CN114122021A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114122021A CN114122021A CN202111389240.1A CN202111389240A CN114122021A CN 114122021 A CN114122021 A CN 114122021A CN 202111389240 A CN202111389240 A CN 202111389240A CN 114122021 A CN114122021 A CN 114122021A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sub
- voltage signal
- substrate
- signal line
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 12
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 122
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请公开了一种显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，能够降低显示面板的周边区宽度，有利于降低显示装置的边框宽度。显示面板具有显示区和环绕显示区的周边区。显示面板包括衬底、电压信号线和挡墙结构。电压信号线设置于衬底的周边区上，包括沿显示区的周向延伸的延伸段，以及被配置为将延伸段与外部电路电连接的引出段。挡墙结构设置于电压信号线远离衬底的一侧，且环绕显示区。挡墙结构包括第一子部和第二子部，第一子部在衬底上的正投影位于延伸段在衬底上的正投影的范围内，第二子部在衬底上的正投影与电压信号线在衬底上的垂直投影相互分离。本申请用于制造显示装置。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，显示装置比如手机、电视、电脑等，越来越多的应用于人们的生活中。窄边框化是目前显示装置的一个重要发展方向，如何降低显示面板的周边区宽度，以及显示装置的边框宽度是当前急需解决的问题。
发明内容
本公开的实施例提供了一种显示面板和显示装置，能够降低显示面板的周边区宽度，有利于降低显示装置的边框宽度。
为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
一方面，本公开的实施例提供一种显示面板。所述显示面板具有显示区和环绕显示区的周边区。显示面板包括衬底、电压信号线和挡墙结构。电压信号线设置于周边区，包括沿显示区的周向延伸的延伸段，以及被配置为将延伸段与外部电路电连接的引出段。挡墙结构设置于电压信号线远离衬底的一侧，且环绕显示区。挡墙结构包括第一子部和第二子部，第一子部在衬底上的正投影位于延伸段在衬底上的正投影的范围内，第二子部在衬底上的正投影与电压信号线在衬底上的垂直投影相互分离。
在一些实施例中，显示面板还包括封装层和辅助连接线。封装层覆盖挡墙结构，且延伸段远离显示区的部分伸出封装层的边缘。辅助连接线设置于封装层远离衬底的一侧，且与延伸段伸出封装层的部分电连接。
在一些实施例中，辅助连接线包括连接部和延展部。连接部与电压信号线伸出封装层的部分电连接。延展部与连接部相连，且覆盖封装层的至少部分边缘区域。
在一些实施例中，显示面板包括交替相连的直线侧边和弧形拐角，弧形拐角处的周边区宽度小于直线侧边处的周边区宽度。辅助连接线包括位于弧形拐角处第一子线段，第一子线段的部分位于显示区第一子电压信号线段中位于显示区的部分为网格状结构。
在一些实施例中，辅助连接线还包括位于直线侧边处的第二子线段，第二子线段位于周边区。
在一些实施例中显示面板还包括防裂纹挡墙。防裂纹挡墙环绕显示区，且位于挡墙结构远离显示区的一侧。延伸段远离显示区的一侧与防裂纹挡墙接触。。
在一些实施例中，显示面板包括第一源漏导电层、第一平坦层、第二源漏导电层和第二平坦层。第一源漏导电层设置于衬底上，包括位于周边区的第一子电压信号线。第一平坦层设置于第一源漏导电层远离衬底的一侧，且包括第一开口。第二源漏导电层设置于第一平坦层远离第一源漏导电层的一侧，包括第二子电压信号线。第二子电压信号线通过第一开口与第一子电压信号线电连接。第二平坦层设置于第二源漏导电层远离第二源漏导电层的一侧，且包括第二开口。其中，电压信号线包括第一子电压信号线和第二子电压信号线。
在一些实施例中，第一子电压信号线在衬底上的正投影与第二子电压信号线在衬底上的正投影交叠。挡墙结构在衬底上的正投影，位于第一子电压信号线在衬底上的正投影的范围内，且位于第二子电压信号线在衬底上的正投影的范围内。
在一些实施例中，显示面板还包括阳极层、像素界定层和阴极层。阳极层设置于第二平坦层远离衬底的一侧，包括设置于周边区的连接线，连接线通过第二开口与第二子电压信号线电连接。像素界定层设置于阳极层远离衬底的一侧，且包括第三开口。阴极层通过第二开口与连接线电连接。
本公开实施例提供的显示面板，挡墙结构的第一子部在衬底上的正投影位于延伸段在衬底上的正投影的范围内，即第一子部与电压信号线沿垂直于衬底的方向分布。相较于第一子部和电压信号线沿周边区的宽度方向布置，可以降低挡墙结构和电压信号线占用的周边区的宽度，进而降低周边区的宽度。
另一方面，本公开的实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例中的显示面板。
本公开的实施例提供的显示装置，由于采用了上述实施例中的显示面板，可以通过降低显示面板的周边区的宽度，降低显示装置的边框宽度，提升显示装置的屏占比。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸的限制。
图1为本公开的一些实施例的显示装置的示意图；
图2为本公开的一些实施例的显示面板的电路结构图；
图3为本公开的一些实施例的显示面板的结构图；
图4A为图1中沿剖面线A-A的一种剖视图；
图4B为图1中沿剖面线A-A的另一种剖视图；
图5A为本公开的一些实施例的辅助连接线的一种结构图；
图5B为本公开的一些实施例的辅助连接线的另一种结构图；
图6A为图5A中C处的一种局部放大图；
图6B为图5A中C处的另一种局部放大图；
图7为图1中沿剖面线B-B的一种剖视图。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一些实施例”、“示例性地”或“比如”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
在本公开的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
本文中“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
本文中“同层设置”是指利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
如本文所使用的那样，“平行”、“垂直”、“相等”包括所阐述的情况以及与所阐述的情况相近似的情况，该相近似的情况的范围处于可接受偏差范围内，其中可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。例如，“平行”包括绝对平行和近似平行，其中近似平行的可接受偏差范围例如可以是5°以内偏差；“垂直”包括绝对垂直和近似垂直，其中近似垂直的可接受偏差范围例如也可以是5°以内偏差。“相等”包括绝对相等和近似相等，其中近似相等的可接受偏差范围内例如可以是相等的两者之间的差值小于或等于其中任一者的5％。
本公开的一些实施例提供了一种显示装置1000。参阅图1，该显示装置1000可以为电视机、笔记本电脑、平板电脑、手机、个人数字助理(英文：personal digital assistant；简称：PDA)、导航仪、可穿戴设备、增强现实(英文：Augmented Reality；简称：AR)设备、虚拟现实(英文：Virtual Reality；简称：VR)设备等任何具有显示功能的产品或者部件。
上述显示装置1000可以为液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)，也可以为电致发光显示装置或光致发光显示装置。在该显示装置为电致发光显示装置的情况下，电致发光显示装置可以为有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)或量子点电致发光显示装置(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)。在该显示装置为光致发光显示装置的情况下，光致发光显示装置可以为量子点光致发光显示装置。
显示装置1000包括显示面板100和玻璃盖板200。如图1所示，显示面板100具有显示区101和周边区102，周边区102围绕显示区101设置。玻璃盖板200覆盖并保护显示面板100。
需要理解的是，在其他一些实施例中，周边区102也可仅存在于显示区101的一侧或多侧。本公开的实施例以周边区102围绕显示区101为例进行描述。
如图2所示，图2为显示面板的电路结构示意图，且图2以显示面板呈矩形为例进行展示。显示面板100的显示区101内包括阵列式排布的多个子像素P。示例性地，多个子像素P排列成多行和多列，每行子像素P包括沿第一方向X(图2中的水平方向)排列的多个子像素P，每列子像素P包括沿第二方向Y(图2中的竖直方向)排列的多个子像素P。每个子像素P包括像素驱动电路110和发光器件120；子像素P被配置为显示画面。
其中，像素驱动电路110包括多个TFT和至少一个电容器Cst，比如，像素驱动电路110可以为“7T1C”电路、“7T2C”电路、或“3T1C”电路等，本公开的实施例对像素驱动电路110的结构不做具体限定。“T”是指薄膜晶体管，“T”前面的数字是指薄膜晶体管的数量；“C”是指电容器Cst，“C”前面的数字是指电容器Cst的数量。
显示面板100的周边区102内包括多条信号线。示例性地，多条信号线可以包括电压信号线130、VDD信号线(图中未示出)、扫描信号线GL和数据线DL等。周边区102内还包括挡墙结构(图中未示出)。以及，周边区102内还可以包括比如栅极驱动电路150、源极驱动器(Source Driver IC)、电路板(Source PCB)等，在此不再一一赘述。其中，电压信号线130位于周边区102远离显示区101的边缘(相较于其他信号线和电路结构距显示区101较远)。
相关技术中，挡墙结构的至少部分设置于电压信号线远离显示区的一侧，即，挡墙结构在电压信号线所在平面上正投影的至少部分，位于电压信号线远离显示区的一侧。这样，导致挡墙结构和电压信号线占用的周边区宽度较大，不利于降低显示面板的周边区宽度。
为了解决上述问题，本公开的一些实施例提供了一种显示面板100，参阅图3，显示面板100包括衬底10、电压信号线130和挡墙结构140。
电压信号线130设置于衬底10上，且位于周边区102，电压信号线130包括沿显示区101的周向延伸的延伸段1301，以及被配置为将延伸段1301与外部电路电连接的引出段1302。电压信号线130的延伸段1301可以被配置为与显示区101内的像素驱动电路110电连接，电压信号线130的引出段1302可以与外部电路(比如驱动电路板(Source PCB))电连接。
示例性地，周边区102包括第一子区1021、第二子区1022、第三子区1023以及第四子区1024。电压信号线130的延伸段1301沿第二子区1022、第三子区1023以及第四子区1024延伸，延伸段1301的两端位于第一子区1021，且延伸段1301的两端之间具有间隔。电压信号线130的引出段1302位于第一子区1021内，且沿第二方向Y，引出段1302的一端与延伸段1301的端部相连，另一端向远离显示区101的一侧延伸。
挡墙结构140设置于电压信号线130远离衬底10的一侧(如图4A所示)，且环绕显示区101设置。挡墙结构140包括第一子部1401和第二子部1402。第一子部1401在衬底10上的正投影位于延伸段1301在衬底10上的正投影的范围内，第二子部1402在衬底10上的正投影与电压信号线130在衬底10上的正投影相互分离。
挡墙结构140绕显示区101设置，且为环形结构。第二子部1402是指挡墙结构140中位于延伸段1301的两端之间的部分；第一子部1401是指挡墙结构140中除第二子部1402之外的部分。
本公开实施例提供的显示面板，如图3和图4A所示，其中图4A为图1中沿A-A所示的周边区102的部分结构图。挡墙结构140的第一子部1401在衬底10上的正投影位于延伸段1301在衬底10上的正投影的范围内，即第一子部1401与电压信号线130沿垂直于衬底10的方向Z分布。相较于第一子部1401和电压信号线130沿周边区102的宽度方向布置，可以降低挡墙结构140和电压信号线130占用的周边区102的宽度，进而降低周边区102的宽度。
在一些实施例中，参阅图3和图4A，沿平行于衬底10且垂直于延伸段1301延伸方向的方向，第一子部1401的最大尺寸小于延伸段1301的尺寸。如图4A所示，第一子部1401的截面为梯形，第一子部1401的最大尺寸是指：第一子部1401靠近电压信号线130一侧的尺寸。
第一子部1401在延伸段1301上的正投影位于延伸段1301靠近显示区101的部分。也就是说，第一子部1401在延伸段1301上的正投影位于延伸段1301内，且位于延伸段1301靠近显示区101的部分，即延伸段1301远离显示区101的一侧伸出第一子部1401。
这样，第一子部1401的宽度小于延伸段1301的宽度，且第一子部1401位于延伸段1301靠近显示区101的一侧，可以在不降低电压信号线130的宽度的情况下，降低挡墙结构140对周边区102的宽度的影响。
示例性地，以第二子区1022内的第一子部1401和延伸段1301为例，沿第一方向X，第一子部1401的尺寸小于延伸段1301的尺寸。示例性地，以第三子区1023内的第一子部1401和延伸段1301为例，沿第二方向Y，第一子部1401的尺寸小于延伸段1301的尺寸。
在一些实施例中，参阅图4A，显示面板100还包括封装层30和辅助连接线160。
封装层30覆盖挡墙结构140，延伸段1301远离显示区101的部分伸出封装层30的边缘，也就是说，封装层30暴露延伸段1301远离显示区101的部分。封装层30被配置为隔绝水氧对发光器件120和信号线的侵蚀。示例性地，封装层30可以包括依次层叠的第一无机层31、有机封装层32和第二无机层33。第一无机层31和第二无机层33被配置为阻隔外界的水氧，有机封装层32被配置为进行膜层内的应力释放和平坦化。
辅助连接线160与电压信号线130(延伸段1301)伸出封装层30的部分电连接，且与电压信号线130并联设置(如图5A和图5B)。这样，可以降低电压信号线130的宽度，并通过辅助连接线160降低电压信号线130的电阻，在不增加电压信号线130的电阻的情况下，降低电压信号线130的宽度，进一步减小周边区102的宽度。
示例性地，辅助连接线160覆盖电压信号线130(延伸段1301)伸出封装层30的部分；这样，辅助连接线160可以起到保护电压信号线130的作用，降低电压信号线130被腐蚀的可能性。
需要说明的是，可以在辅助连接线160远离衬底10的一侧设置保护膜层，以避免辅助连接线160直接裸露；或者，显示面板100还包括设置于封装层30远离衬底10一侧的触控结构(图中未示出)，触控结构覆盖并保护辅助连接线160，通过触控结构避免辅助连接线160直接裸露。
在一些实施例中，参阅图4A，辅助连接线160包括连接部161和延展部162。连接部161覆盖电压信号线130伸出封装层30的部分，并与电压信号线130伸出封装层30的部分电连接。延展部162覆盖封装层30的至少部分边缘区域，即延展部162覆盖封装层30靠近显示面板100的边缘的部分区域。
延展部162用于增加辅助连接线160的宽度，进而降低辅助连接线160的电阻，降低电压信号线130的电阻，这样，有利于进一步降低电压信号线130的宽度，进而降低显示面板100的周边区的宽度，降低显示装置1000的边框宽度。
在一些实施例中，如图1和图3所示，显示面板100包括交替相连的直线侧边103和弧形拐角104，弧形拐角104处的周边区102宽度D2小于直线侧边103处的周边区102宽度D1。这样，有利于显示面板100的四周均弯曲形成曲面。
示例性地，在显示面板100为柔性显示面板，且为四周均为曲面的情况下，弧形拐角104可以降低显示面板100的弯折难度。
基于上述设计，相较于在显示面板100的直线侧边103处的电压信号线130，电压信号线130在显示面板100的弧形拐角104处的宽度可能设置的较窄。
在一些实施例中，如图5A所示，辅助连接线160可以仅包括位于弧形拐角104处第一子线段1601。第一子线段1601的部分(延展部162的部分)覆盖封装层30位于显示区101部分区域，且第一子线段1601覆盖显示区101的部分为网格状。
电压信号线130在直线侧边103处的宽度较宽，可以不在直线侧边103处设置辅助连接线160。由于弧形拐角104处的周边区102宽度较小，第一子线段1601覆盖部分显示区101，可以增加第一子线段1601在弧形拐角104处宽度，进而降低电压信号线130在弧形拐角104处的电阻。有利于降低弧形拐角104处的周边区102宽度。延展部162覆盖显示区101的部分为网格状，或者，延展部162覆盖封装层30的部分均为网格状，这样，可以降低延展部162对显示区101的出光效率的影响。
示例性地，参阅图6A，第一子线段1601包括多条相互交叉的导电线，并由多条导电线交织形成网格结构，降低第一子线段1601遮挡发光器件120的区域，降低第一子线段1601对显示面板100出光效率的影响。
或者，参阅图6B，第一子线段1601可以包括多个避让口1603，每个避让口1603与一个子像素P的发光器件120相对，即避让口1603在衬底100上的正投影覆盖与其相对的发光器件120在衬底100上的正投影；以使发光器件120射出的光线能够穿过避让口1603射出。
在一些实施例中，如图5B所示，辅助连接线160可以包括位于弧形拐角104处第一子线段1601，以及位于直线侧边103处的第二子线段1602。
如图5B所示，第二子线段1602的延展部162覆盖封装层30位于周边区102的至少部分区域。这样，可以降低电压信号线130在直线侧边103处电阻，降低直线侧边103处周边区102的宽度。
相关技术中，为了保证电压信号线130的低电阻，电压信号线的宽度通常在200μm～400μm之间。
本公开的实施例，通过设置辅助连接线160，可以将电压信号线130的宽度设计为100μm～200μm。这样，可以在保证电压信号线130的低电阻的情况下，降低电压信号线130的宽度，从而达到降低显示面板100的边框区102的宽度的目的。示例性地，电压信号线130的宽度可以为100μm、150μm、185μm、或200μm等，在此不再一一赘述。
需要理解的是，电压信号线130在不同位置处的宽度可以相等或者不等。比如，电压信号线130在直线侧边103处的宽度处处相等，且大于电压信号线130在弧形拐角104处的宽度。电压信号线130在弧形拐角104处的宽度可以相等或者不等。
本公开实施例中，参阅图7，图7为图1中显示区101中，沿剖面线B-B的剖视图，图7中仅示例性地展示出了一个薄膜晶体管(Thin film transistor，简称TFT)和一个发光器件120。
如图7所示，显示面板100包括衬底10，衬底10可以为柔性衬底或者刚性衬底。示例性地，衬底10为柔性衬底的情况下，衬底10材料可以为耐高温树脂(聚酰亚胺)。其中，衬底10的下侧可以为工艺承载玻璃衬底，通过激光剥离技术(Laser Lift-Off process；简称：LLO)可将衬底10与工艺承载玻璃衬底无损分离。
显示面板100还包括设置于衬底10上的阻挡层11，阻挡层11可以由多层无机材料构成。沿垂直于衬底10且远离衬底10的方向Z(图7中由下至上的方向)，显示面板100还包括依次设置于阻挡层11远离衬底10一侧的有源层12、第一栅极介质层13、第一栅极层14、第二栅极介质层15、第二栅极层16、层间介质层17、第一源漏导电层18、第一平坦层19、第二源漏导电层20和第二平坦层21。
TFT包括位于有源层12内的半导体图案121、第一栅极层14内的栅极141、以及第一源漏导电层18内的源极181和漏极182。电容器Cst可以包括第一栅极层14内第一极板142以及位于第二栅极层16内的第二极板16＇。像素驱动电路110还可以包括位于第一源漏导电层18内以及第二源漏导电层20内的信号线(比如VDD信号线和数据线)。
参阅图4A，在周边区102，第一源漏导电层18包括位于周边区102的第一子电压信号线131。第一平坦层19包括第一开口191，第一开口191暴露第一子电压信号线131的至少部分区域。第二源漏导电层20包括第二子电压信号线132，第二子电压信号线132通过第一开口191与第一子电压信号线131电连接。第二平坦层21包括第二开口(图中未示出)，第二开口暴露第二子电压信号线132的至少部分区域。
本公开的实施例中，电压信号线130包括第一子电压信号线131和第二子电压信号线132，可以增加电压信号线130的厚度(沿垂直于衬底10方向Z的尺寸)，有利于降低电压信号线130的电阻。
在一些实施例中，参阅4A，第一子电压信号线131在衬底10上的正投影与第二子电压信号线132在衬底10上的正投影交叠(部分交叠或者完全交叠)，可以降低电压信号线130的宽度，有利于降低周边区102的宽度。
示例性地，参阅图4A，第一子电压信号线131在衬底10上的正投影与第二子电压信号线132在衬底10上的正投影完全交叠(边界重合或者大致重合)，这样可以最大程度降低电压信号线130的宽度。其中，第二子电压信号线132是指第二源漏导电层20中位于第一开口191内的部分。
挡墙结构140在衬底10上的正投影位于第一子电压信号线131在衬底10上的正投影范围内，且位于第二子电压信号线132在衬底10上的正投影范围内，这样，有利于降低周边区102的宽度。
参阅图7，显示面板10还包括沿垂直于衬底10且远离衬底10的方向，依次设置于第二平坦层21远离衬底10一侧的阳极层22、像素界定层23、发光层24、隔垫物层25以及阴极层26。
阳极层22包括多个相互分离的阳极221(图7中仅示例性地展示出一个阳极221)。像素界定层23具有多个第四开口，每个第四开口暴露一个阳极221的至少部分区域。
发光层24包括多个发光功能图案241，每个发光功能图案241的至少部分位于一个第四开口内。发光层24可以包括电子传输层(election transporting layer，简称ETL)、电子注入层(election injection layer，简称EIL)、空穴传输层(hole transportinglayer，简称HTL)以及空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)中的一层或多层。
阴极层26可以为整层结构。阴极层26的材料可以为透明导电材料，比如氧化铟锡(Indium Tin Oxides；简称ITO)。
隔垫物层25包括多个隔垫物251，隔垫物251用于支撑蒸镀工艺中的掩膜板。
一个发光器件120包括一个阳极221、位于该阳极221上的发光功能图案241、以及与发光功能图案241接触的阴极层26的部分。
在周边区102，参阅图4A和图7，阳极层22包括连接线222，连接线222通过第二开口(图中未示出)与第二子电压信号线132电连接。
像素界定层23包括第三开口(图中未示出)，第三开口暴露连接线222的至少部分区域。阴极层26通过第三开口与连接线222电连接。即电压信号线130与阴极层26电连接，电压信号线130被配置为向阴极层26传输电压信号。
封装层30设置于阴极层26远离衬底10的一侧。
挡墙结构140可以包括与第二平坦层21同层设置且材料相同的第一垫块211、与像素界定层23同层设置且材料相同的第二垫块231、以及与隔垫物层25同层设置且材料相同的第三垫块262中的至少一个。
挡墙结构140的数量可以为一个或多个，本公开的实施例对此不作具体限定。
示例性地，参阅图4A，挡墙结构140的数量可以为一个。挡墙结构140包括层叠设置的第一垫块211、第二垫块231和第三垫块252。
示例性地，参阅图4B，挡墙结构140的数量可以为两个，两个挡墙结构140分别为第一挡墙结构140A和第二挡墙结构140B，第二挡墙结构140B设置于第一挡墙结构140A靠近显示区101的一侧。第一挡墙结构140A可以包括层叠设置的第一垫块211、第二垫块231和第三垫块252。第二挡墙结构140B可以包括层叠设置的第四垫块232和第五垫块253。其中，第四垫块232与像素界定层23同层设置且材料相同，第五垫块253与隔垫物层25同层设置且材料相同。
在一些实施例中，参阅图4A，显示面板100还包括防裂纹挡墙170，防裂纹挡墙170环绕显示区101设置，且位于挡墙结构140远离显示区101的一侧。防裂纹挡墙170设置于电压信号线130远离显示区101的一侧，且与电压信号线130直接接触，即电压信号线130的延伸段1301远离显示区101的一侧与防裂纹挡墙170接触。这样，可以进一步降低周边区102的宽度。
防裂纹挡墙170能够保护电压信号线130远离显示区101的侧边，降低电压信号线130发生水氧腐蚀的风险。
防裂纹挡墙170至少部分嵌设于周边区102的部分无机材料层(阻挡层11、第一栅极介质层13、第二栅极介质层15和层间介质层17)中，防裂纹挡墙170的材料包括有机材料。防裂纹挡墙170还可以降低柔性显示面板100的边缘区域弯折状态下产生的应力，防止边缘区域上的信号线发生断裂，提高显示面板的产品良率。
示例性地，该防裂纹挡墙170可以与第一平坦层19同层设置且材料相同，这样，可以简化显示面板100的制作工艺。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有显示区和环绕所述显示区的周边区；所述显示面板包括：
衬底；
电压信号线，设置于所述周边区，包括沿所述显示区的周向延伸的延伸段，以及被配置为将所述延伸段与外部电路电连接的引出段；
挡墙结构，设置于所述电压信号线远离所述衬底的一侧，且环绕所述显示区；所述挡墙结构包括第一子部和第二子部，所述第一子部在所述衬底上的正投影位于所述延伸段在所述衬底上的正投影的范围内，所述第二子部在所述衬底上的正投影与所述电压信号线在所述衬底上的垂直投影相互分离。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
封装层，覆盖所述挡墙结构；所述延伸段远离所述显示区的部分伸出所述封装层的边缘；
辅助连接线，设置于所述封装层远离所述衬底的一侧，且与所述延伸段伸出所述封装层的部分电连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助连接线包括：
连接部，与所述电压信号线伸出所述封装层的部分电连接；
延展部，与所述连接部相连，且覆盖所述封装层的至少部分边缘区域。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括交替相连的直线侧边和弧形拐角，所述弧形拐角处的周边区宽度小于所述直线侧边处的周边区宽度；
所述辅助连接线包括位于所述弧形拐角处第一子线段，所述第一子线段的部分位于所述显示区，所述第一子线段中位于所述显示区的部分为网格状结构。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述辅助连接线还包括位于所述直线侧边处的第二子线段，所述第二子线段位于所述周边区。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
防裂纹挡墙，环绕所述显示区，且位于所述挡墙结构远离所述显示区的一侧；
所述延伸段远离所述显示区的一侧与所述防裂纹挡墙接触。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
第一源漏导电层，设置于所述衬底上，包括位于所述周边区的第一子电压信号线；
第一平坦层，设置于所述第一源漏导电层远离所述衬底的一侧，且包括第一开口；
第二源漏导电层，设置于所述第一平坦层远离所述第一源漏导电层的一侧，包括第二子电压信号线，所述第二子电压信号线通过所述第一开口与所述第一子电压信号线电连接；
第二平坦层，设置于所述第二源漏导电层远离所述第一平坦层的一侧，且包括第二开口；
其中，所述电压信号线包括所述第一子电压信号线和所述第二子电压信号线。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一子电压信号线在所述衬底上的正投影与所述第二子电压信号线在所述衬底上的正投影交叠；
所述挡墙结构在所述衬底上的正投影，位于所述第一子电压信号线在所述衬底上的正投影的范围内，且位于所述第二子电压信号线在所述衬底上的正投影的范围内。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
阳极层，设置于所述第二平坦层远离所述衬底的一侧，包括设置于所述周边区的连接线，所述连接线通过所述第二开口与所述第二子电压信号线电连接；
像素界定层，设置于所述阳极层远离所述衬底的一侧，且包括第三开口；
阴极层，通过所述第二开口与所述连接线电连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111389240.1A CN114122021A (zh) | 2021-11-22 | 2021-11-22 | 显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111389240.1A CN114122021A (zh) | 2021-11-22 | 2021-11-22 | 显示面板和显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114122021A true CN114122021A (zh) | 2022-03-01 |
Family
ID=80439617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111389240.1A Pending CN114122021A (zh) | 2021-11-22 | 2021-11-22 | 显示面板和显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114122021A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023098264A1 (zh) * | 2021-12-02 | 2023-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
| WO2023169192A1 (zh) * | 2022-03-07 | 2023-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2021
- 2021-11-22 CN CN202111389240.1A patent/CN114122021A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023098264A1 (zh) * | 2021-12-02 | 2023-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
| WO2023169192A1 (zh) * | 2022-03-07 | 2023-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11437463B2 (en) | Display device | |
| US11194436B2 (en) | Touch display device with lines connecting touch electrodes next to a hole in the active area | |
| US10852897B2 (en) | Touch panel and touch display device | |
| CN112186019B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| KR20170127100A (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치 | |
| US11392234B2 (en) | Touch display device | |
| US20210004123A1 (en) | Touch Display Panel and Method for Preparing the Same | |
| KR20160149385A (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 | |
| US11106299B2 (en) | Touch display panel and touch display device | |
| CN114122021A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| US20230359295A1 (en) | Touch display device | |
| WO2022062879A1 (zh) | 触控基板及显示面板 | |
| US20240061524A1 (en) | Touch display device | |
| US20230289019A1 (en) | Touch display device | |
| US11861119B2 (en) | Display panel and method for manufacturing the same, and display apparatus | |
| KR20210058333A (ko) | 표시 장치 | |
| US11803283B2 (en) | Touch display device | |
| US11747931B2 (en) | Touch display device | |
| WO2022178817A1 (zh) | 触控结构、触控显示面板和显示装置 | |
| US11614828B2 (en) | Touch display device | |
| US11941212B2 (en) | Touch display device | |
| WO2023169192A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| KR20220106892A (ko) | 표시 장치 | |
| CN117204141A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN117596956A (zh) | 显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |