CN114136483B - MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明专利提供了MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器,它包括ASE光源(1)、环形器(2)、双参量测量系统(3)、光谱分析仪(4)、解调模块(5)、计算机(6)。本发明专利采用马赫曾德干涉仪原理和FBG传感原理,通过U形凹陷单模光纤级联FBG涂敷敏感材料进行传感,使ASE光源产生的光束在U形凹陷单模光纤中产生干涉光谱,通过干涉光谱的检测,实现温度的测量,并通过FBG产生的反射尖峰,检测磁场的变化,并且通过解调模块进行解调,实现了在计算机上处理,达到了数字化的目的。本发明实现了多参量检测、交叉敏感小、减小传感器尺寸,且可在计算机上输出,实现了对温度和磁场同时且实时监测的目的。
Description
技术领域
本发明属于光纤传感技术领域,具体涉及MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器。
背景技术
光纤传感器与传统的电子传感器相比,具有绝缘性好、信噪比高、可远程监测、不受电磁干扰、灵敏度高、体积小、并且具有较高的灵活使用性,现今,已经研制出很多可测量温度、应力、压力等光纤传感器。近年来随着科技、经济的不断发展,智能化需求不断增加,多功能化、小型传感器的需求逐渐扩大。因此,可多参量测量传感器的发展成为必然趋势。设计一种基于MXene与GMM材料光纤复合结构,可监测温度和磁场的双参量测量传感器具有以下优点:可远程监测、耐极端环境、安全性高、电磁干扰小、高测量精度和灵敏度、宽探测范围、以及实现多参量测量。
MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器,传感单元采用U形凹陷单模光纤与FBG级联构成复合结构,其中U型凹陷单模光纤的凹陷处涂敷MXene材料构成马赫曾德干涉仪(MZI),温度变化使MXene材料发生变化改变MZI一个干涉臂的光程,进行测量;此外,FBG粘贴在GMM材料上,磁场变化GMM产生磁致伸缩使FBG栅距发生变化中心波长发生漂移实现磁场测量,目前采用MXene材料以及GMM材料作为敏感材料,或者采用FBG级联结构进行双参量测量的传感器可以实现温度、应力、压力、振动等多参量监测。例如:2018年Chen F等人(Chen F,Jiang Y,Zhang L,et al.Fiber optic refractive index and magnetic fieldsensors based on microhole-induced inline Mach–Zehnder interferometers[J].Measurement Science and Technology,2018,29(4):045103.)磁场和折射率双参量测量的光学传感装置,采用氢氟酸(HF)腐蚀的方法将单模光纤端面进行腐蚀并用单模光纤级联,实现在线式MZI结构,将其浸入在磁流体中实现磁场传感,将MZI结构浸润到不同浓度的液体中实现折射率测量,该传感单元虽然可以实现双参量检测,但是不可以同时检测;2019年,Wu H等人(Wu H,Lin Q,Jiang Z,et al.A temperature and strain sensor based ona cascade of double fiber Bragg grating[J].Measurement Science andTechnology,2019,30(6):065104.)提出了一种两个FBG级联实现温度和应力同时测量的光纤传感器,两根FBG上分别镀丙烯酸酯、金,通过测量波长的漂移实现温度的监测,测量波长的相对偏移量实现应力监测;2019年,Zhang R等人(Zhang R,Pu S,Li Y,et al.Mach-Zehnder interferometer cascaded with FBG for simultaneous measurement ofmagnetic field and temperature[J].IEEE Sensors Journal,2019,19(11):4079-4083.)