主要取决于其制造方法。

从根本上说，目前该领域使用两种制造电子器件探针头用接触探针的制造方法。

第一种方法基于光刻技术，用于从适当形状的基板开始制造探针，由于使用随后的掩模和材料去除步骤，能够制造尺寸精度有限的接触探针。

使用光刻技术的制造方法可以很容易地制造包含不同材料层的探针，但严重限制了接触探针的整体尺寸和创建特别复杂结构的可能性，无论是在几何形状方面还是在可用材料组合方面。

在该领域中广泛使用的第二种已知方法是基于激光切割技术；具体地，使用激光束，该激光束能够从也可能是多层的合适材料的层压材料开始“切割出(cut out)”接触探针，。

由于激光方法，与光刻技术相比，可以创建形状更复杂的结构。通常需要向所述激光技术添加进一步的沉积技术，例如以获得整个接触探针或其部分的覆盖膜。

然而，没有一种已知方法允许在同一批制造的探针上获得最佳尺寸精度，也不能获得完美的再现性，这需要考虑每批的统计计算的最大公差。

此外，没有一种已知方法允许制造包含或多或少复杂形状的材料交替的探针。

本发明的技术问题在于提供一种用于制造集成器件探针头用接触探针的制造方法，该方法能够在确保得到的探针具有高精度的同时使用任意材料组合制造出任意复杂几何形状的探针，从而克服仍然困扰根据现有技术实现的方法的限制和缺点。

发明内容

本发明的解决方案思想是通过对合适的打印材料、特别是至少一种导体或半导体材料进行3D打印来实现接触探针，其使用用于输出具有亚微米尺寸的打印材料的喷嘴。

基于上述解决方案思想，本发明解决的技术问题是一种用于制造电子器件测试设备探针头用的至少一个接触探针的制造方法，其特征在于，所述方法包括用选自导体材料或半导体材料的至少一种打印材料对接触探针进行亚微米3D打印的步骤。

更具体地，本发明包括以下附加的和可选的特征，如果需要，可以单独或组合使用。

根据本发明的一个方面，3D打印步骤可以包括输出亚微米级打印材料的步骤和根据预设几何形状沉积打印材料的步骤。

更具体地，输出打印材料的步骤可以包括将所述打印材料形成线的步骤，所述线的直径在0.1-0.9μm范围内，优选在0.2-0.4μm范围内。

根据本发明的另一方面，该制造方法可以包括加热打印材料的预备步骤。

具体地，加热预备步骤可以包括将打印材料加热至其软化点，优选至其熔点。

根据本发明的另一方面，3D打印步骤可以由多种不同的打印材料进行。

在这种情况下，3D打印步骤可以包括输出和沉积该多种不同的打印材料的多个步骤。

此外，输出和沉积的步骤可以同时且顺序地进行。

根据本发明的另一方面，3D打印步骤可以使用导体材料，例如选自以下的材料：铜、银、金或其合金，例如铜-铌或铜-银合金；或镍或其合金，例如镍-锰、镍-钴或镍-磷合金；或钨或其合金，例如镍-钨或含有钨的多层；或钯或其合金，例如镍-钯、钯-钴或钯-钨；或铂或铑或其合金，优选钨。

根据本发明的另一方面，3D打印步骤使用可能掺杂的半导体材料，例如硅或碳化硅。

根据本发明的又一方面，3D打印步骤可以使用绝缘材料，例如

该绝缘材料优选呈接触探针的涂层的形状。

此外，根据本发明的另一方面，该多种不同的打印材料可以包括一种或多种导体材料，例如选自以下的材料：铜、银、金或其合金，例如铜-铌或铜-银合金；或镍或其合金，例如镍-锰、镍-钴或镍-磷合金；或钨或其合金，例如镍-钨或含有钨的多层；或钯或其合金，例如镍-钯、钯-钴或钯-钨，或铂或铑或其合金，优选钨；或一种或多种可能掺杂的半导体材料，例如硅或碳化硅；或一种或多种绝缘材料，例如

