CN114069390A - 半导体激光器模组及半导体激光器 - Google Patents

半导体激光器模组及半导体激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN114069390A
CN114069390A CN202210048123.7A CN202210048123A CN114069390A CN 114069390 A CN114069390 A CN 114069390A CN 202210048123 A CN202210048123 A CN 202210048123A CN 114069390 A CN114069390 A CN 114069390A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
reflector
module
optical path
semiconductor laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210048123.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114069390B (zh
Inventor
李宁
胡慧璇
王子威
吴梦迪
卢昆忠
闫大鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd
Original Assignee
Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd filed Critical Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd
Priority to CN202210048123.7A priority Critical patent/CN114069390B/zh
Publication of CN114069390A publication Critical patent/CN114069390A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114069390B publication Critical patent/CN114069390B/zh
Priority to EP22854451.6A priority patent/EP4235987A4/en
Priority to PCT/CN2022/118219 priority patent/WO2023134187A1/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4075Beam steering
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/106Beam splitting or combining systems for splitting or combining a plurality of identical beams or images, e.g. image replication
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G02B27/283Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/04Prisms
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02255Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315Support members, e.g. bases or carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0239Combinations of electrical or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • H01S5/4043Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
    • H01S5/405Two-dimensional arrays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/30Polarising elements
    • G02B5/3025Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/30Polarising elements
    • G02B5/3083Birefringent or phase retarding elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本申请提供一种半导体激光器模组及半导体激光器,包括:热沉底座,包括第一平面和第二平面;多个激光芯片,设置于第一平面,用以发射第一激光;第一激光的传播方向为第一方向;多个光束反射器,设置于第二平面;第二平面的法线方向与第一方向垂直设置;光束反射器包括第一反射面;第一反射面的法线方向与第二平面的法线方向的夹角为锐角;第一反射面用以对第一激光进行反射以形成第二激光;和光束偏折器,用以对第二激光进行偏折形成第三激光,第三激光的传播方向为第二方向;第二方向与第一方向相互垂直且第二方向与第二平面的法线方向相互垂直。本申请通过光束反射器及光束偏折器,实现第一激光的无台阶空间合束。

