CN114171293A - 线圈组件及终端 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例是一种线圈组件、终端；所述线圈组件包括：由导线卷形成的线圈；所述导线包括：内芯和绝缘包皮，所述绝缘包皮包覆所述内芯；其中，所述内芯包括导电体和导磁体。本公开实施例所述的线圈组件可以减低线圈的阻抗，减小线圈的发热及功率损耗。
Description
技术领域
本公开涉及电子元件技术领域，尤其涉及一种线圈组件及终端。
背景技术
随着相关技术的发展，越来越多的设备中应用到线圈。例如，在无线充电技术方面，很多可穿戴设备和智能终端开始利用线圈进行无线充电。而该线圈的损耗大小直接影响着充电性能的好坏；无线充电中决定线圈损耗主要为：临近效应和趋肤效应。
其中，所述临近效应为：双线传输线的两导体中，交流电流相互向相邻导体接近的现象。频率和磁导率愈高，电阻系数愈小，这种现象愈显著。所述趋肤效应为：当导体中有交流电或者交变电磁场时，导体内部的电流分布不均匀，电流集中在导体的“皮肤”部分，也就是说电流集中在导体外表的薄层，越靠近导体表面，电流密度越大，导体内部实际上电流较小。结果使导体的电阻增加，使它的损耗功率也增加。这一现象称为趋肤效应。
如此，如何克服临近效应或趋肤效应等，而降低线圈损耗、及减小线圈发热等是相关技术需要进一步解决的问题。
发明内容
本公开提供一种线圈组件及终端。
根据本公开的第一方面，提供一种线圈组件，包括：由导线卷绕形成的线圈；
所述导线包括：内芯和绝缘包皮，所述绝缘包皮包覆所述内芯；其中，所述内芯包括导电体和导磁体。
上述方案中，所述导电体包裹所述导磁体。
上述方案中，所述线圈包括：两个端面和一个周面；所述周面连接两个相反设置的所述端面；
在一个所述端面设置有覆盖所述线圈的磁屏蔽层。
上述方案中，所述线圈组件，包括：
导体层，覆盖在所述磁屏蔽层上。
上述方案中，卷绕形成的所述线圈包括N匝；其中，所述N为大于1的整数；
所述N匝，包括：P1匝、P2匝及P3匝；其中，所述P1匝在所述线圈内，位于所述P2匝的内侧；所述P3匝在所述线圈内，位于所述P2匝的外侧；
形成所述P1匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积；
形成所述P3匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积。
上述方案中，所述P1匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差，与所述P3匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差不同。
上述方案中，所述P1匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差，与所述P2匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差相同。
上述方案中，每隔预定匝数的相邻两匝之间设有导磁材料。
上述方案中，所述导电体的横截面的厚度，基于所述导线的单流所产生趋肤效应的趋肤深度确定。
根据本公开的第二方面，提供一种终端，所述终端包括本公开任意实施例的所述的线圈组件。
上述方案中，所述终端还包括：壳体；
所述线圈组件位于所述壳体内的非金属板的覆盖区域。
根据本公开的第三方面，提供一种线圈组件绕制方法，应用于包括线圈组件的终端中，所述线圈组件包括线圈；所述方法包括：
形成包含导电体和导磁体的内芯；
在所述内芯外侧设置绝缘包皮，得到导线；
卷绕所述导线形成所述线圈。
上述方案中，所述形成包含导电体和导磁体的内芯，包括：
将所述导电体包裹所述导磁体，形成内芯。
上述方案中，所述方法还包括：
根据导线的电流所产生趋肤效应的趋肤深度，确定包裹所述导磁体横截面的厚度。
上述方案中，所述线包括：两个端面和一个周面；所述周面连接相反设置的所述端面；
所述方法还包括：
将磁屏蔽层覆盖在所述线圈的一个所述端面上。
上述方案中，所述方法还包括：
将导电层覆盖在所述磁屏蔽层上。
上述方案中，所述卷绕所述导线形成所述线圈，包括：
将所述导线卷绕成N匝形成所述线圈；其中，所述N匝包括：P1匝、P2匝及P3匝，其中，所述P1匝在所述线圈内，位于所述P2匝的内侧；所述P3匝在所述线圈内，位于所述P2匝的外侧；
形成所述P1匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积；
形成所述P3匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积。
上述方案中，所述方法还包括：
在每预定匝数的相邻两匝之间设有磁导材料。
根据本公开的第四方面，提供一种终端，包括：
处理器；
用于存储处理器可执行指令的存储器；
其中，所述处理器被配置为：用于执行所述可执行指令时，实现本公开任意实施例所述的线圈组件绕制方法。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
在本公开实施例中，通过在导线的内芯中增加导磁体；如此，可以通过导磁体将产生的磁场束缚在导磁体内，从而能够降低磁场对导电体的影响，例如，减小在导电体中产生感应电动势从而产生感应电流等；从而能够降低整个线圈的交流阻抗，进而减少线圈的发热及功率损耗。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是根据一示例性实施例示出的一种线圈组件中导线的框图。
图2是根据一示例性实施例示出的一种线圈组件的框图。
图3是根据一示例性实施例示出的一种线圈组件中导线的框图。
图4是根据一示例性实施例示出的一种线圈组件中导线的框图。
图5是根据一示例性实施例示出的一种线圈组件的框图。
图6是根据一示例性实施例示出的一种线圈组件的框图。
图7是根据一示例性实施例示出的一种线圈组件的框图。
图8是根据一示例性实施例示出的一种线圈组件的框图。
图9是根据一示例性实施例示出的一种线圈组件绕制方法的流程图。
图10是根据一示例性实施例示出的一种线圈组件绕制方法的流程图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的技术特征可以相互组合，具体实施方式中的详细描述应理解为本公开宗旨的解释说明，不应视为对本公开的不当限制。
请参见图1及图2，本公开实施例提供一种线圈组件，所述线圈组件10包括：由导线11卷绕形成的线圈12；
所述导线11包括：内芯111和绝缘包皮112，所述绝缘包皮112包覆所述内芯111；其中，所述内芯包括导电体1111和导磁体1112。
这里，所述导电体包括导电材料；所述导电材料具备预定数量的自由电子。例如，所述导电体为金、铜、铜合金、铝、铝合金等。
这里，所述导磁体可以为导磁率大于一定阈值的材料。例如，所述导磁体可以为纯铁、铁硅合金、稀土永磁材料等。
这里，所述导磁体能够用于传导磁感线。如此，在导磁体中磁感线被吸收的比较小，从而使得具有导磁体的线圈组件能够降低磁场对导电体的影响。
在一些应用场景中，所述导磁体中自由电子的数量小于预定数量。
这里，所述绝缘包皮包括非导电材料；所述绝缘包皮中没有自由电子。例如，所述绝缘包皮可以为朔料、橡胶等。
在本公开实施例中，所述线圈包括N匝。这里，所述N为大于1的整数。例如，所述线圈包括50匝。
这里，所述线圈可以为圆形、方形或者不规则的多边形等。例如，若所述线圈为圆形，卷绕成的线圈从里到外各匝线圈的半径依次增大。
在一实施例中，卷绕形成的线圈中每相邻两匝之间存在一定间距。如此，可以降低各匝之间短路情况发生以及降低各匝所产生磁场的相互影响。
在一些应用场景中，所述导线也可以是由内芯和绝缘包皮组成的漆包线。如此，内芯经过涂漆后烘焙而成，能够提高绝缘效果和保护效果。
请再次参见图1，在一实施例中，所述导电体1111包裹所述导磁体1112。
可以理解的是，若导线的内芯仅包括导电体1111；如图3所示，所述导线的内芯为实心的导电体1111；当导体中有交流电或交变电磁场时，该导体的内部电流分布不均匀，电流集中在导体的表层。如图4所示，电流通常集中在导体的“趋肤深度”处。且越靠近导体的表面，电流密度越大；而导体的中心区域的电流非常小。如此，会导致中心区域的阻抗增加，即增加了整个线圈的阻抗，加大了线圈的发热及功率损耗。
这里，若内芯中仅包括实心的导电体时，当交流电通过时，导线中导电体的中心区域会产生环形磁场，从而在该中心区域会产生较大的感应电动势。该感应电动势在闭合电路中产生感应电流；由于该感应电流与导线中原来的交流电流方向相反，从而使得该导线中导电体的中心区域的电流很小。
并且，若导线的内芯仅包括导电体，由于导电体通常为金属材料等，通常导电体的阻抗很小，即便感应电动势很小，则导电体中产生的感应电流也会比较大。该感应电流即为涡旋电流。而该涡旋电流也是一种功率损耗，且该涡旋电流会产生热量，加大了整个线圈的发热。
而在本公开实施例中，通过在导线的内芯中增加导磁体，使导电体包裹所述导磁体，使得导磁体位于所述导线内芯的中心区域。如此，可以通过导磁体将产生的磁场束缚在导磁体内，从而能够降低磁场对导电体的影响，例如，减小在导电体中产生感应电动势从而产生感应电流等；从而能够降低整个线圈的交流阻抗，进而减少线圈的发热及功率损耗。
这里，所述交流阻抗是所述导线在电流经过时的实际阻抗。
在本公开实施例中，由于导线是包括绝缘包皮，该绝缘包皮包覆内芯；从而不仅能够降低各匝之间短路情况发生，还能在一定程度上抑制各匝导电体产生磁场对其它匝中导电体的相互影响。
在一些实施例中，所述导电体的横截面的厚度，基于所述导线的电流所产生趋肤效应的趋肤深度确定。
这里，一种确定所述趋肤深度的方式为：
基于导线的电流参数，确定所述趋肤深度，其中，所述电流参数包括：磁场频率f、磁导率u、电阻率ρ及电导率σ。
所述趋肤深度
在一实施例中，所述导电体的横截面的厚度为所述趋肤深度。在另一实施例中，所述导电体的横截面的厚度大于所述趋肤深度。
在本公开实施例中，通过导电体的厚度设置为大于或等于趋肤深度，可以在确保导线中交流电正常工作的前提下，还能尽可能的将导电体所产生的磁场束缚在导磁体中，从而降低线圈的发热。
请参见图2、图5及图6，在一些实施例中，所述线圈12包括：两个端面121和一个周面122；所述周面122连接两个相反设置的所述端面121；
在一个所述端面121设置有覆盖所述线圈的磁屏蔽层13。
这里，所述磁屏蔽层包括导磁材料。例如，所述磁屏蔽层可以为铁、或铁铝合金做成的薄片。
在本公开实施例中，在线圈的一层增加了一层磁屏蔽层，由于该磁屏蔽层可以用于屏蔽导线中导电体产生的磁场，以及所述屏蔽层外侧的磁场。如此，本公开实施例可以降低线圈中导电体所产生的磁场对线圈组件上其它组件的影响；例如，该线圈组件为无线充电装置中的线圈组件，该线圈组件的预定距离范围内有电池，如此可以降低对电池的影响。且，本公开实施例也可以降低磁屏蔽层外侧磁场对该线圈的影响；例如，该线圈组件有多个线圈，磁屏蔽层外侧具有至少一个线圈，如此可以降低磁屏蔽层外侧的至少一个线圈对自身(即该覆盖有磁屏蔽的线圈12)的影响。
如图7所示，在一些实施例中，所述线圈组件10，包括：
导体层14，覆盖在所述磁屏蔽层13上。
这里，所述导体层包括：导电材料。例如，所述导体层包括：铜。
在本公开实施例中，若在线圈上覆盖一层磁屏蔽层时，便增加了线圈的阻抗。而在该磁屏蔽层上覆盖一层导体层，一方面可以适当减少整个线圈的阻抗，从而减少该线圈的发热；另一方面，若磁屏蔽层未完全屏蔽导线中导电体产生的磁场时，还能进一步屏蔽所述导电体所产生的磁场，即减少导电体所产生磁场的磁泄露，从而降低对导体层外的组件等的影响。
在一实施例中，所述磁屏蔽层13与所述导体层14的磁导率不同。例如，所述磁屏蔽层为铁，所述导体层为铜。如此，在本示例中，由于利用两种不同磁导率的材料分别作为磁屏蔽层和磁导层，从而能够在它们交界面更易引起磁感线的折射，能够增大它们的磁屏蔽作用，能够进一步降低导电体产生的磁场对导体层外界的组件的影响，以及降低外界磁场对导电体的影响。
在一实施例中，所述导体层的厚度小于第一阈值。例如，所述第一阈值为0.05毫米。如此，在本示例中，可以将所述导体层的厚度设置的比较小，从而能够减少线圈的体积，便于线圈的安装等。
如图8所示，在一些实施例中，卷绕形成的所述线圈包括N匝；其中，所述N为大于1的整数；
所述N匝，包括：P1匝、P2匝及P3匝；其中，所述P1匝在所述线圈内，位于所述P2匝的内侧；所述P3匝在所述线圈内，位于所述P2匝的外侧；
形成所述P1匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积；
形成所述P3匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积。
这里，所述P1匝包括至少一匝；所述P2匝包括至少一匝；所述P3包括至少一匝。
在一实施例中，若所述P1匝、所述P2匝及所述P3匝均为多匝；所述P1匝中各匝导线的横切面积相同，所述P2中各匝的导线的横切面积相同，所述P3中各匝的导线的横切面积相同。
在另一实施例中，若所述P1匝、所述P2匝及所述P3匝均为多匝；所述P1匝中各匝的导线的横切面积不相同，所述P2中各匝的导线的横切面积相同，所述P3中各匝的导线的横切面积不相同。
在又一实施例中，若所述P1匝、所述P2匝及所述P3匝均为多匝；所述P1匝中各匝的导线的横切面积不相同，所述P2中各匝的导线的横切面积不相同，所述P3中各匝的导线的横切面积不相同。
这里，所述P1匝中各匝的导线横切面积不同可以为：P1匝中越靠近P2匝的匝的导线的横切面积越大，P1匝中越远离P2匝的匝的导线的横切面积越小。所述P2匝中各匝的导线的横切面积不同可以为：P2匝中越中间的匝的导线的横切面积越小，越远离中间的匝的导线的横切面积越小。所述P1匝中各匝的导线的横切面积不同可以为：P1匝中越靠近P2匝的匝的导线的横切面积越大，P1匝中越远离P2匝的匝的导线的横切面积越小。
例如，请再次参见图8，线圈的N匝包括：P1匝、P2匝及P3匝；其中，所述P1匝包括P11、P12及P13；P2匝包括：P21、P22及P23；所述P3匝包括：P31、P32及P33；该N匝的从线圈内侧到外侧依次排列为：P11、P12、P13、P21、P22、P23、P31、P32及P33。如此，P11的导线的横切面积小于P12的导线的横切面积，P12的导线的横切面积小于P13的导线的横切面积；P21的导线的横切面积小于P22的导线的横切面积，P23的导线的横截面小于P22的导线的横切面积；P33的导线的横切面积小于P32的导线的横切面积，P32的导线的横切面积小于P31的导线的横切面积。
这里，所述P1匝中后面一组相邻两匝的导线的横切面积之差，与前面一组相邻两匝的导线的横切面积之差可以是相同的或不同的。例如，P11和P12的导线的横切面积之差，与P12和P13导线的横切面积之差相同或不同。
这里，所述P2匝中后面一组相邻两匝的导线的横切面积之差，与前面一组相邻两匝的导线的横切面积之差可以是相同的或不同的。例如，P21和P22的导线的横切面积之差，与P22和P23导线的横切面积之差相同或不同。
这里，所述P3匝中后面一组相邻两匝的导线的横切面积之差，与前面一组相邻两匝的导线的横切面积之差可以是相同的或不同的。例如，P31和P32的导线的横切面积之差，与P32和P33导线的横切面积之差相同或不同。
当然，在其它实施例中，若所述P1匝、所述P2匝及所述P3匝的至少之一包括多匝，则所述P1匝、所述P2匝及所述P3匝中各匝的导线的横切面积也可以是其它形式，只需满足所述P1匝中各匝的导线的横切面积，均小于所述P2匝中各匝的导线的横切面积，以及所述P3匝中各匝的导线的横切面积，均小于所述P2匝中个匝的导线的横切面积即可，在此不做限制。
在一实际应用中，可以设置部分相邻两匝之间的导线的宽度差为0.05mm；其中，线圈包括Pm1、Pm2、Pm3、Pm4、Pm5、Pm6、Pm7、Pm8及Pm9，该Pm1、Pm2、Pm3、Pm4、Pm5、Pm6、Pm7、Pm8及Pm9为依次从线圈内侧到外侧排列。
其中，一种各匝的导线的宽度设置为：该Pm1、Pm2、Pm3、Pm4、Pm5、Pm6、Pm7、Pm8及Pm9的导线的宽度可以为：1.10、1.15、1.20、1.25、1.20、1.15、1.10、1.05、1.00。这里，最中间的一匝的宽度最宽，从中间往内侧或者从中间往外侧的匝的导线的宽度依次减小。
另一种各匝导线的宽度设置为：该Pm1、Pm2、Pm3、Pm4、Pm5、Pm6、Pm7、Pm8及Pm9的导线的宽度可以为：1.10、1.10、1.15、1.20、1.20、1.15、1.15、1.10、1.05。这里，只需整体趋势维持中间匝的导线的宽度最宽，从中间往内侧或者从中间往外侧的匝的导线宽度减少即可。
在本公开实施例中，将线圈的中间匝数(即P2匝)的导线的横切面积，设置的比线圈的向内或外的匝数(即P1匝或P3匝)的导线的横切面积宽，则可以减少P2匝的导线的阻抗，即使得线圈的中间位置的阻抗越小；从而能够减少线圈的中间位置的发热，能够大大降低对线圈的损坏。
这里，由于线圈中导电体能够产生磁场，从而使得线圈的中间位置的发热比线圈的其它位置的发热更为严重。而线圈的阻抗的大小与导线的横切面积成反比，所以通过增大P2匝的导线的横切面积，则可以减少P2阻抗。
在一些实施例中，所述P1匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差，与所述P3匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差不同。
例如，请参照图8，P11、P12、P13与P33、P32、P31分别在所述P2两侧；其中，P11与P12的导线的横切面积之差，与P33与P32的导线的横切面积之差不同；和/或，P21与P23的导线的横切面积之差，与P32与P31的导线的横切面积之差不同。
当然，在其它示例中，也可以是P11与P12的导线的横切面积之差，与P31与P32的导线的横切面积之差不同等；在此不做限制。
在本公开实施例中，通过设置所述P1匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差，与所述P3匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差不同，实现了线圈中各匝的导线横切面积的多样化设置。
在另一些实施例中，所述P1匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差，与所述P3匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差相同。
如此，可以对线圈中各匝与其相邻的匝的横切面积之差做一个统一标准，从而能够降低制作该线圈组件的复杂度。
在一些实施例中，每隔预定匝数的相邻两匝之间设有导磁材料。
这里，所述预定匝数为M匝，所述M为大于或等于1的整数。例如可以为1匝、2匝、3匝或4匝等等。
例如，若线圈包括10匝，从线圈内到线圈外依次为第1匝、第2匝、……及第10匝。
其中，每隔1匝的相邻两匝之间设有导磁材料为：第1匝至第10匝之间均设有导磁材料。如此，可以减低每匝之间产生的磁场的相互影响，即减少邻近效应。
每隔2匝的相邻两匝之间设有导磁材料为：第2匝、第4匝、第6匝、第8匝之间设有导磁材料。如此，可以至少降低每两匝与其它各匝产生的磁场的相互影响，例如降低及第1、2匝与其它8匝产生的磁场的相互影响。
在本公开实施例中，可以通过在预定匝数的相邻两匝之间设有导磁材料，从而能够至少部分减少线圈中各匝所产生的磁场对其它匝的影响，能够减少邻近效应；从而能够减少交流阻抗，减小线圈的发热。
本公开实施例提供一种终端，所述终端包括上述任意实施例的所述线圈组件。
此处的终端包括但不限于以下至少之一：手机、平板电脑、穿戴式设备。
在一些实施例中，所述终端还包括：壳体；
所述线圈组件位于所述壳体内的非金属板的覆盖区域。
此处的壳体的区域至少包括：金属板的覆盖区域，和/或非金属板的覆盖区域。此处的非金属板在其它实施例中，也可以用绝缘板代替。
在一个实施例中，所述线圈组件位于所述壳体的中框位置。
本公开实施例中，线圈组件设置在壳体内的非金属板的覆盖区域内，可以减少线圈组件对终端内其它组件等的影响，从而降低终端的损坏。
当然在其它的实施例中，所述线圈组件也可以位于所述壳体内的任意位置；例如，所述线圈组件可以位于所述壳体内的中间位置；又如，所述线圈组件也可以位于所述壳体内的靠近电池的位置；等等。
如图9所示，提供一种线圈组件绕制方法，应用于包括线圈组件的终端中，所述线圈组件包括线圈；所述方法包括：
步骤S21：形成包含导电体和导磁体的内芯；
步骤S22：在所述内芯外侧设置绝缘包皮，得到导线；
步骤S23：卷绕所述导线形成所述线圈。
本公开实施例所述的终端可以为任意包括线圈组件的终端；例如，可以为手机、平板电脑、穿戴式设备、电动机、取暖机等；也可以为无线充电装置的发送端或接收端等。
在本公开实施例中，通过在导线的内芯中增加导磁体，可以通过导磁体将产生的磁场束缚在导磁体内，从而能够降低磁场对导电体的影响，例如，减小在导电体中产生感应电动势从而产生感应电流等；从而能够降低整个线圈的交流阻抗，进而减少线圈的发热及功率损耗。
在一些实施例中，所述步骤S21，包括：
将所述导电体包裹所述导磁体，形成内芯。
在一些实施例中，所述方法还包括：
根据导线的电流所产生趋肤效应的趋肤深度，确定包裹所述导磁体横截面的厚度。
这里，一种确定所述趋肤深度的方式为：
基于导线的电流参数，确定所述趋肤深度，其中，所述电流参数包括：磁场频率f、磁导率u、电阻率ρ及电导率σ。
所述趋肤深度
在一实施例中，所述包裹所述导磁体横截面的厚度为所述趋肤深度。在另一实施例中，所述包括所述导磁体截面的厚度大于所述趋肤深度。
在本公开实施例中，通过将包裹导磁体横截面的厚度设置为大于或等于趋肤深度，可以在确保导线中交流电正常工作的前提下，还能尽可能的将导电体所产生的磁场束缚在导磁体中，从而降低线圈的发热。
如图10所示，在一些实施例中，所述线包括：两个端面和一个周面；所述周面连接相反设置的所述端面；
所述方法还包括：
步骤S24：将磁屏蔽层覆盖在所述线圈的一个所述端面上。
请再次参见图10，在一些实施例中，所述方法还包括：
步骤S25：将导电层覆盖在所述磁屏蔽层上。
在一些实施例中，所述步骤S23，包括：
将所述导线卷绕成N匝形成所述线圈；其中，所述N匝包括：P1匝、P2匝及P3匝，其中，所述P1匝在所述线圈内，位于所述P2匝的内侧；所述P3匝在所述线圈内，位于所述P2匝的外侧；
形成所述P1匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积；
形成所述P3匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积。
在一些是实施例中，所述方法还包括：
所述步骤S26：在每预定匝数的相邻两匝之间设有磁导材料。
关于上述实施例中的方法，其中各个步骤执行操作的具体方式已经在有关该装置的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。
本公开实施例提供一种终端，包括：
处理器；
用于存储处理器可执行指令的存储器；
其中，所述处理器被配置为：用于执行所述可执行指令时，实现本公开任意实施例所述的线圈组件绕制方法。
所述存储器可包括各种类型的存储介质，该存储介质为非临时性计算机存储介质，在通信设备掉电之后能够继续记忆存储其上的信息。
所述处理器可以通过总线等与存储器连接，用于读取存储器上存储的可执行程序，例如，实现如图9-图10所示的方法的至少其中之一。
关于上述实施例中的方法的具体方式已经在有关该装置的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。
本公开实施例提供一种非临时性计算机可读存储介质，所述可读存储介质存储有可执行程序，其中，所述可执行程序被处理器执行时，能够实现本公开任意实施例所述的线圈组件绕制方法。
例如，在一些实施例中，所述可执行程序被处理器执行时，使得终端能够执行一种线圈组件绕制方法，所述方法包括以下步骤：
形成包含导电体和导磁体的内芯；
在所述内芯外侧设置绝缘包皮，得到导线；
卷绕所述导线形成所述线圈。
在一些实施例中，所述可执行程序被处理器执行时，使得终端能够执行一种线圈组件绕制方法，所述方法还包括以下步骤：
磁屏蔽层覆盖在所述线圈的一个所述端面上。
在一些实施例中，所述可执行程序被处理器执行时，使得终端能够执行一种线圈组件绕制方法，所述方法还包括以下步骤：
将导电层覆盖在所述磁屏蔽层上。
在一些实施例中，所述可执行程序被处理器执行时，使得终端执行的所述卷绕所述导线形成所述线圈，包括以下步骤：
将所述导线卷绕成N匝形成所述线圈；其中，所述N匝包括：P1匝、P2匝及P3匝，其中，所述P1匝在所述线圈内，位于所述P2匝的内侧；所述P3匝在所述线圈内，位于所述P2匝的外侧；
形成所述P1匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积；
形成所述P3匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积。
在一些实施例中，所述可执行程序被处理器执行时，使得终端能够执行一种线圈组件绕制方法，所述方法还包括以下步骤：
在每预定匝数的相邻两匝之间设有磁导材料。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (11)
1.一种线圈组件，其特征在于，包括：由导线卷绕形成的线圈；
所述导线包括：内芯和绝缘包皮，所述绝缘包皮包覆所述内芯；其中，所述内芯包括导电体和导磁体。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其特征在于，
所述导电体包裹所述导磁体。
3.根据权利要求1或2所述的线圈组件，其特征在于，所述线圈包括：两个端面和一个周面；所述周面连接两个相反设置的所述端面；
在一个所述端面设置有覆盖所述线圈的磁屏蔽层。
4.根据权利要求3所述的线圈组件，其特征在于，包括：
导体层，覆盖在所述磁屏蔽层上。
5.根据权利要求1或2所述的线圈组件，其特征在在于，
卷绕形成的所述线圈包括N匝；其中，所述N为大于1的整数；
所述N匝，包括：P1匝、P2匝及P3匝；其中，所述P1匝在所述线圈内，位于所述P2匝的内侧；所述P3匝在所述线圈内，位于所述P2匝的外侧；
形成所述P1匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积；
形成所述P3匝的导线的横切面积，小于形成所述P2匝的导线的横切面积。
6.根据权利要求5所述的线圈组件，其特征在于，
所述P1匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差，与所述P3匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差不同。
7.根据权利要求5所述的线圈组件，其特征在于，
所述P1匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差，与所述P2匝中至少一组相邻两匝的导线的横切面积之差相同。
8.根据权利要求1或2所述的线圈组件，其特征在于，
每隔预定匝数的相邻两匝之间设有导磁材料。
9.根据权利要求2所述的线圈组件，其特征在于，
所述导电体的横截面的厚度，基于所述导线的电流所产生趋肤效应的趋肤深度确定。
10.一种终端，其特征在于，所述终端包括权利要求1至9任一项所述的线圈组件。
11.根据权利要求10所述的终端，其特征在于，所述终端还包括：壳体；
所述线圈组件位于所述壳体内的非金属板的覆盖区域。
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