可任意组合。

本发明还涉及一种电子器件测试设备探针头用的接触探针，其特征在于，所述接触探针是通过用选自导体材料或半导体材料中的至少一种打印材料进行亚微米3D打印的步骤来提供的。

根据本发明的另一方面，接触探针可以包括多种不同的材料，包括一种或多种导体材料，例如选自以下的材料：铜、银、金或其合金，例如铜-铌或铜-银合金；或镍或其合金，例如镍-锰、镍-钴或镍-磷合金；或钨或其合金，例如镍-钨或含有钨的多层；或钯或其合金，例如镍-钯、钯-钴或钯-钨；或铂或铑或其合金，优选钨；或包括一种或多种可能掺杂的半导体材料，例如硅或碳化硅；或包括一种或多种绝缘材料，例如

可任意组合。

具体地，这些材料可以呈互穿或交错的形状进行组合，可能与空部分或空气区连结。

最后，根据本发明的另一方面，接触探针可以具有以亚微米精度定义的尺寸。

根据本发明的接触探针的特征和优点将从以下参照附图以非限制性示例的方式给出的其实施例的示例的描述中变得清楚。

附图说明

在附图中：

图1示意性地示出了根据现有技术制造的探针头的主视图；

图2和2A分别示出了包括在图1的探针中的导引件的平面图及其放大细节；

图3示意性地示出了能够实施根据本发明的制造方法的3D打印设备的主视图；以及

图4A-图4E、图5A-图5D、图6A-图6D和图7A-图7B示意性地示出了根据本发明制造的接触探针的替代实施例。

具体实施方式

参照附图，特别是参照图3，描述了一种通过3D打印设备实现的用于制造探针头用接触探针的制造方法，所述3D打印设备整体用20表示，由此获得的相应的接触探针用10表示。

应该注意的是，这些图是示意图并且不是按比例绘制的，而是以强调本发明的重要特征的方式设计的。

此外，以下描述的工艺步骤并未形成用于制造接触探针的完整工艺流程。本发明可以与已知的3D打印技术一起实施，仅包括那些对理解本发明所必需的常用工艺步骤。

最后，需要注意的是，与垂直或屈曲梁探针相关的措施也可以转移到其他类型的探针，如悬臂式探针、微探针等，以及与悬臂式或微探针相关的措施也可以应用于垂直探针。

本发明具体地，涉及一种用于制造电子器件测试设备探针头用的至少一个接触探针的制造方法，该方法包括用适用于实现其的至少一种导体或半导体材料对所述接触探针10进行亚微米3D打印的步骤。

所述导体材料可以是金属，例如铜、银、金或其合金，例如铜-铌或铜-银合金；或镍或其合金，例如镍-锰、镍-钴或镍-磷合金；或钨或其合金，例如镍-钨或包含钨的多层；或钯或其合金，例如镍-钯、钯-钴或钯-钨；或铂或铑或其合金，优选钨。或者，可以使用诸如硅或碳化硅等半导体材料，其也可以适当地掺杂以增加其导电性能。

适当地，3D打印步骤包括输出亚微米级打印材料的步骤和按照预设几何形状沉积打印材料的步骤。

更具体地，输出打印材料的步骤包括将所述打印材料形成线的步骤，所述线的直径在0.1-0.9μm范围内，优选地在0.2-0.4μm范围内。这些尺寸对应于当前3D打印技术的限制，特别是对于金属材料，并且可以随着该技术的发展而明显改变。

