CN114114486A - 一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法 - Google Patents

一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114114486A
CN114114486A CN202111423638.2A CN202111423638A CN114114486A CN 114114486 A CN114114486 A CN 114114486A CN 202111423638 A CN202111423638 A CN 202111423638A CN 114114486 A CN114114486 A CN 114114486A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
molybdenum oxide
wavefront
polariton
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111423638.2A
Other languages
English (en)
Inventor
戴庆
胡海
腾汉超
陈娜
曲云鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Center for Nanosccience and Technology China
Original Assignee
National Center for Nanosccience and Technology China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Center for Nanosccience and Technology China filed Critical National Center for Nanosccience and Technology China
Priority to CN202111423638.2A priority Critical patent/CN114114486A/zh
Publication of CN114114486A publication Critical patent/CN114114486A/zh
Priority to PCT/CN2022/101386 priority patent/WO2023093032A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/008—Surface plasmon devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法属于石墨烯氧化钼异质结技术领域。包括自上而下依次设置的石墨烯覆盖层、氧化钼薄层和衬底层，所述石墨烯覆盖层上设置有金属天线，本发明依靠化学掺杂或者电学栅压动态调控石墨烯的载流子浓度，从而实现异质结构中激发的双曲声子极化激元和等离激元杂化模式波前形状的动态调控以及拓扑转变。依靠改变载流子浓度的手段实现了动态调控石墨烯氧化钼异质结杂化激元的波前形状，所述方法简单易行，调控手段灵活精确。

Description

一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法
技术领域
本发明涉及石墨烯氧化钼异质结技术领域，更具体的说是一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法并涉及石墨烯氧化钼异质结器件及其制备方法。
背景技术
在凝聚态物理中，材料能带费米面的形状改变(拓扑变化)直接影响材料的电学性能，从而导致超导、拓扑绝缘体等一系列新颖的物理现象的出现。因此，材料的拓扑相变一直是学术界的研究热点。相对于电子体系的拓扑相变，光学领域的拓扑相变手段较为缺乏。近期随着光学转角体系拓扑相变研究的兴起，其对光子的调控提供了一个全新的维度，对光学成像，光子集成以及量子光学产生重要的影响。
不同于石墨烯与氮化硼等二维材料，氧化钼是一种双轴各向异性材料。在红外波段内其面内等频线是双曲形状，可以产生的双曲波前的声子极化激元，实现光沿在某一特殊方向传播，同时抑制垂直方向的极化波传输。因此，具有明显的传播各向异性以及低损耗的特性。目前，利用双曲声子激元可以实现平面内的纳米聚焦，负折射，超透镜等多方面的应用，因而在平面光学中控制与调控光领域具有重要的应用。
杂化激元是研究不同极化激元模式(包括等离激元，声子激元，激子激元以及磁子激元等)相互耦合的一种新模式。相比于单一的激元模式，杂化激元模式融合了不同激元模式的优点。在石墨烯氧化钼异质结构中，可以激发石墨烯的等离激元与氧化钼的声子极化激元进行杂化。这种杂化激元融合了等离激元载流子可调的性能以及声子激元低损耗的优点，在光调控领域具有较为广阔的应用价值。
对于极化激元传输波前的调控一直以来都是微纳光学领最为重要的研究方向之一。在现有技术中，依靠构造超材料或者是使用双层氧化钼转角可以实现极化激元波前的拓扑转变。但是，其波前形状由双层氧化钼转角的结构相对确定，无法实现在特定频率下动态连续调控极化激元的波前形状。另一方面，利用超材料会引入巨大的损耗，不利于平面内波的传输。
为了解决上述问题，如何提供一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法，该器件石墨烯氧化钼异质结平面光学器件依靠改变载流子浓度从而实现动态连续调控极化激元波前形状，并且实现由开口的双曲波前面到闭合的椭圆波前面的转化。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件，该器件包括：
自上而下依次设置的石墨烯覆盖层、氧化钼薄层和衬底层，所述石墨烯覆盖层上设置有金属天线；
优选的，所述金属天线的几何尺寸为10nm-30um，厚度20nm-5um。
更优的，所述金属天线的材料为自铁、铝、铜、金、银、铂、钢；
更优的，所述金属天线的形状为棒状、长方体，椭圆体等。
优选的，所述氧化钼薄层的几何尺寸为1um-50um，厚度为10nm-1um。
优选的，所述石墨烯覆盖层通过费米能级变化实现，所述费米能级变化通过化学掺杂以及电学栅压调控。
优选的，所述电学栅压调控通过底栅结构以及顶栅结构实现，其中，施加的偏压0-100V，调控石墨烯载流子浓度为0-1×1014cm-2；所述化学掺杂通过引入气体以及固体材料与石墨烯功函数差别进行石墨烯费米能级调控。
优选的，所述衬底层包括依次设置的二氧化硅衬底以及设置在所述二氧化硅衬底上部的金衬底；所述金衬底上部设置所述氧化钼薄层；
所选用入射的电磁波集中在红外区域，所述区域主要波数为545-1200cm-1。
更优的，所述衬底层的材料包括任意平整的金属材料、无机介电材料和有机高分子材料等。
更优的，金属材料包括金、银、铜、铁、铝；所述无机介电材料选自二氧化硅、硅、石英、蓝宝石、锗、氧化铝、氮化硼、氟化钙、氟化镁、砷化镓、氮化镓；所述有机高分子材料衬底选自PET、PMMA、PDMS和塑料等。
另一方面，本发明还提供了一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件的制备方法，包括如下步骤：
S100：制备氧化钼薄层；
S200：制作金属天线；
S300：制备衬底层，将样品氧化钼置于所述衬底层上；
S400：制备单层石墨烯，并将石墨烯转移到氧化钼上，制备上层介质层和转移金属电极形成底栅结构；
S500：制备金属天线于石墨烯上，选择水平偏振光入射到金属天线上，激发异质结中双曲声子激元和等离激元杂化模式；
S600：改变化学掺杂或者电学栅压大小，调控石墨烯载流子浓度，得到不同形状的极化激元波前。
经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明公开提供了一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法，具体说是一种载流子诱导石墨烯氧化钼异质结中杂化激元波前拓扑变化的调控器件及其制备方法。通过改变化学掺杂或者电学栅压大小，动态调控石墨烯载流子浓度，实现异质结构中激发的双曲声子激元和等离激元杂化模式波前形状的动态调控。具体有益效果如下：
(1)通过改变化学掺杂或者电学栅压大小，动态调节石墨烯载流子浓度，实现杂化激元的波前形状动态调控—由开口的双曲波前面到闭合的椭圆波前面的转化；
(2)结合了石墨烯等离激元以及声子极化激元的优点，实现了动态调控，低损耗的传播；
(3)所提供的器件可以应用于平面光学领域，器件小型化易于集成；
(4)通过选用的石墨烯与氧化钼，避免了构造人工超材料加工引入的缺陷所带来的损耗。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的电压调控石墨烯氧化钼异质结器件结构示意图；
图2为本实施例1提供的石墨烯氧化钼异质结器件制备方法流程图；
图3(a)为实施例2提供的金衬底下0.1eV费米能级情况下杂化激元波前的实验图；
图3(b)为本实施例2提供的图3(a)的傅里叶变换效果图；
图3(c)为本实施例2提供的金衬底下0.7eV费米能级情况下杂化激元波前的实验图；
图3(d)为本实施例2提供的图3(c)的傅里叶变换效果图；
图4(a)为本实施例2提供的二氧化硅衬底下0费米能级情况下杂化激元波前的模拟图；
图4(b)为本实施例2提供的二氧化硅衬底下0.9费米能级情况下杂化激元波前的模拟图；
图4(c)为本实施例2提供的金衬底下0费米能级情况下杂化激元波前的模拟图；
图4(d)为本实施例2提供的金衬底下0.9费米能级情况下杂化激元波前的模拟图；
图5(a)为本实施例2提供的0.1费米能级下x方向的色散图；
图5(b)为本实施例2提供的0.5费米能级下x方向的色散图；
图5(c)为本实施例2提供的0.1费米能级下y方向的色散图；
图5(d)为本实施例2提供的0.5费米能级下y方向的色散图；
图6(a)为本实施例2提供的0.3eV下不同频率下石墨烯氧化钼异质结杂化激元波前的实验图像；
图6(b)为本实施例2提供的0.4eV下不同频率下石墨烯氧化钼异质结杂化激元波前的实验图像。
在附图1中，100-二氧化硅衬底、101-金衬底、102-氧化钼薄层、103-金属天线、104-中红外散射型扫描近场光学显微镜针尖、105-红外光束、106-石墨烯覆盖层，107-底栅结构。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
参见附图1所示，本发明实施例1公开了一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件，该器件包括：
自上而下依次设置的石墨烯覆盖层106、氧化钼薄层102和二氧化硅衬底100以及设置在二氧化硅衬底上部的金衬底101，金衬底101上部设置氧化钼薄层102，石墨烯覆盖层106上设置有金属天线103、底栅结构107；
具体的，金属天线103设置有中红外散射型扫描近场光学显微镜针尖104，通过中红外散射型扫描近场光学显微镜针尖104的散射光激发等离激元。
具体的，还具有红外光束105，该红外光束105来自于仪器中的量子级联激光器QCM，具体仪器可以采用商业的仪器SNOM。
在一个具体实施例中，金属天线103的几何尺寸为10nm-30um，厚度20nm-5um。
具体的，金属天线103的材料为自铁、铝、铜、金、银、铂、钢；
具体的，金属天线103的形状为棒状、长方体，椭圆体等。
在一个具体实施例中，氧化钼薄层102的几何尺寸为1um-50um，厚度为10nm-1um。
在一个具体实施例中，石墨烯覆盖层106通过费米能级变化实现，费米能级变化通过化学掺杂以及电学栅压调控。
具体的，还包括顶栅结构，底栅结构为离子凝胶结构置于石墨烯上表面，结构与底栅类似，其中，施加的偏压0-100V，调控石墨烯载流子浓度为0-1×1014cm-2。
在一个具体实施例中，电学栅压调控通过底栅结构107以及顶栅结构实现，其中，施加的偏压0-100V，调控石墨烯载流子浓度为0-1×1014cm-2；所述化学掺杂通过引入气体以及固体材料与石墨烯功函数差别进行石墨烯费米能级调控。
在一个具体实施例中，二氧化硅衬底100以及金衬底101的材料包括任意平整的金属材料、无机介电材料和有机高分子材料等。
具体的，金属材料包括金、银、铜、铁、铝；无机介电材料选自二氧化硅、硅、石英、蓝宝石、锗、氧化铝、氮化硼、氟化钙、氟化镁、砷化镓、氮化镓；有机高分子材料衬底选自PET、PMMA、PDMS和塑料等。
具体的，所选用入射的电磁波集中在红外区域，区域主要波数为545-1200cm-1。
参见附图2所示，另一方面，本发明实施例1还公开了一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件的制备方法，包括如下步骤：
S100：制备氧化钼薄层；
S200：制作金属天线；
S300：制备衬底层，将样品氧化钼置于衬底层上；
S400：制备单层石墨烯，并将石墨烯转移到氧化钼上，制备上层介质层和转移金属电极形成底栅结构；
S500：制备金属天线于石墨烯上，选择水平偏振光入射到金属天线上，激发异质结中双曲声子激元和等离激元杂化模式；
S600：改变化学掺杂或者电学栅压大小，调控石墨烯载流子浓度，得到不同形状的极化激元波前。
经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明公开提供了一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法，具体说是一种载流子诱导石墨烯氧化钼异质结中杂化激元波前拓扑变化的调控器件及其制备方法。通过改变化学掺杂或者电学栅压大小，动态调控石墨烯载流子浓度，实现异质结构中激发的双曲声子激元和等离激元杂化模式波前形状的动态调控。具体有益效果如下：
(1)通过改变化学掺杂或者电学栅压大小，动态调节石墨烯载流子浓度，实现杂化激元的波前形状动态调控—由开口的双曲波前面到闭合的椭圆波前面的转化；
(2)结合了石墨烯等离激元以及声子极化激元的优点，实现了动态调控，低损耗的传播；
(3)所提供的器件可以应用于平面光学领域，器件小型化易于集成；
(4)通过选用的石墨烯与氧化钼，避免了构造人工超材料加工引入的缺陷所带来的损耗。
实施例2
参见附图3所示，在入射波数为910cm-1下，载流子诱导下石墨烯在0.1,0.7费米能级情况下杂化激元波前的实验图。由附图3a和附图3c实验图可以明显看到杂化激元的波前形状由双曲到椭圆的变化，另外，通过附图3b以及附图3d的傅里叶变换图，在倒空间进一步验证了载流子诱导石墨烯氧化钼异质结杂化激元波前拓扑变化。
参见附图4所示，附图4(a)-附图4(b)分别代表二氧化硅衬底下0eV、0.9eV费米能级情况下杂化激元波前的模拟图；附图4(c)-附图4(d)分别代表金衬底下0eV、0.9eV费米能级情况下杂化激元波前的模拟图；可以看出通过显示仿真模拟不同偏压下造成不同石墨烯载流子浓度变化，从而实现石墨烯氧化钼异质结杂化激元波前拓扑转变的模拟图。
参见附图5所示，附图5(a)-附图5(b)显示了0.1eV及0.5eV费米能级下x方向的色散图。附图5(c)-附图5(d)显示了0.1eV及0.5eV费米能级下y方向的色散图。可以明显看到，随着石墨烯载流子浓度的增加，y方向出现没有波矢到有波矢的拓扑转变。
参见附图6(a)-附图6(b)，附图6(a)显示了0.3eV下不同频率下石墨烯氧化钼异质结杂化激元波前的实验图像。附图6(b)显示了0.4eV下不同频率下石墨烯氧化钼异质结杂化激元波前的实验图像。可以明显看到，不同入射频率下依然可以激发石墨烯氧化钼异质结杂化激元，从而体现该器件的宽光谱性。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (7)

1.一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件，其特征在于，该器件包括：
自上而下依次设置的石墨烯覆盖层、氧化钼薄层和衬底层，所述石墨烯覆盖层上设置有金属天线。
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件，其特征在于，所述金属天线的几何尺寸为10nm-30um，厚度20nm-5um。
3.根据权利要求1所述的一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件，其特征在于，所述氧化钼薄层的几何尺寸为1um-50um，厚度为10nm-1um。
4.根据权利要求1所述的一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件，其特征在于，所述石墨烯覆盖层通过费米能级变化实现，所述费米能级变化通过化学掺杂以及电学栅压调控。
5.根据权利要求4所述的一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件，其特征在于，所述电学栅压调控通过底栅结构以及顶栅结构实现，其中，施加的偏压0-100V，调控石墨烯载流子浓度为0-1×1014cm-2；所述化学掺杂通过引入气体以及固体材料与石墨烯功函数差别进行石墨烯费米能级调控。
6.根据权利要求1所述的一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件，其特征在于，所述衬底层包括依次设置的二氧化硅衬底以及金衬底；所述金衬底上部设置所述氧化钼薄层；
所选用入射的电磁波集中在红外区域，所述区域主要波数为545-1200cm-1。
7.一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S100：制备氧化钼薄层；
S200：制作金属天线；
S300：制备衬底层，将样品氧化钼置于所述衬底层上；
S400：制备单层石墨烯，并将石墨烯转移到氧化钼上，制备上层介质层和转移金属电极形成底栅结构；
S500：制备金属天线于石墨烯上，选择水平偏振光入射到金属天线上，激发异质结中双曲声子激元和等离激元杂化模式；
S600：改变化学掺杂或者电学栅压大小，调控石墨烯载流子浓度，得到不同形状的极化激元波前。
CN202111423638.2A 2021-11-26 2021-11-26 一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法 Pending CN114114486A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111423638.2A CN114114486A (zh) 2021-11-26 2021-11-26 一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法
PCT/CN2022/101386 WO2023093032A1 (zh) 2021-11-26 2022-06-27 一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111423638.2A CN114114486A (zh) 2021-11-26 2021-11-26 一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114114486A true CN114114486A (zh) 2022-03-01

Family

ID=80370235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111423638.2A Pending CN114114486A (zh) 2021-11-26 2021-11-26 一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN114114486A (zh)
WO (1) WO2023093032A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023093032A1 (zh) * 2021-11-26 2023-06-01 国家纳米科学中心 一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110098267A (zh) * 2019-04-09 2019-08-06 深圳激子科技有限公司 一种基于声子激元增强的石墨烯中红外光探测器及其制备方法
CN111897174A (zh) * 2020-07-31 2020-11-06 国家纳米科学中心 一种平面透镜聚焦器件及调控焦距的方法
CN111952385A (zh) * 2020-08-21 2020-11-17 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种二维材料极化激元与异质结结合的红外光探测器
CN113363709A (zh) * 2021-04-19 2021-09-07 中山大学 一种基于金属微纳天线的面内各向异性极化激元器件及其制备方法和激发方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10838123B2 (en) * 2012-01-19 2020-11-17 Supriya Jaiswal Materials, components, and methods for use with extreme ultraviolet radiation in lithography and other applications
CN110333564B (zh) * 2019-03-15 2021-07-02 中山大学 一种基于聚焦离子束刻蚀制备的范德华激元材料微纳结构及其制备方法
CN113264520B (zh) * 2021-04-28 2022-10-28 河南大学 一种基于石墨烯-氮化硼横向异质结的双曲超表面及其制备方法和应用
CN114114486A (zh) * 2021-11-26 2022-03-01 国家纳米科学中心 一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110098267A (zh) * 2019-04-09 2019-08-06 深圳激子科技有限公司 一种基于声子激元增强的石墨烯中红外光探测器及其制备方法
CN111897174A (zh) * 2020-07-31 2020-11-06 国家纳米科学中心 一种平面透镜聚焦器件及调控焦距的方法
CN111952385A (zh) * 2020-08-21 2020-11-17 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种二维材料极化激元与异质结结合的红外光探测器
CN113363709A (zh) * 2021-04-19 2021-09-07 中山大学 一种基于金属微纳天线的面内各向异性极化激元器件及其制备方法和激发方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ANJALI YADAV ET AL: "Tunable phonon-plasmon hybridization inα-MoO3–graphene based van der Waals heterostructures", 《OPTICS EXPRESS》, 29 September 2021 (2021-09-29), pages 2 - 3 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023093032A1 (zh) * 2021-11-26 2023-06-01 国家纳米科学中心 一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023093032A1 (zh) 2023-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ghobadi et al. Strong light–matter interaction in lithography-free planar metamaterial perfect absorbers
Chen et al. The novel graphene metasurfaces based on split-ring resonators for tunable polarization switching and beam steering at terahertz frequencies
Celanovic et al. Two-dimensional tungsten photonic crystals as selective thermal emitters
WO2020036626A9 (en) Tunable graphene metamaterials for beam steering and tunable flat lenses
Vesseur et al. Plasmonic excitation and manipulation with an electron beam
Zhao et al. Dual-mode terahertz broadband polarization conversion metasurface with integrated graphene-VO2
Chen et al. Frequency-tunable mid-infrared cross polarization converters based on graphene metasurface
Xu et al. Optical tunable multifunctional slow light device based on double monolayer graphene grating-like metamaterial
CN105629462A (zh) 一种采用超构表面实现中红外频段隐身的方法
CN114114486A (zh) 一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法
CN112162421A (zh) 一种基于多层石墨烯-介质复合超表面的反射式宽带可调偏振转换器
Chen et al. Performance analysis of three-body near-field thermophotovoltaic systems with an intermediate modulator
Wu et al. Anisotropic metamaterials as antenna substrate to enhance directivity
Calandrini et al. Mapping the electromagnetic field confinement in the gap of germanium nanoantennas with plasma wavelength of 4.5 micrometers
Qiang et al. High Q-factor controllable phononic modes in hybrid phononic–dielectric structures
Cohen et al. Wireless communication with nanoplasmonic data carriers: macroscale propagation of nanophotonic plasmon polaritons probed by near-field nanoimaging
Liu et al. Realization of tellurium-based all dielectric optical metamaterials using a multi-cycle deposition-etch process
CN109407210B (zh) 一种基于面内异质结的极化波波导传输耦合装置及制备方法
Wang et al. All-solid-state terahertz phased array based on graphene metasurface for ultra-wide-angle beam steering
Olivo et al. Spatial modulation of the electromagnetic energy transfer by excitation of graphene waveguide surface plasmons
Zhao et al. High reflection from a one-dimensional array of graphene nanoribbons
Lisicka-Skrzek et al. Fabrication of a plasmonic modulator incorporating an overlaid grating coupler
Rahad et al. Graphene-metamaterial based tunable broadband polarization insensitive absorber for terahertz antenna design
Wei et al. Directional energy focusing on monolayer graphene coupling system
Tapar et al. Dynamically tunable asymmetric transmission in PT-symmetric phase gradient metasurface

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination