CN114122906B - 一种半导体光放大器驱动保护电路及其控制方法、光模块 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种半导体光放大器驱动保护电路,包括输入调节模块、反馈调节模块和恒流驱动模块,通过输入调节模块,将多个信号通道输入的光功率进行对比,当某一输入通道的光功率突然增大时,向反馈调节模块输入最大的光功率,同时通过反馈调节模块反馈调节减小恒流驱动模块的电流,减小半导体光放大器的输出增益,减小了整个电路的响应时间。本发明的光模块,光模块应用上述的半导体光放大器驱动保护电路,使得光模块接收光功率的响应时间快,光模块不易损坏。本发明的半导体光放大器驱动保护电路控制方法,实现对于半导体光放大器的反馈调节,响应快速,针对性的对最危险的通道触发保护机制,调整半导体光放大器的注入电流大小,保护力度更强。
Description
技术领域
本发明涉及光模块技术领域,尤其涉及一种半导体光放大器驱动保护电路及其控制方法、光模块。
背景技术
SOA是一种半导体光放大器件,通过注入不同的电流,可以实现对输入光信号的不同增益的放大,一般来说,注入电流越大,则增益越大,即放大倍数越大。为了达到更高的灵敏度,往往需要将SOA处于比较大的增益区间,即注入较大的电流。当输入到SOA的光功率较小时,设计者会根据输入光功率的监测指标反馈设置更大的SOA增益,来获得更高的增益光,使后端的PD产生较大的光电流,从而使模块获得较高的灵敏度指标。由于整个电路的工作原理为反馈式,即输入光较小时,SOA增益较大,输入光较大时,SOA增益较小。但是,在输入光功率较小或无输入光时,SOA处于增益设置区间的最大值,当输入光瞬间增大时,就会发生SOA的增益不能瞬间减小,因为有一个软件响应时间,在响应时间时,SOA的增益仍处于最大值,因此将产生非常大的增益光功率输入到PD(光电探测器)上,使PD瞬间承受大光,易发生PD的烧伤,而一般来说,PD后端的TIA(跨导放大器Trans-Impedance Amplifier)所能承受的输入光电流也是有上限要求的,若PD产生的大光电流直接灌入到TIA内,则TIA烧伤概率非常大。即使这个响应时间能够做到很短,也终避不开软件的最小操作时间,而这个时间就足以损伤PD或TIA。由于100G及以上速率的长距离接收ROSA的价格目前非常昂贵,所以任何原因的损伤都是模块厂商所极不愿意见到的,所以设计一种半导体光放大器驱动保护电路成了本领域技术人员的当务之急。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出一种半导体光放大器驱动保护电路及其控制方法、光模块。
本发明通过以下技术方案实现的:一种半导体光放大器驱动保护电路,包括输入调节模块、反馈调节模块和恒流驱动模块,所述恒流驱动模块为半导体光放大器提供驱动电流,所述输入调节模块用于接收并比较多个信号通道输入的光功率的大小,并向所述反馈调节模块输出最大的光功率,所述反馈调节模块根据接收所述输入调节模块输出的最大光功率调节所述恒流驱动模块的驱动电流。
作为上述方案的进一步改进,所述输入调节模块包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管,所述第一电阻的第一端与所述第一二极管的第一端连接,所述第一电阻的第二端接地,所述第二电阻的第一端与所述第二二极管的第一端连接,所述第二电阻的第二端接地,所述第三电阻的第一端与所述第三二极管的第一端连接,所述第三电阻的第二端接地,所述第四电阻的第一端与所述第四二极管的第一端连接,所述第四电阻的第二端接地,所述第一二极管的第二端、所述第二二极管的第二端、所述第三二极管的第二端、所述第四二极管的第二端均与所述第五电阻的第一端连接,所述第五电阻的第二端接地,所述第五电阻的第二端与所述反馈调节模块连接。
作为上述方案的进一步改进,所述反馈调节模块包括第一运算放大器、第三运算放大器、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻,所述第五电阻的第一端与所述第一运算放大器的同相输入端连接,所述第七电阻的第一端、所述第九电阻的第一端均与所述第一运算放大器的输出端连接,所述第七电阻的第二端与所述第一运算放大器的反相输入端、所述第六电阻的第一端连接,所述第六电阻的第二端接地,所述第九电阻的第二端与所述第八电阻的第二端、所述第三运算放大器的反向输入端连接,所述第八电阻的第一端与半导体光放大器的引脚连接,所述第三运算放大器的反向输入端和输出端与所述恒流驱动模块连接。
作为上述方案的进一步改进,所述反馈调节模块还包括第二运算放大器、第十一电阻和第十二电阻,所述第二运算放大器的同相输入端与所述第九电阻的第二端、所述第八电阻的第二端连接,所述第二运算放大器的输出端与所述第三运算放大器的输出端、所述第十一电阻的第一端连接,所述第十一电阻的第二端与所述第二运算放大器的反向输入端、所述第十二电阻的第一端连接,所述第十二电阻的第二端接地,所述第三运算放大器的反向输入端和输出端与所述恒流驱动模块连接。
作为上述方案的进一步改进,所述恒流驱动模块包括三极管、第十电阻,所述第十电阻的第一端接入电源电压,所述第十电阻的第二端与所述三极管的发射极、所述第三运算放大器的反相输入端连接,所述三极管的发射极与测压引脚连接,所述第三运算放大器的同相输入端与所述三极管的基极连接,所述三极管的集电极与所述半导体光放大器连接。
作为上述方案的进一步改进,所述第六电阻的阻值与所述第七电阻的阻值相等。
作为上述方案的进一步改进,所述第十一电阻的阻值和所述第十二电阻的阻值相等。
作为上述方案的进一步改进,所述第十一电阻的阻值为所述第十二电阻的阻值的两倍。
本发明还提出一种光模块,所述光模块应用上述的半导体光放大器驱动保护电路。
本发明还提出一种半导体光放大器驱动保护电路的控制方法,所述驱动保护电路包括输入调节模块、反馈调节模块和恒流驱动模块,
S100、所述输入调节模块接收并比较多个信号通道输入的光功率的大小,并向所述反馈调节模块输出最大的光功率;
S110、所述反馈调节模块根据接收所述输入调节模块输出的最大光功率调节所述恒流驱动模块的驱动电流;
S120、所述恒流驱动模块为半导体光放大器提供驱动电流。
本发明的有益效果:本发明通过输入调节模块,将多个信号通道输入的光功率进行对比,当某一输入通道的光功率突然增大时,向反馈调节模块输入最大的光功率,同时通过反馈调节模块反馈调节减小恒流驱动模块的电流,进而减小半导体光放大器的输出增益,大大减小了整个电路的响应时间,输入调节模块的每个信号通道的光功率的都有同样的响应能力,并且能够对其中输入光功率最大的通道做出最直接的响应,而不是群体平均响应,这样才能通过最危险的通道的保护措施覆盖其它通道的保护,一旦有新的通道的输入光增大超过目前的触发保护通道的光功率,则此电路的触发机制将转移到新的通道上,继续对全体通道进行保护。不仅响应快速,还能针对性的对最危险的通道触发保护机制,调整SOA的注入电流大小,相较与目前普遍通用的软件处理方法,更有针对性,保护力度更强。
附图说明
图1为本发明的半导体光放大器驱动保护电路的第一实施例电路图;
图2为本发明的半导体光放大器驱动保护电路的第二实施例电路图;
图3为本发明的半导体光放大器驱动保护电路响应时序图;
图4为本发明的半导体光放大器驱动保护电路原理示意图;
图5为本发明的驱动保护电路的控制方法原理示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参考图4,一种半导体光放大器驱动保护电路,包括输入调节模块100、反馈调节模块101和恒流驱动模块102,输入调节模块100与信号源进行连接,反馈调节模块101与输入调节模块100连接,恒流驱动模块102与反馈调节模块101连接,恒流驱动模块102为半导体光放大器103提供驱动电流,输入调节模块100用于接收并比较多个信号通道输入的光功率的大小,并向所述反馈调节模块101输出最大的光功率,所述反馈调节模块101根据接收所述输入调节模块100输出的最大光功率调节所述恒流驱动模块102的驱动电流。
本发明通过输入调节模块100,将多个信号通道输入的光功率进行对比,当某一输入通道的光功率突然增大时,向反馈调节模块101输入最大的光功率,同时通过反馈调节模块101反馈调节减小恒流驱动模块102的电流,进而减小半导体光放大器103的输出增益,大大减小了整个电路的响应时间,输入调节模块100的每个信号通道的光功率的都有同样的响应能力,并且能够对其中输入光功率最大的通道做出最直接的响应,而不是群体平均响应,这样才能通过最危险的通道的保护措施覆盖其它通道的保护,一旦有新的通道的输入光增大超过目前的触发保护通道的光功率,则此电路的触发机制将转移到新的通道上,继续对全体通道进行保护。不仅响应快速,还能针对性的对最危险的通道触发保护机制,调整SOA的注入电流大小,相较与目前普遍通用的软件处理方法,更有针对性,保护力度更强。
请参考图1,输入调节模块100包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4,第一电阻R1的第一端与第一二极管D1的第一端连接,第一电阻R1的第二端接地,第二电阻R2的第一端与第二二极管D2的第一端连接,第二电阻R2的第二端接地,第三电阻R3的第一端与第三二极管D3的第一端连接,第三电阻R3的第二端接地,第四电阻R4的第一端与第四二极管D4的第一端连接,第四电阻R4的第二端接地,第一二极管D1的第二端、第二二极管D2的第二端、第三二极管D3的第二端、第四二极管D4的第二端均与第五电阻R5的第一端连接,第五电阻R5的第二端接地,第五电阻R5的第二端与反馈调节模块101连接。
反馈调节模块101包括第一运算放大器U1、第三运算放大器U3、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8和第九电阻R9,第五电阻R5的第一端与第一运算放大器U1的同相输入端连接,第七电阻R7的第一端、第九电阻R9的第一端均与第一运算放大器U1的输出端连接,第七电阻R7的第二端与第一运算放大器U1的反相输入端、第六电阻R6的第一端连接,第六电阻R6的第二端接地,第九电阻R9的第二端与第八电阻R8的第二端、第三运算放大器U3的反向输入端连接,第八电阻R8的第一端与半导体光放大器103的引脚SOASET连接,第三运算放大器U3的反向输入端和输出端与恒流驱动模块102连接。
第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4均作为采样电阻,并均与不同的信号通道进行连接,当没有输入光时,第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4的电压为0,所以第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4均处于截止状。半导体光放大器103的引脚SOASET的电压经过第八电阻R8与第九电阻R9分压后,控制恒流驱动模块102的输出电流。恒流驱动模块102由运放第三运算放大器U3,三极管Q1,第十电阻R10组成,其输出电流等于(VCC-VU3-)/R10,根据虚短原则VU3+=VU3-;VU3+=(SOASET-VU1out)/(R8+R9)*R9+VU1out。
下面具体的说明本发明的工作原理:当第一电阻R1对应的信号通道(以下称为一通道)的光功率突然增加时,则本通道的光电流的镜像电流随之增大,响应时间是微秒级,同时第一电阻R1上的采样电压增大,与输入光功率成正比例关系。当第一电阻R1的采样电压增加到使能第一二极管D1导通时,则第五电阻R5上的电压为VR1-VD1,再通过第一运算放大器U1其进行正比例放大,第一运算放大器U1的输出端电压VU1out=VR5*(1+R7/R6),使得第三运算放大器U3的同相输入端VU3+增大,则恒流驱动模块102输出电流减小,降低SOA的增益倍数,使得输入到一通道PD上的光功率不至于过大,烧伤PD器件。
由运放第一运算放大器U1,第六电阻R6,第七电阻R7构成的正比例放大电路,可以快速调节反馈回光功率的光电流,第六电阻R6,第七电阻R7可以调整反馈调节模块的深度,根据需要来实现对光功率变化的反馈速度,进一步保护光PD器件。而第五电阻R5可以设置反馈的开启电压门限,第五电阻R5越大,则开启的光功率门限值越大。第八电阻R8与第九电阻R9构成的分压也可以参与调节反馈的速度与敏感度,即VU3+中反馈电压VU1out中的比例。测压引脚I_MON则是监测三极管的发射极电压,与电源电压值可以共同计算出流过第十电阻R10的电流,即注入SOA的电流,(VCC-I_MON)/R10,再由SOA电流对应的增益M与监测的第一电阻R1上光电流,可以计算出实际输入到信号通道中的光功率对应的光电流,再通过线性计算可以得到信号通道的光功率值。
当对应第二电阻R2的信号通道(以下称为二通道)的光功率突然增加,并超过一通道的光功率时,则二通道的第二电阻R2对应的采样电压VR2>VR1,则VR2-VR5>VD2,第二二极管D2导通,使得VR5上升,VD1将小于D1的导通电压,则第一二极管D1关闭,二通道将成为反馈电路的反馈源,触发SOA的注入电流的调节机制,使得VU3+升高,进一步减小恒流源的输出电流,进一步降低SOA的增益。
如附图2所示,本实施例相对上述方案增加了第二运算放大器U2的正比例放大电路,本例主要是解决半导体光放大器103的引脚SOASET电压量程不足,无法直接驱动恒流源电路的任何电流输出,同时也可以通过调节比例放大倍数,调整反馈的响应速度,倍数越大,则反馈响应速度越快。
作为上述方案的进一步改进,所述反馈调节模块101还包括第二运算放大器U2、第十一电阻R11和第十二电阻R12,所述第二运算放大器U2的同相输入端与所述第九电阻R9的第二端、所述第八电阻R8的第二端连接,所述第二运算放大器U2的输出端与所述第三运算放大器U3的输出端、所述第十一电阻R11的第一端连接,所述第十一电阻R11的第二端与所述第二运算放大器U2的反向输入端、所述第十二电阻R12的第一端连接,所述第十二电阻R12的第二端接地,所述第三运算放大器U3的反向输入端和输出端与所述恒流驱动模块102连接。
作为上述方案的进一步改进,恒流驱动模块102包括三极管Q1、第十电阻R10,第十电阻R10的第一端接入电源电压VCC,第十电阻R10的第二端与三极管Q1的发射极、第三运算放大器U3的反相输入端连接,三极管Q1的发射极与测压引脚连接,第三运算放大器U3的同相输入端与三极管Q1的基极连接,三极管Q1的集电极与半导体光放大器103连接。
作为上述方案的进一步改进,所述第六电阻的阻值与所述第七电阻的阻值相等。所述第十一电阻的阻值和所述第十二电阻的阻值相等。所以,第一运算放大器与第二运算放大器的电压调整倍数均为两倍,也可以将其电阻进行改变,从而得到适应性的放大倍数,例如,所述第十一电阻的阻值为所述第十二电阻的阻值的两倍,放大倍数为三倍。
如图3所示,为本实施中所述电路的响应时序图:
开始阶段为SOASET设置的输出增益SOA_M,当VR1突然增大时,由于第一二极管D1导通,VR5增大,VU1out增大,VU3+增大,则恒流源的输出电流ISOA减小,从而SOA_M减小;
当VR2突然增大时,由于第二二极管D2导通,则第一二极管D1断开,则VR5再次增大,VU1out再次增大,VU3+再次增大,则恒流源的输出电流ISOA再次减小,从而SOA_M再次减小。
T1为VR1变化时,整个电路的响应时间;T2为VR2变化时,整个电路的响应时间;这个响应时间包括二极管导通时间及运放的响应时间,二极管的导通时间为纳秒级,而运算放大器的响应时间与其带宽有关,即带宽越大,响应越快,由于一般的运算放大器的带宽均大于1M,所以其响应时间为几个微秒,所以整个电路的响应时间在10~20个微秒以内完成,这个响应时间比MCU的软件方案更快。
本发明还提出一种光模块,光模块应用上述的半导体光放大器驱动保护电路,使得光模块接收光功率的响应时间快,光模块不易损坏。
请参考图5,本发明还提出一种半导体光放大器驱动保护电路的控制方法,所述驱动保护电路包括输入调节模块、反馈调节模块和恒流驱动模块。
S100、所述输入调节模块接收并比较多个信号通道输入的光功率的大小,并向所述反馈调节模块输出最大的光功率;
S110、所述反馈调节模块根据接收所述输入调节模块输出的最大光功率调节所述恒流驱动模块的驱动电流;
S120、所述恒流驱动模块为半导体光放大器提供驱动电流。
通过本方法,可以很容易实现对于半导体光放大器的反馈调节,不仅响应快速,还能针对性的对最危险的通道触发保护机制,调整SOA的注入电流大小,相较与目前普遍通用的软件处理方法,更有针对性,保护力度更强。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
当然,本发明还可有其它多种实施方式,基于本实施方式,本领域的普通技术人员在没有做出任何创造性劳动的前提下所获得其他实施方式,都属于本发明所保护的范围。
Claims (9)
1.一种半导体光放大器驱动保护电路,其特征在于,包括输入调节模块、反馈调节模块和恒流驱动模块,所述恒流驱动模块为半导体光放大器提供驱动电流,所述输入调节模块用于接收并比较多个信号通道输入的光功率的大小,并向所述反馈调节模块输出最大的光功率,所述反馈调节模块根据接收所述输入调节模块输出的最大光功率调节所述恒流驱动模块的驱动电流;
所述输入调节模块包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管,所述第一电阻的第一端与所述第一二极管的第一端连接,所述第一电阻的第二端接地,所述第二电阻的第一端与所述第二二极管的第一端连接,所述第二电阻的第二端接地,所述第三电阻的第一端与所述第三二极管的第一端连接,所述第三电阻的第二端接地,所述第四电阻的第一端与所述第四二极管的第一端连接,所述第四电阻的第二端接地,所述第一二极管的第二端、所述第二二极管的第二端、所述第三二极管的第二端、所述第四二极管的第二端均与所述第五电阻的第一端连接,所述第五电阻的第二端接地,所述第五电阻的第一端与所述反馈调节模块连接。
2.根据权利要求1所述的半导体光放大器驱动保护电路,其特征在于,所述反馈调节模块包括第一运算放大器、第三运算放大器、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻,所述第五电阻的第一端与所述第一运算放大器的同相输入端连接,所述第七电阻的第一端、所述第九电阻的第一端均与所述第一运算放大器的输出端连接,所述第七电阻的第二端与所述第一运算放大器的反相输入端、所述第六电阻的第一端连接,所述第六电阻的第二端接地,所述第九电阻的第二端与所述第八电阻的第二端、所述第三运算放大器的同相输入端连接,所述第八电阻的第一端与半导体光放大器的引脚连接,所述第三运算放大器的反相输入端和输出端与所述恒流驱动模块连接。
3.根据权利要求2所述的半导体光放大器驱动保护电路,其特征在于,所述反馈调节模块还包括第二运算放大器、第十一电阻和第十二电阻,所述第二运算放大器的同相输入端与所述第九电阻的第二端、所述第八电阻的第二端连接,所述第二运算放大器的输出端与所述第三运算放大器的同相输入端、所述第十一电阻的第一端连接,所述第十一电阻的第二端与所述第二运算放大器的反相输入端、所述第十二电阻的第一端连接,所述第十二电阻的第二端接地,所述第三运算放大器的反相输入端和输出端与所述恒流驱动模块连接。
4.根据权利要求2-3任一项所述的半导体光放大器驱动保护电路,其特征在于,所述恒流驱动模块包括三极管、第十电阻,所述第十电阻的第一端接入电源电压,所述第十电阻的第二端与所述三极管的发射极、所述第三运算放大器的反相输入端连接,所述三极管的发射极与测压引脚连接,所述第三运算放大器的输出端与所述三极管的基极连接,所述三极管的集电极与所述半导体光放大器连接。
5.根据权利要求2所述的半导体光放大器驱动保护电路,其特征在于,所述第六电阻的阻值与所述第七电阻的阻值相等。
6.根据权利要求3所述的半导体光放大器驱动保护电路,其特征在于,所述第十一电阻的阻值和所述第十二电阻的阻值相等。
7.根据权利要求3所述的半导体光放大器驱动保护电路,其特征在于,所述第十一电阻的阻值为所述第十二电阻的阻值的两倍。
8.一种光模块,其特征在于,所述光模块应用权利要求1-3、5-7任一项所述的半导体光放大器驱动保护电路。
9.一种半导体光放大器驱动保护电路的控制方法,所述驱动保护电路包括输入调节模块、反馈调节模块和恒流驱动模块,其特征在于:
S100、所述输入调节模块接收并比较多个信号通道输入的光功率的大小,并向所述反馈调节模块输出最大的光功率;
S110、所述反馈调节模块根据接收所述输入调节模块输出的最大光功率调节所述恒流驱动模块的驱动电流;
S120、所述恒流驱动模块为半导体光放大器提供驱动电流;
其中,所述输入调节模块包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管,所述第一电阻的第一端与所述第一二极管的第一端连接,所述第一电阻的第二端接地,所述第二电阻的第一端与所述第二二极管的第一端连接,所述第二电阻的第二端接地,所述第三电阻的第一端与所述第三二极管的第一端连接,所述第三电阻的第二端接地,所述第四电阻的第一端与所述第四二极管的第一端连接,所述第四电阻的第二端接地,所述第一二极管的第二端、所述第二二极管的第二端、所述第三二极管的第二端、所述第四二极管的第二端均与所述第五电阻的第一端连接,所述第五电阻的第二端接地,所述第五电阻的第二端与所述反馈调节模块连接。
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2021
- 2021-11-02 CN CN202111287103.7A patent/CN114122906B/zh active Active
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