此外，3D打印的步骤可以包括加热打印材料的预备步骤，具体是加热到其软化点，优选加热到其熔点。

在优选实施例中，3D打印步骤由多种不同的打印材料进行。

在这种情况下，所述3D打印步骤包括输出和沉积不同打印材料的多个步骤。

具体地，所述打印材料可以是选自上面列出的那些的导体或半导体材料，但它们也可以是绝缘材料，该绝缘材料具体是呈接触探针10的涂层的形状，例如

绝缘材料也可用于制造接触探针10的不必承载电流的部分，如下文将更好地阐明。

适当地，输出和沉积的步骤可以同时且顺序地进行。

如图3示意性所示，接触探针10通过3D打印设备20打印，该3D打印设备20具体包括至少一个能够输出亚微米级打印材料的3D打印头11。如结合现有技术可知，接触探针10至少包括表示为接触尖端10A的第一端部、表示为接触头10B的第二端部和在它们之间延伸的杆状主体10C。

3D打印头11因此包括具有打印材料输出开口的打印喷嘴11a，该打印材料输出开口具有亚微米级直径，特别是在0.1-0.9μm的范围内，优选地在0.2-0.4μm的范围内，即对应打印材料的线的直径。

打印喷嘴11a连接到适合于实现接触探针10的至少一种导体或半导体材料的罐11b，罐11b进而通过例如小管形状的合适的连接和传输装置12a连接到所述材料的进料器12。具体地，3D打印头11可以按照具有亚微米级直径的线状输出用于打印探针的打印材料。

3D打印设备20还可以包括所述打印材料的至少一个加热器，该加热器可能与罐12相关联。

所述导体材料可以是金属，例如铜、银、金或其合金，例如铜-铌或铜-银合金；或镍或其合金，例如镍-锰、镍-钴或镍-磷合金；或钨或其合金，例如镍-钨或包含钨的多层；或钯或其合金，例如镍-钯、钯-钴或钯-钨；或铂或铑或其合金，优选钨。或者，可以使用诸如硅或碳化硅等半导体材料，其也可以适当地掺杂以增加其导电性能。

如下文将更清楚地阐明，接触探针10也可以通过材料组合制成，并且还包括绝缘材料，该绝缘材料具体是呈涂层形状，例如

其相互结合并与导体或半导体材料结合。

3D打印设备20还包括至少一个可移动平台13，该可移动平台13配备有相应的搁脚13a并且由于电机元件13b的作用而移动，特别是沿着与可移动平台13本身正交的轴线14移动。该可移动平台13呈板状支撑件的形状且定位在3D打印设备20的固定底座15上。固定底座15进而设置有搁脚15a。固定底座15也为板状，沿平面π展开。

3D打印设备20还包括垂直于固定底座15定位并通过第一固定元件16a与其相关联的第一支撑立柱16。另外的第二支撑立柱17设置成垂直于第一支撑立柱16并通过第二固定元件17a连接到其上。

更具体地，第二支撑立柱17承载3D打印头11，并允许其在3D打印设备20的固定底座15的平面π内移动。

通过使用图中的局部参考系，3D打印头11因此可根据轴线x和y移动，而可移动平台13沿轴线z移动。显然可以考虑其中可移动平台13也能够根据轴线x和y移动并且能够根据轴线z移动3D打印头11或任何其他移动组合的配置。

在任何情况下，3D打印头11和可移动平台13的移动组合使得打印喷嘴11a可以沿x、y和z三个方向运动，从而可以根据预设的几何形状实现接触探针10。

3D打印设备20如何允许打印也具有几何复杂形状的接触探针10是显而易见的，特别是不能通过传统的光刻和激光技术以期望的精度获得的形状。

具体地，归功于上述3D打印设备20，通过包括亚微米3D打印的本发明的制造方法获得的任何接触探针10将具有尺寸精度低于1微米的尺寸，而不管最终几何形状的复杂性如何。

因此，在悬臂式接触探针配备有在部分端部例如接触尖端10A制成的第一凹口18a和在主体10C处制成的第二凹口18b的情况下，可以获得具有能够局部减小尺寸的适当凹口的接触探针10，如图4A示意性所示。

类似地，通过3D打印，可以实现具有整体非常复杂的几何形状的接触探针，如图4B所示的几何形状。更具体地，接触探针10包括在接触尖端10A处实现的受电弓结构(pantograph structure)19a、在接触头10B处实现的阻尼结构(dampening structure)19b和具有放大形状19c的主体，该主体19c配备有T形顶部19d和相应的耦合脚19e。

由于3D打印，还可以实现具有满部分和空部分的复杂形状，甚至只是接触探针10的一部分，例如图4C中所示的主体10C，其中主体10C制成为线圈形状。

类似地，如图4D所示，可以将主体10C实现为由合适的分离区21隔开的多个薄片22a、22b，分离区21可以是空气或其他材料。

最后，如图4E中示意性所示，还可以打印尺寸减小的探针，例如微探针，其具有任何形状的接触部分23a和支撑部分23b，并且高度H小于200μm。

有利地，根据本发明的制造方法的3D打印还可以用不同的打印材料打印接触探针10的不同部分。在这种情况下，可以将3D打印设备20的3D打印头11以固定或可互换的方式连接到不同打印材料的多个供料器12，以同时或顺序地进行输出和沉积不同打印材料的步骤。

以这种方式，可以获得具有多层的接触探针10，如图5A示意性所示，其具有棒状芯24a和几个涂层，这些涂层像层24b一样完全覆盖芯24a或仅像层24c一样部分覆盖芯24a。

类似地，可以实现配备有多个薄片22a、22b和22c以及分离区21a、21b的接触探针10，至少一个或甚至所有薄片和/或分离区由不同材料制成，如图5B示意性所示。

此外，如图5C和5D所示，也可以仅实现接触探针10的一部分，例如接触尖端10A，以及由至少两种不同的材料制成的至少一对区域23a和23b，所述区域23a和23b能够具有复杂的几何形状并且特别是在它们的界面部分对应和波纹化，以保证由此获得的接触尖端10A的更好的结构稳定性。

有利地，根据本发明，3D打印方法甚至可以仅在接触探针10的表面部分实现复杂的形状。

以这种方式，可以获得具有表面部分26的接触探针10，如图6A中示意性示出的轻微波纹或如图6B中示意性示出的更明显的波纹，呈真实表面套筒的形式。

适当地，所述波纹表面部分26也可以通过可能由不同的材料制成的单独的交错部分制成，如图6C和6D示意性所示。

在更复杂的实施例中，根据本发明的方法的3D打印还允许特别是通过可能由不同材料制成和/或具有不同直径的三根线27a、27b和27c以完全交错的形式制造接触探针10，如图7A示意性所示。

此外，接触探针10可以被制造成包括由不同材料制成的不同部分28a、28b，如图7B示意性所示。在这种情况下，接触探针10包括由第一材料制成并包括接触尖端10A的第一部分28a和由第二材料制成并包括接触头10B的第二部分28b。所述第一和第二材料可以例如都是导体材料，具有不同的特性；具体地，可以选择制造第一部分28a的第一材料具有比制造第二部分28b的第二材料更高的硬度值，从而赋予接触探针10的接触尖端10A更大的硬度。或者，可以用导体材料制造第一部分28a，而用绝缘材料制造第二部分28b，所述第二部分实际上成为仅用于探针的阻尼部分，其尺寸相对于第一部分18a的尺寸减小。

因此要指出的是，本发明的制造方法允许3D打印接触探针10，该接触探针10可以包括导体、半导体或甚至绝缘材料等不同材料的组合，呈互穿或交错形式，可能与空部分或空气区连结。

总之，由于3D打印，根据本发明的制造方法允许以安全且可重复的方式获得由任何材料组合制成并具有亚微米级精度的探针。

有利地，所述方法允许获得具有使用传统光刻和激光技术难以获得的特别复杂形状和材料组合的探针。

更具体地，通过3D打印获得的接触探针可以包括也呈互穿或交错形状的材料交替，可能与空部分连结，即使对于特别小的整体尺寸，所述探针的最终几何形状的尺寸是精确到低于一微米的水平。

显然，本领域的技术人员可以对上述制造方法和接触探针进行多种修改和变型，以满足可能的和特定的需要，所有这些均包含在权利要求书中定义的本发明的保护范围内。

具体地，显然可以考虑除了在图中以示例方式示出的那些之外的几何形状。

也可以制造不同类型的探针，例如垂直或屈曲梁探针，特别是阻塞或非阻塞类型，具有自由体、预变形、悬臂、微探针、用于带膜的头部的接触尖端甚至弹簧针。

此外，可以考虑本领域技术人员已知的其他导体、半导体或绝缘材料来实现接触探针及其多层组合，无论是平面重叠还是同心或同轴方式。

最后，可以为本发明的接触探针配备进一步的措施，例如针对头部部分的特殊构造，例如凹部或扩大部分；针对尖端部分的特殊构造，例如偏移或细长部分；以及针对主体的特殊构造，例如从主体伸出的止挡件。

Claims (18)

1.一种用于制造电子器件测试设备探针头用的至少一个接触探针(10)的制造方法，其特征在于，所述方法包括利用选自导体材料或半导体材料的至少一种打印材料对所述接触探针(10)进行亚微米3D打印的步骤。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述3D打印步骤包括输出所述亚微米级打印材料的步骤和按照预设几何形状沉积所述打印材料的步骤。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述输出所述打印材料的步骤包括将所述打印材料形成为直径在0.1-0.9μm范围内的线的步骤。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述输出所述打印材料的步骤包括将所述打印材料形成为直径在0.2-0.4μm范围内的线的步骤。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，包括加热所述打印材料的预备步骤。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述加热预备步骤包括将所述打印材料加热到其软化点。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述加热预备步骤包括将所述打印材料加热到其熔点。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述3D打印步骤由多种不同的打印材料进行。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述3D打印步骤包括输出和沉积所述多种不同打印材料的多个步骤。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述输出和沉积步骤同时且顺序地进行。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述3D打印步骤使用导体材料，例如选自以下的导体材料：铜、银、金或其合金，例如铜-铌或铜-银合金；或镍或其合金，例如镍-锰、镍-钴或镍-磷合金；或钨或其合金，例如镍-钨或含有钨的多层；或钯或其合金，例如镍-钯、钯-钴或钯-钨；或铂或铑或其合金，优选钨。

12.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述3D打印步骤使用可能掺杂的半导体材料，例如硅或碳化硅。

13.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述3D打印步骤使用绝缘材料，所述绝缘材料呈所述接触探针(10)的涂层形状。

14.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述多种不同打印材料包括一种或多种导体材料，例如选自以下的导体材料：铜、银、金或其合金，例如铜-铌或铜-银合金；或镍或其合金，例如镍-锰、镍-钴或镍-磷合金；或钨或其合金，例如镍-钨或含有钨的多层；或钯或其合金，例如镍-钯、钯-钴或钯-钨；或铂或铑或其合金，优选钨；或包括一种或多种可能掺杂的半导体材料，例如硅或碳化硅；或包括一种或多种绝缘材料，可任意组合。

15.一种电子器件测试设备探针头用的接触探针(10)，其特征在于，所述接触探针是通过使用选自导体材料或半导体材料的至少一种打印材料进行亚微米3D打印的步骤来提供的。

16.根据权利要求15所述的接触探针(10)，其特征在于，所述接触探针包括多种不同的材料，包括一种或多种导体材料，例如选自：铜、银、金或其合金，例如铜-铌或铜-银合金；或镍或其合金，例如镍-锰、镍-钴或镍-磷合金；或钨或其合金，例如镍-钨或含有钨的多层；或钯或其合金，例如镍-钯、钯-钴或钯-钨；或铂或铑或其合金，优选钨；或包括一种或多种可能掺杂的半导体材料，例如硅或碳化硅；或包括一种或多种绝缘材料，可任意组合。

17.根据权利要求16所述的接触探针(10)，其特征在于，所述材料以互穿或交错的形状进行组合，可能与空部分或空气区连结。

18.根据权利要求15所述的接触探针(10)，其特征在于，所述接触探针具有以亚微米精度定义的尺寸。

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