提出将FBG与上锥形结构的MZI级联测量温度和磁场双参量的光学传感器,其中将MZI结构浸润在磁流体环境中,实现磁场传感,FBG结构实现温度的测,但是由于磁流体易退磁,材料寿命短,传感器的寿命降低;2019年,Wu M等人(Wu M,He M,Hu Q,et al.Ti3C2MXene-based sensors with high selectivity for NH3 detection at roomtemperature[J].ACS sensors,2019,4(10):2763-2770.)采用分层和插层方法制备了MXene材料,并将材料涂敷在压电陶瓷材料上,通过检测电阻的变化实现了气体传感,该方法解调较复杂,并且电学方法监测易受温度影响;2020年,Tong R等人(Tong R,Zhao Y,HuH,et al.Large measurement range and high sensitivity temperature sensor withFBG cascaded Mach-Zehnder interferometer[J].Optics&Laser Technology,2020,125:106034.)将FBG与MZI级联设计一种可大量程检测光纤温度传感器,其中采用单模光纤错位熔接的方式构成MZI,并在错位熔接区涂敷温敏材料聚二甲硅氧烷(PDMS),采用FBG判断温度,采用MZI实现温度精确读取;2020年,Xia F等人(Xia F,Zhao Y,Zheng H,et al.Ultra-sensitive seawater temperature sensor using an FBG-cascaded microfiber MZIoperating at dispersion turning point[J].Optics&Laser Technology,2020,132:106458.)提出一种海水温度检测的光纤传感器,其采用FBG与微纳光纤级联结构实现温度检测,其中微纳光纤表面包覆PDMS温敏材料产生MZI,级联结构增强了灵敏度和探测范围,该传感单元虽然实现了温度的宽探测范围,但是结构复杂,且只能实现但参量测量;2021年,Zhan B等人(Zhan B,Ning T,Pei L,et al.Terfenol-DBased Magnetic Field SensorWith Temperature Independence Incorporating Dual Fiber Bragg GratingsStructure[J].IEEE Access,2021,9:32713-32720.)提出将两根FBG按照不同角度粘贴在Terfenol-D材料上,实现温度补偿的磁场传感器,该传感器只实现但参量测量,解调结构复杂。
发明内容
目前研究者采用FBG或FBG级联结构已经实现了温度、折射率、应力、磁性等参数的测量,但是多存在级联结构测量单一参量结构复杂,不能同时实现双参量测量、或者多参量测量结构实现复杂等原因;结合目前现有技术的优势,以及现有技术的缺点,本发明提出一种具有高灵敏度、可实现双参量测量、制作方法简单、可重复性强、低制作成本、高利用率的MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器。
本发明为解决其技术问题所采用的技术方案如下:
技术方案:MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器,其特征在于,它包括ASE光源(1)、环形器(2)、双参量测量系统(3)、光谱分析仪(4)、解调模块(5)、计算机(6);
所述双参量测量系统(3)包括磁力座(3-1)、直角架(3-2)、位移平台(3-3)、磁铁A(3-4)、磁铁B(3-5)、传感单元(3-6)、加热台(3-7),其中:
加热台(3-7)的左右两侧分别放置固定直角架(3-2)的位移平台(3-3),并将位移平台(3-3)固定在磁力座(3-1)上,并且在左侧直角架(3-2)固定带有N极磁场的磁铁A(3-4),同样地,右侧直角架(3-2)固定带有S极磁场的磁铁B(3-5),另外,传感单元(3-6)放置在加热台上;
传感单元(3-6)中包层被腐蚀的U形凹陷单模光纤(3-6-1)与FBG(3-6-3)级联构成光纤复合结构,并且在U形凹陷单模光纤(3-6-1)上涂敷MXene材料(3-6-2),另外FBG(3-6-3)部分粘贴在GMM材料(3-6-4)上共同构成传感单元(3-6);
传感单元(3-6)的具体制备过程包括光纤复合结构的制作、敏感材料的涂敷;
其中:光纤复合结构的制作包括U形凹陷单模光纤(3-6-1)的制作,以及U形凹陷单模光纤(3-6-1)与FBG(3-6-3)级联结构的制作;首先U形凹陷单模光纤(3-6-1)的制备选取长为25cm的单模光纤,通过氢氟酸(HF)溶液腐蚀单模光纤包层,腐蚀点位于单模光纤10cm-15cm处,进而单模光纤包层处形成U形凹陷构成U形凹陷单模光纤(3-6-1),U形凹陷单模光纤(3-6-1)自身构成马赫曾德干涉仪;之后将端面切割平整的U形凹陷单模光纤(3-6-1)与栅区长为20mm且中心波长为1550nm的FBG(3-6-3)采用光纤熔接机进行熔接,形成光纤复合结构;
敏感材料的涂敷主要包括MXene材料(3-6-2)和GMM材料(3-6-4)的涂敷;首先,MXene材料(3-6-2)选用单层Ti3C2,将单层Ti3C2混悬液采用滴涂法的方式涂敷在复合结构的U形凹陷单模光纤(3-6-1)U形凹陷部分,之后进行干燥10-14小时;另外,将干燥好的复合结构中FBG(3-6-3)栅区部分采用环氧树脂材料粘贴在GMM材料(3-6-4)表面,静置48小时;
MXene材料(3-6-2)选用单层Ti3C2,单层Ti3C2的具体制备方法为:通过选择性刻蚀法制备多层Ti3C2,之后采用插层-分层的方法制备单层Ti3C2混悬液;首先以Ti3AlC2作为制备原料,将Ti3AlC2样品研磨并过筛成粒径大小小于25μm的粉末,随后在刻蚀液中加入5gTi3AlC2粉末,将含有Ti3AlC2粉末的刻蚀液在55℃~65℃温度范围下搅拌48小时,之后将混合物用去离子水多次冲洗至PH值达到中性,之后采用离心机以3500rpm转速离心后用乙醇再进行多次洗涤后,将得到的粉末在温度为60℃的环境下进行真空干燥,得到多层Ti3AlC2粉末;之后,将0.3g多层Ti3AlC2粉末倒入纯度大于99%“万能溶剂”中,在室温下搅拌18小时,之后将混合物进行高速离心,将离心后的沉淀物加入去离子水,在流动氮气环境下超声5至7小时,之后再3500rpm转速下离心1小时,得到深绿色上清液为单层Ti3C2混悬液。
进一步地,所述的MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器,其特征还在于:
ASE光源(1)发出光束传输至环形器(2),环形器(2)输出光束传输至双参量测量系统(3)中的传感单元(3-6),光束在传感单元(3-6)中产生干涉,当双参量测量系统(3)中磁场发生变化时,GMM材料(3-6-4)由于磁致伸缩效应产生伸长,粘贴在GMM材料(3-6-4)上的FBG(3-6-3)栅距发生变化,干涉光发生变化,而当温度发生变化时,由于温度影响MXene材料(3-6-2)发生变化,光束传输至涂敷MXene材料(3-6-2)的U形凹陷单模光纤(3-6-1)涂敷MXene材料(3-6-2)部分的光程发生变化,进而由U形凹陷单模光纤(3-6-1)产生的马赫曾德干涉的干涉光变化,干涉光通过环形器(2)将反射光谱传输至光谱分析仪(4)显示干涉光谱,解调模块(5)将光谱分析仪(4)中的解调并传输至计算机(6)进行数据处理。
进一步地,所述ASE光源(1)为宽带光源,中心波长为1550nm用于产生光信号。
所述的MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器,其特征在于:
所述双参量测量装置(3)测量温度时,将加热台(3-7)开启,传感单元(3-6)放置在加热台(3-7)上,实现温度测量,而测量磁场时,将加热台(3-7)关闭,传感单元(3-6)放置在加热台(3-7)上,操作位移平台(3-3)使磁场发生变化,实现磁场的测量。
结构发明:MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器。
与现有结构相比,本发明专利的有益效果是:
本发明实现温度和磁场的同时测量,可以在监测环境磁场时监测环境温度,结构制作方法简单,体积小、耐极端环境,满足小型化的监测设备需求。
本发明中采用MXene材料涂敷U形凹陷单模光纤构成马赫曾德干涉仪实现温度的测量,与传统的马赫曾德结构相比减小了结构尺寸、并且减小了由于两臂长的不同引起的误差,增加了测量的灵敏度。
本发明中FBG粘贴GMM材料实现磁场测量,与涂敷磁流体材料相比该结构可复用性强。
本发明中温度、磁场的交叉影响较小,测量的精度增加,准确性增强。
本发明可实现解调并可将结果输出至计算机,实现实时监测和测量。
附图说明
图1为MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器的结构图。
图2为MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器的传感单元结构图。
图3为MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器的双参量测量系统图。
具体实施方式
以下实施例将结合附图对本发明提出的MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器的具体实现方式加以说明。
如图1所示,为本发明提供MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器的结构图,ASE光源(1)发出光束传输至环形器(2),环形器(2)输出光束传输至双参量测量系统(3)的传感单元(3-6)的U形凹陷单模光纤(3-6-1)侧,光束通过在U形凹陷单模光纤(3-6-1)在FBG(3-6-3)处发生反射,反射光通过环形器(2)输出至光谱分析仪(4),当双参量测量系统(3)中加热台(3-7)发生温度变化时,MXene材料(3-6-2)发生变化,涂敷MXene材料(3-6-2)的U形凹陷单模光纤(3-6-1)产生的马赫曾德干涉仪的的干涉效果发生变化,通过监测光谱分析仪(4)中干涉光的变化测量温度;当移动位移平台(3-3)时,磁场发生变化,GMM材料(3-6-4)产生磁致伸缩,粘贴在GMM材料(3-6-4)上的FBG(3-6-3)由于磁致伸缩效应产生栅距的变化,由FBG(3-6-3)产生的干涉谱反射尖峰发生漂移,通过监测光谱分析仪(4)漂移量实现磁场的监测;将光谱分析仪(4)中的数据输出至解调模块(5),通过解调模块(5)通过矩阵分析方法,消除温度、磁场的交叉影响,并将结果输出至计算机(6),得出温度和磁场的测量数据,进一步分析传感单元(3-6)的测量灵敏度。
如图2所示,为本发明提供MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器的传感单元结构图,传感单元(3-6)中U形凹陷单模光纤(3-6-1)表面涂敷MXene材料(3-6-2)与FBG(3-6-3)级联后将FBG(3-6-3)部分粘贴在GMM材料(3-6-4)上静置48小时后充分固定结构构成传感单元(3-6);涂敷MXene材料(3-6-2)的U形凹陷单模光纤(3-6-1)构成马赫曾德干涉仪,监测温度的变化;与GMM材料(3-6-2)粘贴的FBG(3-6-3)监测磁场的变化;其检测原理为:当温度发生变化时,MXene材料(3-6-2)发生变化,光束传输至U形凹陷单模光纤(3-6-1)时,由于MXene材料(3-6-2)的变化,影响马赫曾德一个干涉臂的传输光程,进而干涉光谱发生变化,通过监测干涉光谱的变化实现温度的测量;而当磁场发生变化时,GMM材料(3-6-4)产生伸长现象,则FBG(3-6-3)的栅距被拉伸,由FBG(3-6-3)产生的一个反射尖峰发生漂移,通过监测反射峰的漂移测量磁场。
如图3所示,为本发明提供MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器的双参量测量系统图,由两个磁力座(3-1)上分别固定两个位移平台(3-3),其中两个磁力座(3-1)分开可放下加热台(3-7)的距离,每个位移平台(3-3)上分别固定两个直角架(3-2),两个直角架(3-2)上分别固定带有N极磁场的磁铁A(3-4)和带有S极磁场的磁铁B(3-5),通过转动位移平台(3-3)实现磁场的大小的调节,产生磁场的变化,将传感单元(3-6)放在磁场环境下实现磁场测量;将加热台(3-7)放在位移平台(3-3)中间,加热台(3-7)上放置传感单元(3-6),加热台(3-7)开启时,监测温度变化,其中加热台(3-7)的高度与位移平台的高度一致。
Claims (3)
1.MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器,其特征在于:它包括ASE光源(1)、环形器(2)、双参量测量系统(3)、光谱分析仪(4)、解调模块(5)、计算机(6);
所述双参量测量系统(3)包括磁力座(3-1)、直角架(3-2)、位移平台(3-3)、磁铁A(3-4)、磁铁B(3-5)、传感单元(3-6)、加热台(3-7),其中:
