CN114115743A - 一种延长数据存储芯片寿命的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种延长数据存储芯片寿命的方法，涉及一种激光切割领域，包括如下步骤：(1)将存储芯片的存储空间分为256个组；(2)标记标记符；(3)判断存储空间内的数据的标记符是否为(2)中标记的标记符，直至将256组数据全部读完；(4)如果256组数据的标记符中没有该标识符则按顺序写入到存储区域；(5)存储芯片读出存储区域内的数据，并判断校验值是否写成功；(6)若没有写成功，则将当前的存储区域标识符擦除，并换下一个存储区域继续存储，并将下一存储区域的标记符写入。本发明中通过存储芯片空间拓展来延长存储芯片的使用寿命，将原芯片的使用寿命由277天延长至194年，大大延长了存储芯片的使用寿命。

Description

一种延长数据存储芯片寿命的方法
技术领域
本发明涉及一种激光切割领域，特别涉及一种延长数据存储芯片寿命的方法。
背景技术
随着智能激光切割头的兴起，目前国内市场针对智能激光切割头内部镜片都安装了温度传感器，实现实时对温度的读取。而温度参数需要以一定时间的间隔进行实时存储，以便在切割头出现高温报警或高温导致镜片烧毁时进行数据读取追溯分析。而这种情况下，数据存储的可靠性尤为关键。
存储芯片具有写入次数寿命限制，常规芯片只可写入100万次的写入寿命。而智能激光切割头数据要求每间隔1s进行一次数据写入。根据写入间隔以及工作时间进行计算得知切割头的数据存储达到100万次的操作寿命。假设设备每天工作时间为10小时，每1s进行一次数据组写入，循环写10组为一个数据记录块。这样每天的写入次数为10*360＝3600次。该存储芯片的寿命为1000000/3600＝277.8天。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种能够延长存储芯片存储寿命、降低成本的延长数据存储芯片寿命的方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种延长数据存储芯片寿命的方法，包括如下步骤：
(1)将存储芯片的存储空间分为256个组，分别为0x00、0x10、0x20、、、、、、0x1000；
(2)标记标记符；
(3)判断存储空间内的数据的标记符是否为(2)中标记的标记符，直至将256组数据全部读完；
(4)如果256组数据的标记符中没有该标识符则按顺序写入到存储区域；
(5)存储芯片读出存储区域内的数据，并判断校验值是否写成功；
(6)若没有写成功，则将当前的存储区域标识符擦除，并换下一个存储区域继续存储，并将下一存储区域的标记符写入。
进一步的是：所述存储芯片的存储空间中每个组具备8个字，其中4个字为传感器数据，另外4个字为对应的传感器采用时间。
进一步的是：所述存储空间存储的数据以16个字节为一组。
进一步的是：没有写成功包括因为存储区域块损坏和写入数据信号波动导致的存储失败。
进一步的是：所述存储芯片为EEPROM或Flash。
本发明的有益效果是：本发明中通过存储芯片空间拓展来延长存储芯片的使用寿命，将原芯片的使用寿命由277天延长至194年，大大延长了存储芯片的使用寿命，本发明数据结构简单易于程序开发移植，本发明可以同时对四组光学镜片进行温度检测，该实现方法为激光切割头数据黑匣子的核心组成部分，为后续激光切割头技术升级提供强有力的数据经验总结，从而助力产品品质进一步提升。
附图说明
图1为一种延长数据存储芯片寿命的方法的流程图；
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。
本申请的实施例提供了一种延长数据存储芯片寿命的方法，包括如下步骤：
(1)将存储芯片的存储空间分为256个组，分别为0x00、0x10、0x20、、、、、、0x1000；
(2)标记标记符；
(3)判断存储空间内的数据的标记符是否为(2)中标记的标记符，直至将256组数据全部读完；
(4)如果256组数据的标记符中没有该标识符则按顺序写入到存储区域；
(5)存储芯片读出存储区域内的数据，并判断校验值是否写成功；
(6)若没有写成功，则将当前的存储区域标识符擦除，并换下一个存储区域继续存储，并将下一存储区域的标记符写入。
所述标记符为标记的作用。
(5)中的判断校验值是通过存储芯片读与写比对然后进行校验。
本申请中的存储芯片用于存储激光切割头中镜片的温度。
在上述基础上，所述存储芯片的存储空间中每个组具备8个字，其中4个字为传感器数据，另外4个字为对应的传感器采用时间。
在上述基础上，所述存储空间存储的数据以16个字节为一组。
在上述基础上，没有写成功包括因为存储区域块损坏和写入数据信号波动导致的存储失败，不管是因为存储区域块损坏还是写入数据信号波动导致的存储失败，失败没有写成功就将当前的存储区域标识符擦除，并换下一个区域继续存储，并将下一区域标识符写入。
在上述基础上，所述存储芯片为EEPROM或Flash。
实施例：
刚上电后，针对0x00地址的起始存储空间判断存储的以16个字节为一组的数据的标志符是否是数据0x00a5，如果不是则读取下一组数据的起始地址0x00+0x10的数据是否为0x00a5，直至将256组全部读完。如果全部数据没有该标识符，将该标识符写入地址0x00空间。针对上面选定的存储区域进行写数据，然后再读出来判断校验值有没有写成功。不管是因为存储区域块损坏还是写入数据信号波动导致的存储失败，失败没有写成功就将当前的存储区域标识符擦除，并换下一个存储区域继续存储，并将下一存储区域标识符写入。如果失败就继续换存储区域，循环完256次后继续重头循环，直至所有区域分组都存在损坏区域，此时寿命写入次数将达到277.8*256＝71116.8天，接近194年，已完全满足产品寿命的要求。
刚上电时，起始存储空间为0x00，后面的存储空间依次为0x10、0x20、0x30，直至0x1000。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种延长数据存储芯片寿命的方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)将存储芯片的存储空间分为256个组；
(2)标记标记符；
(3)判断存储空间内的数据的标记符是否为(2)中标记的标记符，直至将256组数据全部读完；
(4)如果256组数据的标记符中没有该标识符则按顺序写入到存储区域；
(5)存储芯片读出存储区域内的数据，并判断校验值是否写成功；
(6)若没有写成功，则将当前的存储区域标识符擦除，并换下一个存储区域继续存储，并将下一存储区域的标记符写入。
2.如权利要求1所述的一种延长数据存储芯片寿命的方法，其特征在于：所述存储芯片的存储空间中每个组具备8个字，其中4个字为传感器数据，另外4个字为对应的传感器采用时间。
3.如权利要求1所述的一种延长数据存储芯片寿命的方法，其特征在于：所述存储空间存储的数据以16个字节为一组。
4.如权利要求1所述的一种延长数据存储芯片寿命的方法，其特征在于：没有写成功包括因为存储区域块损坏和写入数据信号波动导致的存储失败。
5.如权利要求1所述的一种延长数据存储芯片寿命的方法，其特征在于：所述存储芯片为EEPROM或Flash。
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