CN114127928A - 具有串并联连接的多个发光二极管芯片的发光模块 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的一实施例的发光模块包括：电路基板；以及发光二极管芯片，排列于电路基板上的多个区域，其中，发光二极管芯片被划分为串联连接的多个发光二极管组，多个发光二极管组彼此并联连接，多个发光二极管组中的至少一个发光二极管组内的发光二极管芯片中的至少一个发光二极管芯片布置于与至少一个其他发光二极管芯片彼此不同的区域。

Description

具有串并联连接的多个发光二极管芯片的发光模块
技术领域
本发明涉及一种发光模块，尤其涉及一种具有串并联连接的多个发光二极管芯片的发光模块。
背景技术
发光二极管在液晶显示器或者一般照明装置中被用作用于提供均匀的平面光的光源。
尤其，被用作大面积液晶显示器或者平板照明的光源的发光模块包括整齐排列于电路基板上的相当多的数量的发光二极管芯片，以提供均匀的平面光。
另外，发光二极管芯片通常具有5V以下的正向电压。因此，为了利用高电压电源(例如110V或220V等家庭用电源)来驱动背光单元，需要将多个发光二极管芯片串联连接而使用。进而，为了简化驱动电路，采用将发光二极管芯片串联及并联连接的串并联结构。
串并联结构能够在特定驱动电压下同时驱动大量的发光二极管芯片，从而具有能够简化驱动电路的优点。然而，当在串联连接的串之间产生正向电压差异时，存在生成不均匀的平面光的问题。因而，需要筛选将要贴装于发光模块的发光二极管芯片以具有彼此相同的正向电压，因此发光二极管芯片的生产良率会减少。
此外，随着显示器或照明装置的工作时间的增减，发光二极管芯片发生性能变化，这种性能变化在发光二极管芯片之间不均匀。发光二极管芯片的性能变化可能导致串之间的正向电压差异，据此，可能无法提供均匀的平面光。
发明内容
技术问题
本发明所要解决的技术问题是提供一种在采用串并联结构的同时能够长时间提供均匀的平面光的发光模块。
技术方案
根据本发明的一实施例的发光模块包括：发光二极管芯片，整齐排列于所述电路基板上的多个区域，所述发光二极管芯片被划分为串联连接的多个发光二极管组，所述多个发光二极管组彼此并联连接，所述多个发光二极管组中的至少一个发光二极管组内的发光二极管芯片中的至少一个发光二极管芯片布置于与至少一个其他发光二极管芯片彼此不同的区域。
根据本发明的又一实施例的发光模块包括：电路基板；发光二极管芯片，整齐排列于所述电路基板上，所述发光二极管芯片包括彼此串联连接的第一组的发光二极管芯片以及彼此串联连接的第二组的发光二极管芯片，并且所述第一组的发光二极管芯片与所述第二组的发光二极管芯片彼此并联连接，当将所述电路基板均等地划分为四个时，各个划分区域包括至少一个第一组的发光二极管芯片及至少一个第二组的发光二极管芯片。
技术效果
根据本发明的实施例，由于串联连接的各个发光二极管组的发光二极管芯片划分布置于电路基板上，因此即使某一组的发光二极管芯片发生不良，也能够提供均匀的平面光。
针对本发明的其他特征及优点将通过后述的详细说明而明确理解。
附图说明
图1是用于说明根据现有技术的发光模块的示意性平面图。
图2是图1的发光模块的示意性的电路图。
图3是用于说明根据现有技术的发光模块的发光图案不良的图片。
图4是用于说明根据本发明的一实施例的显示装置的示意性的平面图。
图5是用于说明根据本发明的一实施例的发光模块的示意性的平面图。
图6是图5的发光模块的示意性的电路图。
图7a及图7b是用于说明根据本发明的一实施例的整齐排列于发光模块的发光二极管芯片的示意性的剖面图及电路图。
图8a及图8b是用于说明根据本发明的又一实施例的整齐排列于发光模块的发光二极管芯片的示意性的剖面图及电路图。
图9是用于说明根据本发明的一实施例的发光模块的发光图案不良的图片。
图10是用于说明根据本发明的又一实施例的发光模块的示意性的平面图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。下面介绍的实施例是为了向本发明所属的技术领域的普通技术人员充分传递本发明的思想而作为示例提供的。因此，本发明不限于以下说明的实施例，也可以具体化为其他形态。并且，在附图中，为了方便起见，可以夸大表示构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，在记载为一个构成要素在另一构成要素的“上部”或者“上方”时，不仅包括各部分位于另一部分的“紧邻的上部”或者“紧邻的上方”的情形，还包括又一构成要素夹设在各构成要素与另一构成要素之间的情形。贯穿整个说明书，相同的附图标记表示相同的构成要素。
根据本发明的一实施例的发光模块包括：发光二极管芯片，整齐排列于所述电路基板上的多个区域，其中，所述发光二极管芯片被划分为串联连接的多个发光二极管组，所述多个发光二极管组彼此并联连接，所述多个发光二极管组中的至少一个发光二极管组内的发光二极管芯片中的至少一个发光二极管芯片布置于与至少一个其他发光二极管芯片彼此不同的区域。
另外，当将所述电路基板均等地划分为四个时，各个划分区域可以包括各个发光二极管组的至少一个发光二极管芯片。
由于串联连接的一个组的发光二极管芯片分散布置于电路基板上，因此即使所述组的发光二极管芯片比其他组的发光二极管芯片发出更强的光或发出更弱的光，发光模块也可以提供整体上均匀的平面光。
另外，包括在各个划分区域内的各个发光二极管组的发光二极管芯片的数量可以是包括在各个划分区域内的发光二极管芯片的全部数量的1/2以下。据此，可以防止在特定划分区域内因特定组的发光二极管而发出不均匀的光。
在一实施例中，各个发光二极管组可以包括彼此至少10个相同数量的发光二极管芯片。通过在一个组内包括至少10个发光二极管芯片，从而能够利用110V或220V等的家庭用电源使电力损失最小化并驱动发光模块。
在特定实施例中，所述四个划分区域可以包括彼此相同数量的发光二极管芯片。
进一步地，各个发光二极管组的发光二极管芯片可以以彼此相同的数量分散于所述划分区域。据此，所述划分区域可以发出彼此均匀的光。
在一实施例中，在以任意的发光二极管芯片为中心而包括多个发光二极管芯片的任意的正方形区域中，包括在所述正方形区域内的各个发光二极管组的发光二极管芯片的数量可以是包括在所述正方形区域内的发光二极管芯片的全部数量的1/2以下。
进一步地，在以任意的发光二极管芯片为中心而包括多个发光二极管芯片的任意的正方形区域中，包括在所述正方形区域内的各个发光二极管组的发光二极管芯片的数量可以是包括在所述正方形区域内的发光二极管芯片的全部数量的1/3以下。
另外，所述电路基板可以具有连接所述发光二极管芯片的布线，所述布线可以位于彼此相同的面上。
在另一实施例中，所述电路基板可以具有连接所述发光二极管芯片的布线，所述布线可以排列为多层结构。
所述发光二极管芯片可以包括至少一个多结发光二极管(MJT-LED)，其中，所述至少一个多结发光二极管包括多个发光单元。
所述多结发光二极管可以包括基板，所述多个发光单元可以在所述基板上彼此串联连接。
根据本发明的又一实施例的发光模块包括：电路基板；发光二极管芯片，整齐排列于所述电路基板上，其中，所述发光二极管芯片包括彼此串联连接的第一组的发光二极管芯片以及彼此串联连接的第二组的发光二极管芯片，并且所述第一组的发光二极管芯片与所述第二组的发光二极管芯片彼此并联连接，当将所述电路基板均等地划分为四个时，各个划分区域包括至少一个第一组的发光二极管芯片和至少一个第二组的发光二极管芯片。
进一步地，各个划分区域内的第一组的发光二极管芯片的数量可以彼此相同，各个划分区域内的第二组的发光二极管芯片的数量也可以彼此相同。
并且，各个划分区域内的第一组的发光二极管芯片的数量与第二组的发光二极管芯片的数量可以彼此相同。
另外，在以所述第一组的发光二极管芯片以及第二组的发光二极管芯片中的任意的发光二极管芯片为中心而包括多个发光二极管芯片的任意的正方形区域中，包括在所述正方形区域内的第一组的发光二极管芯片的数量以及第二组的发光二极管芯片的数量可以是包括在所述正方形区域内的发光二极管芯片的全部数量的1/2以下。
进一步地，相同大小的正方形区域中的一个区域的第一组的发光二极管芯片的数量可以多于第二组的发光二极管芯片的数量。
此外，在相同大小的正方形区域中的一个区域的第一组的发光二极管芯片的数量可以少于第二组的发光二极管芯片的数量。
根据本发明的一实施例的显示装置包括上述的发光模块。
所述显示装置可以包括以行列排列的多个发光模块。
此外，根据本发明的一实施例的照明装置包括上述的发光模块。
以下，将参照附图对本发明的各种实施例进行说明。
图1是用于说明根据现有技术的发光模块10的示意性的平面图，图2是图1的发光模块的示意性的电路图，图3是用于说明根据现有技术的发光模块的发光图案不良的图片。
参照图1及图2，发光模块10包括电路基板21以及多个发光二极管芯片23a、23b、23c。
电路基板21具有用于电连接发光二极管芯片23a、23b、23c的布线。发光二极管芯片23a、23b、23c贴装于电路基板21上，并通过布线而彼此电连接。
如图2的电路图所示，发光二极管芯片23a、23b、23c包括彼此串联连接的第一组的发光二极管芯片23a、第二组的发光二极管芯片23b、第三组的发光二极管芯片23c。进而，第一组的发光二极管23a、第二组的发光二极管23b、第三组的发光二极管23c可以彼此并联连接而通过连接器25连接于外部装置。将布线与发光二极管芯片的串联结构称为串。即，将第一组的发光二极管芯片的串联结构称为第一串A，将第二组的发光二极管芯片的串联结构称为第二串B，将第三组的发光二极管芯片的串联结构称为第三串C。
再次参照图1，第一组的发光二极管芯片23a可以布置于电路基板21的上方，第二组的发光二极管芯片23b可以布置于电路基板21的中央，第三组的发光二极管芯片23c可以布置于电路基板21的下方。
当通过连接器25施加驱动电压时，驱动电压相等地被施加在第一串至第三串的两端。据此，电流通过第一组的发光二极管芯片至第三组的发光二极管芯片而流过，以从发光二极管芯片发出光。通过采用串并联结构而能够借由驱动电压驱动所有第一组的发光二极管芯片至第三组的发光二极管芯片，从而可以简化驱动电路。
另外，当第一串至第三串保持相同的正向电压时，电流被均匀地划分至第一串至第三串，因此发光模块10可以产生均匀的平面光。然而，当任意一个串具有比其他串更大或更小的正向电压时，电流不能被均匀地分散。
例如，若第一串的正向电压相比于第二串及第三串变小，则施加于第一串内的发光二极管芯片23a的电压增加，通过第一串流过的电流变得更大。据此，第一串内的发光二极管芯片23a可以生成比其他串内的发光二极管芯片23b、23c更多的光。
第一串至第三串之间的正向电压差异导致发光二极管芯片之间的发光强度的差异，据此，发光模块10会生成不均匀的光。
图3是示出第一串内的发光二极管芯片23a比其他串内的发光二极管芯片23b、23c发出更多的光的情形的图片。由于第一串内的发光二极管芯片23a发出更强的光，因此发光模块10的上方区域更闪亮。
任意一串的正向电压与另一串的正向电压不同的原因可能有多种。即使各个串包括相同数量的发光二极管芯片，由于各个发光二极管芯片的正向电压差异，任意一个串的整体正向电压可能与其他串的正向电压不同。为了将串的正向电压保持为几乎相同，通过严格管理贴装于电路基板21上的发光二极管芯片23a、23b、23c的产品规格，能够将串的正向电压保持为大致相同。
但是，难以控制基于发光模块10的工作时间的各个发光二极管芯片的性能变化。因此，随着工作时间增加，串之间的正向电压差异是必然的。根据现有技术的发光模块不能防止由串之间的正向电压差异引起的发光不均匀。
图4是用于说明根据本发明的一实施例的显示装置1000的示意性的平面图，图5是用于说明根据本发明的一实施例的发光模块的示意性的平面图，图6是图5的发光模块的电路图。
参照图4，显示装置1000可以包括发光模块100以及显示面板110。例如，显示装置1000可以是包括直下式背光单元作为发光模块100的液晶显示器。
为了大面积显示，可以排列多个发光模块100。在此，虽然示出了总共排列有48个发光模块100的情形，但并非必须限定于此。
在本实施例中，作为应用发光模块100的应用产品，以显示装置1000为例进行了说明，然而并不局限于此，本发明的发光模块100也可以应用于照明装置。例如，尤其可以适合应用于发出均匀光的平板照明装置。
参照图5及图6，发光模块100包括电路基板121以及发光二极管芯片123a、123b、123c。电路基板121可以包括布置在同一表面上的布线或具有多层结构的布线。
发光二极管芯片123a、123b、123c可以发出彼此相似或相同颜色的光，例如，可以发出白色光。发光二极管芯片例如可以包括氮化物系发光二极管和波长转换器。
发光二极管芯片123a、123b、123c贴装于电路基板121上，并划分为通过布线串联连接的多个组。在此，各个发光二极管组可以包括多个发光二极管芯片，例如，可以包括至少10个发光二极管芯片。在本实施例中，各个发光二极管组包括18个发光二极管芯片。各个发光二极管组可以包括彼此相同数量的发光二极管芯片，但并非必须限定于此。另外，在本实施例中，以布置于电路基板121上的发光二极管芯片被划分为三个组的情形为例进行了说明，但并非必须限定于此，也可以被划分为两个组或四个以上的组。
另外，在图5中，将属于同一组的发光二极管芯片表示为相同形态的四边形。例如，没有阴影线而图示的四边形的发光二极管芯片123a作为第一组而与布线一起形成第一串。并且，填充有平行线影线的四边形的发光二极管芯片123b作为第二组而与布线一起形成第二串，填充有斜线影线的四边形作为第三组而与布线一起形成第三串。
根据本实施例的发光二极管芯片123a、123b、123c与根据图1的现有技术的发光二极管芯片23a、23b、23c相比，区别在于所述发光二极管芯片123a、123b、123c在电路基板121上分散。
例如，第一组的发光二极管芯片123a并不限定于电路基板121的特定区域内而布置。即，第一组的发光二极管芯片123a分散布置于电路基板121上。例如，当将电路基板121均等地划分为四个时，各个划分区域包括至少一个第一组的发光二极管芯片123a。进一步地，在各个划分区域内可以布置有相同数量的第一组的发光二极管芯片123a。在本实施例中，在各个划分区域内布置有4又1/2个第一组的发光二极管芯片123a。
第二组的发光二极管芯片123b及第三组的发光二极管芯片123c也分散在电路基板121的各个划分区域内而布置。与第一组相同，在各个划分区域内可以布置有相同数量的第二组的发光二极管芯片123b，在各个划分区域内可以布置有相同数量的第三组的发光二极管芯片123c。
另外，包括在各个划分区域内的各个发光二极管组的发光二极管芯片的数量可以是包括在各个划分区域内的发光二极管芯片的全部数量的1/2以下。因此，各个划分区域可以发出彼此均匀的光。
在一些实施例中，布置于特定划分区域内的第一组的发光二极管芯片123a的数量可以与布置于同一划分区域内的第二组的发光二极管芯片123b的数量和/或第三组的发光二极管芯片123c的数量相同。
进一步地，在以任意的发光二极管芯片为中心而包括多个发光二极管芯片的任意的正方形区域(在图5中用虚线表示)中，包括在所述正方形区域内的各个发光二极管组的发光二极管芯片的数量可以是包括在所述正方形区域内的发光二极管芯片的全部数量的1/2以下。
例如，在图5中以将发光二极管芯片123a作为中心而包括五个发光二极管芯片的方式用虚线示出的正方形区域内，包括两个第一组的发光二极管芯片123a、两个第二组的发光二极管芯片123b、一个第三组的发光二极管芯片123c。以将发光二极管芯片123b作为中心而包括五个发光二极管芯片的方式用虚线示出的正方形区域内也包括一个第一组的发光二极管芯片123a、两个第二组的发光二极管芯片123b、两个的第三组发光二极管芯片123c。以将发光二极管芯片123c作为中心而包括五个发光二极管芯片的方式用虚线示出的正方形区域内包括两个第一组的发光二极管芯片123a、一个第二组的发光二极管芯片123b、两个第三组的发光二极管芯片123c。任何一个组的发光二极管芯片都不超过包括在正方形区域内的全部发光二极管芯片的数量的1/2。
对包括至少四个组的特定实施例的情况而言，在以任意的发光二极管芯片为中心而包括多个发光二极管芯片的任意的正方形区域中，包括在正方形区域内的各个发光二极管组的发光二极管芯片的数量也可以是包括在正方形区域内的发光二极管芯片的全部数量的1/3以下。
如上所述，通过将发光二极管芯片123a、123b、123c排列在电路基板121上，可以防止在特定区域不均匀地生成光。
进一步地，可以看出，在图5的发光模块100中，相同组的发光二极管芯片在任何方向上都不连续三个以上而布置。尤其，各个发光二极管组的发光二极管芯片123a、123b、123c在同一行内布置有至少一个，并且，在各个行内，任何组的发光二极管芯片都不超过该行内的发光二极管芯片的全部数量的1/2。
另外，如图6所示，图5的发光二极管芯片123a、123b、123c可以利用布置于电路基板121的同一面上的布线而彼此电连接。但是，本发明并不限定于此，也可以使用多层结构的布线。
布线连接于连接器125，并且可以通过连接器125从外部向发光模块100供应电源。
另外，发光二极管芯片123a、123b、123c可以如上所述地具有彼此相同的结构。以下，对发光二极管芯片的结构进行说明。
图7a及图7b是用于说明根据本发明的一实施例的整齐排列于发光模块的发光二极管芯片123的示意性的剖面图及电路图。
参照图7a及图7b，发光二极管芯片123可以包括基板51、第一导电型半导体层53、活性层5及第二导电型半导体层57。进一步地，发光二极管芯片123可以包括对在活性层55生成的光的波长进行转换的波长转换器(省略图示)。
基板51只要是能够支撑半导体层53、55、57的基板，则不受特别限制。尤其，基板51也可以是为了生长半导体层53、55、57而使用的生长基板。例如，基板51可以是蓝宝石基板、氮化镓基板、碳化硅基板或硅基板。
另外，第一导电型半导体层53、活性层55以及第二导电型半导体层57可以包括III-V族氮化物系半导体，例如，可以包括诸如(Al、Ga、In)N的氮化物系半导体。第一导电型半导体层53可以包括n型杂质(例如，Si、Ge、Sn)，第二导电型半导体层57可以包括p型杂质(例如，Mg、Sr、Ba)。并且，也可以与此相反。活性层55可以包括多量子阱结构(MQW)，并且可以调节氮化物系半导体的组成比以发出所期望的波长。尤其，在本实施例中，第二导电型半导体层57可以是p型半导体层。
发光二极管芯片123可以具有水平型、垂直型或倒装芯片型等多种结构。波长转换器布置于从活性层55生成的光的行进路径上，从而转换光的波长。波长转换器可以根据发光二极管芯片123的结构而布置于基板51侧或者第二导电型半导体层57侧。
另外，在本实施例中，发光二极管芯片123包括单个单元的发光结构体，因此，如图7b所示，在两侧端子之间布置有单个二极管。但是，本发明并不限定于单个单元的发光二极管，也可以包括多个单元的二极管。对此将参照图8a和图8b进行说明。
图8a及图8b是用于说明根据本发明的又一实施例的整齐排列于发光模块的发光二极管芯片123'的示意性的剖面图及电路图。
参照图8a及图8b，发光二极管芯片123'包括基板151及多个单元C1、C2、C3。各个单元C1、C2、C3包括第一导电型半导体层153、活性层155以及第二导电型半导体层157。
基板151与上述的基板51相似，因此为了避免重复，将省略详细说明。此外，由于第一导电半导体层153、活性层155以及第二导电半导体层157与参照图7a描述的内容相同，因此将省略详细说明。
在基板151上布置有多个发光单元C1、C2、C3，如图8b所示，它们彼此串联连接。这种发光二极管芯片被称为多结发光二极管(MJT-LED：Multi Junction Technology LED)。虽然图8a以及图8b示出了三个发光单元C1、C2、C3，但是本发明并不局限于此，也可以包括两个或者四个以上的发光单元。
在包括多个发光单元的多结发光二极管中，任何一个发光单元发生泄漏，都会对整个串的正向电压产生影响。
另外，波长转换器(省略示出)可以布置为对从发光单元C1、C2、C3生成的光进行波长转换。波长转换器可以布置在基板151侧或第二导电型半导体层157侧。
图9是用于说明根据本发明的一实施例的发光模块的发光图案不良的图片。
参照图9，在图5的发光模块100中，第三组的发光二极管芯片123c比其他组的发光二极管芯片123a、123b发出更强的光。这是由于包括第三组的发光二极管芯片123c的第三串的正向电压因某种原因而变得小于第一串及第二串的正向电压。
由于第三串内的发光二极管芯片123c发出更强的光，因此发光二极管芯片123a、123b、123c发出彼此不均匀的光。但是，根据本实施例，由于第三串内的发光二极管芯片123c均匀地分散于电路基板121上，因此发光模块100整体可以发出均匀的平面光。
图10是用于说明根据本发明的又一实施例的发光模块200的示意性的平面图。
参照图10，根据本实施例的发光模块200与参照图5说明的发光模块100大致相似，区别在于发光二极管芯片123a、123b、123c的排列。
即，在本实施例中，属于同一组的发光二极管芯片123a、123b或123c排列在同一行。但是，在属于同一组的发光二极管芯片的彼此邻近的行之间，属于不同组的发光二极管芯片的行分别布置有一个。例如，如图10所示，在第一组的发光二极管芯片至第三组的发光二极管芯片123a、123b、123c排列于电路基板221上的情况下，在属于第一组的发光二极管芯片123a的行之间布置有第二组的发光二极管芯片123b的行及第三组的发光二极管芯片123c的行。行的顺序可以有规则地重复。例如，如图10所示，行可以以第一组-第二组-第三组-第一组-第二组-第三组的顺序重复。
根据本实施例，即使特定串内的发光二极管芯片强烈地发出光，由于发光二极管芯片分散布置于电路基板221上，因此发光模块200可以实现均匀的光。
在上述的实施例中，说明了根据本发明的多种实施例的发光模块，但本发明并不限定于所述实施例且可以进行多样地变形。此外，上述发光模块可以使用为在诸如液晶显示器的显示装置或照明装置中发出均匀的平面光的光源。

Claims (21)

1.一种发光模块，包括：
电路基板；以及
发光二极管芯片，整齐排列于所述电路基板上的多个区域，
所述发光二极管芯片被划分为串联连接的多个发光二极管组，所述多个发光二极管组彼此并联连接，
所述多个发光二极管组中的至少一个发光二极管组内的发光二极管芯片中的至少一个发光二极管芯片布置于与至少一个其他发光二极管芯片彼此不同的区域。
2.根据权利要求1所述的发光模块，其中，
当将所述电路基板均等地划分为四个时，各个划分区域包括各个发光二极管组的至少一个发光二极管芯片。
3.根据权利要求2所述的发光模块，其中，
包括在各个划分区域内的各个发光二极管组的发光二极管芯片的数量为包括在各个划分区域内的发光二极管芯片的全部数量的1/2以下。
4.根据权利要求2所述的发光模块，其中，
各个发光二极管组包括彼此至少10个相同数量的发光二极管芯片。
5.根据权利要求2所述的发光模块，其中，
所述四个划分区域包括彼此相同数量的发光二极管芯片。
6.根据权利要求5所述的发光模块，其中，
各个发光二极管组的发光二极管芯片以彼此相同的数量分散于所述划分区域。
7.根据权利要求2所述的发光模块，其中，
在以任意的发光二极管芯片为中心而包括多个发光二极管芯片的任意的正方形区域中，包括在所述正方形区域内的各个发光二极管组的发光二极管芯片的数量为包括在所述正方形区域内的发光二极管芯片的全部数量的1/2以下。
8.根据权利要求7所述的发光模块，其中，
在以任意的发光二极管芯片为中心而包括多个发光二极管芯片的任意的正方形区域中，包括在所述正方形区域内的各个发光二极管组的发光二极管芯片的数量为包括在所述正方形区域内的发光二极管芯片的全部数量的1/3以下。
9.根据权利要求2所述的发光模块，其中，
所述电路基板具有连接所述发光二极管芯片的布线，
所述布线位于彼此相同的面上。
10.根据权利要求2所述的发光模块，其中，
所述电路基板具有连接所述发光二极管芯片的布线，
所述布线排列成多层结构。
11.根据权利要求2所述的发光模块，其中，
所述发光二极管芯片包括至少一个多结发光二极管，其中，所述至少一个多结发光二极管包括多个发光单元。
12.根据权利要求11所述的发光模块，其中，
所述多结发光二极管包括基板，
所述多个发光单元在所述基板上彼此串联连接。
13.一种发光模块，包括：
电路基板；
发光二极管芯片，整齐排列于所述电路基板上，
所述发光二极管芯片包括彼此串联连接的第一组的发光二极管芯片以及彼此串联连接的第二组的发光二极管芯片，
并且，所述第一组的发光二极管芯片与所述第二组的发光二极管芯片彼此并联连接，
当将所述电路基板均等地划分为四个时，各个划分区域包括至少一个第一组的发光二极管芯片及至少一个第二组的发光二极管芯片。
14.根据权利要求13所述的发光模块，其中，
各个划分区域内的第一组的发光二极管芯片的数量彼此相同，
各个划分区域内的第二组的发光二极管芯片的数量彼此相同。
15.根据权利要求14所述的发光模块，其中，
各个划分区域内的第一组的发光二极管芯片的数量与第二组的发光二极管芯片的数量彼此相同。
16.根据权利要求13所述的发光模块，其中，
在以所述第一组的发光二极管芯片以及第二组的发光二极管芯片中的任意的发光二极管芯片为中心而包括多个发光二极管芯片的任意的正方形区域中，包括在所述正方形区域内的第一组的发光二极管芯片的数量以及第二组的发光二极管芯片的数量为包括在所述正方形区域内的发光二极管芯片的全部数量的1/2以下。
17.根据权利要求16所述的发光模块，其中，
相同大小的正方形区域中的一个区域的第一组的发光二极管芯片的数量多于第二组的发光二极管芯片的数量。
18.根据权利要求17所述的发光模块，其中，
相同大小的正方形区域中的一个区域的第一组的发光二极管芯片的数量少于第二组的发光二极管芯片的数量。
19.一种显示装置，包括根据权利要求1至18所述的发光模块。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
包括以行列排列的多个发光模块。
21.一种照明装置，包括根据权利要求1至18所述的发光模块。
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