加热台(3-7)的左右两侧分别放置固定直角架(3-2)的位移平台(3-3),并将位移平台(3-3)固定在磁力座(3-1)上,并且在左侧直角架(3-2)固定带有N极磁场的磁铁A(3-4),同样地,右侧直角架(3-2)固定带有S极磁场的磁铁B(3-5),另外,传感单元(3-6)放置在加热台上;
传感单元(3-6)中包层被腐蚀的U形凹陷单模光纤(3-6-1)与FBG(3-6-3)级联构成光纤复合结构,并且在U形凹陷单模光纤(3-6-1)上涂敷MXene材料(3-6-2),另外FBG(3-6-3)部分粘贴在GMM材料(3-6-4)上共同构成传感单元(3-6);
传感单元(3-6)的具体制备过程包括光纤复合结构的制作、敏感材料的涂敷;
其中:光纤复合结构的制作包括U形凹陷单模光纤(3-6-1)的制作,以及U形凹陷单模光纤(3-6-1)与FBG(3-6-3)级联结构的制作;首先U形凹陷单模光纤(3-6-1)的制备选取长为25cm的单模光纤,通过氢氟酸(HF)溶液腐蚀单模光纤包层,腐蚀点位于单模光纤10cm-15cm处,进而单模光纤包层处形成U形凹陷构成U形凹陷单模光纤(3-6-1),U形凹陷单模光纤(3-6-1)自身构成马赫曾德干涉仪;之后将端面切割平整的U形凹陷单模光纤(3-6-1)与栅区长为20mm且中心波长为1550nm的FBG(3-6-3)采用光纤熔接机进行熔接,形成光纤复合结构;
敏感材料的涂敷主要包括MXene材料(3-6-2)和GMM材料(3-6-4)的涂敷;首先,MXene材料(3-6-2)选用单层Ti3C2,将单层Ti3C2混悬液采用滴涂法的方式涂敷在复合结构的U形凹陷单模光纤(3-6-1)U形凹陷部分,之后进行干燥10-14小时;另外,将干燥好的复合结构中FBG(3-6-3)栅区部分采用环氧树脂材料粘贴在GMM材料(3-6-4)表面,静置48小时;
MXene材料(3-6-2)选用单层Ti3C2,单层Ti3C2的具体制备方法为:通过选择性刻蚀法制备多层Ti3C2,之后采用插层-分层的方法制备单层Ti3C2混悬液;首先以Ti3AlC2作为制备原料,将Ti3AlC2样品研磨并过筛成粒径大小小于25μm的粉末,随后在刻蚀液中加入5gTi3AlC2粉末,将含有Ti3AlC2粉末的刻蚀液在55℃~65℃温度范围下搅拌48小时,之后将混合物用去离子水多次冲洗至PH值达到中性,之后采用离心机以3500rpm转速离心后用乙醇再进行多次洗涤后,将得到的粉末在温度为60℃的环境下进行真空干燥,得到多层Ti3AlC2粉末;之后,将0.3g多层Ti3AlC2粉末倒入纯度大于99%“万能溶剂”中,在室温下搅拌18小时,之后将混合物进行高速离心,将离心后的沉淀物加入去离子水,在流动氮气环境下超声5至7小时,之后再3500rpm转速下离心1小时,得到深绿色上清液为单层Ti3C2混悬液;
所述的MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器,其特征还在于:
ASE光源(1)发出光束传输至环形器(2),环形器(2)输出光束传输至双参量测量系统(3)中的传感单元(3-6),光束在传感单元(3-6)中产生干涉,当双参量测量系统(3)中磁场发生变化时,GMM材料(3-6-4)由于磁致伸缩效应产生伸长,粘贴在GMM材料(3-6-4)上的FBG(3-6-3)栅距发生变化,干涉光发生变化,而当温度发生变化时,由于温度影响MXene材料(3-6-2)发生变化,光束传输至涂敷MXene材料(3-6-2)的U形凹陷单模光纤(3-6-1)涂敷MXene材料(3-6-2)部分的光程发生变化,进而由U形凹陷单模光纤(3-6-1)产生的马赫曾德干涉的干涉光变化,干涉光通过环形器(2)将反射光谱传输至光谱分析仪(4)显示干涉光谱,解调模块(5)将光谱分析仪(4)中的解调并传输至计算机(6)进行数据处理。
2.根据权利要求1所述的MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器,其特征在于:
所述ASE光源(1)为宽带光源,中心波长为1550nm,用于产生光信号。
3.根据权利要求1所述的MXene与GMM涂敷光纤复合结构双参量测量传感器,其特征在于:
所述双参量测量系统(3)测量温度时,将加热台(3-7)开启,传感单元(3-6)放置在加热台(3-7)上,实现温度测量,而测量磁场时,将加热台(3-7)关闭,传感单元(3-6)放置在加热台(3-7)上,操作位移平台(3-3)使磁场发生变化,实现磁场的测量。
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