CN114115613A - 一种触控屏、触控定位方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种触控屏、触控定位方法及显示装置，其中触控屏包括：第一触控电极层，包括沿第一方向并排设置的多个第一触控电极组，且每个第一触控电极组包括沿第二方向间隔设置的多个第一触控电极；绝缘层，覆盖第一触控电极层一侧表面；第二触控电极层，位于绝缘层背离第一触控电极层一侧，包括沿第一方向并排设置的多个第二触控电极组，且每个第二触控电极组包括沿第二方向间隔设置的多个第二触控电极；其中部分第一触控电极在第二触控电极层上的正投影与对应位置处的第二触控电极相互重叠以形成互电容，所述对应位置处的第二触控电极与地形成自电容。通过上述方式，能够实现自电容与互电容触控技术的结合，提高触控性能。

Description

一种触控屏、触控定位方法及显示装置
技术领域
本申请涉及触控技术领域，特别是涉及一种触控屏、触控定位方法及显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触控屏已经广泛应用于诸如手机、笔记本电脑或平板电脑等显示装置中。一般而言，触控屏包括互电容式触控屏和自电容式触控屏。
然而，在现有技术中，互电容式触控屏在折叠、超薄电子产品上存在触控效果不佳、处理噪声效果不好等问题，导致电子设备的触控性能和灵敏度较低，影响用户体验。虽然自电容式触控屏能够有效避免上述问题，但是自电容式触控技术所采用的电极过多，且每一电极需要单独设置引线以连接至触控芯片上，导致对应触控芯片通道数较多，工艺难度较大，成本较高。
鉴于此，如何将自电容触控技术与互电容触控技术相结合成为本领域亟待解决的问题。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种触控屏、触控定位方法及显示装置，能够实现自电容触控技术与互电容触控技术的结合的同时，进一步提高触控屏的触控性能。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种触控屏，包括：第一触控电极层，包括沿第一方向并排设置的多个第一触控电极组，且每个所述第一触控电极组包括沿第二方向依次间隔设置的多个第一触控电极；其中，所述第一方向与所述第二方向交叉；绝缘层，覆盖所述第一触控电极层一侧表面；第二触控电极层，位于所述绝缘层背离所述第一触控电极层一侧，所述第二触控电极层包括沿所述第一方向并排设置的多个第二触控电极组，其中，每个所述第二触控电极组与每个所述第一触控电极组一一对应，设置于所述绝缘层背离每个所述第一触控电极组的一侧；且每个所述第二触控电极组包括沿所述第二方向依次间隔设置的多个第二触控电极；其中，部分所述第一触控电极在所述第二触控电极层上的正投影与对应位置处的所述第二触控电极相互重叠以形成互电容，所述对应位置处的所述第二触控电极与地形成自电容。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，包括如上述实施例中任一项所提及的触控屏。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种触控屏的触控定位方法，所述触控屏为上述实施例中任一项所提及的触控屏，所述触控定位方法包括：获得所述触控屏中每个位置处的当前电容值，其中，所述当前电容值为自电容值和互电容值；响应于所述触控屏中当前位置的自电容值相对其基础电容值的变化值大于阈值，根据当前位置的自电容变化值或者互电容变化值确定出触控点位置。
区别于现有技术的情况，本申请的有益效果是：在上述设计方式中，在绝缘层的两侧分别设置第一触控电极层和第二触控电极层，利用双层分组电极结构，使得第二触控电极既能与地形成自电容，又能与第一触控电极形成互电容，从而可以实现自电容触控技术与互电容触控技术的结合，在实现触控位置的有效判断的同时，进一步改善触控屏的触控性能，提高触控报点率和触控准确性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1是本申请触控屏一实施方式的侧视示意图；
图2是图1中第一触控电极层和第二触控电极层一实施方式的俯视示意图；
图3是图2中沿B-B剖线的剖视示意图；
图4是图2中第一触控电极组和第二触控电极组一实施方式的结构示意图；
图5是本申请触控屏又一实施方式的侧视示意图；
图6是图5中第一触控电极层和第二触控电极层又一实施方式的俯视示意图；
图7是图6中第一触控电极组和第二触控电极组一实施方式的结构示意图；
图8是本申请触控屏的触控定位方法一实施方式的流程示意图；
图9是本申请触控屏一实施方式对应的触控位置分布图；
图10是图9中触控屏中电容的分布示意图；
图11是本申请触控屏又一实施方式对应的触控位置分布图；
图12是图11中触控屏中电容的分布示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1是本申请触控屏一实施方式的侧视示意图，该触控屏包括绝缘层10、第一触控电极层20和第二触控电极层30。
请参阅图2，图2是图1中第一触控电极层和第二触控电极层一实施方式的俯视示意图。其中，第一触控电极层20包括沿第一方向X并排设置的多个第一触控电极组201，且每个第一触控电极组201包括沿第二方向Y依次间隔设置的多个第一触控电极2011；其中，上述第一方向X与第二方向Y交叉，可选地，在本实施例中，第一方向X与第二方向Y相互垂直，即各第一触控电极2011呈矩形阵列分布。示例性地，图2中第一触控电极层20中示意画出并排设置有4组第一触控电极组201，且每组第一触控电极组201中包括3个第一触控电极2011，即所有第一触控电极2011呈4*3矩形阵列分布。
请一并参阅图1和图2，绝缘层10覆盖于第一触控电极层20的一侧表面，可选地，在本实施例中，绝缘层10覆盖于第一触控电极层20的上表面，即此时第一触控电极层20位于绝缘层10的下方；且绝缘层10的材料可以包括氮化硅(SiNx)、聚酰亚胺(PI)等，此处不作具体限定。
第二触控电极层30位于绝缘层10背离第一触控电极层20的一侧，其包括沿第一方向X并排设置的多个第二触控电极组301，其中，每个第二触控电极组301与每个第一触控电极组201一一对应设置，且第二触控电极组301位于绝缘层10背离每个第一触控电极组201的一侧。每个第二触控电极组301包括沿第二方向Y依次间隔设置的多个第二触控电极3011，同样第二触控电极3011呈矩形阵列分布。示例性地，图2中第二触控电极层30中示意画出并排设置的4组第二触控电极组301，每一第二触控电极组301中包括2个第二触控电极3011，即所有第二触控电极3011呈4*2的矩形阵列分布。在本实施例中，第一触控电极组201的组数与第二触控电极组301的组数相同，且一个第一触控电极组201与一个第二触控电极组301对应。当然，在其他实施例中，两个触控电极组的组数也可以不同，本申请对此不作限定。
其中，第二触控电极3011与第一触控电极2011之间的位置关系如图1所示。部分第一触控电极2011在第二触控电极层30上的正投影与对应位置处的第二触控电极3011相互重叠，以形成互电容，而与第二触控电极3011形成互电容的部分第一触控电极2011以及第二触控电极3011分别与地(图未示)之间形成自电容。当然，在其他实施方式中，也可以在所有第一触控电极2011与系统地之间形成自电容，此处不作具体限定。
请继续参阅图1，在第二方向Y上，对于一组第一触控电极组201和第二触控电极组301而言，其形成了多个重复单元，且每个重复单元内包括依次排布的自电容点Cp1、互电容点Cm1和互电容点Cm2。通过上述实施方式，在绝缘层10的两侧分别设置第一触控电极层20和第二触控电极层30，利用双层分组电极结构，使得触控点处的第一触控电极2011既能与地形成自电容，又能与对应的第二触控电极3011形成互电容，从而可以实现自电容触控技术与互电容触控技术的结合，实现触控位置的有效判断，进一步改善触控屏的触控性能，提高触控报点率和触控准确性。
在一个实施方式中，请参阅图1和图2，在第二方向Y上，相邻两个第一触控电极2011对应一个第二触控电极3011，且第二触控电极3011在第一触控电极层20上的正投影覆盖相邻第一触控电极2011之间的间隙(未标示)以及位于间隙两侧的部分第一触控电极2011。具体地，第一触控电极2011与第二触控电极3011错位排布，且每一个第二触控电极3011跨接于两个第一触控电极2011的上方，分别与相邻的两个第一触控电极2011形成两个不同互电容。该设计方式可以使得相邻两个第一触控电极2011能够与同一个第二触控电极3011形成互电容，有利于减少电极数量，同时保证多点触控得以实现。
请继续参阅图1和图2，在一个实施方式中，由于位于第一触控电极组201中间的部分第一触控电极2011均跨接于两个第二触控电极3011上，分别与相邻的两个第二触控电极3011形成两个不同的互电容，则该部分第一触控电极2011在触控定位的判断过程中需要同时判断两个互电容值的变化情况，该触控定位过程较为繁琐，因此将该部分第一触控电极2011与地之间形成自电容Cp2，能够简化第一触控电极2011位置处的后续触控定位过程，提高触控定位的判断效率。
当然在其他实施方式，第一触控电极组201中的所有第一触控电极2011均可与地之间形成自电容，在后续触控定位过程中直接判断第一触控电极2011与地的自电容变化情况即可，此处不作具体限定。
请参阅图3和图4，图3是图2中沿B-B剖线的剖视示意图，图4是图2中第一触控电极组和第二触控电极组一实施方式的结构示意图。第一触控电极2011包括第一主体部2012和延伸部2013，且在第二方向Y上第一主体部2012的至少一侧连接延伸部2013。其中，相邻两个第一触控电极2011的两个第一主体部2012在第二触控电极层30上的正投影从对应第二触控电极3011的位置处露出，相邻两个延伸部2013的至少部分在第二触控电极层30上的正投影位于第二触控电极3011内。例如，在本实施例中，如图4中所示，在第二方向Y上，位于第一触控电极组201两端的第一触控电极2011仅在靠近第二触控电极3011的一侧连接有一个延伸部2013，而介于两个第二触控电极3011之间的第一触控电极2011的两侧均具有延伸部2013以与第二触控电极3011形成互电容。上述设计方式能够充分利用双层分组电极的优势，利用其中一单层的触控电极延长出分支，并与另一层的触控电极投影重叠，进而实现不同电极之间的耦合互容。
可选地，相邻两个延伸部2013的至少部分在第二触控电极层30上的正投影与第二触控电极3011相重叠以形成两个不同的互电容Cm1和Cm2，第一主体部2012与地形成自电容Cp3。可选地，如图4所示，在垂直于第二方向Y上，第一主体部2012的宽度大于延伸部2013的宽度。由于电极本身的基础电容值与自身面积相关，为了尽量减小延伸部2013的面积对第一主体部2012的电容值造成的影响，延伸部2013的面积越小越好。因此，延伸部2013的宽度值越小，第一触控电极2011的电容值更接近于其第一主体部2012的电容值。当然，在其他实施方式中，第一主体部2012的宽度可以与延伸部2013的宽度相同，只要延伸部2013能够与第二触控电极3011形成耦合互容即可。
在一实施方式中，请继续参阅图3和图4，在第二方向Y上，第二触控电极3011包括两个第二主体部3012以及连接于相邻两个第二主体部3012之间的连接部3013；其中，相邻两个第一触控电极2011的相邻两个延伸部2013在第二触控电极层30上的正投影分别位于对应位置处的两个第二主体部3012内；即相邻两个第一触控电极2011的相邻两个延伸部2013中的一个延伸部2013与第二触控电极3011中的一个第二主体部3012对应以形成互电容，相邻两个第一触控电极2011的相邻两个延伸部2013中的另一个延伸部2013与第二触控电极3011中的另一个第二主体部3012对应以形成互电容。上述设计方式利用连接部3013将两个第二主体部3012相短接，短接的两个第二主体部3012在电路连接中共用一条引线，有效减少电极引线数量，提高良率。
当然，在其他实施方式中，第二触控电极3011还可以包括多个第二主体部3012以及连接多个第二主体部3012且设于相邻第二主体部3012之间的连接部3013，此处对第二主体部3012的数量不作具体限制。
可选地，在垂直于第二方向上，连接部3013的宽度小于第二主体部3012的宽度。为了使得第二触控电极3011的自电容值尽可能接近于两个第二主体部3012的自电容值，连接部3013的宽度越小越好。因此，上述设计方式能够减小连接部3013对第二主体部3012的自电容值造成的影响。当然，在其他实施方式中，连接部3013的宽度还可以与第二主体部3012的宽度相同，只要能够实现两个主体部3012的短接即可。
请再次参阅图2，触控屏还包括多个引线40和触控芯片50，引线40用于实现触控电极与触控芯片50电连接，触控芯片50用于进行触摸检测，其在触摸检测时，根据触摸前后电容的变化，分别确定横向坐标和纵向坐标，然后组合成平面的触摸坐标，从而测出触摸位置。其中，在第二方向Y上，一个第一触控电极2011对应地通过一根引线40连接至触控芯片50上，一个第二触控电极3011对应地通过一个引线40连接至触控芯片50上。上述设计方法可以实现触控电极与触控芯片间的电连接，为触控定位功能的实现提供技术支持。
在又一实施方式中，请一并参图5和图6，其中，图5是本申请触控屏又一实施方式的侧视示意图，图6是图5中第一触控电极层和第二触控电极层又一实施方式的俯视示意图。在第二方向Y上，第二触控电极3011包括两个间隔设置的第二主体部3012以及用于连接两个第二主体部3012之间的连接部3013，其中，连接部3013跨设于一个第一触控电极2011的一侧，将间隔设置的两个第二主体部3012相连接，在本实施方式中，连接部3013可以设置为金属引线，利用金属引线连接两个第二主体部3012；相邻两个第一触控电极2011中的一个第一触控电极2011的部分区域对应第二触控电极3011中的一个第二主体部3012，且第一触控电极2011的部分区域在第二触控电极层30上的正投影与对应位置处的第二主体部3012相重叠以形成互电容Cm1和Cm2，对应位置处的第二主体部3012与地形成自电容Cp1和Cp2。在第二方向Y上，对于一组第一触控电极组201和第二触控电极组301而言，其形成了多个重复单元，且每个重复单元内包括依次排布的自电容点和互电容点，具体而言，第一触控电极2011的部分区域与对应位置处的第二主体部3012相重叠形成互电容Cm1和Cm2，对应位置处的第二主体部3012与地形成自电容Cp1和Cp2，第一触控电极2011与地形成自电容Cp3。通过上述设计方式，利用双层分组电极的设计结构，使得部分第一触控电极2011中的部分区域与第二触控电极3011耦合形成互电容，第一触控电极2011及第二触控电极3011均与地形成自电容，将自电容触控技术与互电容触控技术二者相结合，实现触控位置的有效判断，进一步改善触控屏的触控性能，提高触控报点率和触控准确性。
请参阅图7，图7是图6中第一触控电极组和第二触控电极组一实施方式的结构示意图。在第二方向Y上，第一触控电极2011包括第一主体部2012，且部分第一主体部2012的至少一侧连接有延伸部2013。在本实施例中，在第一触控电极组201两端的两个第一触控电极2011仅在靠近第二触控电极3011的一侧连接有延伸部2013，而介于两个第二触控电极3011之间的第一触控电极2011的两侧均设置有延伸部2013或者均未设置延伸部2013，且设置有延伸部2013的第一触控电极2011与未设置延伸部2013的第一触控电极2011交替设置。另外，第二触控电极3011在第一触控电极层20上的正投影覆盖部分延伸部2013，在第二方向Y上，延伸部2013覆盖区域的长度小于第二触控电极3011的长度，避免延伸部2013与其他电极耦合互容，影响触控效果。具体而言，部分延伸部2013在第二触控电极层30上的正投影与第二触控电极3011相重叠以形成互电容Cm1和Cm2，而第一主体部2012与地之间形成自电容Cp3。上述实施方式能够充分利用双层分组电极的优势，有利于触控电极延长出分支，进而实现不同电极之间的耦合互容。
可选地，在本实施例中，如图7所示，在垂直于第二方向Y上，第一主体部2012的宽度大于延伸部2013的宽度。由于电极本身的基础电容值与自身面积相关，为了尽量减小延伸部2013的面积对电极第一主体部2012的电容值造成的影响，延伸部2013的面积越小越好。因此，延伸部2013的宽度值越小，第一触控电极2011的电容值更接近于其第一主体部2012的电容值。当然，在其他实施方式中，第一主体部2012的宽度可以与延伸部2013的宽度相同，只要延伸部2013能够与第二触控电极3011形成耦合互容即可。
在本实施例中，请参阅图6，触控屏还包括多个引线40和触控芯片50，其中，在第二方向Y上，至少部分相邻两个第一触控电极2011对应地通过同一引线40连接至触控芯片50，至少部分相邻两个第二触控电极3011对应地通过同一引线40连接至触控芯片50。在本实施例中，两个第二触控电极3011通过引线实现电极短接，且连接两个第二触控电极3011的引线40与第二触控电极3011的导电材料相同，可以由ITO薄膜制成。上述设计方法不但可以实现触控电极与触控芯片间的电连接，而且两个第一触控电极2011共用同一引线，能够将进一步减少触控屏中的引线数量，改善触控性能，提高产品良率。
基于同一发明构思，本申请还提供了一种显示装置，包括上任一实施例中所提及的触控屏，该显示装置可以为手机、平板电脑、数码相机、笔记本电脑、导航仪等等具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述触控屏的实施例，此处不再赘述。
本发明实施例提供的上述触控屏中，由于既存在自电容电极又存在互电容电极，因此，触控的自电容电极或者互电容电极位置的不同导致实现触摸位置定位的原理不同。基于此，本申请实施例还提供了一种上述触控屏的触控定位方法。请参阅图8，图8是本申请触控屏的触控定位方法一实施方式的流程示意图。上述触控定位方法具体包括：
S101：获得触控屏中每个位置处的当前电容值，其中，当前电容值为自电容值和互电容值。
具体地，自电容值是指电极与接地点(GND)之间形成的自容电极的电容值，互电容值是指触控屏中两个触控电极之间形成的耦合电容的电容值。触控芯片按一定频率不断向触控屏中的触控电极发送检测信号，同时能够接收每个触控电极的反馈信号，分析获得每个触控位置的当前电容值。
S102：响应于触控屏中当前位置的自电容值相对其基础电容值的变化值大于阈值，根据当前位置的自电容变化值或者所述当前位置及与其相邻的其余位置的互电容变化值确定出触控点位置。
具体地，在上述步骤S102之前还包括获得当前触控位置的自电容变化值，判断自电容变化值是否大于预设阈值，若是，则进行后续触控位置的判断过程。在触控位置的判断过程中，优先获取触控位置处的自电容变化值，根据自电容变化值的大小确定出触控点位置；针对多个触控位置出现获取的自电容变化值相同的情况，则根据当前触控位置及其相邻其余位置的互电容变化值确定出触控点位置。
通过上述设计方式，能够利用上述实施例中的触控屏实现触控位置的定位和报点，将自电容触控技术和互电容触控技术二者相结合，可以有效提高触控报点率和触控位置的判断准确性。
下面以图1和图2所示结构的触控屏为例，通过具体的实施例来说明本申请实施例提供的上述触控定位方法。
具体地，请参阅图9和图10，图9是本申请触控屏一实施方式对应的触控位置分布图，图10是图9中触控屏中电容的分布示意图。图9中第一触控电极层的电极以A表示，第二触控电极层的电极以B表示，x表示在俯视图上各电极所在的行数(x＝1，2，3，4)，y表示所在的列数(y＝1，2…，7)，各触控电极所在的位置分别表示为Axy或者Bxy。图10中示出触屏中一组第一触控电极组和第二触控电极组中各电极之间的电容分布情况，对于触控位置B42来说，触控位置B42对应的第二触控电极与触控位置A41对应的第一触控电极之间形成耦合互电容Cm1，同时其与接地点形成自电容Cp1；对于触控位置B43来说，触控位置B43对应的第二触控电极与触控位置A44对应的第一触控电极之间形成耦合互电容Cm2，同时其与接地点形成自电容Cp2；对于触控位置A44来说，触控位置A44对应的第一触控电极与接地点形成自电容Cp3。
当触控屏上第一触控电极层中的其中一个第一触控电极所在的位置有触摸时，如图10所示的触控位置A44，该位置处由于手指耦合造成对应位置处的触控电极的自电容值发生变化，则获取当前位置的自电容变化值△Cp3，并根据△Cp3的大小获取触控位置并实现报点。
当触控屏上第二触控电极层中的其中一个第二触控电极所在的位置有触摸时，如图10所示的触控位置B42，则获取当前位置的互电容变化值△Cp1以及与当前位置相邻的其余位置的互电容变化值，比较互电容变化值的大小，将互电容变化值最大的对应位置确定为最终的触控点位置。
当触控屏上第二触控电极层中的两个第二触控电极所在的位置均有触摸时，如图10所示的位置B42和B43，该位置处同样由于手指耦合造成对应位置处的触控电极的自电容值发生变化，但是由于触控位置B42和B43处的第二触控电极短接，对应位置处的电极与地面之间的自电容值变化值△Cp1和△Cp2相等，因此无法根据自电容变化值确定触控位置。响应于自电容变化值△Cp1和△Cp2相等，则比较两个位置不同的互电容变化值，即获取由于手指耦合所造成的互电容Cm1的变化值△Cm1以及互电容Cm2的变化值△Cm2，根据互电容变化值△Cm1和△Cm2的大小来判断触控位置以及是否需要报点。
下面以图6和图7所示结构的触控屏为例，通过具体的实施例来说明本申请实施例提供的上述触控定位方法。
具体地，请参阅图11和图12，图11是本申请触控屏又一实施方式对应的触控位置分布图，图12是图11中触控屏中电容的分布示意图。图11中第一触控电极层的电极以A表示，第二触控电极层的电极以B表示，x表示在俯视图上各电极所在的行数(x＝1，2，3，4)，y表示所在的列数(y＝1，2…，9)，各触控电极所在的位置分别表示为Axy或者Bxy。图12中示出触屏中一组第一触控电极组和第二触控电极组中各电极之间的电容分布情况，对于触控位置B42来说，触控位置B42对应的第二触控电极与触控位置A41对应的第一触控电极之间形成耦合互电容Cm1，同时其与接地点形成自电容Cp1；对于触控位置B44来说，触控位置B44对应的第二触控电极与触控位置A45对应的第一触控电极形成耦合互电容Cm2，同时其与接地点形成自电容Cp2；对于触控位置A43来说，触控位置A43对应的第一触控电极与接地点形成自电容Cp3。
当触控屏上第一触控电极层中的其中一个第一触控电极所在的位置有触摸时，如图12所示的位置A43，该位置处由于手指耦合造成对应位置处的触控电极的自电容值发生变化，则获取当前位置的自电容变化值△Cp3，并根据自电容变化值△Cp3的大小获取触控位置并实现报点。
当触控屏上第二触控电极层中的其中一个第二触控电极所在的位置有触摸时，如图12所示的触控位置B42，则获取当前位置的互电容变化值△Cp1以及与当前位置相邻的其余位置的互电容变化值，比较互电容变化值的大小，将其中互电容变化值最大的对应位置确定为最终的触控点位置。
当触控屏上第二触控电极层中的两个第二触控电极所在的位置均有触摸时，如图12所示的触控位置B42和B44，该位置处同样由于手指耦合造成对应位置处的触控电极的自电容值发生变化，但是由于触控位置B42和B44处的第二触控电极短接，对应位置处的电极与地面之间的自电容值变化值△Cp1和△Cp2相等，因此无法根据自电容变化值确定触控位置。响应于自电容变化值△Cp1和△Cp2相等，则比较两个位置不同的互电容变化值，即获取由于手指耦合所造成的互电容Cm1的变化值△Cm1以及互电容Cm2的变化值△Cm2，根据互电容变化值△Cm1和△Cm2的大小来判断触控位置以及是否需要报点。
上述实施例中只是就几种触摸点位置的情况说明本申请实施例提供的触控定位方法，从上述实施例中可以看出，本申请实施例提供的触控方法可以实现单点触控，也可以实现多点触控。
进一步地，对于触控位置位于不同组别触控电极组的触控屏的触控方法与上述实施例原理相同，此处不再赘述。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种触控屏，其特征在于，包括：
第一触控电极层，包括沿第一方向并排设置的多个第一触控电极组，且每个所述第一触控电极组包括沿第二方向依次间隔设置的多个第一触控电极；其中，所述第一方向与所述第二方向交叉；
绝缘层，覆盖所述第一触控电极层一侧表面；