Description

半导体激光器模组及半导体激光器
技术领域
本申请涉及激光器封装技术领域,尤其涉及一种半导体激光器模组及半导体激光器。
背景技术
相关技术的半导体激光器,通过台阶的方式,将相邻的COS在空间上进行排布,通过增多COS数量来增大输出功率,随着COS数量的增多,台阶数量也会随着增多,势必造成半导体激光器的整体高度随之增高,大大影响半导体激光器整体输出模块的空间尺寸。
发明内容
本申请实施例提供一种半导体激光器模组及半导体激光器,通过光束反射器及光束偏折器,实现第一激光的无台阶空间合束。
本申请实施例提供一种半导体激光器模组,其包括:
热沉底座,包括第一平面和第二平面;
多个激光芯片,设置于第一平面,激光芯片用以发射第一激光;第一激光的传播方向为第一方向;
多个光束反射器,设置于第二平面;光束反射器与激光芯片一一对应;第二平面的法线方向与第一方向垂直设置;光束反射器包括第一反射面;第一反射面的法线方向与第二平面的法线方向的夹角为第一夹角,第一夹角为锐角;第一反射面用以对第一激光进行反射以形成第二激光;和
光束偏折器,用以对第二激光进行偏折形成第三激光,第三激光的传播方向为第二方向;第二方向与第一方向相互垂直,且第二方向与第二平面的法线方向相互垂直。
本申请实施例还提供一种半导体激光器,其包括:
至少一个光路模块、第二反射器、聚焦透镜和光纤;光路模块包括半导体激光器模组;
其中,第二反射器用以接收所有光路模块出射的激光并反射至聚焦透镜,聚焦透镜用以对所有激光进行聚焦形成合束激光,合束激光进入光纤后经光纤输出。
本申请实施例中,通过光束反射器以第一反射面的法线与第二平面的法线呈锐角的方式设置于第二平面,并配套设置光束偏折器,使得第一激光经第一反射面反射形成第二激光,第二激光经光束偏折器偏折后形成第三激光,第三激光的传播方向与第一激光的传播方向及第二平面的法线方向均垂直,从而实现第一激光的无台阶空间合束。与相关技术中采用台阶空间合束的半导体激光器模组相比,在输出相同功率的激光的情况下,半导体激光器模组的空间结构更为紧凑。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的半导体激光器模组的结构示意图。
图2为图1所示的半导体激光器模组沿P1-P1方向的剖视图。
图3为图1所示的半导体激光器模组的俯视图的局部视图。
图4为本申请实施例提供的半导体激光器模组的另一结构示意图。
图5为图4所示的半导体激光器模组的俯视图的局部视图。
图6为图3中所示的光束反射器及热沉底座沿P2-P2方向的剖视图以及为图5中所示的光束反射器及热沉底座沿P4-P4方向的剖视图。
图7为图3中所示的光束偏折器及热沉底座沿P3-P3方向的剖视图以及为图5中所示的光束反射器及热沉底座沿P5-P5方向的剖视图。
图8为本申请实施例提供的半导体激光器的第一结构示意图。
图9为图8所示的第一结构的光路图。
图10为本申请实施例提供的半导体激光器的第二结构示意图。
图11为本申请实施例提供的半导体激光器的第三结构示意图。
图12为本申请实施例提供的半导体激光器的第四结构示意图。
图13为本申请实施例提供的半导体激光器的第五结构示意图。
图14为图8、图12和图13中所示的第一偏振分光棱镜及图12和图13中所示的第二偏振分光棱镜的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请的保护范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”、“第七”、“第八”及“第九”,仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
请参阅图1-图3和图6-图7,本申请实施例提供一种半导体激光器模组201,其包括:热沉底座100、多个激光芯片400、多个光束反射器600和光束偏折器800。
热沉底座100包括第一平面120和第二平面140。
多个激光芯片400设置于第一平面120,激光芯片400用以发射第一激光L1;第一激光L1的传播方向为第一方向H1。
多个光束反射器600设置于第二平面140;光束反射器600与激光芯片400一一对应;第二平面140的法线方向N2与第一方向H1垂直设置;光束反射器600包括第一反射面610;第一反射面610的法线方向N1与第二平面140的法线方向N2的夹角为第一夹角θ1,第一夹角θ1为锐角;第一反射面610用以对第一激光L1进行反射以形成第二激光L2。
光束偏折器800,用以对第二激光L2进行偏折形成第三激光L3,第三激光L3的传播方向为第二方向H2;第二方向H2与第一方向H1相互垂直,且第二方向H2与第二平面140的法线方向N2相互垂直。
可以理解的是,半导体激光器模组201通过光束反射器600以第一反射面610的法线与第二平面140的法线呈锐角的方式设置于第二平面140,并配套设置光束偏折器800,使得第一激光L1经第一反射面610反射形成第二激光L2,第二激光L2再经光束偏折器800偏折后形成第三激光L3,第三激光L3的传播方向与第一激光L1的传播方向及第二平面140的法线方向均垂直,从而有实现第一激光L1的无台阶空间合束。
