CN114184597A - 基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控sers芯片制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，包括以下步骤：S1、衬底预处理；S2、掩膜制备及图案化；S3、活性基底制备；S4、微流控SERS芯片封装，制备得到微流控SERS芯片；通过刻划结合金属辅助化学刻蚀在半导体衬底上简单快捷地制备出具有嵌套结构的微通道，嵌套结构经沉积金属颗粒即可形成微流道中具有拉曼光谱增强效果的活性基底。总体而言，本发明所述加工方法具有工艺简单、加工效率高、成本低的特点，可规模化生产。本发明所制备的微流控SERS芯片具有较高的表面增强拉曼光谱活性、能实现对纳摩尔浓度生化物质的快速、高效、高灵敏度检测，具有很强的实用价值和广阔的应用前景，值得在业内推广。
Description
技术领域
本发明属于微流控芯片技术领域，具体涉及一种基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法。
背景技术
微流控芯片分析技术的应用已经成为生化分析检测的发展趋势。相对于其它分析测试手段，基于微流控技术的生化分析具有检测高效、试剂耗量低、易集成、使用方便等特点，在生物医药、食品安全、环境监测等诸多领域具有广阔的应用前景。然而，由于微流控芯片上的样本量小，对相应的检测技术提出了极高的要求，特别是对微量样品的高精度定量检测。目前，微流控芯片中应用较多的检测方法主要有荧光检测法、化学发光法、紫外吸光光度法、电化学检测法、质谱检测法、表面增强红外光谱法和表面增强拉曼光谱（SERS）法。在这些检测技术中，SERS技术因其灵敏度高、检测速度快、无需样品预处理、干扰小、指纹效应和可同时检测多种被检测物等优异性而成为医学诊断和食品安全中检测极低浓度分子的最有前途的技术。
研究表明SERS效应来源于电磁场增强和化学增强，且主要增强机制在于金属纳米结构表面的局域等离子体共振效应引起的局域电磁场增强。故可通过优化金属纳米结构的尺寸、形貌和排列来获得高灵敏度表面增强拉曼光谱活性基底。到目前为止，在微流控芯片中制备具有增强拉曼光谱活性基底的技术方案，例如有：
公开日为2006年8月2日，公开号为CN1811389A的中国发明专利文献，公开了具有表面增强拉曼光谱活性基底的微流控芯片及制备方法，具体是在微流控芯片上设有至少一条微通道，在微通道的全部或部分内壁表面有一层具有SERS活性的粗糙金属薄膜。制备时在玻璃或高分子材料薄片上加工凹槽；在凹槽的全部或部分区域，通过物理蒸发、溅射或化学沉积的方法结合掩膜技术制备币族金属薄膜；通过化学法或电化学的方法将币族金属薄膜粗糙化；将带凹槽的薄片与带孔洞的薄片进行热键合或等离子体活化键合即得到具有完整密闭微沟道的微流控芯片。
公开日为2016年8月17日，公开号为CN105854964A的中国发明专利文献，公开了基于SERS检测的微流控芯片、制备方法及其应用，所述的制备方法包括制备超疏水二氧化钛涂覆液，制备带超疏水层的基体，制备芯片，芯片包括基体和设置在基体表面的T形流道，流道内为超亲水，流道外为超疏水；T形流道的横流道两端作为两个流道进口，竖流道末端设检测区；T形流道的横流道内分布有超疏水的微图案，微图案从两端向中心划分成多个区域，每个区域内的超疏水图案间距相等，而沿两端向中心方向区域与区域间的图案间距梯度增大，在横流道内从两端到中心形成疏水到亲水的润湿梯度；竖流道设计成楔形流道。
上述公开的技术方案中，均存在不同的技术缺点：（1）在微流控芯片中通入金属纳米粒子的悬浮液，使其沉积在微通道内。这种方法虽然可以得到新鲜的表面，但均匀的金属纳米粒子的制备和储存都比较困难，且很容易聚集，沉降不稳定，应用范围受到很大限制；（2）使用复杂工艺制备粗糙的芯片，再使用电子束溅射非常薄的金属层，得到具有表面增强拉曼光谱活性基底的微流控芯片。这种方法虽然可获得重复性好、稳定性高的金属纳米结构基底，但其工艺复杂，加工成本高，不易于实现规模化生产。
因此，需要提出工艺简单、加工效率高、成本低的微流控SERS芯片的制备方法。
发明内容
本发明为克服现有技术的不足，提供了一种基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，通过该方法制备得到的微流控芯片具有工艺简单、加工效率高、制备成本低、重复性好和稳定性高等优点，特别具有高SERS活性，该类微流控芯片能实现对纳摩尔浓度物质的快速、高效、高灵敏度、高通量检测。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，包括如下步骤：
步骤S1、衬底预处理：将单晶硅衬底表面清洗干净后烘干，获得样品A；
步骤S2、掩膜制备及图案化：将油墨涂覆于样品A表面，通过金刚石针尖在样品A的表面刻划出具有特定形状的图案，在图案处沉积金属颗粒，获得样品B；
步骤S3、活性基底制备：将样品B放入刻蚀溶液中进行金属辅助化学刻蚀，再对刻蚀后的样品B沉积金属颗粒，然后进行清洗去除油墨及油墨表面的金属颗粒，获得样品C；
步骤S4、微流控SERS芯片封装：将固化后的聚二甲基硅氧烷（PDMS）盖层与样品C进行键合，并设置液体进口和液体出口，获得微流控SERS芯片。
上述技术方案中，所述步骤S1中，衬底预处理具体方法为：首先把单晶硅衬底放入丙酮溶液中超声清洗3min以除去表面有机物，用去离子水冲洗后，进一步用酒精超声清洗4min以除去表面杂质，而后用质量分数为10%的氢氟酸溶液浸泡4min，以去除单晶硅衬底表面的氧化层，最后用去离子水反复冲洗样品即可。
上述技术方案中，所述步骤S2中，用于涂覆衬底的油墨，采用油性记号笔的油墨，也可以是聚酮树脂溶解于无水乙醇中形成的油墨。具体的涂敷过程是：将油墨滴于样品A表面，通过匀胶机旋涂的方式使其在样品表面涂覆均匀，旋涂的转速优选1000 r/min或800r/min；或者，将样品A浸泡在油墨中一定时间，而后取出以获得均匀的油墨层，浸泡时间优选1min、2 min或3min。
上述技术方案中，所述步骤S2中，进行图案化的具体方式为：将覆盖有油墨的样品A固定于样品台上，采用扫描探针显微镜、纳米划痕仪等扫描探针加工设备，使用金刚石针尖在样品A的表面任意所需位置刻划掉油墨，暴露出单晶硅衬底以形成具有特定形状的图案，并用去离子水冲洗以去除碎屑。具体用于油墨图案化的设备并不限于上述扫描探针显微镜、纳米划痕仪，也可以是其他可精确移动控制的扫描探针加工设备。
上述技术方案中，所述步骤S2、S3中沉积金属颗粒时，可以选用但不限于热蒸发、溅射、电子束蒸发、化学沉积、电化学沉积或聚焦离子束辅助沉积技术。所述沉积金属颗粒的时间优选20s、30s、40s、60s。进一步的，采用化学沉积时，将具有图案的样品A浸入预先配置好的贵金属盐溶液中一定时间，即可在刻划掉油墨的区域沉积金属颗粒，所述贵金属盐溶液可以选用但不限于0.05M硝酸银和4.8M氢氟酸的混合溶液、0.1M四氯金酸和5M氢氟酸的混合溶液或1mM六氯合铂酸和90mM氢氟酸的混合溶液。
上述技术方案中，所述步骤S3中，刻蚀步骤可以是直接将样品B放入刻蚀溶液中进行化学刻蚀，也可以选用电化学刻蚀技术进行刻蚀。选用电化学刻蚀时，采用三电极工作系统，对电极采用铂片电极，参比电极使用饱和甘汞电极，再通过恒电流法、恒电位法或阶跃电位法中的一种进行刻蚀。电化学刻蚀与直接的化学刻蚀相比，具有刻蚀速率高，微通道嵌套结构均匀的优势，可根据具体加工需求选用相应的刻蚀方法。
进一步的，电化学刻蚀所采用的对电极不限于上述铂片电极，也可以是由其它材料制成的电极，如银电极，镍电极等；电化学刻蚀所采用的参比电极不限于上述饱和甘汞电极，也可以是具有相同性质的电极；电化学刻蚀所采用的刻蚀溶液可以是氢氟酸和过氧化氢的混合溶液，也可以是其它具有刻蚀作用的刻蚀溶液；金属沉积方式可以与上述步骤S2中的金属沉积相同；刻蚀溶液的浓度配比及刻蚀时间根据具体加工微通道结构的尺寸决定。
在刻蚀过程中，衬底表面沉积金属颗粒的区域作为牺牲层，表现出显著地选择性刻蚀，从而获得微通道结构，同时，在金属颗粒的作用下，微通道内还具有嵌套的纳米线结构；进一步在该微通道内沉积金属颗粒获得样品C，即具有高SERS活性的微流控芯片基底。
上述技术方案中，所述步骤S4中，PDMS盖层的制备过程为：将PDMS主剂与固化剂按质量比10:1混合，通过磁力搅拌器搅拌均匀后，利用抽真空的方式将气泡抽出；根据实际需要制备得到相应厚度的PDMS层后，放置在90℃热板上固化60min，获得PDMS盖层。
进一步的，采用匀胶机旋涂的方式可以获得较薄的PDMS层，通过调整转速和时间可以控制PDMS层的厚度；采用模具的方式可以制备较厚的PDMS层，通过调整模具的结构尺寸可以获得不同的PDMS结构。
上述技术方案中，所述步骤S4中进行键合时，用PDMS打孔器在PDMS盖层上与样品C微通道对应的位置处设置液体进口和液体出口，并在液体进口和液体出口处连接进液管与出液管；键合完成后将其固定在载玻片上，获得微流控SERS芯片。
本发明的有益效果如下：
本发明利用刻划与金属辅助化学刻蚀相结合，在单晶硅衬底上简单、高效、可控地制备出具有表面增强拉曼光谱活性的微通道；在制备过程中，通过旋涂或浸泡方式制备油墨掩膜层，而后采用扫描探针显微镜、纳米划痕仪或可精确移动控制的扫描探针加工设备，直接利用金刚石针尖刻划就能得到具有特定形状图案的结构，进一步通过金属辅助化学刻蚀制备出具有表面增强拉曼光谱活性的微通道基底，最后将其与PDMS盖层进行键合以获得微流控SERS芯片。总体，本发明所述加工方法具有成本低、过程可控、操作简单、加工效率高等优点，适合规模化生产。此方法制备的微流控SERS芯片具有很强的实用价值和广阔的应用前景，值得在业内推广。
附图说明
图1是本发明的工艺流程图。
图2是本发明的划痕加工示意图。
图3是本发明的金属沉积示意图。
图4是本发明的刻蚀加工示意图。
图5是本发明的二次金属沉积示意图。
图6是本发明形成具有表面增强拉曼光谱活性的微通道结构示意图。
图7是本发明制备得到的微流控芯片的整体示意图。
图8是本发明制备得到的微流控SERS芯片的截面示意图。
图9是本发明制备得到的微流控SERS芯片检测罗丹明6G的拉曼光谱图。
图10本发明制备的微流控芯片与通道内无纳米线嵌套结构的微流控芯片检测罗丹明6G的拉曼光谱对比图。
附图标记说明：1、单晶硅衬底；2、油墨；3、滴管；4、金刚石针尖；5、金属颗粒；6、PDMS盖层；7、载玻片；8、进液管；9、拉曼光谱检测仪；10、出液管。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明。
如图1所示，为本发明的加工工艺流程图，其制备步骤如下：
步骤S1、衬底预处理：将单晶硅衬底表面清洗干净后烘干，获得样品A；
步骤S2、掩膜制备及图案化：将油墨涂覆于样品A表面，如图1中的（a）-（b），通过金刚石针尖在样品A的表面刻划出具有特定形状的图案，如图1中的（c），在图案处沉积金属颗粒，获得样品B，如图1中的（d）；
步骤S3、活性基底制备：将样品B放入刻蚀溶液中进行金属辅助化学刻蚀或电化学刻蚀，如图1中的（e），再对刻蚀后的样品B沉积金属颗粒，如图1中的（f），然后进行清洗去除油墨及油墨表面的金属颗粒，获得样品C，如图1中的（g）；
步骤S4、微流控SERS芯片封装：将固化后的PDMS盖层与样品C进行键合，并设置液体进口和液体出口，获得微流控SERS芯片，如图1中的（h）；所述PDMS盖层的制备过程为：将PDMS主剂与固化剂按质量比10:1混合，通过磁力搅拌器搅拌均匀后，利用抽真空的方式将气泡抽出；根据实际需要制备出相应厚度的PDMS层，然后将PDMS层放置在90℃的热板上固化60min，获得PDMS盖层。其中，采用匀胶机旋涂的方式可以获得较薄的PDMS层，通过调整转速和时间可以控制PDMS层的厚度；采用模具的方式可以制备较厚的PDMS层，通过调整模具的结构尺寸可以获得不同的PDMS结构。
以下通过具体的实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
本实施例中，本发明的具体步骤为：
步骤S1、衬底预处理：将单晶硅衬底1放入丙酮中超声清洗3min后用去离子水清洗，再将硅片放入乙醇溶液超声清洗4min，随后使用去离子水冲洗干净，并用氮气吹干，再将其放入质量分数为5%的氢氟酸溶液中浸泡4min，去除硅片表面的氧化层，最后用去离子水反复冲洗，并用氮气吹干，得到样品A。
步骤S2、掩膜制备并图案化：用滴管3将油墨2滴于样品A表面，通过匀胶机旋涂的方式将油墨涂覆均匀，匀胶机转速为1000r/min，时间为60s，而后通过可精确移动控制的扫描探针加工设备（自制设备），采用曲率半径为10μm的金刚石针尖4，在样品表面用20mN的载荷刻划出如图2所示的图案，最后将图案化的样品A浸泡在AgNO3（0.05M）与HF（4.8M）的溶液中30s，在图案处沉积金属Ag颗粒5，获得样品B，如图3所示。
步骤S3、活性基底制备：将样品B放入70ml过氧化氢（30%）和28ml氢氟酸（40%）的刻蚀溶液中刻蚀5min并清洗干净，如图4所示，而后通过溅射的方式在样品表面沉积20nm厚的金属Au颗粒5，如图5所示，最后将样品B置于无水乙醇中清洗，去除油墨并用去离子水反复冲洗干净，获得样品C，如图6所示。
步骤S4、微流控SERS芯片封装：通过匀胶机旋涂的方式制备PDMS盖层6，匀胶机转速为1000r/min，时间为2min，PDMS固化温度为90℃，时间为60min，而后利用氧等离子体分别处理PDMS盖层和样品C，并将其键合后固定在载破片7上，最后在PDMS盖层上与样品C对应的位置设置液体出口和入口，并连接进液管8和出液管10，获得微流控SERS芯片，如图7所示。
需要说明的是，本方案最初利用自制可精确移动控制的扫描探针加工设备时，采用金刚石针尖（曲率半径为10μm）在单晶硅衬底表面进行图案化加工，再通过金属辅助化学刻蚀出具有表面增强拉曼光谱活性的微通道。而后利用纳米划痕仪，采用金刚石针尖（曲率半径为1.5μm）在单晶硅衬底表面进行图案化加工，再通过金属辅助化学刻蚀出具有表面增强拉曼光谱活性的微通道。在多次实验过程中发现：通过纳米划痕仪加工的微结构宽度低于利用自制的扫描探针加工设备加工的微结构宽度，其与针尖曲率半径、刻划载荷和金属沉积时间直接相关，针尖曲率半径、刻划载荷和金属沉积时间越大，所制备微通道结构的宽度越大。因此可根据微结构实际尺寸的具体要求，选择合适的加工设备、针尖曲率半径、刻划载荷以及金属沉积时间。
通过本实施例制备得到的微流控SERS芯片，应用于对罗丹明6G进行检测时，具体的测试步骤如下：
（1）利用微泵与微泵注射器将去离子水从进液管8通入本实施例制备的微流控SERS芯片中，使其流入微通道中，对整个通道进行清洗；
（2）在进液管中注射不同浓度（10-4~10-9mol/L）的罗丹明6G溶液，当罗丹明6G溶液完全流经整个通道后，停止通入；
（3）待微流控SERS芯片中的罗丹明6G溶液自然干燥后，将其放置于便携式拉曼光谱仪的载物台上，在室温环境下对该芯片进行表面增强拉曼光谱活性测试，测试参数分别为：激发光源为氩离子激光器，波长为532nm，光斑大小为1μm，积分时间为1s，积分次数1次，分别获得了浓度为10-4~10-9mol/L的罗丹明6G溶液的拉曼光谱图。
图9为本次试验所得的罗丹明6G的拉曼光谱，图10本发明制备的微流控芯片与微通道内无纳米线嵌套结构的微流控芯片检测罗丹明6G的拉曼光谱对比图，结果表明：本实施例制备的微流控芯片具有很好的表面增强拉曼光谱活性，其说明基于金属-划痕诱导选择性刻蚀制备的微流控SERS芯片具有很好的应用前景。
实施例2
本实施例与实施例1相比，除了步骤S2采用不同的掩膜涂覆方式外，其余步骤均相同。本实施例中，步骤S2具体为：
步骤S2、掩膜制备并图案化：将样品A浸泡在油墨2溶液中1min，取出待其自然干燥后，通过可精确移动控制的扫描探针加工设备（自制设备），采用曲率半径为10μm的金刚石针尖4，在样品表面用20mN的载荷刻划出如图2所示的图案，最后将图案化后的样品A浸泡在AgNO3（0.05M）与HF（4.8M）的溶液中30s，在如图2所示的图案处沉积金属Ag颗粒5，获得样品B，如图3所示。
实施例3
本实施例与实施例1相比，除了步骤S3采用电化学刻蚀外，其余步骤均相同。本实施例中步骤S3具体为：
步骤S3、活性基底制备：将样品B夹持在电化学工作站的工作电极上，同时将工作电极样品B，对电极铂片电极和参比电极饱和甘汞电极放入氢氟酸和过氧化氢的刻蚀溶液中，进行电化学刻蚀。刻蚀溶液包含70ml过氧化氢（30%）和28ml氢氟酸（40%），电化学刻蚀选用恒电压模式，刻蚀电压为2V，刻蚀时间为5min，如图4所示；而后通过溅射的方式在样品表面沉积20nm厚的金属Au颗粒5，如图5所示，最后将沉积后的样品B置于无水乙醇中清洗，去除油墨并用去离子水冲洗干净，获得样品C，如图6所示。
整体而言，本发明提供的基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，通过旋涂或浸泡方式制备油墨掩膜层，利用针尖刻划直接加工特定形状图案的结构，基于金属/划痕诱导刻蚀可简单、高效、可控地制备出具有表面增强拉曼光谱活性的微流控芯片。采用扫描探针显微镜、纳米划痕仪或可精确移动控制的扫描探针加工设备在衬底表面任意位置刻划去掉油墨形成具有特定形状图案的微结构，而后沉积金属并进行化学刻蚀即可制备出具有表面增强拉曼光谱活性的微流控芯片基底。与现有加工表面增强拉曼光谱的微流控芯片方法相比，这种基于金属-划痕诱导选择性刻蚀的加工方法采用油墨作为掩膜，替代了常用的光刻胶掩膜，在针尖刻划时减少了针尖的磨损，降低了加工成本。而后，通过沉积金属进行金属辅助化学刻蚀，可在制备微通道的同时刻蚀出具有表面增强拉曼光谱活性的嵌套纳米线结构。该方法具有加工速度快、效率高、成本低和工艺简单等优点。所加工结构的尺寸取决针尖的曲率半径、刻划载荷、金属沉积时间和刻蚀时间。本发明的突出特点是采用刻划的方法直接在任意需要位置加工出特定形状的结构，以此作为后续金属辅助化学刻蚀的牺牲层，从而简单、高效、可控地加工出微流控SERS芯片。
Claims (10)
1.基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，其特征在于，加工方法包括以下步骤：
步骤S1、衬底预处理：将单晶硅衬底表面清洗干净后烘干，获得样品A；
步骤S2、掩膜制备并图案化：将油墨涂覆于样品A表面，通过金刚石针尖在样品A的表面刻划出具有特定形状的图案，在图案处沉积金属颗粒，获得样品B；
步骤S3、活性基底制备：将样品B放入刻蚀溶液中进行金属辅助化学刻蚀或电化学刻蚀，再对刻蚀后的样品B沉积金属颗粒，然后进行清洗去除油墨及油墨表面的金属颗粒，获得样品C；
步骤S4、微流控SERS芯片封装：将固化好的PDMS盖层与样品C进行键合，并设置液体进口和液体出口，获得微流控SERS芯片。
2.根据权利要求1所述的基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，先把单晶硅衬底放入丙酮溶液中超声清洗以除去表面有机物，再用去离子水冲洗，然后用酒精超声清洗以除去表面杂质，而后用氢氟酸溶液浸泡以去除单晶硅衬底表面的氧化层，最后用去离子水反复冲洗即可。
3.根据权利要求1所述的基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的油墨采用油性记号笔的油墨或者聚酮树脂溶解于无水乙醇中形成的油墨。
4.根据权利要求1或2所述的基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，其特征在于，所述步骤S2中：采用匀胶机旋涂的方式进行油墨涂覆，通过调整转速和时间控制油墨层厚度；或者，采用浸入油墨溶液中吸附的方式进行油墨涂覆，浸入油墨溶液吸附通过调整溶液浓度控制油墨层厚度。
5.根据权利要求1所述的基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述金刚石针尖安装于扫描探针显微镜、纳米划痕仪或可精确移动控制的扫描探针加工设备上；将覆盖有油墨的样品A固定于样品台上，通过控制金刚石针尖做刻划运动，对样品台上的样品A进行图案化加工。
6.根据权利要求1所述的基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，其特征在于，步骤S2、S3中，所述沉积金属颗粒的方式为热蒸发、溅射、电子束蒸发、化学沉积、电化学沉积、聚焦离子束辅助沉积技术中的一种。
7.根据权利要求6所述的基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，其特征在于，所述沉积金属颗粒的方式采用化学沉积时，将具有油墨图案的样品A浸入预先配置好的贵金属盐溶液中一定时长，在刻划掉油墨的区域沉积金属颗粒；所述贵金属盐溶液选用0.05M硝酸银和4.8M氢氟酸的混合溶液，或者0.1M四氯金酸和5M氢氟酸的混合溶液，或者或1mM六氯合铂酸和90mM氢氟酸的混合溶液。
8.根据权利要求1所述的基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，其特征在于，步骤S3中采用电化学刻蚀时，采用三电极工作系统，对电极采用铂片电极、银电极或镍电极，参比电极使用饱和甘汞电极，刻蚀溶液采用氢氟酸和过氧化氢的混合溶液，再通过恒电流法、恒电位法或阶跃电位法中的一种进行刻蚀，其中，所述刻蚀溶液的浓度配比及刻蚀时间根据具体加工微通道结构的尺寸决定。
9.根据权利要求1所述的基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，PDMS盖层的制备过程为：首先，将PDMS主剂与固化剂按质量比10:1混合从搅拌均匀，采用抽真空将气泡抽出；再根据实际需要制备不同厚度的PDMS层，并将PDMS层放置在90℃的热板上固化60min，获得PDMS盖层。
10.根据权利要求1所述的基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，其特征在于，步骤S4中进行键合时，用PDMS打孔器在PDMS盖层上与样品C微通道对应的位置处设置液体进口和液体出口，并在液体进口和液体出口处连接进液管与出液管；通过氧等离子体键合技术对其进行键合，而后将PDMS盖层与样品C固定在载玻片上，获得微流控SERS芯片。
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