第二触控电极层，位于所述绝缘层背离所述第一触控电极层一侧，所述第二触控电极层包括沿所述第一方向并排设置的多个第二触控电极组，其中，每个所述第二触控电极组与每个所述第一触控电极组一一对应，且每个所述第二触控电极组设置于所述绝缘层背离每个所述第一触控电极组的一侧；每个所述第二触控电极组包括沿所述第二方向依次间隔设置的多个第二触控电极；
其中，部分所述第一触控电极在所述第二触控电极层上的正投影与对应位置处的所述第二触控电极相互重叠以形成互电容，所述对应位置处的所述第二触控电极与地形成自电容。
2.根据权利要求1所述的触控屏，其特征在于，
在所述第二方向上，相邻两个所述第一触控电极对应一个所述第二触控电极，且所述第二触控电极在所述第一触控电极层上的正投影覆盖相邻所述第一触控电极之间的间隙以及位于所述间隙两侧的部分所述第一触控电极；
优选的，位于所述间隙两侧的部分所述第一触控电极在所述第二触控电极层上的正投影与对应位置处的一个所述第二触控电极相互重叠以形成互电容，所述对应位置处的所述第二触控电极与地形成自电容。
3.根据权利要求2所述的触控屏，其特征在于，
所述触控屏还包括多个引线和触控芯片；在所述第二方向上，一个所述第一触控电极对应地通过一个所述引线连接至所述触控芯片，一个所述第二触控电极对应地通过一个所述引线连接至所述触控芯片。
4.根据权利要求2所述的触控屏，其特征在于，
所述第一触控电极包括第一主体部和延伸部，且在所述第二方向上所述第一主体部连接所述延伸部；
其中，相邻两个所述第一主体部在所述第二触控电极层上的正投影从对应所述第二触控电极的位置处中露出，相邻两个所述延伸部的至少部分在所述第二触控电极层上的正投影位于所述第二触控电极内；
优选的，相邻两个所述延伸部的至少部分在所述第二触控电极层上的正投影与所述第二触控电极相重叠以形成互电容，所述第一主体部与地形成自电容。
5.根据权利要求4所述的触控屏，其特征在于，
在所述第二方向上，所述第二触控电极包括多个第二主体部以及连接多个所述第二主体部且设于相邻所述第二主体部之间的连接部；其中，相邻两个所述延伸部在所述第二触控电极层上的正投影分别位于对应的相邻两个所述第二主体部之间；
优选的，所述第二主体部在所述第一触控电极层上的正投影与相邻两个所述延伸部相重叠以形成互电容，所述第二主体部与地形成自电容。
6.根据权利要求5所述的触控屏，其特征在于，在垂直于所述第二方向上，所述第一主体部的宽度大于所述延伸部的宽度；和/或；在垂直于所述第二方向上，所述连接部的宽度小于所述第二主体部的宽度。
7.根据权利要求1所述的触控屏，其特征在于，
在所述第二方向上，相邻两个所述第一触控电极对应一个所述第二触控电极，且所述第二触控电极在所述第一触控电极层上的正投影仅对应地覆盖相邻两个所述第一触控电极中的一个所述第一触控电极的部分区域；
优选的，所述第一触控电极的部分区域在所述第二触控电极层上的正投影与对应位置处的所述第二触控电极相重叠以形成互电容，所述对应位置处的所述第二触控电极与地形成自电容。
8.根据权利要求7所述的触控屏，其特征在于，
在所述第二方向上，所述第一触控电极包括第一主体部，且部分所述第一触控电极的所述第一主体部的至少一侧连接有延伸部；
其中，设置有所述延伸部的所述第一触控电极与未设置所述延伸部的所述第一触控电极交替设置，且所述第二触控电极在所述第一触控电极层上的正投影覆盖部分所述延伸部；
优选的，部分所述延伸部在所述第二触控电极层上的正投影与所述第二触控电极相重叠以形成互电容，所述第一主体部与地形成自电容。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的触控屏。
10.一种触控屏的触控定位方法，其特征在于，所述触控屏为权利要求1-8中任一项所述的触控屏，所述触控定位方法包括：
获得所述触控屏中每个位置处的当前电容值，其中，所述当前电容值为自电容值和互电容值；
响应于所述触控屏中当前位置的自电容值相对其基础电容值的变化值大于阈值，根据当前位置的自电容变化值或者所述当前位置及与其相邻的其余位置的互电容变化值确定出触控点位置。
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