CN114204925B - Mosfet组件的电流控制方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例涉及一种MOSFET组件的电流控制方法及装置，包括：获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同，由此方法，可以实现将不间断以及长时间运转的服务器系统中经常使用到的MOSFET组件达到电流平均，并且在瞬间大电流时可以在MOSFET组件能承受的安全范围中，延长MOSFET组件使用寿命，保证系统稳定。

Description

MOSFET组件的电流控制方法及装置
技术领域
本发明实施例涉及MOSFET组件电流控制领域，尤其涉及一种MOSFET组件的电流控制方法及装置。
背景技术
目前科技日新月异，所需的服务器产品功能日益增加，造成许多产品的用电规格大幅提升，因此在未来发展中，势必会有更多大电流产品的需求使用，在应用于大电流的热插拔下，使用单个MOSFET导电已不能满足，因此设计上需要使用更多MOSFET组件以分散电流负载，使其不会因数量不足而造成损坏。
目前服务器大电流热插拔设计，大部分使用单纯的MOSFET去分散平均电流，并且利用布局摆放方式以及将电流资料回馈给热插入芯片控制的侦测功能去加强每颗MOSFET的电流均流。由于使用简单的MOSFET设计只在输入前端侦测之后给予每个MOSFET相同的开关指令，并没有针对各个MOSFET电流实际应用上的后端进行侦测功能，因此无法确保在大电流情况下通过各个MOSFET的电流是否会平均。因布局位置不理想可能造成电流长时间通过距离较近以及阻抗较低的某颗MOSFET，严重会造成其电流过大以及温度持续升高的风险。而服务器必须长时间运转，因此导致MOSFET的使用寿命大幅降低或者有瞬间超额使用造成损坏。
因此，如何将不间断以及长时间运转的服务器系统中经常使用到的MOSFET组件达到电流平均并且在瞬间大电流时可以在MOSFET组件能承受的安全范围中，成为目前一大挑战。
发明内容
鉴于此，为解决上述技术问题或部分技术问题，本发明实施例提供一种MOSFET组件的电流控制方法及装置。
第一方面，本发明实施例提供一种MOSFET组件的电流控制方法，包括：
获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；
基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；
基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同。
在一个可能的实施方式中，所述方法还包括：
获取每个MOSFET组件的电阻以及漏极端电压；
基于所述电阻以及漏极端电压确定每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。
在一个可能的实施方式中，所述方法还包括：
基于所述第一电流值查询预设的电压电流对应表，确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压。
在一个可能的实施方式中，所述方法还包括：
调整每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压与所述第一栅极端电压相同。
在一个可能的实施方式中，所述方法还包括：
判断调整栅极端电压后的MOSFET组件的第二电流值是否处于标准电流区间；
若所述第二电流值未处于标准电流区间，则对所述MOSFET集合中每个MOSFET组件的当前栅极端电压进行调整。
在一个可能的实施方式中，所述方法还包括：
将所述第二电流值不等于电流阈值的MOSFET组件的栅极端电压调整为所述电流阈值对应的电压值。
第二方面，本发明实施例提供一种MOSFET组件的电流控制装置，包括：获取模块，用于获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；
确定模块，用于基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；
控制模块，用于基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同。
在一个可能的实施方式中，所述获取模块，具体用于获取每个MOSFET组件的电阻以及漏极端电压；基于所述电阻以及漏极端电压确定每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。
第三方面，本发明实施例提供一种电子设备，包括：处理器和存储器，所述处理器用于执行所述存储器中存储的MOSFET组件的电流控制程序，以实现上述第一方面中所述的MOSFET组件的电流控制方法。
第四方面，本发明实施例提供一种存储介质，包括：所述存储介质存储有一个或者多个程序，所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现上述第一方面中所述的MOSFET组件的电流控制方法。
本发明实施例提供的MOSFET组件的电流控制方案，通过获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同，相比于现有技术中使用单纯的MOSFET去分散平均电流，并且利用布局摆放方式以及将电流资料回馈给热插入芯片控制的侦测功能去加强每颗MOSFET的电流均流，只在输入前端侦测之后给予每个MOSFET相同的开关指令，并没有针对各个MOSFET电流实际应用上的后端进行侦测功能，因此无法确保在大电流情况下通过各个MOSFET的电流是否会平均，造成电流长时间通过距离较近以及阻抗较低的某颗MOSFET，使其电流过大以及温度持续升高产生损毁的问题，由本方案，可以将不间断以及长时间运转的服务器系统中经常使用到的MOSFET组件达到电流平均，并且在瞬间大电流时可以在MOSFET组件能承受的安全范围中，延长MOSFET组件使用寿命，保证系统稳定。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种MOSFET组件的电流控制方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的一种MOSFET组件的电流控制方法的原理图；
图3为本发明实施例提供的另一种MOSFET组件的电流控制方法的流程示意图；
图4为本发明实施例提供的一种MOSFET组件的电流控制装置的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为便于对本发明实施例的理解，下面将结合附图以具体实施例做进一步的解释说明，实施例并不构成对本发明实施例的限定。
图1为本发明实施例提供的一种MOSFET组件的电流控制方法的流程示意图，如图1所示，该方法具体包括：
S11、获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。
本发明优先适用于服务器的MOSFET集合中，服务器中可以存在一个或多个MOSFET集合，每个MOSFET集合中存在多个MOSFET组件，本发明适用于对MOSFET集合中的多个MOSFET组件的电流进行控制。
本发明实施例中，当服务器正常运行时，如图2所示的MOSFET组件的电流控制方法的原理图，可以在热插拔芯片与每个MOSFET组件之间设置Gate电压校正器，在每个MOSFET组件上设置MOSFET电流演算器，该电流演算器包含有电压计和奥姆计，其中，电压计用来测量MOSFET组件两端的漏极端电压，奥姆计用来测量MOSFET组件的电阻，根据电压和电阻值可以计算出MOSFET组件当前通过的第一电流值。
进一步的，可以由上述方式获取到MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。
S12、基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压。
本发明实施例中，在获取到MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值后，基于全部第一电流值可以确定一平均电流值，进一步的，可以根据平均电流值以及每个MOSFET组件的电阻，确定每个MOSFET组件的第一栅极端电压。
进一步的，每个MOSFET电流演算器在确定每个MOSFET组件的第一栅极端电压后将第一栅极端电压值发送给Gate电压校正器。
S13、基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同。
Gate电压校正器在接收到第一栅极端电压后，基于接收到的每个MOSFET组件的第一栅极端电压对每个MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，将当前栅极端电压调整为与第一栅极端电压值相同，由此可以使得每个MOSFET组件的电流值相同，实现MOSFET集合中每个MOSFET组件的电流平均。
本发明实施例提供的MOSFET组件的电流控制方案，通过获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同，相比于现有技术中使用单纯的MOSFET去分散平均电流，并且利用布局摆放方式以及将电流资料回馈给热插入芯片控制的侦测功能去加强每颗MOSFET的电流均流，只在输入前端侦测之后给予每个MOSFET相同的开关指令，并没有针对各个MOSFET电流实际应用上的后端进行侦测功能，因此无法确保在大电流情况下通过各个MOSFET的电流是否会平均，造成电流长时间通过距离较近以及阻抗较低的某颗MOSFET，使其电流过大以及温度持续升高产生损毁的问题，由本方案，可以将不间断以及长时间运转的服务器系统中经常使用到的MOSFET组件达到电流平均，并且在瞬间大电流时可以在MOSFET组件能承受的安全范围中，延长MOSFET组件使用寿命，保证系统稳定。
图3为本发明实施例提供的另一种MOSFET组件的电流控制方法的流程示意图，如图3所示，该方法具体包括：
S31、获取每个MOSFET组件的电阻以及漏极端电压。
S32、基于所述电阻以及漏极端电压确定每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。
以下对S31-S32进行统一说明：
本发明实施例中，在服务器的热插拔芯片接通电源瞬间，可能造成瞬间大电流，需要对每个MOSFET组件的电流进行控制，且保证在标准电流区间内。
如图2所示的MOSFET组件的电流控制方法的原理图，可以在热插拔芯片与每个MOSFET组件之间设置Gate电压校正器，在每个MOSFET组件上设置MOSFET电流演算器，该电流演算器包含有电压计和奥姆计，其中，电压计用来测量MOSFET组件两端的漏极端电压，奥姆计用来测量MOSFET组件的电阻，根据电压和电阻值可以计算出MOSFET组件当前通过的第一电流值。
S33、基于所述第一电流值查询预设的电压电流对应表，确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压。
本发明实施例中，可以预先设置栅极端电压与电流的对应表，基于第一电流值，查询栅极端电压与电流的对应表，可以确定每个MOSFET组件可以承受的第一栅极端电压。其中，栅极端电压与电流的对应表可以如表1所示：
电压 电流
5V 5A
10V 10A
13V 13A
表1
S34、调整每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压与所述第一栅极端电压相同。
在服务器的热插拔芯片接通电源瞬间，通过Gate电压校正器调整每个MOSFET组件的当前栅极端电压与上述查询到的第一栅极端电压相同。
S35、判断调整栅极端电压后的MOSFET组件的第二电流值是否处于标准电流区间。
本发明实施例中，可以预先设置MOSFET组件可以承受的标准电流区间(例如，5A～10A)，在对栅极端电压进行调整后，可以根据栅极端电压与MOSFET组件的电阻计算出调整栅极端电压后的MOSFET组件的第二电流值，判断该第二电流值是否处于标准电流区间。
S36、若所述第二电流值未处于标准电流区间，则对所述MOSFET集合中每个MOSFET组件的当前栅极端电压进行调整。
若第二电流值未处于标准电流区间，则需要对MOSFET组件的当前栅极端电压进行调整，以保证第二电流值处于标准电流区间。
具体的，若第二电流值小于标准电流区间的小电流值，则可以调整当前栅极端电压增大；若第二电流值大于标准电流区间的大电流值，则可以调整当前栅极端电压减小。
可选的，若要保证MOSFET集合中每个MOSFET组件的电流值一致，则需要对MOSFET集合中每个MOSFET组件的当前栅极端电压进行调整。
S37、将所述第二电流值不等于电流阈值的MOSFET组件的栅极端电压调整为所述电流阈值对应的电压值。
本发明实施例中，还可以预设电流阈值(例如，10A)，该电流阈值可以是平均电流值，若保证MOSFET集合中每个MOSFET组件的电流值一致，则可以控制每个MOSFET组件的电流值与电流阈值相同，因此，需要调整MOSFET组件的栅极端电压与电流阈值对应的电压值一致。
进一步的，根据MOSFET组件的电阻，对栅极端电压进行调整，以保证MOSFET集合中每个MOSFET组件的电流值相同。
本发明实施例提供的MOSFET组件的电流控制方案，通过获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同，相比于现有技术中使用单纯的MOSFET去分散平均电流，并且利用布局摆放方式以及将电流资料回馈给热插入芯片控制的侦测功能去加强每颗MOSFET的电流均流，只在输入前端侦测之后给予每个MOSFET相同的开关指令，并没有针对各个MOSFET电流实际应用上的后端进行侦测功能，因此无法确保在大电流情况下通过各个MOSFET的电流是否会平均，造成电流长时间通过距离较近以及阻抗较低的某颗MOSFET，使其电流过大以及温度持续升高产生损毁的问题，由本方案，可以将不间断以及长时间运转的服务器系统中经常使用到的MOSFET组件达到电流平均，并且在瞬间大电流时可以在MOSFET组件能承受的安全范围中，延长MOSFET组件使用寿命，保证系统稳定。
图4为本发明实施例提供的一种MOSFET组件的电流控制装置的结构示意图，具体包括：
获取模块401，用于获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；
确定模块402，用于基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；
控制模块403，用于基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同。
在一个可能的实施方式中，所述获取模块401，具体用于获取每个MOSFET组件的电阻以及漏极端电压；基于所述电阻以及漏极端电压确定每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。
在一个可能的实施方式中，所述确定模块402，具体用于基于所述第一电流值查询预设的电压电流对应表，确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压。
在一个可能的实施方式中，所述控制模块403，具体用于调整每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压与所述第一栅极端电压相同。
在一个可能的实施方式中，所述控制模块403，还用于判断调整栅极端电压后的MOSFET组件的第二电流值是否处于标准电流区间；若所述第二电流值未处于标准电流区间，则对所述MOSFET集合中每个MOSFET组件的当前栅极端电压进行调整。
在一个可能的实施方式中，所述控制模块403，还用于将所述第二电流值不等于电流阈值的MOSFET组件的栅极端电压调整为所述电流阈值对应的电压值。
本实施例提供的MOSFET组件的电流控制装置可以是如图4中所示的MOSFET组件的电流控制装置，可执行如图1-3中MOSFET组件的电流控制方法的所有步骤，进而实现图1-3所示MOSFET组件的电流控制方法的技术效果，具体请参照图1-3相关描述，为简洁描述，在此不作赘述。
图5为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图，图5所示的电子设备500包括：至少一个处理器501、存储器502、至少一个网络接口504和其他用户接口503。电子设备500中的各个组件通过总线系统505耦合在一起。可理解，总线系统505用于实现这些组件之间的连接通信。总线系统505除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但是为了清楚说明起见，在图5中将各种总线都标为总线系统505。
其中，用户接口503可以包括显示器、键盘或者点击设备(例如，鼠标，轨迹球(trackball)、触感板或者触摸屏等。
可以理解，本发明实施例中的存储器502可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、可编程只读存储器(Programmable ROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(Static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic RAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data RateSDRAM，DDRSDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(Enhanced SDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(Synch link DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(DirectRambus RAM，DRRAM)。本文描述的存储器502旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
在一些实施方式中，存储器502存储了如下的元素，可执行单元或者数据结构，或者他们的子集，或者他们的扩展集：操作系统5021和应用程序5022。
其中，操作系统5021，包含各种系统程序，例如框架层、核心库层、驱动层等，用于实现各种基础业务以及处理基于硬件的任务。应用程序5022，包含各种应用程序，例如媒体播放器(Media Player)、浏览器(Browser)等，用于实现各种应用业务。实现本发明实施例方法的程序可以包含在应用程序5022中。
在本发明实施例中，通过调用存储器502存储的程序或指令，具体的，可以是应用程序5022中存储的程序或指令，处理器501用于执行各方法实施例所提供的方法步骤，例如包括：
获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同。
在一个可能的实施方式中，获取每个MOSFET组件的电阻以及漏极端电压；基于所述电阻以及漏极端电压确定每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。
在一个可能的实施方式中，基于所述第一电流值查询预设的电压电流对应表，确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压。
在一个可能的实施方式中，调整每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压与所述第一栅极端电压相同。
在一个可能的实施方式中，判断调整栅极端电压后的MOSFET组件的第二电流值是否处于标准电流区间；若所述第二电流值未处于标准电流区间，则对所述MOSFET集合中每个MOSFET组件的当前栅极端电压进行调整。
在一个可能的实施方式中，将所述第二电流值不等于电流阈值的MOSFET组件的栅极端电压调整为所述电流阈值对应的电压值。
上述本发明实施例揭示的方法可以应用于处理器501中，或者由处理器501实现。处理器501可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器501中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器501可以是通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(FieldProgrammable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件单元组合执行完成。软件单元可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器502，处理器501读取存储器502中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
可以理解的是，本文描述的这些实施例可以用硬件、软件、固件、中间件、微码或其组合来实现。对于硬件实现，处理单元可以实现在一个或多个专用集成电路(ApplicationSpecific Integrated Circuits，ASIC)、数字信号处理器(Digital Signal Processing，DSP)、数字信号处理设备(DSPDevice，DSPD)、可编程逻辑设备(Programmable LogicDevice，PLD)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)、通用处理器、控制器、微控制器、微处理器、用于执行本申请所述功能的其它电子单元或其组合中。
对于软件实现，可通过执行本文所述功能的单元来实现本文所述的技术。软件代码可存储在存储器中并通过处理器执行。存储器可以在处理器中或在处理器外部实现。
本实施例提供的电子设备可以是如图5中所示的电子设备，可执行如图1-3中MOSFET组件的电流控制方法的所有步骤，进而实现图1-3所示MOSFET组件的电流控制方法的技术效果，具体请参照图1-3相关描述，为简洁描述，在此不作赘述。
本发明实施例还提供了一种存储介质(计算机可读存储介质)。这里的存储介质存储有一个或者多个程序。其中，存储介质可以包括易失性存储器，例如随机存取存储器；存储器也可以包括非易失性存储器，例如只读存储器、快闪存储器、硬盘或固态硬盘；存储器还可以包括上述种类的存储器的组合。
当存储介质中一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现上述在电子设备侧执行的MOSFET组件的电流控制方法。
所述处理器用于执行存储器中存储的MOSFET组件的电流控制程序，以实现以下在电子设备侧执行的MOSFET组件的电流控制方法的步骤：
获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同。
在一个可能的实施方式中，获取每个MOSFET组件的电阻以及漏极端电压；基于所述电阻以及漏极端电压确定每个MOSFET组件当前通过的第一电流值。
在一个可能的实施方式中，基于所述第一电流值查询预设的电压电流对应表，确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压。
在一个可能的实施方式中，调整每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压与所述第一栅极端电压相同。
在一个可能的实施方式中，判断调整栅极端电压后的MOSFET组件的第二电流值是否处于标准电流区间；若所述第二电流值未处于标准电流区间，则对所述MOSFET集合中每个MOSFET组件的当前栅极端电压进行调整。
在一个可能的实施方式中，将所述第二电流值不等于电流阈值的MOSFET组件的栅极端电压调整为所述电流阈值对应的电压值。
专业人员应该还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种MOSFET组件的电流控制方法，其特征在于，包括：
获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；
所述获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值，包括：
获取每个MOSFET组件的电阻以及漏极端电压；
基于所述电阻以及漏极端电压确定每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；
基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；
所述基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压，包括：
基于所述第一电流值查询预设的电压电流对应表，确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；
基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同；
所述基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，包括：
调整每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压与所述第一栅极端电压相同。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
判断调整栅极端电压后的MOSFET组件的第二电流值是否处于标准电流区间，其中，所述标准电流区间为MOSFET组件可以承受的电流范围；
若所述第二电流值未处于标准电流区间，则对所述MOSFET集合中每个MOSFET组件的当前栅极端电压进行调整。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述MOSFET集合中每个MOSFET组件的当前栅极端电压进行调整，包括：
将所述第二电流值不等于电流阈值的MOSFET组件的栅极端电压调整为所述电流阈值对应的电压值，其中，电流阈值为MOSFET集合的平均电流值。
4.一种MOSFET组件的电流控制装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；所述获取MOSFET集合中每个MOSFET组件当前通过的第一电流值，包括：获取每个MOSFET组件的电阻以及漏极端电压；基于所述电阻以及漏极端电压确定每个MOSFET组件当前通过的第一电流值；
确定模块，用于基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；所述基于所述第一电流值确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压，包括：基于所述第一电流值查询预设的电压电流对应表，确定每个所述MOSFET组件的第一栅极端电压；控制模块，用于基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，以使每个所述MOSFET组件的电流值相同；所述基于所述第一栅极端电压对每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压进行控制，包括：调整每个所述MOSFET组件的当前栅极端电压与所述第一栅极端电压相同。
5.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器和存储器，所述处理器用于执行所述存储器中存储的MOSFET组件的电流控制程序，以实现权利要求1～3中任一项所述的MOSFET组件的电流控制方法。
6.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有一个或者多个程序，所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现权利要求1～3中任一项所述的MOSFET组件的电流控制方法。
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