CN114164413A - 一种用于mocvd设备的旋转系统及mocvd设备 - Google Patents

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CN114164413A CN202111550672.6A CN202111550672A CN114164413A CN 114164413 A CN114164413 A CN 114164413A CN 202111550672 A CN202111550672 A CN 202111550672A CN 114164413 A CN114164413 A CN 114164413A
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张森
于大洋
费磊
王祥
郭付成
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12Substrate holders or susceptors

Abstract

本发明提供一种用于MOCVD设备的旋转系统及MOCVD设备,该旋转系统包括:桶状壳体,与反应腔本体连接,且桶状壳体用于封堵反应腔本体的底部敞口,桶状壳体包括顶板及周向侧壁,周向侧壁上具有环形槽,环形槽将桶状壳体的上半部周向侧壁分隔为上半部内侧壁和上半部外侧壁;磁悬浮电机,包括定子及转子,定子套置在桶状壳体的周向侧壁外则,转子嵌设在周向侧壁的环形槽内,且上半部外侧壁为定子与转子之间的隔板;旋转筒,用于设置在反应腔本体的中空腔体内,且旋转筒与转子同步旋转;托盘,用于设置在反应腔本体的中空腔体内,且托盘位于所述旋转筒顶部,托盘与旋转筒同步旋转;加热组件,用于设置在反应腔本体的中空腔体内,且加热组件位于托盘的下方。

Description

一种用于MOCVD设备的旋转系统及MOCVD设备
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种用于MOCVD设备的旋转系统及MOCVD设备。
背景技术
半导体器件制作过程中的一些工艺,需将晶片承载在晶片托盘上完成,例如化学气相沉积工艺;化学气相沉积以其生长易控制、可生长纯度很高的材料、外延层大面积均匀性良好等优点,逐渐被用于制造高亮度LED芯片及电力电子器件。
现有的化学气相沉积系统为了保证晶片工艺结果的稳定性,托盘需要高速旋转以匀化气流场,目前一般有两种驱动石墨托盘旋转的方法;第一种是旋转轴插入石墨托盘底部的中心凹槽,从而使旋转轴带动石墨托盘旋转,该驱动方式的缺点是,旋转轴会吸收托盘的热量,导致托盘中心点的温度比其他部位低,从而导致托盘中心点的位置的晶片工艺结果异于其他部位;第二种是采用桶式的支撑结构,对托盘的边缘进行支撑,该方法解决了托盘中心点温度低的问题。以上两种方式中托盘的旋转都是由伺服电机驱动,具体的,电机位于反应腔外,而为了实现腔室的密封,腔室内被填充有磁流体,伺服电机的转轴穿过磁流体,进一步的驱动托盘旋转。而由于电机转轴在磁流体中受到阻力,导致电机的加速度较小(<120转/min2)以及最大转速也较小(约1200转/min),而且伺服电机的转子与轴承之间存在机械摩擦,长时间高速转动会导致旋转同心性变差,因而需要频繁保养及维护,从而降低设备的产能。因此,如何提高化学气相沉积MOCVD(Metal Organic Chemical VaporDeposition)反应腔室内的托盘的加速度及转速,降低MOCVD反应腔室的故障率以及提高设备产能是亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种用于MOCVD设备的旋转系统及MOCVD设备,以解决现有技术中存在的一个或多个问题。
根据本发明的一个方面,本发明公开了一种用于MOCVD设备的旋转系统,所述系统包括:
桶状壳体,用于与反应腔本体连接,且所述桶状壳体用于封堵所述反应腔本体的底部敞口,所述桶状壳体包括顶板及沿所述顶板外周布置的周向侧壁,所述周向侧壁上具有环形槽,所述环形槽将所述桶状壳体的上半部周向侧壁分隔为上半部内侧壁和上半部外侧壁;
磁悬浮电机,包括定子及转子,所述定子套置在所述桶状壳体的周向侧壁外则,所述转子嵌设在所述周向侧壁的环形槽内,且所述上半部外侧壁为所述定子与转子之间的隔板;
旋转筒,用于设置在所述反应腔本体的中空腔体内,所述旋转筒与所述转子连接,且所述旋转筒与所述转子同步旋转;
托盘,用于设置在所述反应腔本体的中空腔体内,且所述托盘位于所述旋转筒顶部,所述托盘与所述旋转筒同步旋转;
加热组件,用于设置在所述反应腔本体的中空腔体内,且所述加热组件位于所述托盘的下方,所述加热组件用于对所述托盘加热。
在本发明的一些实施例中,所述旋转系统还包括底板,所述底板设置在所述桶状壳体的底部,所述定子与所述底板固定连接。
在本发明的一些实施例中,所述上半部外侧壁的厚度小于所述上半部内侧壁的厚度。
在本发明的一些实施例中,所述上半部外侧壁的厚度为0.5mm至1.5mm。
在本发明的一些实施例中,所述桶状壳体的周向侧壁外侧具有凸沿,所述凸沿与所述反应腔本体的底部连接。
在本发明的一些实施例中,所述凸沿上设有环形密封槽,所述反应腔本体与所述桶状壳体通过O型密封圈密封。
在本发明的一些实施例中,所述转子的顶部具有朝向所述转子的外部延伸的水平部,在所述转子静止状态下,所述转子的水平部支撑在所述桶状壳体的凸沿上。
在本发明的一些实施例中,所述加热组件包括加热器、电极棒、电极板以及电极,所述加热器位于所述托盘底部,所述电极板位于所述加热器底部,所述电极棒的两端分别与所述加热器及电极板连接,所述电极的一端与所述电极板连接,所述电极的另一端延伸至所述反应腔本体的外部。
在本发明的一些实施例中,所述桶状壳体的顶板上具有电极过孔,且所述电极过孔与所述电极之间的间隙填充有密封件。
根据本发明的另一方面,还公开了一种MOCVD设备,所述MOCVD设备包括反应腔室,所述反应腔室包括反应腔本体如上任一实施例所述的用于MOCVD设备的旋转系统。
该用于MOCVD设备的旋转系统通过桶状壳体实现反应腔本体的封堵,且采用磁悬浮电机驱动托盘旋转,具体的磁悬浮电机的转子嵌设在桶状壳体的环形槽内,而定子固定在桶状壳体的周向侧壁外侧,从而当磁悬浮电机通电时,定子会产生磁场,磁场会驱动转子悬浮,同时转子做圆周运动并带动旋转桶以及托盘同步旋转;该结构的旋转系统使得反应腔室无需磁流体密封,即托盘及旋转筒可以达到较高的旋转加速度(>600转/min2)和转速(>5000转/min);另外转子在旋转时为悬浮状态,与任何部件之间都不存在机械摩擦,不容易产生零件疲劳损坏,降低了反应腔室内各部件的故障率,减小了维修及更换成本,并进一步提高了设备产能。
本发明的附加优点、目的,以及特征将在下面的描述中将部分地加以阐述,且将对于本领域普通技术人员在研究下文后部分地变得明显,或者可以根据本发明的实践而获知。本发明的目的和其它优点可以通过在书面说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构实现到并获得。
本领域技术人员将会理解的是,能够用本发明实现的目的和优点不限于以上具体所述,并且根据以下详细说明将更清楚地理解本发明能够实现的上述和其他目的。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本发明的限定。附图中的部件不是成比例绘制的,而只是为了示出本发明的原理。为了便于示出和描述本发明的一些部分,附图中对应部分可能被放大,即,相对于依据本发明实际制造的示例性装置中的其它部件可能变得更大。在附图中:
图1为本发明一实施例的用于MOCVD设备的旋转系统的结构示意图。
图2为本发明一实施例的反应腔室的剖视图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合附图对本发明实施例做进一步详细说明。在此,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,但并不作为对本发明的限定。
在此,需要说明的是,为了避免因不必要的细节而模糊了本发明,在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤,而省略了与本发明关系不大的其他细节。
应该强调,术语“包括/包含/具有”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在,但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。
在此,还需要说明的是,本说明书内容中所出现的方位名词是相对于附图所示的位置方向;如果没有特殊说明,术语“连接”在本文不仅可以指直接连接,也可以表示存在中间物的间接连接。直接连接为两个零部件之间不借助中间部件进行连接,间接连接为两个零部件之间借助其他零部件进行连接。
在下文中,将参考附图描述本发明的实施例。在附图中,相同的附图标记代表相同或类似的部件,或者相同或类似的步骤。
图1为本发明一实施例的用于MOCVD设备的旋转系统的结构示意图,图2采用该旋转系统的反应腔室的剖视图,如图1和图2所示,该用于MOCVD设备的旋转系统至少包括桶状壳体、磁悬浮电机、旋转筒300、托盘400以及加热组件。其中,桶状壳体用于与MOCVD反应腔的反应腔本体100连接,以使桶状壳体可封堵反应腔本体100的底部敞口;桶状壳体具体的整体可呈底部敞口状,且桶状壳体包括顶板及周向侧壁,周向侧壁沿顶板的外周周向设置。参考图2,该桶状壳体的周向侧壁自顶板垂直向下延伸,示例性的,桶状壳体的外形可为圆柱桶状,此时该桶状壳体的顶板为圆形板,而周向侧壁为圆柱形筒体。另外,周向侧壁上还开设有环形槽,该环形槽自周向侧壁的顶部竖直向下延伸,环形槽的深度小于周向侧壁的高度,即环形槽被开设在桶状壳体的靠上部分,因而环形槽将桶状壳体的上半部周向侧壁分隔为位于环形槽内侧的上半部内侧壁112和位于环形槽外侧的上半部外侧壁111。应当理解的是,为了保证环形槽两侧的上半部内侧壁112及上半部外侧壁111的结构强度,该桶状壳体的周向侧壁的厚度可根据所要开设的环形槽的槽宽进行设定,即周向侧壁的厚度为环形槽槽宽、上半部内侧壁112厚度和上半部外侧壁111厚度之和。
磁悬浮电机至少包括定子210和转子220,定子210被套置在桶状壳体的周向侧壁外则,而转子220被嵌设在周向侧壁的环形槽内,此时,周向侧壁上的上半部外侧壁111作为定子210与转子220之间的隔板。定子210具体的可被固定在桶状壳体的外周壁上,而定子210也可通过除桶状壳体之外其他部件实现支撑及固定,定子210作为该磁悬浮电机的磁场发生装置,其可以为永磁铁或电磁铁;另由于该磁悬浮电机的转子220被嵌设在桶状壳体的环形槽内,则转子220的外形也呈环形,环形槽的轴线还应与转子220轴线重合,且环形槽的槽宽还应稍大于转子220的壁厚。进一步的,环形槽的深度还可稍大于或等于转子220的高度(或长度),此时环形槽具体的可被设置为位于桶状壳体的约五分之四上半部,而此时转子220的高度与环形槽的深度大致相同。
旋转筒300具体的被设置在反应腔本体100的中空腔体内,旋转筒300与转子220连接,且旋转筒300与转子220同步旋转。旋转筒300具体的可为圆柱筒,参考图2,该圆柱筒与磁悬浮电机的转子220同轴设置,且旋转筒300的底部与转子220的顶部固定连接;示例性的,旋转筒300与转子220之间可选用螺钉或螺栓等可拆卸连接方式进行连接。托盘400与旋转筒300类似的,具体也位于反应腔室的反应腔本体100的中空腔体内,托盘400位于旋转筒300的顶部,且托盘400与旋转筒300也是同步旋转,即托盘与磁悬浮电机的转子则也同步旋转。托盘400优选的采用圆形盘,当旋转筒300为圆柱筒时,为了确保旋转筒300对托盘400的有效支撑,则该圆形托盘400的直径至少应等于或稍大于圆柱筒的外径尺寸。另外,在托盘400旋转过程中,为了防止托盘400由于离心力作用而从旋转筒300上被甩落,则托盘400的最外侧还设有朝下倾斜延伸的翻边,即当托盘400被支撑在旋转筒300上时,托盘400上的翻边起到径向定位作用。应当理解的是,托盘400上的翻边作为限位部主要是为了防止旋转时托盘400从旋转筒300上甩落,因而也可采用其他的结构作为托盘400与旋转筒300之间的径向定位部件;例如,可沿托盘400的外周壁均匀排布至少三个限位块,当托盘400被安装在旋转筒300上时,限位块位于旋转筒300外侧。另外,还应注意的是,该实施例中的托盘400具体的可为石墨托盘。
加热组件也位于反应腔室的反应腔本体100的中空腔体内,加热组件用于对托盘400加热,其具体的位于托盘400的下方。从图2中可以看出,加热组件位于旋转筒300的内部,并且其可与桶状壳体的顶板固定连接,即该加热组件通过桶状壳体支撑。将加热组件设置在托盘400的下方,可使加热组件产生的热量被高效的传递至托盘400,从而使托盘400快速升温。
该用于MOCVD设备的旋转系统的磁悬浮电机通电后,位于桶状壳体的周向侧壁外侧的定子210会产生磁场,而嵌设在环形槽内的转子220会由于磁场的驱动而旋转,又由于旋转筒300与转子220固定连接,则旋转筒300与转子220同步旋转,进一步的位于旋转筒300顶部的托盘400也与转子220同步旋转。由于采用该旋转系统的反应腔室,其不需要采用磁流体进行密封,因而转子220在旋转时不受磁流体的阻力,因而该旋转系统中的托盘400可以实现较高的加速度和较高的转速。并且转子220在旋转过程中处于悬浮状态,该旋转系统内不具有与该转子220刚性接触的部件,因而避免了转子220与旋转系统的其他部件之间的机械摩擦,从而减小了反应腔室内各部件的故障率,并同时降低了维护成本,并提高了加工效率以及设备产能。
在本发明一实施例中,旋转系统还包括底板600,底板600设置在所述桶状壳体的底部,且定子210与底板600固定连接。底板600具体的可为圆形板、方形板、多边形板等,将底板600设置在桶状壳体的底部,从而底板600也可作为桶状壳体的支撑部件,进一步的,桶状壳体的底部还与底板600固定连接,而底板600进一步的可固定在MOCVD系统的机架或基座上。在该实施例中,由于磁悬浮电机的定子210被固定在该底板600上,而又由于磁悬浮电机的定子210套置在桶状壳体的周向侧壁外侧,当底板600为圆环板时,则该底板600的外径尺寸还应大于桶状壳体的外径尺寸,且此时定子210的底端以及桶状壳体的底端与该底板600均可通过螺钉或螺栓等可拆卸连接方式进行连接。
由于桶状壳体上的环形槽将上半部周向侧壁分隔为上半部内侧壁112和上半部外侧壁111,为了使定子210与转子220之间的隔板(上半部外侧壁111)尽可能的减小对定子210产生的磁场的吸收,则还可将上半部外侧壁111的厚度设为小于上半部内侧壁112的厚度,并且上半部内侧壁112和上半部外侧壁111的具体厚度可随着桶状壳体的周向侧壁的厚度以及转子220的厚度的改变进行改变,且上半部内侧壁112与上半部外侧壁111之间的厚度之差也不做具体限制,只要将上半部外侧壁111的厚度限制为足够小,则就可尽量的减小上半部外侧壁111对定子210所产生的磁场的吸收,从而即可确保转子220具有较高的旋转速度。优选的,外侧壁的厚度被设为0.5mm至1.5mm,此时即定子210与转子220之间的隔板(上半部外侧壁)的厚度为0.5mm至1.5mm,此时定子210与转子220之间的隔板的厚度比桶状壳体的其他任何部位的厚度均要小。
为了确保反应腔室内的密封性,桶状壳体与反应腔本体100之间还应保证密封连接。例如,桶状壳体与反应腔本体100之间可通过螺钉或螺栓等方式进行连接,而进一步的在反应腔本体100与桶状壳体的连接面之间可加装密封件,密封件如O型密封圈等。另外,桶状壳体的周向侧壁外侧具有凸沿120,此时凸沿120与反应腔本体100底部进行连接即实现了桶状壳体与反应腔本体100的连接。参考图2,桶状壳体的周向侧壁的外径尺寸小于反应腔本体100底部敞口的径向尺寸,此时桶状壳体的上半部外侧壁111的顶部设有水平朝外延伸的凸沿120,凸沿120呈环形状,且位于桶状壳体的上半部外侧壁111外侧。凸沿120上沿周向均匀的排布有多个螺钉过孔,此时反应腔本体100底部的与桶状壳体上的螺钉过孔相对应的位置处还设有螺纹孔,则将螺钉或螺栓相对应的紧固在螺钉过孔以螺纹孔中即实现了反应腔本体100及桶状壳体的连接。并且,在桶状壳体的凸沿120上还设有密封圈安装槽121,此时密封圈安装槽121与周向侧壁同轴线,且密封圈安装槽121具体的位于螺钉过孔的内侧以及反应腔本体100底部敞口的外侧之间;应当理解的是,位于凸沿120上的密封圈安装槽121呈环形槽,此时环形槽的宽度及深度可根据所选用的O型密封圈的线径尺寸进行设定,而环形槽的径向尺寸根据O型密封圈的径向尺寸进行设定。进一步的,在将反应腔本体100及桶状壳体连接之前,可预先将O型密封圈安装在桶状壳体的凸沿120的密封圈安装槽121内,进一步的通过螺钉及螺栓将反应腔本体100以及桶状壳体拉紧,直至O型密封圈被压紧在反应腔本体100底端与桶状壳体的密封圈安装槽121内以起到密封作用即可。
另外,除了在桶状壳体的凸沿120上开设密封圈安装槽121之外,还可将密封圈安装槽121开设在反应腔本体100的底端,或在反应腔本体100以及桶状壳体的凸沿120上均开设密封圈安装槽121。应当注意的是,若在反应腔本体100以及桶状壳体上均开设密封圈安装槽121时,为了确保密封圈起到较佳的密封作用,则反应腔本体100上的密封圈安装槽121深度与桶状壳体上的密封圈安装槽121深度之和应小于密封圈的线径尺寸。
由上可知,采用该旋转装置的MOCVD反应腔室,其通过采用在桶状壳体与反应腔本体100之间加装密封圈的方式实现反应腔室的密封,即腔体与外部大气直接由桶状壳体隔绝,因而避免采用了磁流体对反应腔室进行密封,因而该旋转系统相对于现有技术,避免了由于磁流体的阻力作用造成的电机输出轴及旋转筒300转速无法提高的现象的发生,且磁悬浮电机的转子220与各部件之间均不存在机械摩擦的情况,因而降低了转子以及其他各部件的故障率。
进一步的,转子220的顶部还具有朝向转子220的外部延伸的水平部221,在转子220静止状态下,转子220的水平部221支撑在所述桶状壳体的凸沿120上。此时,转子220上的向外延伸的水平部221也可看作为位于转子220顶部的水平环形凸沿,该水平部221用于作为转子220静止状态的限位部,因为当定子通电产生磁场时,转子220会由于磁场的作用被悬浮及旋转,而当定子210忽然失电后,则磁场消失,此时转子220会由于失去磁场而停止旋转并回落;因而可通过转子220顶端的水平部221起到转子220静止状态时的高度限位作用。另由于桶状壳体的顶部外侧也具有凸沿120,且桶状壳体的周向侧壁外径尺寸小于反应腔本体100底部敞口的孔径尺寸,则在定子210失电且转子220静止状态下,则转子220顶部的水平部221被支撑在桶状壳体的凸沿120上。
在本发明一实施例中,加热组件包括加热器510、电极棒520、电极板530以及电极540,加热器510位于所述托盘400底部,电极板530位于加热器510底部,电极棒520的两端分别与所述加热器510及电极板530连接,所述电极540的一端与所述电极板530连接,所述电极540的另一端延伸至所述反应腔本体100的外部。从图2中可以看出,加热器510、电极棒520以及电极板530均位于旋转筒300的内部,加热器510设置在托盘400的正下方,以将其产生的热量被高效的传输至托盘400,从而实现托盘400的加热;加热器510具体的可为多圈环形加热丝,此时多圈环形加热丝可均匀且间隔排布。电极棒520用于连通电机板及加热器510,以向加热器510供电;电极棒520被竖直设置在电极板530与加热器510之间,且其两端分别与电极板530及加热器510进行连接。
电极的第一端在反应腔室的内部,而第二端从反应腔室伸出;则反应腔室的反应腔本体上还应设置供电极伸出的过孔。示例性的,电极过孔可设置在桶状壳体的顶板上,此时电极的第一端与电极板530连接,而电极的第二端自电极板530向下延伸,通过桶状壳体顶板上的电极过孔直至延伸至反应腔室的外部。为了确保反应腔室的密封效果,则电极540与电极过孔之间的间隙可被填充密封件,密封件如O型密封圈。另外,为了实现电极与桶状壳体之间的固定,则电极可通过螺母被固定在桶状壳体的顶板上,如电极的位于桶状壳体顶板上方的位置处还具有与电极一体结构的挡板,当电极被安装在电极过孔中时,则挡板底面与桶状壳体的顶面直接接触,进一步的可从电极的第二端加装螺母并将电极固定在桶状壳体的顶板下方即可。此时,密封圈也可被安装在挡板与桶状壳体顶板之间。具体的,桶状壳体的顶板上的位于电极过孔外周的位置处开设有与电极过孔同轴的环形密封槽,则在密封槽内进一步填充O型密封圈,而通过顶板下方的螺母将电极与桶状壳体的顶板进行固定则对该电极过孔即进行了密封处理。应当理解的是,桶状壳体顶板上的环形密封槽的具体尺寸可根据所选用的O型密封圈的具体型号进行设定。
除上述之外,用于将电极540从反应腔室内引出的电极过孔也可被设置在反应腔本体100的腔壁上,而类似的,为了确保反应腔室的密封性能,则相应的也应在电极与电极过孔之间填充密封件,或直接在电极过孔的外侧开设环形密封槽,进而在环形密封槽内安装密封圈即可。另外,电极延伸出反应腔室的第二端还应与供电设备(图中未示出)连接;且电极与电极板530的内部可均设有液流通道,进而冷却液在电极以及电极板530的液流通道内流动即可对电极以及电极板530进行有效降温。
另外,本发明还公开了一种MOCVD设备,该MOCVD设备至少包括MOCVD反应腔室,且该MOCVD设备中的MOCVD反应腔室包括反应腔本体以及如上任一实施例所公开的用于MOCVD设备的旋转系统。
通过上述实施例可以发现,该用于MOCVD设备的旋转系统通过将磁悬浮电机的定子设置在桶状壳体的周向侧壁外侧且被固定在底板上,而将磁悬浮电机的转子安装在桶状壳体的环形槽内,且转子直接与旋转筒相连且同轴设置,因而当磁悬浮电机通电时,定子产生磁场,磁场会驱动转子悬浮,同时转子做圆周运动并带动旋转筒以及石墨托盘同步旋转,不仅可保证石墨托盘旋转平稳,该旋转系统和可以使石墨托盘达到较高的旋转加速度(>600转/min2)和转速(>5000转/min);且该旋转系统的转子在旋转时为悬浮状态,与反应腔室内的任何奇特部件之间都不存在机械摩擦,因而不容易产生零件疲劳损坏现象的发生,降低了MOCVD反应腔室的零部件的故障率,从而减小了维修及更换成本,并提高了产能。
还需要说明的是,本发明中提及的示例性实施例,基于一系列的步骤或者装置描述一些方法或系统。但是,本发明不局限于上述步骤的顺序,也就是说,可以按照实施例中提及的顺序执行步骤,也可以不同于实施例中的顺序,或者若干步骤同时执行。
本发明中,针对一个实施方式描述和/或例示的特征,可以在一个或更多个其它实施方式中以相同方式或以类似方式使用,和/或与其他实施方式的特征相结合或代替其他实施方式的特征。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明实施例可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述系统包括:
桶状壳体,用于与反应腔本体连接,且所述桶状壳体用于封堵所述反应腔本体的底部敞口,所述桶状壳体包括顶板及沿所述顶板外周布置的周向侧壁,所述周向侧壁上具有环形槽,所述环形槽将所述桶状壳体的上半部周向侧壁分隔为上半部内侧壁和上半部外侧壁;
磁悬浮电机,包括定子及转子,所述定子套置在所述桶状壳体的周向侧壁外则,所述转子嵌设在所述周向侧壁的环形槽内,且所述上半部外侧壁为所述定子与转子之间的隔板;
旋转筒,用于设置在所述反应腔本体的中空腔体内,所述旋转筒与所述转子连接,且所述旋转筒与所述转子同步旋转;
托盘,用于设置在所述反应腔本体的中空腔体内,且所述托盘位于所述旋转筒顶部,所述托盘与所述旋转筒同步旋转;
加热组件,用于设置在所述反应腔本体的中空腔体内,且所述加热组件位于所述托盘的下方,所述加热组件用于对所述托盘加热。
2.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述旋转系统还包括底板,所述底板设置在所述桶状壳体的底部,所述定子与所述底板固定连接。
3.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述上半部外侧壁的厚度小于所述上半部内侧壁的厚度。
4.根据权利要求3所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述上半部外侧壁的厚度为0.5mm至1.5mm。
5.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述桶状壳体的周向侧壁外侧具有凸沿,所述凸沿与所述反应腔本体的底部连接。
6.根据权利要求5所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述凸沿上设有环形密封槽,所述反应腔本体与所述桶状壳体通过O型密封圈密封。
7.根据权利要求5所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述转子的顶部具有朝向所述转子的外部延伸的水平部,在所述转子静止状态下,所述转子的水平部支撑在所述桶状壳体的凸沿上。
8.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述加热组件包括加热器、电极棒、电极板以及电极,所述加热器位于所述托盘底部,所述电极板位于所述加热器底部,所述电极棒的两端分别与所述加热器及电极板连接,所述电极的一端与所述电极板连接,所述电极的另一端延伸至所述反应腔本体的外部。
9.根据权利要求8所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述桶状壳体的顶板上具有电极过孔,且所述电极过孔与所述电极之间的间隙填充有密封件。
10.一种MOCVD设备,其特征在于,所述MOCVD设备包括反应腔室,所述反应腔室包括反应腔本体和如权利要求1至9中任意一项所述的用于MOCVD设备的旋转系统。
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