可以理解的是,请参阅图1和图2,第一平面120与第二平面140共面或平行设置。
可以理解的是,请参阅图1,热沉底座100还包括第三平面160。光束偏折器800设置于第三平面160。第三平面160与第二平面140共面或平行设置。
示例性的,光束反射器600可以为反射镜。
可以理解的是,请参阅图3和图5,第一反射面610面向激光芯片400及光束偏折器800设置,第一反射面610所在平面与第二平面140相交形成相交线612,相交线612靠近激光芯片400的一端为第一端,交线远离激光芯片400的一端为第二端;第一端指向第二端的方向为第三方向H3,第三方向H3与第一方向H1的夹角为45度。
在一些实施例中,请参阅图2和图3多个激光芯片400包括:依次排列设置的三个激光芯片400,三个激光芯片400依次定义为第一激光芯片420、第二激光芯片440和第三激光芯片460;多个光束反射器600包括:依次排列设置的三个光束反射器600,三个光束反射器600依次定义为第一光束反射器620、第二光束反射器640和第三光束反射器660;第一光束反射器620与第一激光芯片420对应,第二光束反射器640与第二激光芯片440对应,第三光束反射器660与第三激光芯片460对应。
第一光束反射器620与第一激光芯片420的间距为第一间距,第二光束反射器640与第二激光芯片440的间距为第二间距,第三光束反射器660与第三激光芯片460的间距为第三间距;第三间距与第一间距相等;第二间距小于第一间距;第一光束反射器620的第一反射面610与第二光束反射器640的第一反射面610共面或平行设置;第一光束反射器620的第一反射面610与第三光束反射器660的第一反射面610平行设置。
在一些实施例中,请参阅图4和图5,多个激光芯片400包括:依次排列设置的三个激光芯片400,三个激光芯片400分别定义为第一激光芯片420、第二激光芯片440和第三激光芯片460;多个光束反射器600包括:依次排列设置的三个光束反射器600,三个光束反射器600分别定义为第一光束反射器620、第二光束反射器640和第三光束反射器660;第一光束反射器620与第一激光芯片420对应,第二光束反射器640与第二激光芯片440对应,第三光束反射器660与第三激光芯片460对应。
第一光束反射器620与第一激光芯片420的间距为第一间距,第二光束反射器640与第二激光芯片440的间距为第二间距,第三光束反射器660与第三激光芯片460的间距为第三间距;第三间距与第一间距相等;第二间距大于第一间距;第二光束反射器640的第一反射面610与第三光束反射器660的第一反射面610共面或平行设置;第一光束反射器620的第一反射面610与第三光束反射器660的第一反射面610平行设置。
在一些实施例中,光束偏折器800为楔形棱镜。
可以理解的是,请参阅图6和图7,第一夹角θ1的余角为第二夹角θ2;第二夹角θ2的角度的取值范围为:
Figure 84922DEST_PATH_IMAGE001
其中,x为第二夹角θ2的角度;h为第一反射面610的高度;d为第一光束反射器620与第三光束反射器660的间距。
光束偏折器800包括相背设置的第一镜面820和第二镜面840;第一镜面820所在平面与第二镜面840所在平面形成的夹角为第三夹角θ3;第三夹角θ3的角度的取值为:
Figure 500860DEST_PATH_IMAGE002
其中,y为第三夹角θ3的角度;x为第二夹角θ2的角度;n为楔形棱镜的折射率。
可以理解的是,h为第一反射面610的高度,具体为第一反射面610远离第二平面140一端与第一反射面610靠近第二平面140一端的间距。
在一些实施例中,请参阅图1和图2,半导体激光器模组201还包括多个快轴准直器300和多个慢轴准直器500。
快轴准直器300与激光芯片400一一对应;快轴准直器300用以对对应的激光芯片400发射的第一激光L1在快轴方向进行准直。
慢轴准直器500与快轴准直器300一一对应;慢轴准直器500用以对由对应的快轴准直器300准直后的第一激光L1在慢轴方向进行准直。
示例性的,快轴准直器300可以为快轴准直镜。慢轴准直器500为慢轴准直镜。
请参阅8-图13,本申请实施例还提供一种半导体激光器2,其包括至少一个光路模块20、第二反射器40、聚焦透镜60和光纤80。
光路模块半导体激光器模组201。
其中,第二反射器40用以接收所有光路模块出射的激光并反射至聚焦透镜60,聚焦透镜60用以对所有激光进行聚焦形成合束激光L10,合束激光L10进入光纤80后经光纤80输出。
在一些实施例中,请参阅图8-图9,至少一个光路模块20包括第一光路模块220和第二光路模块240。
第一光路模块220,包括半导体激光器模组201,还包括第三反射器221。第二光路模块240,包括半导体激光器模组201,还包括第一偏振分光棱镜241。
其中,第三反射器221被配置为:对第一光路模块220中的半导体激光器模组201出射的第三激光L3进行反射形成第四激光L4。第一偏振分光棱镜241被配置为:对第四激光L4进行透射形成第五激光L5;以及对第二光路模块240中的半导体激光器模组201出射的第三激光L3进行反射形成第六激光L6。
