CN114141824A - 显示设备以及制造该显示设备的方法 - Google Patents

显示设备以及制造该显示设备的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114141824A
CN114141824A CN202111032652.XA CN202111032652A CN114141824A CN 114141824 A CN114141824 A CN 114141824A CN 202111032652 A CN202111032652 A CN 202111032652A CN 114141824 A CN114141824 A CN 114141824A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
pixel
pixel electrode
display device
spacer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111032652.XA
Other languages
English (en)
Inventor
徐硕焄
郑素娟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114141824A publication Critical patent/CN114141824A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种显示设备以及制造该显示设备的方法。显示设备包括：第一像素电极和第二像素电极，在基板上彼此间隔开；像素限定层，包括暴露第一像素电极和第二像素电极中的每一个的中心部分的开口；中间层，在第一像素电极、第二像素电极和像素限定层上，并且包括暴露在第一像素电极与第二像素电极之间的像素限定层的上表面的至少一部分的通孔；对电极，在中间层上以面向第一像素电极和第二像素电极；以及无机封装层，在对电极之上。

Description

显示设备以及制造该显示设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年9月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0113215号的优先权和权益，其公开通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个示例实施例的各方面涉及显示设备以及制造该显示设备的方法，并且例如，涉及具有相对增强的封装特性同时具有相对小的厚度的显示设备以及制造该显示设备的方法。
背景技术
在显示设备当中，有机发光显示设备作为下一代显示设备已经引起关注，因为它们可以具有相对宽的视角、相对优异的对比度和相对快的响应时间。
通常，在有机发光显示设备中，薄膜晶体管和作为显示器件的有机发光二极管形成在基板之上，并且有机发光二极管自行发射光并且操作。封装构件可以形成在有机发光二极管之上以封装有机发光二极管，从而防止或减少外部湿气和杂质流入有机发光二极管中的发生。
这样的有机发光显示设备可以用作诸如移动电话的小型产品的显示单元，或者可以用作诸如电视的大型产品的显示单元。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景的理解，并且因此，在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或多个示例实施例的各方面包括具有相对增强的封装特性同时具有相对小的厚度的显示设备以及制造该显示设备的方法。然而，这些问题仅仅是示例并且根据本公开的实施例的范围不限于此。
附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中将是显而易见的，或者可以通过实践所呈现的实施例来获知。
根据一个或多个示例实施例，显示设备包括：第一像素电极和第二像素电极，被布置成在基板之上彼此间隔开；像素限定层，包括暴露第一像素电极和第二像素电极中的每一个的中心部分的开口；中间层，被布置在第一像素电极、第二像素电极和像素限定层之上，并且包括暴露在第一像素电极与第二像素电极之间的像素限定层的上表面的至少一部分的通孔；对电极，被布置在中间层之上以面向第一像素电极和第二像素电极；以及无机封装层，被布置在对电极之上。
根据一些示例实施例，对电极可以通过通孔直接接触像素限定层的上表面的至少一部分。
根据一些示例实施例，显示设备可以进一步包括隔离物，该隔离物被布置在像素限定层与对电极之间以对应于第一像素电极与第二像素电极之间的空间。
根据一些示例实施例，中间层可以不被布置在隔离物的上表面之上。
根据一些示例实施例，对电极可以通过通孔直接接触隔离物的上表面。
根据一些示例实施例，隔离物可以包括隔离物的上表面的一部分朝向基板凹陷的凹陷部分。
根据一些示例实施例，对电极可以直接接触凹陷部分的内表面。
根据一些示例实施例，无机封装层的厚度可以是约
Figure BDA0003245955790000021
至约2μm。
根据一些示例实施例，无机封装层可以包括至少两层的多层结构。
根据一些示例实施例，无机封装层可以包括顺序地堆叠的第一层和第二层，并且第一层和第二层可以包括相同的材料但具有不同的成分比。
根据一些示例实施例，第一层和第二层中的每一个的厚度可以是约
Figure BDA0003245955790000022
至约
Figure BDA0003245955790000023
根据一些示例实施例，显示设备可以进一步包括输入感测层，该输入感测层包括：有机平坦化层，被布置在无机封装层之上；无机绝缘层，被布置在有机平坦化层之上；以及感测电极，在无机绝缘层之上。
根据一些示例实施例，有机平坦化层可以直接在无机封装层与无机绝缘层之间。
根据一个或多个示例实施例，显示设备包括：第一像素电极和第二像素电极，被布置成在基板之上彼此间隔开；像素限定层，包括暴露第一像素电极和第二像素电极中的每一个的中心部分的开口；隔离物，被布置在像素限定层之上以与第一像素电极和第二像素电极之间的空间相对应；中间层，被布置在第一像素电极、第二像素电极以及隔离物之上；其中，中间层的与隔离物相对应的第一部分的厚度小于中间层的与第一像素电极和第二像素电极相对应的第二部分的厚度；对电极，被布置在中间层之上；以及无机封装层，被布置在对电极之上。
根据一些示例实施例，中间层可以包括：第一发射层和第二发射层，分别被布置在第一像素电极和第二像素电极之上并且彼此间隔开；第一功能层，在第一像素电极与第一发射层之间并且在第二像素电极与第二发射层之间；以及第二功能层，在第一发射层与对电极之间并且在第二发射层与对电极之间，其中，对应于第一部分的第二功能层的厚度可以小于对应于第二部分的第二功能层的厚度。
根据一些示例实施例，中间层可以包括：第一发射层和第二发射层，分别被布置在第一像素电极和第二像素电极之上并且彼此间隔开；第一功能层，在第一像素电极与第一发射层之间并且在第二像素电极与第二发射层之间；以及第二功能层，在第一发射层与对电极之间并且在第二发射层与对电极之间，其中，对应于第一部分的第一功能层的厚度可以小于对应于第二部分的第一功能层的厚度。
根据一些示例实施例，对应于第一部分的第二功能层可以被去除。
根据一个或多个示例实施例，一种制造显示设备的方法包括：在基板之上形成包括薄膜晶体管的像素电路层以及在薄膜晶体管之上的平坦化层；在像素电路层之上形成像素电极；在像素电极之上形成包括暴露像素电极的中心部分的开口的像素限定层；在像素限定层之上形成隔离物；在像素电极、像素限定层和隔离物之上形成中间层；去除中间层的形成在隔离物之上的至少一部分；在中间层之上形成对电极；以及在对电极之上形成无机封装层。
根据一些示例实施例，在中间层的形成中，可以在隔离物之上形成颗粒。
根据一些示例实施例，在中间层的至少一部分的去除中，可以同时去除形成在隔离物之上的颗粒与中间层的至少一部分。
根据一些示例实施例，中间层的至少一部分的去除可以包括通过使用激光去除形成在隔离物之上的颗粒。
根据一些示例实施例，中间层的至少一部分的去除可以包括：倒置基板，使得中间层面向地面；以及朝向形成在隔离物之上的颗粒照射激光。
根据一些示例实施例，中间层的至少一部分的去除可以包括：倒置基板，使得中间层面向地面；将包括与隔离物相对应的贯通部分的掩模布置成面向中间层；以及通过贯通部分对形成在隔离物之上的颗粒照射激光。
根据一些示例实施例，中间层的至少一部分的去除可以进一步包括一起去除隔离物的至少一部分。
根据一些示例实施例，对电极可以形成为直接接触隔离物的上表面。
根据一些示例实施例，对电极可以形成为直接接触像素限定层的与形成隔离物的部分相对应的上表面。
根据一些示例实施例，无机封装层可以形成为约
Figure BDA0003245955790000041
至约2μm的厚度。
根据一些示例实施例，无机封装层可以形成为包括至少两层的多层结构。
根据一些示例实施例，无机封装层的形成可以包括形成第一无机层和形成第二无机层，其中，第一无机层和第二无机层可以通过改变注入到腔室中的气体的量而形成为具有不同的成分比。
根据一些示例实施例，该方法可以进一步包括在无机封装层之上形成输入感测层，其中，输入感测层的形成可以包括：在无机封装层之上形成有机平坦化层；以及在有机平坦化层之上形成触摸层。
从附图、所附权利要求和本公开的详细描述中，除了以上描述的那些方面、特征和特性之外的其他方面、特征和特性将变得更加明显。
这些一般和示例方面可以通过使用系统、方法、计算机程序或系统、方法和计算机程序的任何组合来实现。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，某些示例实施例的以上和其他方面、特征及特性将变得更加明显，在附图中：
图1是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备1的一部分的平面图；
图2是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备1的一部分的截面图；
图3是根据一些示例实施例的可以被包括在显示设备1中的像素P的等效电路图；
图4是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备1的显示区域DA的一部分的平面图；
图5是示意性地图示出根据一些示例实施例的图4的区A的放大平面图；
图6是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备的一部分的截面图，该截面图对应于根据一些示例实施例的沿着图5的线B-B’截取的截面；
图7是图示出根据一些示例实施例的图6的区C的放大截面图；
图8是示意性地图示出根据一些示例实施例的无机封装层300的截面图；
图9是图示出根据一些示例实施例的图6的区C的另一示例C’的截面图；
图10A至图10C是图9的区D的示例D、D’和D”的放大截面图；
图11和图12是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备的一部分的截面图；
图13和图14是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备的一部分的截面图；以及
图15至图17是示意性地图示出根据一些示例实施例的制造显示设备的方法的一部分的截面图。
具体实施方式
现在将更详细地参照在附图中图示出的一些示例实施例的各方面，其中，相同的附图标记始终表示相同的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例以解释本说明书的各方面。如本文中所使用，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者以及a、b和c的全部或其变体。
本公开可以包括各种示例实施例和修改，并且本公开的某些实施例在附图中图示出并且将在本文中详细描述。根据以下参照附图详细描述的实施例，本公开的效果和特征及其实现方法将变得显而易见。然而，根据本公开的实施例不限于以下描述的示例实施例，并且可以以各种模式来实施。
在下文中，将参照附图更详细地描述一些示例实施例的各方面，并且在以下描述中，相同的附图标记将表示相同的元件，并且为了简明或简洁，可以省略其冗余的描述。
将理解的是，尽管诸如“第一”和“第二”的术语在本文中可用于描述各种部件，但是这些部件不应受到这些术语的限制，并且这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
如本文中所使用，单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。
此外，将理解的是，本文中使用的术语“包含”、“包括”和“具有”指定所陈述的特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或部件的存在或添加。
将理解的是，当层、区域或部件被称为“在”另一层、区域或部件“上”时，它可以“直接在”另一层、区域或部件“上”，或者可以在其间具有一个或多个居间层、区域或部件的情况下“间接在”另一层、区域或部件“上”。
将理解的是，当层、区域或部件被称为“连接到”另一层、区域或部件时，它可以“直接连接到”另一层、区域或部件，或者可以在其间具有一个或多个居间层、区域或部件的情况下“间接连接到”另一层、区域或部件。例如，将理解的是，当层、区域或部件被称为“电连接到”另一层、区域或部件时，它可以“直接电连接到”另一层、区域或部件，和/或可以在其间具有一个或多个居间层、区域或部件的情况下“间接电连接到”另一层、区域或部件。
如本文中所使用，“A和/或B”表示A、B或A和B的情况。此外，“A和B中的至少一个”表示A、B或A和B的情况。
如本文中所使用，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在广泛意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
当某个实施例可以不同地实现时，特定工艺可以以不同于所描述的顺序的顺序来执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时执行或可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
为了便于描述，附图中的部件的尺寸可能被放大。换句话说，因为为了便于描述而任意地图示出附图中的部件的尺寸和厚度，所以根据本公开的实施例不限于此。
图1是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备1的一部分的平面图。
参照图1，显示设备1可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的外围区域NDA。包括显示元件的多个像素P可以被布置在显示区域DA中，并且显示设备1可以通过使用从被布置在显示区域DA中的多个像素P发射的光来显示图像。外围区域NDA可以是不布置显示元件的非显示区域的类型，并且显示区域DA可以被外围区域NDA完全围绕。例如，外围区域NDA可以是围绕显示区域DA的边框区域。
尽管图1图示出具有平坦的或平面的显示表面的显示设备1，但是根据本公开的实施例不限于此。根据一些示例实施例，显示设备1可以包括三维显示表面或弯曲的显示表面。
当显示设备1包括三维显示表面时，显示设备1可以包括指示不同方向的多个显示区域并且可以包括例如多边形柱状显示表面。在其他实施例中，当显示设备1包括弯曲的显示表面时，显示设备1可以以诸如柔性的、可折叠的和可卷曲的显示设备的各种形式来实现。
此外，根据一些示例实施例，图1图示出可以应用于移动电话终端的显示设备1。根据一些示例实施例，移动电话终端可以通过将被安装在主板上的电子模块、相机模块和电源模块等与显示设备1一起布置在支架/外壳等中来构造。根据本公开的一些示例实施例的显示设备1可以应用于诸如电视或监视器的大型电子设备和诸如平板电脑、汽车导航、游戏机或智能手表的中小型电子设备。
图1图示出显示设备1的显示区域DA是具有倒圆角的四角形形状的情况；然而，根据一些示例实施例，显示区域DA的形状也可以是圆形、椭圆形或诸如三角形或五边形的多边形。
在下文中，尽管有机发光显示设备被描述为根据一些示例实施例的显示设备1的示例，但是根据本公开的实施例的显示设备1不限于此。根据一些示例实施例，本公开的显示设备1可以是无机发光显示设备(无机发光显示器或无机EL显示设备)或诸如量子点发光显示设备的显示设备。例如，被包括在显示设备1中的显示元件的发射层可以包括有机材料，可以包括无机材料，可以包括量子点，可以包括有机材料和量子点，或者可以包括无机材料和量子点。
图2是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备1的一部分的截面图。
参照图2，根据一些示例实施例的显示设备1可以包括显示层DU和输入感测层TU。显示层DU和被布置在显示层DU之上(例如，直接被布置在显示层DU之上)的输入感测层TU可以被统称为显示面板DP。根据一些示例实施例，偏振层和窗口层可以进一步被布置在输入感测层TU之上。显示层DU、输入感测层TU、偏振层和窗口层当中的至少一些部件可以通过连续工艺形成，或者至少一些部件可以通过粘合构件彼此耦接。
根据一些示例实施例，输入感测层TU可以直接被布置在显示层DU之上。在本文中，“部件B直接被布置在部件A之上”可以是指单独的粘合层/粘合构件不被布置在部件A与部件B之间。部件B可以在部件A形成之后通过连续工艺在由部件A提供的基底表面上形成。
显示层DU可以生成图像，并且输入感测层TU可以获取外部输入(例如，触摸事件)的坐标信息。根据一些示例实施例，根据一些示例实施例的显示面板DP可以进一步包括被布置在显示层DU的下表面处的保护构件。保护构件和显示层DU可以通过粘合构件耦接。
在显示层DU中，像素电路层PCL、有机发光二极管OLED和薄膜封装层TFE可以顺序地被布置在基板100之上。输入感测层TU可以直接被布置在薄膜封装层TFE之上。如在下面描述的图14中，因为至少一个有机平坦化层400(参见例如图14)被布置在薄膜封装层TFE之上，所以可以提供更加平坦化的基底表面。因此，即使当下面描述的输入感测层TU的部件通过连续工艺形成时，也可以减少缺陷率。
输入感测层TU可以具有多层结构。输入感测层TU可以包括感测电极、连接到感测电极的信号线(迹线)和至少一个绝缘层。输入感测层TU可以例如通过电容方法来感测外部输入。在本公开中，输入感测层TU的操作方法没有特别限制，并且根据一些示例实施例的输入感测层TU可以通过电磁感应方法或压力感测方法来感测外部输入。
如图2中所图示，根据一些示例实施例的输入感测层TU可以包括第一绝缘层IL1、第一导电层CL1、第二绝缘层IL2、第二导电层CL2和第三绝缘层IL3。感测电极可以通过将第一导电层CL1和第二导电层CL2彼此电连接而形成。
例如，第一导电层CL1和第二导电层CL2中的每一个可以具有单层结构或者可以具有堆叠的多层结构。单层导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或其任何合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电氧化物。此外，透明导电层可以包括诸如PEDOT、金属纳米线或石墨烯等的导电聚合物。多层导电层可以包括多层金属层。多层金属层可以具有例如Ti/Al/Ti的三层结构。多层导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
第一导电层CL1和第二导电层CL2中的每一个可以包括多个图案。根据一些示例实施例，第一导电层CL1可以包括第一导电图案，并且第二导电层CL2可以包括第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案可以形成以上的感测电极。根据一些示例实施例，感测电极可以具有网格形状以防止或减少用户对感测电极的可见性。
第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3中的每一个可以具有单层或多层结构。第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3中的每一个可以包括无机材料或复合材料。例如，第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中的至少一个可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在其他实施例中，第一绝缘层IL1至第三绝缘层IL3中的至少一个可以包括有机绝缘材料。
此外，根据一些示例实施例的输入感测层TU可以进一步包括有机平坦化层400。如下所描述，因为根据一些示例实施例的显示设备1包括单层无机封装层300(参见例如图6)作为薄膜封装层TFE，所以当包括第一绝缘层IL1的触摸层410直接被布置在无机封装层300之上时，由于显示层DU的上表面的非平坦化可能出现缺陷。
因此，有机平坦化层400可以被布置在无机封装层300与触摸层410之间，使得触摸层410可以被布置在有机平坦化层400的平坦化的表面之上。
图3是根据一些示例实施例的可以被包括在显示设备1中的像素P的等效电路图。
参照图3和图6，每个像素P可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以被配置成根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管Td。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管Ts接收的电压和供给到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管Td可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储电容器Cst中存储的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流Id。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流Id发射具有一定亮度的光。
尽管图3图示出像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是根据本公开的实施例不限于此。根据一些示例实施例，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。根据一些示例实施例，像素电路PC可以包括两个或更多个存储电容器。根据一些示例实施例，根据显示设备1的设计，像素电路PC可以包括任何合适数量的晶体管、电容器或其他电子部件。
图4是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备1的显示区域DA的一部分的平面图，并且图5是示意性地图示出图4的区A的放大平面图。
参照图4，多个像素P可以被布置在显示区域DA中。多个像素P中的每一个可以包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。每个像素P可以是发射红光、绿光、蓝光或白光的子像素。
根据一些示例实施例，被布置在显示区域DA中的多个像素P可以包括发射红光的像素Pr、发射绿光的像素Pg和发射蓝光的像素Pb。尽管图4图示出多个像素P以所谓的菱形的pentile型矩阵或布置(例如，RBGB或RBGW矩阵，或Pentile@布置)来布置，但是多个像素P可以以诸如条型或一般矩阵(例如，RBGB或RBGW矩阵，或PentileTM布置)的各种形状布置。此外，根据一些示例实施例，在以格子形状布置的虚拟单元的情况下，两个像素P可以被布置在一个单元中。例如，在图4中，红色发光像素Pr和绿色发光像素Pg，或者绿色发光像素Pg和蓝色发光像素Pb可以被布置在每个单元中。
隔离物217可以被布置在显示区域DA中。如图4中所图示，多个隔离物217可以被布置在显示区域DA中并且可以在其间具有多个像素P的情况下彼此间隔开。尽管图4图示出多个隔离物217沿着一个方向(例如，x方向)和另一方向(例如，y方向)以相等间隔隔开的结构，但是根据本公开的实施例不限于此。
例如，参照图5，图示出围绕隔离物217的像素Pr、Pg和Pb的布置。像素Pr、Pg和Pb可以被布置成围绕隔离物217。换句话说，隔离物217可以被布置在像素Pr、Pg和Pb之间。例如，像素Pr、Pg和Pb可以被布置在围绕隔离物217的上方、下方、左侧和右侧。
像素Pr、Pg和Pb可以包括分别被布置在像素电极221R、221G和221B之上的发射层222br、222bg和222bb。像素限定层215可以包括暴露像素电极221R、221G和221B中的每一个的中心部分的开口OP-EA，并且发射层222br、222bg和222bb可以被布置在开口OP-EA中。像素Pr、Pg和Pb的发射区域Pr-EA、Pg-EA和Pb-EA可以由开口OP-EA限定。
隔离物217可以被布置在像素Pr、Pg和Pb之间并且可以被布置成相对于像素Pr、Pg和Pb中的每一个的开口OP-EA以相同距离d隔开。因为像素Pr、Pg和Pb之间的隔离物217位于光发射的方向上，所以如上所描述的将隔离物217布置成与像素Pr、Pg和Pb的发射区域Pr-EA、Pg-EA和Pb-EA隔开相同的距离d，在围绕隔离物217的像素Pr、Pg和Pb的发光均匀性方面可能是有益的。为此目的，图5的隔离物217在一个方向上(例如，在x方向上)的宽度可以大于在另一方向上(例如，在y方向上)的宽度；然而，根据本公开的实施例不限于此。此外，根据一些示例实施例，图5中提供了一个隔离物217；然而，可以在像素Pr、Pg和Pb之间提供多个隔离物217。
为了防止或减少由于在为每个像素P形成发射层的工艺中使用的精细金属掩模(FMM)的下陷而在显示设备1中出现的诸如在显示区域DA处的压印的缺陷，隔离物217可以接触并且支撑FMM。在该工艺中，FMM可以直接接触隔离物217的上表面。在这种情况下，如下所描述，由于与FMM接触，大颗粒Pc(参见图15)可能出现在隔离物217的上表面处。颗粒Pc可以具有例如约2μm至约5μm的宽度以使隔离物217之上的轮廓不稳定，因此导致隔离物217之上的上层中的诸如裂纹的缺陷。
因此，在根据一些示例实施例的显示设备1中，通过在去除隔离物217之上的颗粒Pc之后形成对电极223(参见图6)，可以防止或减少在对电极223及其之上的上层中出现裂纹的情况。此外，由于这个，因为在有机发光二极管OLED之上由无机绝缘材料形成的单层无机封装层300可以被实现为薄膜封装层TFE，所以可以显著减少显示设备1的薄膜封装层TFE的厚度，以减少显示设备1的整体厚度并且简化显示设备1的制造工艺。
图6是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备的一部分的截面图，该截面图对应于沿着图5的线B-B’截取的截面。图7是图示出图6的区C的放大截面图，并且图8是示意性地图示出根据一些示例实施例的无机封装层300的截面图。
参照图6，第一像素P1和第二像素P2可以被布置在基板100之上。因为第一像素P1和第二像素P2具有相同的结构，所以以下将主要针对第一像素P1和第二像素P2中的一个像素来描述其堆叠结构。
首先，基板100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。根据一些示例实施例，基板100可以包括多个子层。多个子层可以是有机层和无机层交替地堆叠的结构。当基板100包括聚合物树脂时，聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。
包括诸如有机发光二极管的显示元件的显示层DU和覆盖有机发光二极管的薄膜封装层TFE(参照图2)可以被布置在基板100之上。在下文中，将详细描述显示层DU。
缓冲层201可以形成在基板100之上以防止或减少杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中的情况。缓冲层201可以包括诸如氮化硅、氧氮化硅和氧化硅的无机绝缘材料并且可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。
像素电路PC可以被布置在缓冲层201之上。像素电路PC可以被布置成对应于每个像素P。像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
根据一些示例实施例，像素电路PC的数据线DL可以电连接到被包括在像素电路PC中的开关薄膜晶体管。根据一些示例性实施例，图示出栅电极GE被布置在半导体层Act之上并且栅绝缘层203在栅电极GE与半导体层Act之间的顶栅型晶体管；然而，根据一些示例实施例，薄膜晶体管TFT可以是底栅型晶体管。
半导体层Act可以包括多晶硅。可替代地，半导体层Act可以包括非晶硅，可以包括氧化物半导体，或者可以包括有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。
在半导体层Act与栅电极GE之间的栅绝缘层203可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪的无机绝缘材料。栅绝缘层203可以包括包含以上材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以与数据线DL位于同一层之上并且可以包括相同的材料。源电极SE、漏电极DE和数据线DL可以包括具有高导电性的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。根据一些示例实施例，源电极SE、漏电极DE和数据线DL可以包括Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2，并且第一层间绝缘层205在下电极CE1与上电极CE2之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。在这方面，图6图示出薄膜晶体管TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1。在其他实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。存储电容器Cst的上电极CE2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括包含以上材料的单层或多层。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被第一有机绝缘层209覆盖。第一有机绝缘层209可以包括基本平坦的上表面。
根据一些示例实施例，第三层间绝缘层可以进一步被布置在第一有机绝缘层209之下。第三层间绝缘层可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的无机绝缘材料。
像素电路PC可以电连接到像素电极221。例如，如图6中所图示，接触金属层CM可以被布置在薄膜晶体管TFT与像素电极221之间。接触金属层CM可以通过在第一有机绝缘层209中形成的接触孔连接到薄膜晶体管TFT，并且像素电极221可以通过在接触金属层CM上的第二有机绝缘层211中形成的接触孔连接到接触金属层CM。接触金属层CM可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。根据一些示例实施例，接触金属层CM可以包括Ti/Al/Ti的多层。
第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其任何混合物的有机绝缘材料。根据一些示例实施例，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可以包括聚酰亚胺。
像素电极221可以形成在第二有机绝缘层211之上。像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。根据一些示例实施例，像素电极221可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其任何化合物的反射层。根据一些示例实施例，像素电极221可以进一步包括在以上反射层之上/之下由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层。
像素限定层215可以形成在像素电极221(例如，第一像素电极)之上。像素限定层215可以包括暴露像素电极221的上表面的开口OP-EA并且可以覆盖像素电极221的边缘。像素限定层215可以包括有机绝缘材料。可替代地，像素限定层215可以包括诸如氮化硅、氧氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料。可替代地，像素限定层215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222可以包括发射层222b。中间层222可以包括被布置在发射层222b之下的第一功能层222a和/或被布置在发射层222b之上的第二功能层222c。发射层222b可以包括用于发射某种颜色的光的高分子或低分子量有机材料。
第一功能层222a可以包括单层或多层。例如，当第一功能层222a由高分子量材料形成时，第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)并且可以由聚-(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。当第一功能层222a由低分子量材料形成时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
可以省略第二功能层222c。例如，当第一功能层222a和发射层222b由高分子量材料形成时，可以形成第二功能层222c。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
可以为显示区域DA中的每个像素P布置中间层222的发射层222b。发射层222b可以被图案化以对应于像素电极221。不同于发射层222b，中间层222的第一功能层222a和/或第二功能层222c可以朝向外围区域NDA延伸，以不仅位于显示区域DA中而且位于外围区域NDA的一部分中。
对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极223可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其任何合金的(半)透明层。可替代地，对电极223可以进一步包括在包括以上材料的(半)透明层之上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极223可以形成在外围区域NDA中以及显示区域DA中。朝向外围区域NDA延伸的对电极223可以电连接到第二电源线。
第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223可以通过热蒸发来形成。
根据一些示例实施例，封盖层224可以被布置在对电极223之上。例如，封盖层224可以被提供为包括选自有机材料、无机材料及其混合物的材料的单层或多层。根据一些示例实施例，LiF层可以位于封盖层224之上。
隔离物217可以被布置在像素限定层215之上。隔离物217可以被布置在第一像素电极221与第二像素电极221’之间的像素限定层215之上。如上所描述，因为隔离物217被提供为支撑FMM，所以它可以被提供为具有一定的高度。
隔离物217可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可替代地，隔离物217可以包括无机绝缘材料或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。根据一些示例实施例，隔离物217可以包括与像素限定层215的材料不同的材料或者可以包括与像素限定层215的材料相同的材料。例如，像素限定层215和隔离物217可以包括聚酰亚胺。在这种情况下，像素限定层215和隔离物217可以在使用半色调掩模的掩模工艺中一起形成。
一起参照图7，根据一些示例实施例，可以去除与隔离物217的上表面217u相对应的中间层222。换句话说，通孔222op可以形成在中间层222中以与隔离物217的上表面217u相对应。可以理解，通孔222op是在制造工艺期间去除位于隔离物217的上表面217u处的颗粒Pc(参见图15)的工艺中一起被去除。尽管图6和图7图示出通孔222op的宽度w1小于隔离物217的上表面217u的宽度w2，但是根据本公开的实施例不限于此。
从隔离物217的上表面217u去除颗粒Pc的工艺可以在形成对电极223的工艺之前执行。因此，对电极223的至少一部分可以直接接触隔离物217的通过通孔222op暴露于外部的上表面217u。
返回参照图6，无机封装层300可以被布置在封盖层224之上。有机发光二极管OLED可以被无机封装层300封装以与外部空气隔绝。无机封装层300可以一体地被提供在显示区域DA的整个表面处。
薄膜封装层TFE可以包括无机封装层300。根据一些示例实施例，薄膜封装层TFE可以具有由无机封装层300形成的单层结构。无机封装层300可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅当中的一种或多种无机材料。
根据一些示例实施例，无机封装层300可以具有例如0.2μm(或约0.2μm)至2μm(或约2μm)的厚度t，并且可以形成为0.8μm(或约0.8μm)至1.2μm(或约1.2μm)的厚度t。这可以是比较示例并且与显示设备的薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的情况相比，可以通过显著减少薄膜封装层TFE的厚度来减少显示设备1的整体厚度。
如上所描述，根据一些示例实施例，通过在制造工艺期间去除形成在隔离物217之上的颗粒Pc以提高上层(例如，无机封装层300)的封装力，具有优异封装力的显示设备1可以仅通过具有单层结构的无机封装层300来提供。
此外，参照图8，无机封装层300可以具有至少两层的多层结构。在这种情况下，“多层结构”不仅可以包括在结构上被分类的多个层，而且还可以包括尽管没有在结构上被分类但通过成分分析被分类的多个层。
根据一些示例实施例，无机封装层300可以包括顺序地堆叠的第一层300a、第二层300b和第三层300c。第一层300a、第二层300b和第三层300c可以是包括无机绝缘材料的无机层；例如，第一层300a、第二层300b和第三层300c可以包括相同的材料或者可以包括不同的材料或者它们中的仅一些可以包括相同的材料。第一层300a、第二层300b和第三层300c可以包括选自例如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅的材料。
包括诸如氮化硅的基于氮化物的材料以增强无机封装层300的阻挡特性可能是有益的，并且包括氧化硅或氧氮化硅以提高无机封装层300的透射率可能是有益的。例如，第一层300a可以包括氮化硅，并且第二层300b和第三层300c可以包括氧化硅或氧氮化硅。
第一层300a、第二层300b和第三层300c的厚度ta、tb和tc可以是
Figure BDA0003245955790000151
(例如，约
Figure BDA0003245955790000152
)至
Figure BDA0003245955790000153
(例如，约
Figure BDA0003245955790000154
)。第一层300a、第二层300b和第三层300c的厚度ta、tb和tc可以彼此相同或不同。
此外，无机封装层300可以包括在结构上没有分类的多个层。基本上，多个层可以包括相同的材料但可以具有不同的成分或不同的成分比。无机封装层300可以通过例如化学气相沉积(CVD)形成。在这种情况下，在通过化学气相沉积形成时，结构上没有分类的多个层可以通过改变注入到腔室中的气体的量或类型来实现。
因此，通过以无机层的多层结构形成无机封装层300，可以有效地提高薄膜封装层TFE的封装力。
图9是图示出图6的区C的另一示例C’的截面图，并且图10A至图10C是图9的区D的实施例D、D’和D”的放大截面图。
参照图9，功能层222a和222c、对电极223和封盖层224可以顺序地堆叠在隔离物217的上表面217u之上。无机封装层300可以被布置成覆盖封盖层224。根据一些示例实施例，功能层222a和222c可以是不包括发射层的第一功能层222a和第二功能层222c。
被布置在隔离物217的上表面217u之上的功能层222a和222c的至少一部分可以被去除。根据一些示例实施例，功能层222a和222c的位于隔离物217的上表面217u之上的一部分的厚度可以小于功能层222a和222c的其他部分的厚度。例如，当功能层222a和222c的位于隔离物217的上表面217u之上的一部分被称为第一部分222p1并且功能层222a和222c的其他部分被称为第二部分222p2时，第一部分222p1的厚度tp1可以小于第二部分222p2的厚度tp2。功能层222a和222c的第二部分222p2的示例可以是与图6的像素电极221之上的功能层222a和222c相对应的部分，但是根据本公开的实施例不限于此。然而，为了第一部分222p1与第二部分222p2之间的清楚的厚度比较，与第一部分222p1一样，第二部分222p2可以是被提供在平坦表面之上的部分。该结构可以被理解为通过在制造工艺期间去除形成在隔离物217之上的颗粒Pc的工艺中将功能层222a和222c的部分一起去除而形成的结构。
将参照图10A至图10C描述图9的功能层222a和222c的示例实施例。在图10A至图10C的实施例D、D’和D”中，通孔和/或凹陷可以形成在与隔离物217的上表面217u相对应的功能层222a和222c中。
功能层222a和222c可以包括第一功能层222a和第一功能层222a之上的第二功能层222c。在其他实施例中，功能层222a和222c可以仅包括第一功能层222a和第二功能层222c中的一个。
参照图10A，凹陷222cr可以形成在第二功能层222c中以对应于第一部分222p1。也就是说，在图10A的示例D中，可以不去除第一功能层222a并且可以仅去除第二功能层222c的一部分。第一功能层222a整体上可以具有相同的厚度，但是第二功能层222c的第一部分222p1的厚度可以小于第二功能层222c的第二部分222p2的厚度。因此，对应于第一部分222p1的功能层222a和222c的厚度tp1可以小于对应于第二部分222p2的功能层222a和222c的厚度tp2。
参照图10B，通孔222op’可以形成在第二功能层222c中以对应于第一部分222p1。也就是说，在图10B的示例D’中，可以完全去除与第一部分222p1相对应的第二功能层222c。第一功能层222a可以通过第二功能层222c的通孔222op’暴露。对电极223可以直接接触通过通孔222op’暴露的第一功能层222a以对应于第一部分222p1。
参照图10C，对应于第一部分222p1，第二功能层222c可以包括通孔222op’并且第一功能层222a可以包括凹陷222ar。也就是说，在图10C的示例D”中，可以完全去除与第一部分222p1相对应的第二功能层222c并且可以部分去除与第一部分222p1相对应的第一功能层222a。因此，对应于第一部分222p1的功能层222a和222c的厚度tp1可以小于对应于第二部分222p2的功能层222a和222c的厚度tp2。
图11和图12是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备的一部分的截面图。图11和图12可以对应于图6的区C的修改。
参照图11的示例C”，可以在隔离物217的上表面217u处提供朝向像素限定层215(即朝向基板100)凹陷的凹陷部分217r。凹陷部分217r可以被理解为通过在去除隔离物217之上的颗粒Pc(参见图15)的工艺中一起去除隔离物217的一部分而形成。通孔222op可以被提供在功能层222a和222c中以与隔离物217的凹陷部分217r相对应。对电极223可以覆盖隔离物217之上的通孔222op和凹陷部分217r的内表面并且可以直接接触隔离物217。
图12的示例C”’可以类似于图11的示例C”，但与图11的示例C”的不同之处在于，隔离物217的上部部分被完全去除，而不是在隔离物217中形成凹陷部分217r。当隔离物217之上的颗粒Pc(参见图15)形成为具有等于或大于隔离物217的上表面217u的宽度的宽度时，应该照射具有等于或大于隔离物217的宽度的宽度的激光，并且在这种情况下，可以去除隔离物217的部分或全部。因此，图12中所图示的隔离物217的高度h2可以小于以上实施例中(例如，在关于图9描述的示例实施例中)的隔离物217的高度h1。
功能层222a和222c可以从隔离物217的上表面217u完全去除，并且形成功能层222a和222c的通孔222op的切割表面可以与隔离物217的上表面217u位于同一平面中。对电极223可以直接接触隔离物217的上表面217u。
图13和图14是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示设备的一部分的截面图。
与图6相比，关于图13描述的实施例可能与以上实施例的不同之处在于完全去除隔离物217。除了去除隔离物217之外的其他结构可以与以上所描述的图6的结构相同，并且因此，下面将主要描述它们之间的差异。
第一像素P1和第二像素P2可以被布置在基板100之上，并且第一像素P1和第二像素P2可以分别包括彼此间隔开的第一像素电极221和第二像素电极221’。像素限定层215可以包括暴露第一像素电极221和第二像素电极221’的中心部分的开口OP-EA。中间层222可以被布置在第一像素电极221和第二像素电极221’之上。中间层222中的除了发射层222b和222b’之外的第一功能层222a和第二功能层222c可以一体地形成在显示区域DA的整个表面之上以覆盖像素限定层215。
对应于与第一像素电极221和第二像素电极221’之间的空间相对应的像素限定层215，功能层222a和222c可以包括通孔222op。也就是说，对应于像素限定层215，可以去除功能层222a和222c的至少一部分。功能层222a和222c的通孔222op可以是图6的隔离物217所在的部分。
如上所描述，图13中所图示的结构可以通过在去除形成在隔离物217之上的颗粒Pc的工艺中一起去除所有的隔离物217来获得。
因为对电极223是在去除隔离物217之后形成，所以对电极223的至少一部分可以直接接触像素限定层215的通过通孔222op暴露的上表面215u。
图14图示出输入感测层TU进一步被布置在图13的显示层DU之上的结构。在图14中，关于图13描述的实施例被图示为显示层DU；然而，在图14中，以上实施例的显示层DU也可以应用为显示层DU。
参照图14，输入感测层TU可以被布置在显示层DU之上。输入感测层TU可以直接被布置在无机封装层300之上。根据一些示例实施例，输入感测层TU可以包括有机平坦化层400、第一绝缘层IL1、第一导电层CL1、第二绝缘层IL2、第二导电层CL2和第三绝缘层IL3。第一导电层CL1和第二导电层CL2可以彼此电接触以形成感测电极。
有机平坦化层400可以直接被布置在无机封装层300之上。有机平坦化层400可以用于平坦化显示层DU的上表面，使得输入感测层TU的触摸层410可以被布置在显示层DU的平坦化的表面之上。
因为根据一些示例实施例的显示设备1包括仅包含无机层作为薄膜封装层TFE(参见图2)的无机封装层300，所以当触摸层410直接被布置在无机封装层300之上时，由于显示层DU的上表面的非平坦化可能出现缺陷。因此，有机平坦化层400可以被布置在无机封装层300与触摸层410之间，使得触摸层410可以被布置在有机平坦化层400的平坦化的表面之上。
尽管以上仅主要描述了显示设备，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，制造显示设备的方法也在根据本公开的实施例的范围内。
图15至图17是示意性地图示出根据一些示例实施例的制造显示设备的方法的一部分的截面图。
参照图15，用于形成显示层DU的各种层和导电图案可以被布置在基板100之上。在这方面，因为在以上描述图6中已经顺序地描述了相对于基板100在向上方向(例如，+z方向)上堆叠的层，并且其制造工艺也按照图6中描述的顺序形成，所以制造显示层DU的工艺的描述将替换为图6的描述。
此外，如图15中所图示，像素电极221和像素限定层215可以形成，并且然后中间层222(参见图6)可以形成在像素电极221和像素限定层215之上。为此，第一功能层222a、发射层222b和第二功能层222c可以顺序地形成。第一功能层222a和第二功能层222c可以共同地被布置在显示区域DA的整个表面之上并且可以通过使用例如开口掩模形成。另一方面，因为发射层222b应该针对每个像素P被图案化和形成，所以发射层222b可以通过使用具有对应于每个像素P形成的开口的第一掩模M1来形成。例如，第一掩模M1可以是精细金属掩模(FMM)。
在形成发射层222b时，第一掩模M1可以通过直接接触隔离物217的上表面217u来防止或减少第一掩模M1的下陷。此后，如图15中所图示，第一掩模M1可以与显示层DU分离。在该工艺中，形成在隔离物217的上表面217u处的第一功能层222a和第二功能层222c的一部分可以作为残留物222rs保留在第一掩模M1的直接接触隔离物217的上表面217u的后表面MI处。同步地(或同时地)，在剥离第一功能层222a和第二功能层222c的一部分的工艺中，在隔离物217的直接接触第一掩模M1的上表面217u处可能出现诸如颗粒Pc的杂质。颗粒Pc可能在后续工艺中流入像素P的发射区域中，从而导致像素P的发光质量的缺陷。此外，当颗粒Pc继续保留在隔离物217的上表面217u处时，因为被布置在隔离物217上的无机封装层300的阶梯覆盖可能不稳定，所以其中出现裂纹的可能性可能增加，从而导致差的封装特性。
因此，在根据一些示例实施例的制造显示设备的方法中，通过使用如图16或图17中所图示的激光L在形成对电极223之前去除形成在隔离物217之上的颗粒Pc，可以最小化由于是在制造工艺中形成的杂质的颗粒Pc而导致的缺陷率。
在通过使用图16或图17中的激光L去除颗粒Pc之前，基板100可以被倒置(颠倒)使得基板100的后表面可以面向向上方向(例如，+z方向)。因此，中间层222可以被布置成面向地面方向或重力方向(例如，-z方向，或相对于显示表面垂直或正交的与向上方向相反的朝向显示表面移动的方向)。
参照图16，可以在基板100被倒置的情况下朝向颗粒Pc照射激光L。例如，可以使用光束激光或点激光等作为激光L，并且可以使用从红外(IR)到紫外(UV)的各种波长带的激光。此外，例如，可以对被激光L去除的部分进行诸如通过蚀刻完全去除或通过烧蚀部分去除的各种去除。
被激光L照射的部分的颗粒Pc可以在地面方向(例如，-z方向)上因重力落下。通过这种方式，通过在基板100被倒置的情况下执行激光工艺，落下的颗粒Pc可以在重力方向上自然地下落并且可以防止或减少落下的颗粒Pc对显示层DU的污染。根据一些示例实施例，通过在基板100之下布置单独的颗粒(Pc)收集器，可以防止或减少落下的颗粒Pc对腔室的内部的污染。
可以根据激光工艺期间激光L的照射程度来实现与以上描述的图6至图14相对应的各种结构。根据一些示例实施例，当去除颗粒Pc时仅去除上部颗粒Pc而不去除隔离物217时，可以形成图6至图9中所图示的结构。在其他实施例中，当隔离物217的全部或部分在去除颗粒Pc时一起被去除时，可以形成图12至图14中所图示的结构。
在图16的情况下，因为激光L应该以颗粒Pc为目标照射，所以可以使用点激光等作为激光L。
在其他实施例中，如图17中所图示，第二掩模M2可以被布置成面向基板100，并且激光L可以通过形成在第二掩模M2中的贯通部分M2-OP共同照射到被布置在显示区域DA中的多个隔离物217上。形成在第二掩模M2中的贯通部分M2-OP可以被图案化以对应于隔离物217。
如在以上描述的图4中，多个隔离物217可以被布置在显示区域DA中并且可以以一定的间隔隔开而具有一定的规则。因此，当第二掩模M2包括对应于每个隔离物217的贯通部分M2-OP并且激光L被照射到基板100的整个表面上(第二掩模M2在激光L与基板100的整个表面之间)时，激光L可以通过贯通部分M2-OP仅照射到隔离物217上以共同去除形成在多个隔离物217之上的颗粒Pc而减少其工艺时间。
在如图16或图17中去除隔离物217之上的颗粒Pc之后，可以如图6或图13中那样在中间层222之上形成对电极223。对电极223可以形成在基板100的显示区域DA的整个表面之上。如在图6至图14的以上实施例中，对电极223可以在隔离物217之上的颗粒Pc被去除的部分处直接接触隔离物217或像素限定层215。
此后，如图6或图13中，可以在对电极223之上形成无机封装层300。无机封装层300可以通过例如化学气相沉积(CVD)形成。在根据一些示例实施例的显示设备1中，可以提供仅由无机封装层300形成的薄膜封装层TFE。作为比较示例，当薄膜封装层具有包括至少一个有机层和至少一个无机层的多层结构时，显示设备的工艺装备可能增加，材料成本可能增加，并且显示设备本身的厚度可能增加，因此导致柔性降低。因此，在根据一些示例实施例的显示设备1中，通过提供仅由无机封装层300形成的薄膜封装层TFE，可以简化其工艺条件并且可以减少显示设备的厚度，并且因此可以实现具有提高的柔性的显示设备。
如上所描述，根据一些示例实施例，可以实现具有增强的封装特性同时具有小的厚度的显示设备以及制造该显示设备的方法。然而，根据本公开的实施例的范围不限于这些效果。
应当理解，本文中描述的示例实施例的方面应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在形式和细节上进行各种改变，而不脱离由所附权利要求及其等效物限定的精神和范围。

Claims (30)

1.一种显示设备，包括：
第一像素电极和第二像素电极，在基板上彼此间隔开；
像素限定层，包括暴露所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每一个的中心部分的开口；
中间层，在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述像素限定层上，并且包括暴露在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的所述像素限定层的上表面的至少一部分的通孔；
对电极，在所述中间层上以面向所述第一像素电极和所述第二像素电极；以及
无机封装层，在所述对电极之上。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述对电极通过所述通孔直接接触所述像素限定层的所述上表面的所述至少一部分。
3.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
隔离物，在所述像素限定层与所述对电极之间以对应于所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的空间。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述中间层不被布置在所述隔离物的上表面之上。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述对电极通过所述通孔直接接触所述隔离物的所述上表面。
6.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述隔离物包括所述隔离物的上表面的一部分朝向所述基板凹陷的凹陷部分。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述对电极直接接触所述凹陷部分的内表面。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述无机封装层的厚度是
Figure FDA0003245955780000011
至2μm。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述无机封装层包括至少两层的多层结构。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述无机封装层包括顺序地堆叠的第一层和第二层，并且所述第一层和所述第二层包括相同的材料但具有不同的成分比。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述第一层和所述第二层中的每一个的厚度是
Figure FDA0003245955780000012
至
Figure FDA0003245955780000013
12.根据权利要求1至11中任一项所述的显示设备，进一步包括在所述无机封装层上的输入感测层，
其中，所述输入感测层包括：
有机平坦化层，在所述无机封装层上；
无机绝缘层，在所述有机平坦化层上；以及
感测电极，在所述无机绝缘层上。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述有机平坦化层直接在所述无机封装层与所述无机绝缘层之间。
14.一种显示设备，包括：
第一像素电极和第二像素电极，在基板之上彼此间隔开；
像素限定层，包括暴露所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每一个的中心部分的开口；
隔离物，在所述像素限定层上以与所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的空间相对应；
中间层，被布置在所述第一像素电极、所述第二像素电极以及所述隔离物上，其中，所述中间层的与所述隔离物相对应的第一部分的厚度小于所述中间层的与所述第一像素电极和所述第二像素电极相对应的第二部分的厚度；
对电极，在所述中间层上；以及
无机封装层，在所述对电极上。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述中间层包括：
第一发射层和第二发射层，分别被布置在所述第一像素电极和所述第二像素电极之上并且彼此间隔开；
第一功能层，在所述第一像素电极与所述第一发射层之间并且在所述第二像素电极与所述第二发射层之间；以及
第二功能层，在所述第一发射层与所述对电极之间并且在所述第二发射层与所述对电极之间，
其中，对应于所述第一部分的所述第二功能层的厚度小于对应于所述第二部分的所述第二功能层的厚度。
16.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述中间层包括：
第一发射层和第二发射层，分别在所述第一像素电极和所述第二像素电极上并且彼此间隔开；
第一功能层，在所述第一像素电极与所述第一发射层之间并且在所述第二像素电极与所述第二发射层之间；以及
第二功能层，在所述第一发射层与所述对电极之间并且在所述第二发射层与所述对电极之间，
其中，对应于所述第一部分的所述第一功能层的厚度小于对应于所述第二部分的所述第一功能层的厚度。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，对应于所述第一部分的所述第二功能层被去除。
18.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
在基板之上形成包括薄膜晶体管的像素电路层以及在所述薄膜晶体管之上的平坦化层；
在所述像素电路层之上形成像素电极；
在所述像素电极之上形成包括暴露所述像素电极的中心部分的开口的像素限定层；
在所述像素限定层之上形成隔离物；
在所述像素电极、所述像素限定层和所述隔离物之上形成中间层；
去除所述中间层的形成在所述隔离物之上的至少一部分；
在所述中间层之上形成对电极；以及
在所述对电极之上形成无机封装层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述中间层的所述形成中，在所述隔离物之上形成颗粒。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，在所述中间层的所述至少一部分的所述去除中，同时去除形成在所述隔离物之上的所述颗粒与所述中间层的所述至少一部分。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述中间层的所述至少一部分的所述去除包括通过使用激光去除形成在所述隔离物之上的所述颗粒。
22.根据权利要求19所述的方法，其中，所述中间层的所述至少一部分的所述去除包括：
倒置所述基板，使得所述中间层面向地面；以及
朝向形成在所述隔离物之上的所述颗粒照射激光。
23.根据权利要求19所述的方法，其中，所述中间层的所述至少一部分的所述去除包括：
倒置所述基板，使得所述中间层面向地面；
将包括与所述隔离物相对应的贯通部分的掩模布置成面向所述中间层；以及
通过所述贯通部分向形成在所述隔离物之上的所述颗粒照射激光。
24.根据权利要求22所述的方法，其中，所述中间层的所述至少一部分的所述去除进一步包括一起去除所述隔离物的至少一部分。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述对电极形成为直接接触所述隔离物的上表面。
26.根据权利要求24所述的方法，其中，所述对电极形成为直接接触所述像素限定层的与形成所述隔离物的部分相对应的上表面。
27.根据权利要求18所述的方法，其中，所述无机封装层形成为
Figure FDA0003245955780000041
至2μm的厚度。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，所述无机封装层形成为包括至少两层的多层结构。
29.根据权利要求27所述的方法，其中，所述无机封装层的所述形成包括形成第一无机层和形成第二无机层，
其中，所述第一无机层和所述第二无机层通过改变注入到腔室中的气体的量而形成为具有不同的成分比。
30.根据权利要求18至29中任一项所述的方法，进一步包括在所述无机封装层之上形成输入感测层，
其中，所述输入感测层的所述形成包括：
在所述无机封装层之上形成有机平坦化层；以及
在所述有机平坦化层之上形成触摸层。
CN202111032652.XA 2020-09-04 2021-09-03 显示设备以及制造该显示设备的方法 Pending CN114141824A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200113215A KR20220031837A (ko) 2020-09-04 2020-09-04 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR10-2020-0113215 2020-09-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114141824A true CN114141824A (zh) 2022-03-04

Family

ID=77666144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111032652.XA Pending CN114141824A (zh) 2020-09-04 2021-09-03 显示设备以及制造该显示设备的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220077434A1 (zh)
EP (1) EP3965163A1 (zh)
JP (1) JP2022044039A (zh)
KR (1) KR20220031837A (zh)
CN (1) CN114141824A (zh)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4998151A (en) * 1989-04-13 1991-03-05 General Electric Company Power field effect devices having small cell size and low contact resistance
CN105720207B (zh) * 2013-06-29 2017-09-15 艾克斯特朗欧洲公司 用于高性能涂层的沉积的方法以及封装的电子器件
WO2016163367A1 (ja) * 2015-04-09 2016-10-13 シャープ株式会社 Ｅｌ表示装置およびｅｌ表示装置の製造方法
JP2017083517A (ja) * 2015-10-23 2017-05-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR102606282B1 (ko) * 2017-06-19 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102011952B1 (ko) * 2017-11-30 2019-08-19 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치와 이의 제조방법
US11626449B2 (en) * 2018-03-22 2023-04-11 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for producing display device
KR20210083011A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP3965163A1 (en) 2022-03-09
JP2022044039A (ja) 2022-03-16
KR20220031837A (ko) 2022-03-14
US20220077434A1 (en) 2022-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI775755B (zh) 具有防止有機材料溢流之結構的顯示裝置
US9448757B2 (en) Array substrate for flexible display device
US9083002B2 (en) Organic light-emitting display device
US10629846B2 (en) Flexible display apparatus
US11462605B2 (en) Display apparatus
US11158837B2 (en) Display apparatus having a thin-film encapsulation layer
KR20220068308A (ko) 표시 장치
US11088233B2 (en) Display device
US20240040861A1 (en) Display device and method of manufacturing the display device
US20230371312A1 (en) Display panel and method of manufacturing the same
CN112825324A (zh) 显示装置及其制造方法
US11711935B2 (en) Display panel
EP3965163A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN111584611B (zh) 显示面板、透明显示面板及其制作方法
CN114497145A (zh) 显示设备和制造其的方法
US20220285647A1 (en) Display apparatus
US20240134469A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20220045301A1 (en) Display apparatus
US20210407981A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20210102526A (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN114695448A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
CN117529167A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
KR20230112784A (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN117082919A (zh) 显示装置
CN118139469A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination