CN114156385A - 一种绝缘保护的倒装led芯片结构及其制作方法 - Google Patents
一种绝缘保护的倒装led芯片结构及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114156385A CN114156385A CN202111294087.4A CN202111294087A CN114156385A CN 114156385 A CN114156385 A CN 114156385A CN 202111294087 A CN202111294087 A CN 202111294087A CN 114156385 A CN114156385 A CN 114156385A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- led chip
- insulation
- layer
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 66
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 8
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明公开了一种绝缘保护的倒装LED芯片结构及其制作方法，其中所述绝缘保护的倒装LED芯片结构在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P焊盘区，在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层，绝缘保护层包裹覆盖在芯片结构上除N、P焊盘区外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。本发明采用包围式绝缘保护的LED芯片结构，在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层，能够降低漏电率，提升芯片的良率，同时增强出光效率，增强器件长期使用的可靠性，抑制水汽侵蚀。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片领域，尤其是一种绝缘保护的倒装LED芯片结构及其制作方法。
背景技术
发光二极管（LED）是一种将电能转化为光能的固体发光器件，其中GaN基的LED芯片得到了长足的发展和应用。目前的倒装LED芯片结构在切割完成后，芯片衬底上的绝缘层仅存在于正面或者正面和背面，这样容易导致在没有绝缘层的位置发生漏电现象，安全性和节能性差，无法抵抗水汽的侵蚀，长期使用可靠性差，且现有的倒装LED的出光效率低，有待进一步提高。
发明内容
本申请人针对上述现有倒装LED芯片结构存在的漏电现象、安全节能性差、出光效率差等缺点，提供了一种结构合理的绝缘保护的倒装LED芯片结构及其制作方法，能够降低漏电率，提升芯片的良率，同时增强出光效率，增强器件长期使用的可靠性，抑制水汽侵蚀。
本发明所采用的技术方案如下：
一种绝缘保护的倒装LED芯片结构，在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P焊盘区，在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层，绝缘保护层包裹覆盖在芯片结构上除N、P焊盘区外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。
作为上述技术方案的进一步改进：
对倒置的芯片单元背面的绝缘保护层做图形化处理，芯片单元背面形成粗化表面，粗化形貌为半球形、梯台形、圆锥形或不规则形状。
芯片单元倒置与封装基板结合，芯片单元的背面向上。
绝缘保护层还覆盖在封装基板上。
绝缘保护层是Al2O3、AlN、SiN、SiO2、AlON薄膜中的一种或多种。
一种绝缘保护的倒装LED芯片结构的制作方法，至少包括以下步骤：步骤S1：在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P焊盘区；步骤S2：将切割后的芯片单元翻模置于耐高温蓝膜上或者与封装基板结合，芯片单元的背面向上，芯片单元的正面朝下，对上述结构沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层，绝缘保护层包裹覆盖在芯片结构上除N、P焊盘区外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。
作为上述技术方案的进一步改进：
还包括步骤S3：对倒置的芯片单元背面的绝缘保护层做图形化处理，形成粗化表面，进一步提高出光效率。
步骤S1进一步包括：在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P金属导电层，在芯片结构上沉积致密的绝缘薄膜，再利用正胶光刻技术进行蚀刻，得到芯片整面的绝缘层图形，然后对芯片结构的N、P金属导电层制作N、P焊盘区。
步骤S2进一步包括：将切割后的芯片单元翻模置于耐高温蓝膜上时，芯片单元的N、P焊盘区与蓝膜贴合接触。
步骤S2进一步包括：将切割后的芯片单元倒置与封装基板结合时，芯片单元的N、P焊盘区与封装基板结合接触，绝缘保护层还覆盖在封装基板上。
本发明的有益效果如下：
本发明采用包围式绝缘保护的LED芯片结构，在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层，绝缘保护层包裹覆盖在芯片结构上除N、P焊盘区外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面，能够降低漏电率，提升芯片的良率，同时增强出光效率，增强器件长期使用的可靠性，抑制水汽侵蚀。本发明对倒置的芯片单元背面的绝缘保护层做图形化处理，形成粗化表面，粗化形貌为半球形、梯台形、圆锥形或不规则形状，可以增强芯片的出光效率，提升性能。
附图说明
图1为本发明实施例1的示意图。
图2为本发明实施例1的示意图。
图3为本发明实施例2的示意图。
图中：1、芯片衬底；2、PV层；3、电流扩展层；4、金属导电层；5、焊盘区；6、绝缘保护层；7、蓝膜；8、封装基板。
具体实施方式
下面结合附图，说明本发明的具体实施方式。
如图1至图3所示，本发明所述的绝缘保护的倒装LED芯片结构，在芯片衬底1上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P焊盘区5，在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层6，绝缘保护层6包裹覆盖在芯片结构上除N、P焊盘区5外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。芯片衬底1为蓝宝石、硅片、碳化硅片或金属。LED芯片外延结构是依次生长的缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，或者是依次生长的N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层。
对倒置的芯片单元背面的绝缘保护层6做图形化处理，形成粗化表面。芯片单元背面的粗化形貌为半球形、梯台形、圆锥形或不规则形状。作为一种举例，芯片单元倒置与封装基板8结合，芯片单元的背面向上。绝缘保护层6还覆盖在封装基板8上。电流分层结构至少包括电流扩展层3，例如ITO导电层。绝缘保护层6是Al2O3、AlN、SiN、SiO2、AlON薄膜中的一种或多种。绝缘保护层6的厚度为500埃～30000埃。
实施例1
本发明所述绝缘保护的倒装LED芯片结构的制作方法，至少包括以下步骤：
步骤S1：在芯片衬底1上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P金属导电层4。芯片衬底1包括但不限于蓝宝石、硅片、碳化硅片或金属。例如利用MOCVD设备（MOCVD，金属有机化合物化学气相沉淀）在芯片衬底1上生长LED芯片外延结构，LED芯片外延结构是多层结构，根据实际需要而定，例如可以是依次生长的缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，也可以是依次生长的N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，所述LED芯片外延结构覆盖在芯片衬底1的整面。MOCVD是在气相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。电流分层结构至少包括电流扩展层3（TCL），例如ITO导电层。
利用ALD或者PECVD镀膜技术在芯片结构上沉积致密的绝缘薄膜作为PV层2，绝缘薄膜可以是Al2O3、AlN、SiN、SiO2、AlON薄膜中的一种或多种。再利用正胶光刻技术进行蚀刻，得到芯片整面的绝缘层图形。具体为，在绝缘薄膜上涂覆正性光刻胶，在能量束（光束等）的照射下得到掩膜图形，然后通过ICP刻蚀技术的蚀刻得到芯片整面的绝缘层图形，干法蚀刻率为0.2 Å /s～2 Å /s。根据光刻板的图形可以得到不同的绝缘层图形。然后对芯片结构的N、P金属导电层4制作N、P焊盘区5。对芯片结构进行研磨切割，得到芯片单元。
步骤S2：将切割后的芯片单元翻模置于耐高温蓝膜7上，芯片单元的背面向上，芯片单元的正面朝下与蓝膜7贴合接触，具体为，芯片单元的N、P焊盘区5与蓝膜7贴合接触。利用ALD镀膜技术对上述结构沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层6，绝缘保护层6包裹覆盖在芯片结构上除N、P焊盘区5外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。绝缘保护层6可以是Al2O3、AlN、SiN、SiO2、AlON薄膜中的一种或多种。绝缘保护层6的厚度为500埃～30000埃。
步骤S3：对倒置的芯片单元背面的绝缘保护层6做图形化处理，通过酸腐液或ICP蚀刻使芯片单元背面的绝缘保护层6粗化，形成粗化表面，进一步提高出光效率。芯片单元背面的粗化形貌为半球形、梯台形、圆锥形或不规则形状等。
实施例2
本发明所述的绝缘保护的倒装LED芯片结构的制作方法，至少包括以下步骤：
步骤S1：在芯片衬底1上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P金属导电层4。芯片衬底1包括但不限于蓝宝石、硅片、碳化硅片或金属。例如利用MOCVD设备（MOCVD，金属有机化合物化学气相沉淀）在芯片衬底1上生长LED芯片外延结构，LED芯片外延结构是多层结构，根据实际需要而定，例如可以是依次生长的缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，也可以是依次生长的N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，所述LED芯片外延结构覆盖在芯片衬底1的整面。MOCVD是在气相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
利用ALD或者PECVD镀膜技术在芯片结构上沉积致密的绝缘薄膜作为PV层2，绝缘薄膜可以是Al2O3、AlN、SiN、SiO2、AlON薄膜中的一种或多种。再利用正胶光刻技术进行蚀刻，得到芯片整面的绝缘层图形。具体为，在绝缘薄膜上涂覆正性光刻胶，在能量束（光束等）的照射下得到掩膜图形，然后通过ICP刻蚀技术的蚀刻得到芯片整面的绝缘层图形。根据光刻板的图形可以得到不同的绝缘层图形。然后对芯片结构的N、P金属导电层4制作N、P焊盘区5。对芯片结构进行研磨切割，得到芯片单元。
步骤S2：将切割后的芯片单元倒置与封装基板8结合（比如陶瓷基板），芯片单元的背面向上，芯片单元的正面朝下与封装基板8结合接触，具体为，芯片单元的N、P焊盘区5与封装基板8结合接触。利用ALD镀膜技术对上述结构沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层6，绝缘保护层6包裹覆盖在芯片结构上除N、P焊盘区5外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。绝缘保护层6还包裹覆盖在封装基板8上。绝缘保护层6可以是Al2O3、AlN、SiN、SiO2、AlON薄膜中的一种或多种。绝缘保护层6的厚度为500埃～30000埃。
步骤S3：对倒装的芯片单元背面的绝缘保护层6做图形化处理，通过酸腐液或ICP蚀刻使芯片单元背面的绝缘保护层6粗化，形成粗化表面，进一步提高出光效率。芯片单元背面的粗化形貌为半球形、梯台形、圆锥形或不规则形状等。
以上描述是对本发明的解释，不是对发明的限定，在不违背本发明精神的情况下，本发明可以作任何形式的修改。
Claims (10)
1.一种绝缘保护的倒装LED芯片结构，其特征在于：在芯片衬底（1）上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P焊盘区（5），在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层（6），绝缘保护层（6）包裹覆盖在芯片结构上除N、P焊盘区（5）外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。
2.根据权利要求1所述的绝缘保护的倒装LED芯片结构，其特征在于：对倒置的芯片单元背面的绝缘保护层（6）做图形化处理，芯片单元背面形成粗化表面，粗化形貌为半球形、梯台形、圆锥形或不规则形状。
3.根据权利要求1所述的绝缘保护的倒装LED芯片结构，其特征在于：芯片单元倒置与封装基板（8）结合，芯片单元的背面向上。
4.根据权利要求3所述的绝缘保护的倒装LED芯片结构，其特征在于：绝缘保护层（6）还覆盖在封装基板（8）上。
5.根据权利要求1所述的绝缘保护的倒装LED芯片结构，其特征在于：绝缘保护层（6）是Al2O3、AlN、SiN、SiO2、AlON薄膜中的一种或多种。
6.一种绝缘保护的倒装LED芯片结构的制作方法，其特征在于：至少包括以下步骤：步骤S1：在芯片衬底（1）上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P焊盘区（5）；步骤S2：将切割后的芯片单元翻模置于耐高温蓝膜（7）上或者与封装基板（8）结合，芯片单元的背面向上，芯片单元的正面朝下，对上述结构沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层（6），绝缘保护层（6）包裹覆盖在芯片结构上除N、P焊盘区（5）外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。
7.根据权利要求6所述的绝缘保护的倒装LED芯片结构的制作方法，其特征在于：还包括步骤S3：对倒置的芯片单元背面的绝缘保护层（6）做图形化处理，形成粗化表面，进一步提高出光效率。
8.根据权利要求6所述的绝缘保护的倒装LED芯片结构的制作方法，其特征在于：步骤S1进一步包括：在芯片衬底（1）上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P金属导电层（4），在芯片结构上沉积致密的绝缘薄膜，再利用正胶光刻技术进行蚀刻，得到芯片整面的绝缘层图形，然后对芯片结构的N、P金属导电层（4）制作N、P焊盘区（5）。
9.根据权利要求6所述的绝缘保护的倒装LED芯片结构的制作方法，其特征在于：步骤S2进一步包括：将切割后的芯片单元翻模置于耐高温蓝膜（7）上时，芯片单元的N、P焊盘区（5）与蓝膜（7）贴合接触。
10.根据权利要求6所述的绝缘保护的倒装LED芯片结构的制作方法，其特征在于：步骤S2进一步包括：将切割后的芯片单元倒置与封装基板（8）结合时，芯片单元的N、P焊盘区（5）与封装基板（8）结合接触，绝缘保护层（6）还覆盖在封装基板（8）上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111294087.4A CN114156385A (zh) | 2021-11-03 | 2021-11-03 | 一种绝缘保护的倒装led芯片结构及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111294087.4A CN114156385A (zh) | 2021-11-03 | 2021-11-03 | 一种绝缘保护的倒装led芯片结构及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114156385A true CN114156385A (zh) | 2022-03-08 |
Family
ID=80458791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111294087.4A Pending CN114156385A (zh) | 2021-11-03 | 2021-11-03 | 一种绝缘保护的倒装led芯片结构及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114156385A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102668132A (zh) * | 2009-06-10 | 2012-09-12 | 克里公司 | 发光二极管(led)晶圆的前端划线以及结果器件 |
| CN109950386A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-06-28 | 东莞市光志光电有限公司 | 一种基于量子点全彩发光Mini或Micro LED的结构及其制备方法 |
| CN210607304U (zh) * | 2019-08-05 | 2020-05-22 | 厦门三安光电有限公司 | 一种倒装发光二极管及其显示屏 |
| CN111312874A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-06-19 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种抗水解led芯片及其制作方法、抗水解led器件 |
| CN213583842U (zh) * | 2020-10-19 | 2021-06-29 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种抗水解的led芯片 |
-
2021
- 2021-11-03 CN CN202111294087.4A patent/CN114156385A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102668132A (zh) * | 2009-06-10 | 2012-09-12 | 克里公司 | 发光二极管(led)晶圆的前端划线以及结果器件 |
| CN109950386A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-06-28 | 东莞市光志光电有限公司 | 一种基于量子点全彩发光Mini或Micro LED的结构及其制备方法 |
| CN210607304U (zh) * | 2019-08-05 | 2020-05-22 | 厦门三安光电有限公司 | 一种倒装发光二极管及其显示屏 |
| CN111312874A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-06-19 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种抗水解led芯片及其制作方法、抗水解led器件 |
| CN213583842U (zh) * | 2020-10-19 | 2021-06-29 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种抗水解的led芯片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102361052B (zh) | 具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法 | |
| US7655488B2 (en) | Method for fabricating a plurality of electromagnetic radiation emitting semiconductor chips | |
| KR101735670B1 (ko) | 발광 소자 | |
| TWI487133B (zh) | 經粗化之高折射率索引層／用在高光提取之發光二極體 | |
| JP2020150274A (ja) | 発光デバイスを支持基板に取り付ける方法 | |
| EP2226855B1 (en) | Light emitting device | |
| US9190569B2 (en) | Flip-chip light emitting diode and fabrication method | |
| US8791480B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| CN110993762B (zh) | 基于III族氮化物半导体的Micro-LED阵列器件及其制备方法 | |
| CN105489721B (zh) | 一种含有反射层的led倒装芯片及其制备方法 | |
| WO2008075797A1 (en) | Light emitting device having isolating insulative layer for isolating light emitting cells from each other and method of fabricating the same | |
| JP2006041403A (ja) | 半導体発光素子 | |
| CN108123018A (zh) | 一种氮化镓基倒装结构发光器件及其制备方法 | |
| CN114156385A (zh) | 一种绝缘保护的倒装led芯片结构及其制作方法 | |
| CN214043703U (zh) | 一种多焊盘倒装发光二极管 | |
| TW201244162A (en) | Light emitting diode and method for making it | |
| EP2221886B1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| CN101984509A (zh) | 形成倒装蓝光led芯片的方法 | |
| KR20110071396A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20070102283A (ko) | 교류용 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| CN112531085A (zh) | Ald沉积电流扩展层的led芯片结构及其制作方法 | |
| CN118431356A (zh) | 发光二极管的转移方法及发光二极管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220308 |