第五激光L5与第六激光L6的传播方向为同一方向。第五激光L5与第六激光L6经第二反射器40反射至聚焦透镜60、再经所聚焦透镜60聚焦形成合束激光L10,合束激光L10进入光纤80后经光纤80输出。
在一些实施例中,请参阅图10,至少一个光路模块20包括第一光路模块220。第一光路模块220包括:半导体激光器模组201和第三反射器221。
其中,第三反射器221被配置为:对第一光路模块220中的半导体激光器模组201出射的第三激光L3进行反射形成第四激光L4。第四激光L4经第二反射器40反射至聚焦透镜60、再经聚焦透镜60聚焦形成合束激光L10,合束激光L10进入光纤80后经光纤80输出。
在一些实施例中,请参阅图11,至少一个光路模块20包括第一光路模块220和第三光路模块260。第一光路模块220,包括半导体激光器模组201,还包括第三反射器221。第三光路模块260,包括半导体激光器模组201,还包括第四发射器261。
其中,第三反射器221被配置为:对第一光路模块220中的半导体激光器模组201发射的第三激光L3进行反射形成第四激光L4。第四反射器261被配置为:对第三光路模块260中的半导体激光器模组201发射的第三激光L3进行反射形成第七激光L7。
第四激光L4与第七激光L7的传播方向为相反方向。第四激光L4与第七激光L7经第二反射器40反射至聚焦透镜60、再经聚焦透镜60聚焦形成合束激光L10,合束激光L10进入光纤80后经光纤80输出。
在一些实施例中,请参阅图12,至少一个光路模块20包括第一光路模块220、第二光路模块240和第三光路模块260。
第一光路模块220,包括半导体激光器模组201,还包括第三反射器221。第二光路模块240,包括半导体激光器模组201,还包括第一偏振分光棱镜241。第三光路模块260,包括半导体激光器模组201,还包括第四反射器261。
其中,第三反射器221被配置为:对第一光路模块220中的半导体激光器模组201发射的第三激光L3进行反射形成第四激光L4。第一偏振分光棱镜241被配置为:对第四激光L4进行透射形成第五激光L5;以及对第二光路模块240中的半导体激光器模组201发射的第三激光L3进行反射形成第六激光L6。第四反射器261被配置为:对第三光路模块260中的半导体激光器模组201发射的第三激光L3进行反射形成第七激光L7。
第五激光L5与第六激光L6的传播方向为同一方向。第七激光L7与第五激光L5及第六激光L6为相反方向。第五激光L5、第六激光L6及第七激光L7经第二反射器40反射至聚焦透镜60、再经聚焦透镜60聚焦形成合束激光L10,合束激光L10进入光纤80后经光纤80输出。
在一些实施例中,请参阅图13,至少一个光路模块20包括第一光路模块220、第二光路模块240、第三光路模块260和第四光路模块280。
第一光路模块220,包括半导体激光器模组201,还包括第三反射器221。第二光路模块240,包括半导体激光器模组201,还包括第一偏振分光棱镜241。第三光路模块260,包括半导体激光器模组201,还包括第四反射器261。第四光路模块280,包括半导体激光器模组201,还包括第二偏振分光棱镜281。
其中,第三反射器221被配置为:对第一光路模块220中的半导体激光器模组201发射的第三激光L3进行反射形成第四激光L4。第一偏振分光棱镜241被配置为:对第四激光L4进行透射形成第五激光L5;以及对第二光路模块240中的半导体激光器模组201发射的第三激光L3进行反射形成第六激光L6。第四反射器261被配置为:对第三光路模块260中的半导体激光器模组201发射的第三激光L3进行反射形成第七激光L7。第二偏振分光棱镜281被配置为:对第七激光L7进行透射形成第八激光L8;以及对第四光路模块280中的半导体激光器模组201发射的第三激光L3进行反射形成第九激光L9。
第五激光L5与第六激光L6的传播方向为同一方向。第八激光L8与第九激光L9的传播方向为同一方向。第五激光L5及第六激光L6与第八激光L8及第九激光L9的传播方向为相反方向。第五激光L5、第六激光L6、第八激光L8及第九激光L9经第二反射器40反射至聚焦透镜60、再经聚焦透镜60聚焦形成合束激光L10,合束激光L10进入光纤80后经光纤80输出。
在一些实施例中,请参阅图8-图13,的半导体激光器2还包括光纤端帽70。光纤端帽70设置于光纤80靠近聚焦透镜60一端;合束激光L10经光纤端帽70进入光纤80并经光纤80输出。
可以理解的是,请参阅图8-图10,第二反射器40可以为包括一个反射面。示例性的第二反射器40为直角反射镜。请参阅图11-图13,第二反射器40还可以为包括两个相互垂直的反射面。示例性的第二反射器40为两个直角反射镜拼接构成,且其中一个直角反射镜的反射面与另一个直角反射镜的反射面相互垂直设置。
可以理解的是,请参阅图8-图9及图12-图13中的第一偏振分光棱镜241和第二偏振分光棱镜281的结构如图14所示。第一偏振分光棱镜241和第二偏振分光棱镜281的结构相同,包括第一棱镜203、第二棱镜205、半波片207和偏振分光镀膜208。偏振分光镀膜208胶合连接于第一棱镜203与第二棱镜205之间。半波片207胶合连接于第二棱镜205的外壁。请参阅图9和图14,第一偏振分光棱镜241和第二偏振分光棱镜281用以允许P光通过且对S光进行反射。可以理解的是,图9中用字母P表示P光,用字母S表示S光。
可以理解的是,图8-图9所示的半导体激光器2,第一光路模块220的激光芯片400可以被配置为发射P光,第二光路模块240的激光芯片400可以被配置为发射P光和/或S光。图10所示的半导体激光器2,第一光路模块220的激光芯片400可以被配置为发射P光和/或S光。图11所示的半导体激光器2,第一光路模块220的激光芯片400可以被配置为发射P光和/或S光,第三光路模块260的激光芯片400可以被配置为发射P光和/或S光。图12所示的半导体激光器2,第一光路模块220的激光芯片400可以被配置为发射P光,第二光路模块240的激光芯片400可以被配置为发射P光和/或S光,第三光路模块260的激光芯片400可以被配置为发射P光和/或S光。图13所示的半导体激光器2,第一光路模块220的激光芯片400可以被配置为发射P光,第二光路模块240的激光芯片400可以被配置为发射P光和/或S光,第三光路模块260的激光芯片400可以被配置为发射P光,第四光路模块280的激光芯片400可以被配置为发射P光和/或S光。
以上对本申请实施例所提供的半导体激光器模组及半导体激光器进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (14)

1.一种半导体激光器模组,其特征在于,包括:
热沉底座,包括第一平面和第二平面;
多个激光芯片,设置于所述第一平面,所述激光芯片用以发射第一激光;所述第一激光的传播方向为第一方向;
多个光束反射器,设置于所述第二平面;所述光束反射器与所述激光芯片一一对应;所述第二平面的法线方向与所述第一方向垂直设置;所述光束反射器包括第一反射面;所述第一反射面的法线方向与第二平面的法线方向的夹角为第一夹角,所述第一夹角为锐角;所述第一反射面用以对所述第一激光进行反射以形成第二激光;和
光束偏折器,用以对所述第二激光进行偏折形成第三激光,所述第三激光的传播方向为第二方向;所述第二方向与所述第一方向相互垂直,且所述第二方向与所述第二平面的法线方向相互垂直。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器模组,其特征在于,所述第一反射面面向所述激光芯片及所述光束偏折器设置,所述第一反射面所在平面与所述第二平面相交形成相交线,所述相交线靠近所述激光芯片的一端为第一端,所述交线远离所述激光芯片的一端为第二端;所述第一端指向所述第二端的方向为第三方向,所述第三方向与所述第一方向的夹角为45度。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器模组,其特征在于,所述多个激光芯片包括:依次排列设置的三个所述激光芯片,所述三个激光芯片依次定义为第一激光芯片、第二激光芯片和第三激光芯片;所述多个光束反射器包括:依次排列设置的三个所述光束反射器,所述三个光束反射器依次定义为第一光束反射器、第二光束反射器和第三光束反射器;所述第一光束反射器与所述第一激光芯片对应,所述第二光束反射器与所述第二激光芯片对应,所述第三光束反射器与所述第三激光芯片对应;
所述第一光束反射器与所述第一激光芯片的间距为第一间距,所述第二光束反射器与所述第二激光芯片的间距为第二间距,所述第三光束反射器与所述第三激光芯片的间距为第三间距;所述第三间距与所述第一间距相等;所述第二间距小于所述第一间距;所述第一光束反射器的所述第一反射面与所述第二光束反射器的所述第一反射面共面或平行设置;所述第一光束反射器的所述第一反射面与所述第三光束反射器的所述第一反射面平行设置。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器模组,其特征在于,所述多个激光芯片包括:依次排列设置的三个所述激光芯片,所述三个激光芯片分别定义为第一激光芯片、第二激光芯片和第三激光芯片;所述多个光束反射器包括:依次排列设置的三个所述光束反射器,所述三个光束反射器分别定义为第一光束反射器、第二光束反射器和第三光束反射器;所述第一光束反射器与所述第一激光芯片对应,所述第二光束反射器与所述第二激光芯片对应,所述第三光束反射器与所述第三激光芯片对应;
所述第一光束反射器与所述第一激光芯片的间距为第一间距,所述第二光束反射器与所述第二激光芯片的间距为第二间距,所述第三光束反射器与所述第三激光芯片的间距为第三间距;所述第三间距与所述第一间距相等;所述第二间距大于所述第一间距;所述第二光束反射器的所述第一反射面与所述第三光束反射器的所述第一反射面共面或平行设置;所述第一光束反射器的所述第一反射面与所述第三光束反射器的所述第一反射面平行设置。
5.根据权利要求3或4所述的半导体激光器模组,其特征在于,所述光束偏折器为楔形棱镜。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器模组,其特征在于,所述第一夹角的余角为第二夹角;所述第二夹角的角度的取值范围为:
Figure 941337DEST_PATH_IMAGE001
其中,x为所述第二夹角的角度;h为所述第一反射面的高度;d为所述第一光束反射器与所述第三光束反射器的间距;
所述光束偏折器包括相背设置的第一镜面和第二镜面;所述第一镜面所在平面与所述第二镜面所在平面形成的夹角为第三夹角;所述第三夹角的角度的取值为:
Figure 753698DEST_PATH_IMAGE003
其中,y为所述第三夹角的角度;x为所述第二夹角的角度;n为所述楔形棱镜的折射率。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器模组,其特征在于,还包括:
多个快轴准直器,所述快轴准直器与所述激光芯片一一对应;所述快轴准直器用以对对应的所述激光芯片发射的所述第一激光在快轴方向进行准直;和
多个慢轴准直器,所述慢轴准直器与所述快轴准直器一一对应;所述慢轴准直器用以对由对应的所述快轴准直器准直后的所述第一激光在慢轴方向进行准直。
8.一种半导体激光器,其特征在于,包括:
至少一个光路模块、第二反射器、聚焦透镜和光纤;
所述光路模块包括权利要求1-7任一项所述的半导体激光器模组;
其中,所述第二反射器用以接收所有所述光路模块出射的激光并反射至所述聚焦透镜,所述聚焦透镜用以对所有所述激光进行聚焦形成合束激光,所述合束激光进入所述光纤后经所述光纤输出。
9.根据权利要求8所述的半导体激光器,其特征在于,所述至少一个光路模块包括:
第一光路模块,包括所述半导体激光器模组,还包括第三反射器;和
第二光路模块,包括所述半导体激光器模组,还包括第一偏振分光棱镜;
其中,所述第三反射器被配置为:对所述第一光路模块中的所述半导体激光器模组出射的所述第三激光进行反射形成第四激光;所述第一偏振分光棱镜被配置为:对所述第四激光进行透射形成第五激光;以及对所述第二光路模块中的所述半导体激光器模组出射的所述第三激光进行反射形成第六激光;所述第五激光与所述第六激光的传播方向为同一方向;所述第五激光与所述第六激光经所述第二反射器反射至所述聚焦透镜、再经所聚焦透镜聚焦形成所述合束激光,所述合束激光进入所述光纤后经所述光纤输出。
10.根据权利要求8所述的半导体激光器,其特征在于,所述至少一个光路模块包括:
所述半导体激光器模组;和
第三反射器;
其中,所述第三反射器被配置为:对所述半导体激光器模组出射的所述第三激光进行反射形成第四激光;所述第四激光经所述第二反射器反射至所述聚焦透镜、再经所述聚焦透镜聚焦形成所述合束激光,所述合束激光进入所述光纤后经所述光纤输出。
11.根据权利要求8所述的半导体激光器,其特征在于,所述至少一个光路模块包括:
第一光路模块,包括所述半导体激光器模组,还包括第三反射器;和
第三光路模块,包括所述半导体激光器模组,还包括第四反射器;
其中,所述第三反射器被配置为:对所述第一光路模块中的所述半导体激光器模组发射的所述第三激光进行反射形成第四激光;所述第四反射器被配置为:对所述第三光路模块中的所述半导体激光器模组发射的所述第三激光进行反射形成第七激光;所述第四激光与所述第七激光的传播方向为相反方向;所述第四激光与所述第七激光经所述第二反射器反射至所述聚焦透镜、再经所述聚焦透镜聚焦形成所述合束激光,所述合束激光进入所述光纤后经所述光纤输出。
12.根据权利要求8所述的半导体激光器,其特征在于,所述至少一个光路模块包括:
第一光路模块,包括所述半导体激光器模组,还包括第三反射器;
第二光路模块,包括所述半导体激光器模组,还包括第一偏振分光棱镜;和
第三光路模块,包括所述半导体激光器模组,还包括第四反射器;
其中,所述第三反射器被配置为:对所述第一光路模块中的所述半导体激光器模组发射的所述第三激光进行反射形成第四激光;所述第一偏振分光棱镜被配置为:对所述第四激光进行透射形成第五激光;以及对所述第二光路模块中的所述半导体激光器模组发射的所述第三激光进行反射形成第六激光;所述第四反射器被配置为:对所述第三光路模块中的所述半导体激光器模组发射的所述第三激光进行反射形成第七激光;
所述第五激光与所述第六激光的传播方向为同一方向;所述第七激光与所述第五激光及所述第六激光为相反方向;所述第五激光、所述第六激光及所述第七激光经所述第二反射器反射至所述聚焦透镜、再经所述聚焦透镜聚焦形成所述合束激光,所述合束激光进入所述光纤后经所述光纤输出。
13.根据权利要求8所述的半导体激光器,其特征在于,所述至少一个光路模块包括:
第一光路模块,包括所述半导体激光器模组,还包括第三反射器;
第二光路模块,包括所述半导体激光器模组,还包括第一偏振分光棱镜;
第三光路模块,包括所述半导体激光器模组,还包括第四反射器;和
第四光路模块,包括所述半导体激光器模组,还包括第二偏振分光棱镜;
其中,所述第三反射器被配置为:对所述第一光路模块中的所述半导体激光器模组发射的所述第三激光进行反射形成第四激光;所述第一偏振分光棱镜被配置为:对所述第四激光进行透射形成第五激光;以及对所述第二光路模块中的所述半导体激光器模组发射的所述第三激光进行反射形成第六激光;所述第四反射器被配置为:对所述第三光路模块中的所述半导体激光器模组发射的所述第三激光进行反射形成第七激光;所述第二偏振分光棱镜被配置为:对所述第七激光进行透射形成第八激光;以及对所述第四光路模块中的所述半导体激光器模组发射的所述第三激光进行反射形成第九激光;所述第五激光与所述第六激光的传播方向为同一方向;所述第八激光与所述第九激光的传播方向为同一方向;所述第五激光及所述第六激光与所述第八激光及所述第九激光的传播方向为相反方向;所述第五激光、所述第六激光、所述第八激光及所述第九激光经所述第二反射器反射至所述聚焦透镜、再经所述聚焦透镜聚焦形成所述合束激光,所述合束激光进入所述光纤后经所述光纤输出。
14.根据权利要求8-13任一项所述的半导体激光器,其特征在于,还包括:
光纤端帽;所述光纤端帽设置于所述光纤靠近所述聚焦透镜一端;所述合束激光经所述光纤端帽进入所述光纤并经所述光纤输出。
CN202210048123.7A 2022-01-17 2022-01-17 半导体激光器模组及半导体激光器 Active CN114069390B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210048123.7A CN114069390B (zh) 2022-01-17 2022-01-17 半导体激光器模组及半导体激光器
EP22854451.6A EP4235987A4 (en) 2022-01-17 2022-09-09 SEMICONDUCTOR LASER MODULE AND SEMICONDUCTOR LASER
PCT/CN2022/118219 WO2023134187A1 (zh) 2022-01-17 2022-09-09 半导体激光器模组及半导体激光器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210048123.7A CN114069390B (zh) 2022-01-17 2022-01-17 半导体激光器模组及半导体激光器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114069390A true CN114069390A (zh) 2022-02-18
CN114069390B CN114069390B (zh) 2022-04-19

Family

ID=80231167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210048123.7A Active CN114069390B (zh) 2022-01-17 2022-01-17 半导体激光器模组及半导体激光器

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP4235987A4 (zh)
CN (1) CN114069390B (zh)
WO (1) WO2023134187A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115832861A (zh) * 2022-09-26 2023-03-21 中南大学 一种半导体激光器偏振分光棱镜及反射棱镜耦合封装设备
WO2023134187A1 (zh) * 2022-01-17 2023-07-20 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 半导体激光器模组及半导体激光器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108885349A (zh) * 2016-02-16 2018-11-23 恩耐公司 用于提高封装亮度的无源对准的单组件望远镜
CN110718848A (zh) * 2019-09-18 2020-01-21 深圳市星汉激光科技有限公司 半导体激光器
CN111919352A (zh) * 2018-02-06 2020-11-10 恩耐公司 具有fac透镜面外波束转向的二极管激光设备
CN214478427U (zh) * 2021-04-28 2021-10-22 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 一种半导体激光器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3071360B2 (ja) * 1993-04-30 2000-07-31 新日本製鐵株式会社 リニアアレイレーザダイオードに用いる光路変換器及びそれを用いたレーザ装置及びその製造方法
CN102401949A (zh) * 2011-12-02 2012-04-04 北京工业大学 一种平台式折转反射单管半导体激光器光纤耦合模块
CN104979749B (zh) * 2015-06-25 2017-11-28 鞍山伟光力激光科技有限公司 一种高功率半导体光纤耦合激光器及其耦合方法
CN105514794A (zh) * 2016-01-11 2016-04-20 北京凯普林光电科技股份有限公司 一种半导体激光器
JP6502409B2 (ja) * 2017-03-15 2019-04-17 株式会社フジクラ 光モジュール
CN108241193A (zh) * 2018-03-15 2018-07-03 北京热刺激光技术有限责任公司 一种大功率半导体多单管耦合激光器装置
CN112305682A (zh) * 2019-07-26 2021-02-02 山东华光光电子股份有限公司 一种平板式激光器及提高光功率密度的方法
CN113206449A (zh) * 2021-04-21 2021-08-03 吉林省长光瑞思激光技术有限公司 一种基于光学阶梯分布的半导体激光器
CN114069390B (zh) * 2022-01-17 2022-04-19 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 半导体激光器模组及半导体激光器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108885349A (zh) * 2016-02-16 2018-11-23 恩耐公司 用于提高封装亮度的无源对准的单组件望远镜
CN111919352A (zh) * 2018-02-06 2020-11-10 恩耐公司 具有fac透镜面外波束转向的二极管激光设备
CN110718848A (zh) * 2019-09-18 2020-01-21 深圳市星汉激光科技有限公司 半导体激光器
CN214478427U (zh) * 2021-04-28 2021-10-22 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 一种半导体激光器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023134187A1 (zh) * 2022-01-17 2023-07-20 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 半导体激光器模组及半导体激光器
CN115832861A (zh) * 2022-09-26 2023-03-21 中南大学 一种半导体激光器偏振分光棱镜及反射棱镜耦合封装设备
CN115832861B (zh) * 2022-09-26 2024-04-16 中南大学 一种半导体激光器偏振分光棱镜及反射棱镜耦合封装设备

Also Published As

Publication number Publication date
EP4235987A4 (en) 2024-04-17
EP4235987A1 (en) 2023-08-30
CN114069390B (zh) 2022-04-19
WO2023134187A1 (zh) 2023-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114069390B (zh) 半导体激光器模组及半导体激光器
US6778732B1 (en) Generation of high-power, high brightness optical beams by optical cutting and beam-shaping of diode lasers
US10310278B2 (en) Semiconductor laser
US7079566B2 (en) Semiconductor laser apparatus capable of routing laser beams emitted from stacked-array laser diode to optical fiber with little loss
US6700709B1 (en) Configuration of and method for optical beam shaping of diode laser bars
JP5717714B2 (ja) 合波装置、合波方法、及び、ldモジュール
US9594252B2 (en) LD module
US20070195850A1 (en) Diode laser array stack
US20130258469A1 (en) Spatial beam combining for multiple diode laser elements
WO2004112209A1 (en) Apparatus for reducing spacing of beams delivered by stacked diode-laser bars
US20180143445A1 (en) Laser array and a laser beam combining device
EP3687008B1 (en) Light source unit
CN116224298B (zh) 激光雷达和可移动设备
CN115954761A (zh) 一种多单管半导体激光合束装置
CN110325888A (zh) 光模块
US11025030B2 (en) Optical module
US5301249A (en) Catoptric coupling to an optical fiber
CN111801856B (zh) 激光模块
US10651355B1 (en) High-power laser diode package implemented with meniscus slow axis collimator for reduced diode package footprint or improved laser output brightness
CN108490556B (zh) 光模块
CN112636158A (zh) 一种具备双层光路的半导体激光器
CN112103768B (zh) 一种半导体激光器
CN213845835U (zh) 一种小体积高功率的半导体激光器
CN210490074U (zh) 半导体激光器
CN112600074B (zh) 一种小体积高功率半导体激光器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant