CN114068838A - 发光器件和包括发光器件的显示装置 - Google Patents

发光器件和包括发光器件的显示装置 Download PDF

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Abstract

提供的是一种发光器件，包括：反射层，包括有规则地二维设置的多个纳米结构和邻近所述多个纳米结构设置的低折射率层；第一电极，设置在反射层上；有机发射层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在有机发射层上，其中，所述多个纳米结构中的每一个包括非金属材料，并且所述低折射率层包括具有比所述非金属材料的第一折射率低的第二折射率的电介质材料。

Description

发光器件和包括发光器件的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年8月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0096945的优先权，其公开内容通过引用的方式整体并入本文。
技术领域
本公开的示例实施例涉及发光器件和包括发光器件的显示装置，更具体地涉及无需使用滤色器而具有高色纯度的有机发光器件和有机发光显示装置。
背景技术
包括有机发光二极管(OLED)的显示设备是当从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在有机发射层中相互结合以发光时形成图像的显示设备。OLED具有优异的显示特性，例如宽视角、快速的响应时间、薄厚度、低制造成本和高对比度。
此外，OLED可以通过选择适当的材料作为有机发射层的材料来发出所需颜色的光。根据这个原理，彩色显示装置可以通过使用OLED而实现。例如，蓝色像素的有机发射层可以由产生蓝光的有机材料形成，绿色像素的有机发射层可以由产生绿光的有机材料形成，并且红色像素的有机发射层可以由产生红光的有机材料形成。此外，可以通过在一个有机发射层中布置分别产生蓝光、绿光和红光的多种有机材料或者通过布置彼此互补的两种或更多种有机材料对来实现白色OLED。
发明内容
一个或多个示例实施例提供了一种发光器件和包括该发光器件的显示装置，更具体地，一种无需使用滤色器而具有高色纯度的有机发光器件和有机发光显示装置。
附加方面部分地将在以下描述中阐述，且部分地将通过以下描述而变得清楚，或者可以通过实践示例实施例来获知。
根据示例实施例的一个方面，提供了一种发光器件，包括：反射层，包括有规则地二维设置的多个纳米结构和邻近所述多个纳米结构设置的低折射率层；第一电极，设置在所述反射层上；有机发射层，设置在所述第一电极上；以及第二电极，设置在所述有机发射层上，其中，所述多个纳米结构中的每一个包括非金属材料，并且所述低折射率层包括具有比所述非金属材料的第一折射率低的第二折射率的电介质材料。
所述第一电极可以是透明电极，并且所述第二电极可以是被配置为反射光的一部分并透射光的其余部分的半透射电极。
所述非金属材料可以包括电介质材料或半导体材料。
所述电介质材料可以包括TiO2、BaTiO3、Cr2O3、HfO2和SiNx中的至少一种。
所述半导体材料可以包括Si、ZnS、ZnSe、GaP、InP、GaAs、GaN和AlAs2中的至少一种。
所述反射层和所述第二电极可以形成具有谐振波长的微腔。
所述反射层的所述多个纳米结构中的每一个的直径、所述多个纳米结构中的每一个的高度以及所述多个纳米结构的周期可以被确定为，使得所述反射层对于波长与所述微腔的谐振波长相对应的光具有最高反射率。
所述多个纳米结构的周期可以小于所述微腔的谐振波长。
所述多个纳米结构的周期的范围可以从200nm至500nm。
所述多个纳米结构中的每一个的高度的范围可以从20nm至200nm。
所述低折射率层的顶表面可以设置在所述多个纳米结构的顶表面上，所述多个纳米结构的顶表面可以与所述第一电极间隔开，并且所述低折射率层的顶表面可以直接接触所述第一电极。
所述多个纳米结构的顶表面和所述低折射率层的顶表面可以设置在相同平面上，并且所述多个纳米结构的顶表面和所述低折射率层的顶表面可以直接接触所述第一电极。
所述反射层还可以包括：金属反射膜，所述金属反射膜是扁平的并且直接接触所述多个纳米结构的底表面。
所述低折射率层可以设置在所述金属反射膜的不与所述多个纳米结构的底表面接触的顶表面上，并且可以设置在所述金属反射膜的底表面上。
所述反射层还可以包括：金属反射膜，所述金属反射膜是扁平的并且设置在所述低折射率层的底表面上。
所述低折射率层可以包括：设置在所述多个纳米结构的底表面上的第一低折射率层以及设置在所述多个纳米结构的侧表面和顶表面上的第二低折射率层，并且所述第一低折射率层和所述第二低折射率层可以包括具有不同折射率的电介质材料。
根据示例实施例的另一方面，提供了一种显示装置，包括：第一像素，被配置为发射第一波长的光；以及第二像素，被配置为发射与所述第一波长不同的第二波长的光，其中，所述第一像素包括：反射层，包括有规则地二维设置的多个纳米结构和邻近所述多个纳米结构设置的低折射率层；第一电极，设置在所述反射层上；有机发射层，设置在所述第一电极上并且被配置为发射包括所述第一波长的光和所述第二波长的光在内的可见光；以及第二电极，设置在所述有机发射层上，其中，所述多个纳米结构中的每一个包括非金属材料，并且所述低折射率层包括具有比所述非金属材料的第一折射率低的第二折射率的电介质材料。
所述第一电极可以是透明电极，并且所述第二电极可以是被配置为反射光的一部分并透射光的其余部分的半透射电极。
所述非金属材料可以包括电介质材料或半导体材料。
所述电介质材料可以包括TiO2、BaTiO3、Cr2O3、HfO2和SiNx中的至少一种。
所述半导体材料可以包括Si、ZnS、ZnSe、GaP、InP、GaAs、GaN和AlAs2中的至少一种。
所述反射层的所述多个纳米结构中的每一个的直径、所述多个纳米结构中的每一个的高度以及所述多个纳米结构的周期可以被确定为，使得所述第一像素的所述反射层对于所述第一波长的光具有最高反射率并且被配置为透射或吸收所述第二波长的光。
所述多个纳米结构的周期可以小于所述第一波长。
所述多个纳米结构的顶表面和所述低折射率层的顶表面可以设置在相同平面上，并且所述多个纳米结构的顶表面和所述低折射率层的顶表面可以直接接触所述第一电极。
所述低折射率层的顶表面可以设置在所述多个纳米结构的顶表面上，所述多个纳米结构的顶表面可以与所述第一电极间隔开，并且所述低折射率层的顶表面可以直接接触所述第一电极。
所述反射层还可以包括：金属反射膜，所述金属反射膜是扁平的并且直接接触所述多个纳米结构的底表面。
所述低折射率层可以设置在所述金属反射膜的不与所述多个纳米结构的底表面接触的顶表面上，并且可以设置在所述金属反射膜的底表面上。
所述反射层还可以包括：金属反射膜，所述金属反射膜是扁平的并且设置在所述低折射率层的底表面上。
所述第二像素可以包括：反射层，包括有规则地二维设置的多个纳米结构和邻近所述多个纳米结构设置的低折射率层；第一电极，设置在所述反射层上；有机发射层，设置在所述第一电极上并且被配置为发射包括所述第一波长的光和所述第二波长的光在内的可见光；以及第二电极，设置在所述有机发射层上，其中，所述第二像素的反射层的多个纳米结构中的每一个可以包括非金属材料，并且所述第二像素的反射层的低折射率层可以包括具有比所述非金属材料的第二折射率低的第一折射率的电介质材料。
所述第二像素的多个纳米结构中的每一个的直径、多个纳米结构中的每一个的高度以及多个纳米结构的周期可以被确定为，使得所述第二像素的反射层对于所述第二波长的光具有最高反射率并且被配置为透射或吸收所述第一波长的光。
所述第一像素的反射层的多个纳米结构中的每一个的高度和所述第二像素的反射层的多个纳米结构中的每一个的高度可以相同，并且所述第一像素的反射层的多个纳米结构的周期和所述第二像素的反射层的多个纳米结构的周期可以彼此不同。
所述第一像素的第一电极、有机发射层和第二电极可以分别与所述第二像素的第一电极、有机发射层和第二电极相同。
根据示例实施例的另一方面，提供了一种发光器件，包括：反射层，包括有规则地二维设置的多个纳米结构和邻近所述多个纳米结构设置的低折射率层；第一电极，设置在所述反射层上；有机发射层，设置在所述第一电极上；以及第二电极，设置在所述有机发射层上，其中，所述多个纳米结构中的每一个包括电介质材料或半导体材料，并且所述低折射率层包括具有比所述电介质材料或半导体材料的第一折射率低的第二折射率的电介质材料，其中，所述反射层和所述第二电极形成具有谐振波长的微腔，并且其中，所述反射层的所述多个纳米结构中的每一个的直径、所述多个纳米结构中的每一个的高度以及所述多个纳米结构的周期被确定为，使得所述反射层对于波长与所述微腔的谐振波长相对应的光具有最高反射率。
附图说明
根据结合附图的以下描述，本公开的示例实施例的上述和/或其他方面、特征以及优点将更清楚，在附图中：
图1是示出根据示例实施例的发光器件的结构的截面图；
图2是示出根据示例实施例的图1的有机发射层的结构的详细截面图；
图3是示出根据另一示例实施例的图1的有机发射层的结构的详细截面图；
图4是示出图1的反射层的结构的透视图；
图5和图6是示出根据另一示例实施例的图1的反射层的多个纳米结构的布置的平面图；
图7A、图7B、图7C和图7D是示出根据每个纳米结构的厚度和周期，反射层的反射率的变化的曲线图；
图8A、图8B和图8C是示出根据示例实施例的分别针对蓝光、绿光和红光具有选择性的高反射率的反射层的截面图；
图9是示出针对多个纳米结构的周期，反射层的反射率与波长之间的关系的曲线图；
图10是示出用于根据微腔的光学长度来模拟发光器件的特性的结构的截面图；
图11是示出根据图10的微腔的光学长度，蓝光、绿光和红光的反射率的模拟结果的曲线图；
图12和图13是示出根据图10的微腔的光学长度，绿光和红光的发射光谱的曲线图；
图14A、图14B和图14C是示出根据另一示例实施例的分别针对蓝光、绿光和红光具有选择性的高反射率的反射层的截面图；
图15是示出针对蓝光、绿光和红光，多个纳米结构的周期与反射层的反射率之间的关系的曲线图；
图16是示出针对多个纳米结构的周期，反射层的反射率与波长之间的关系的曲线图；
图17、图18和图19是示出根据微腔的光学长度，蓝光、绿光和红光的发射光谱的曲线图；
图20和图21是示出根据其他示例实施例的反射层的多个纳米结构的形状的平面图；
图22是示出根据纳米结构的形状，被配置为反射蓝光的反射层的反射特性的曲线图；
图23是示出根据纳米结构的形状，被配置为反射绿光的反射层的反射特性的曲线图；
图24是示出根据纳米结构的形状，被配置为反射红光的反射层的反射特性的曲线图；
图25是示出根据另一示例实施例的发光器件的结构的截面图；
图26是示出根据另一示例实施例的发光器件的结构的截面图；
图27是示出根据另一示例实施例的发光器件的结构的截面图；
图28是示出根据另一示例实施例的发光器件的结构的截面图；
图29是示出根据示例实施例的显示装置的结构的截面图；以及
图30是示出根据另一示例实施例的显示装置的结构的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考在附图中示出的示例实施例，其中，贯穿附图类似的附图标记表示类似的元件。在这方面，示例实施例可以具有不同形式，并且不应当被解释为受限于本文所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图描述示例实施例，以解释各个方面。如本文中所使用的术语“和/或”包括相关列出项中的一项或多项的任何和所有组合。当诸如“至少一个”之类的表述位于元件列表之后时，其修饰整个元件列表而不修饰列表的单个元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个”应该被理解为仅包括a、仅包括b、仅包括c、包括a和b两者、包括a和c两者、包括b和c两者或包括a、b和c全部。
在下文中，将参照附图详细描述发光器件和包括该发光器件的显示装置。类似的附图标记始终表示类似的元件，并且在附图中，为了清楚起见和便于解释，可以放大元件的尺寸。此外，以下描述的示例实施例仅仅是示例，并且可以从示例实施例进行各种修改。
当提及一个元件在另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或者可以存在介于其间的中间元件。单数形式“一”、“一个”和“所述”意在还包括复数形式，除非上下文明确地给出相反的指示。当一个部分“包括”一个元件时，还可以包括另一个元件，而不是排除其他元件的存在，除非另外描述。
在描述本公开的上下文中使用术语“一”、“一个”和“所述”及类似指代词应被解释为涵盖单数和复数两种情况。除非本文另外指出或者上下文另外明确地相反指示，否则可以按照任何合适的顺序执行本文中描述的所有方法的步骤，并且不限于所描述的顺序。
诸如“单元”或“模块”之类的术语表示执行至少一个功能或操作的单元，并且这些单元可以被实现为硬件或软件或者硬件和软件的组合。
此外，附图中所示的连接元件的线或构件仅是功能连接和/或物理连接或电路连接的示例。在实际的器件中，组件之间的连接可以由可替换或增加的各种功能连接、物理连接或电路连接来表示。
本文中提供的任何和所有示例或语言的使用仅意在更好地描述本公开且不对本公开的范围施加限制，除非另外声明。
图1是示出根据示例实施例的发光器件的结构的截面图。参照图1，根据示例实施例的发光器件100可以包括：反射层110，包括二维布置的多个纳米结构112；第一电极121，设置在反射层110上；有机发射层130，设置在第一电极121上；以及第二电极122，设置在有机发射层130上。发光器件100还可以包括：钝化层140，其是透明的，并且与有机发射层130相对地设置在第二电极122上，且保护第二电极122。
发光器件100可以是有机发光二极管(OLED)。例如，图2是示出根据示例实施例的图1的有机发射层130的结构的详细截面图。参照图2，有机发射层130可以包括：空穴注入层132，设置在第一电极121的顶表面上；有机发射材料层131，设置在空穴注入层132的顶表面上；以及电子注入层133，设置在有机发射材料层131的顶表面上。在这种结构中，由空穴注入层132注入的空穴和由电子注入层133注入的电子可以在有机发射材料层131中相互结合以产生光。可以通过有机发射材料层131的发光材料的能带隙来确定所产生的光的波长。
有机发射层130还可以包括：空穴传输层134，设置在空穴注入层132和有机发射材料层131之间，以更平稳地传输空穴。有机发射层130还可以包括：电子传输层135，设置在电子注入层133和有机发射材料层131之间，以更平稳地传输电子。有机发射层130可以在需要时包括各种附加层。例如，有机发射层130还可以在空穴传输层134和有机发射材料层131之间包括电子阻挡层，并且还可以在有机发射材料层131和电子传输层135之间包括空穴阻挡层。
有机发射材料层131可以被配置为发射可见光。例如，有机发射材料层131可以被配置为发射对应于红光的波段、对应于绿光的波段、以及对应于蓝光的波段中的任一波段的光。然而，实施例不限于此。例如，有机发射材料层131可以被配置为发射包括红光、绿光和蓝光三者的白色可见光。
例如，图3是示出根据另一示例实施例的图1的有机发射层130的结构的详细截面图。参照图3，有机发射材料层131可以包括：发射红光的第一有机发射材料层131a、发射绿光的第二有机发射材料层131b、以及发射蓝光的第三有机发射材料层131c。此外，激子阻挡层136可以设置在第一有机发射材料层131a和第二有机发射材料层131b之间、以及第二有机发射材料层131b和第三有机发射材料层131c之间。在这种情况下，有机发射层130可以发射白光。然而，发射白光的有机发射层130的结构不限于此。代替包括三个有机发射材料层，即，第一有机发射材料层至第三有机发射材料层131a、131b和131c，有机发射层130可以包括彼此互补的两个有机发射材料层。
设置在有机发射层130的底表面上的第一电极121可以用作提供空穴的阳极。设置在有机发射层130的顶表面的上的第二电极122可以用作提供电子的阴极。为此，第一电极121可以由具有相对高功函数的材料形成，并且第二电极122可以由具有相对低功函数的材料形成。
此外，第一电极121可以是透射光(例如，可见光)的透明电极。例如，第一电极121可以包括透明导电氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌(AZO)。
第二电极122可以是反射光的一部分并透射光的其余部分的半透射电极。为此，第二电极122可以包括很薄的反射金属。例如，第二电极122可以由银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)或其合金形成，或者可以具有包括银(Ag)和镁(Mg)的两层结构或包括铝(Al)和锂(Li)的两层结构。第二电极122的总厚度的范围可以从约10nm至约50nm。由于第二电极122非常薄，所以光的一部分可以穿过反射金属。
反射层110可以被配置为反射由有机发射层130产生并且透射过第一电极121的光。例如，反射层110可以被配置为：选择性地只反射特定波段的光并且透射或吸收另一波段的光。
反射层110和第二电极122可以构成微腔。例如，微腔可以形成在发光器件100的反射层110和第二电极122之间。例如，由有机发射层130产生的光可以在反射层110和第二电极122之间往复运动并且谐振，然后，与微腔的谐振波长相对应的光可以通过第二电极122发射到外部。
形成在反射层110和第二电极122之间的微腔的谐振波长可以由微腔的光学长度L确定。例如，当微腔的谐振波长是λ时，微腔的光学长度L可以是nλ/2，其中n是自然数。微腔的光学长度L可以由在反射层110和第二电极122之间构成微腔的各层的光学厚度之和、第二电极122的相位延迟和反射层110的相移(例如，相位延迟)来确定。此处，在反射层110和第二电极122之间构成微腔的各层的光学厚度不是简单的物理厚度，而是考虑到构成微腔的各层的材料的折射率的厚度。例如，构成微腔的各层的光学厚度可以是第一电极121的光学厚度和有机发射层130的光学厚度之和。
根据示例实施例，微腔的光学长度L或谐振波长可以通过在固定构成微腔的各层的光学厚度和第二电极122的相位延迟的同时仅调整反射层110的相移来进行调整。为了调整反射层110的波长选择性和反射层110的相移，可以在反射层110的接触第一电极121的反射表面上形成相位调制表面。相位调制表面可以包括非常小的纳米级图案。例如，反射层110的相位调制表面可以具有超结构，其中，周期性地布置了尺寸小于可见光波长的纳米结构。
参照图1，反射层110可以包括：以规则的周期性结构二维布置的多个纳米结构112；以及围绕多个纳米结构112的低折射率层111。低折射率层111可以完全包围每个纳米结构112的底表面、侧表面和顶表面。多个纳米结构112可以被完全掩埋和密封在低折射率层111中。因此，多个纳米结构112的顶表面可以不接触第一电极121，并且只有低折射率层111的顶表面可以直接接触第一电极121。包括在低折射率层111中的多个纳米结构112可以水平地布置在相同的平面上。
每个纳米结构112可以包括具有第一折射率的非金属材料，并且低折射率层111可以包括具有低于第一折射率的第二折射率的电介质材料。例如，每个纳米结构112的非金属材料可以包括：在可见光区域中具有高折射率和低吸光率的电介质材料或半导体材料。例如，电介质材料可以包括二氧化钛(TiO2)、钛酸钡(BaTiO3)、氧化铬(Cr2O3)、二氧化铪(HfO2)和氮化硅(SiNx)中的至少一种，并且半导体材料可以包括硅(Si)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和氨基乙酰丙酸合酶(aminolevulinate synthase)(AlAs2)中的至少一种。此外，低折射率层111可以由在可见光波段中具有低折射率和低吸收率的电介质材料形成，例如二氧化硅(SiO2)或硅氧烷基旋涂玻璃(SOG)。虽然纳米结构112和低折射率层111均包括具有低反射率的材料，但是通过周期性地布置尺寸小于可见光波长的多个纳米结构112来形成引导模式谐振(guide moderesonance)，并因此，反射层110可以针对特定波长的光具有高反射率。
例如，当每个纳米结构112具有圆柱形状时，由反射层110反射的光的波长可以由每个纳米结构112的直径W、每个纳米结构112的厚度T以及多个纳米结构112的间距或周期P确定。当每个纳米结构112具有多边形柱形状时，由反射层110反射的光的波长可以由每个纳米结构112的最大宽度W、每个纳米结构112的厚度T以及多个纳米结构112的间距或周期P确定。
具体地，当纳米结构112的厚度T相对小时，反射峰的半峰全宽可能很小，因此在除了特定波长以外的波长处的反射率可能相对低，并且当纳米结构112的厚度T增加时，反射峰的半峰全宽增加。例如，纳米结构112的厚度T的范围可以从约20nm至约200nm。此外，当纳米结构112的厚度T固定时，可以通过调整每个纳米结构112的直径或宽度W或多个纳米结构112的间距或周期P来控制在特定波长处的反射率。例如，当发光器件100在可见光区域中使用时，每个纳米结构112的直径或宽度W的范围可以从约100nm至约250nm，并且多个纳米结构112的间距或周期P的范围可以从约200nm至约500nm。
由反射层110反射的光的相位延迟可以由每个纳米结构112的直径或宽度W、多个纳米结构112的间距或周期P以及每个纳米结构112的厚度T确定。
因此，微腔的谐振波长可以由每个纳米结构112的直径W、每个纳米结构112的厚度T以及多个纳米结构112的周期P确定。例如，当微腔的谐振波长是λ时，可以选择每个纳米结构112的直径W、每个纳米结构112的厚度T以及多个纳米结构112的周期P，使得微腔的光学长度L满足nλ/2，其中n是自然数。可以选择每个纳米结构112的直径W、每个纳米结构112的厚度T以及多个纳米结构112的周期P，使得反射层110对于波长与微腔的谐振波长相对应的光具有最高反射率。
因此，微腔的谐振波长可以更容易地与发光器件100的发射波长或发射颜色相匹配。例如，当发光器件100是红色发光器件时，可以选择每个纳米结构112的直径W、每个纳米结构112的厚度T以及多个纳米结构112的周期P，使得微腔的谐振波长对应于红色波段，并且反射层110对于红色波段的光具有最高反射率。以这种方式，发光器件100的发射波长可以仅通过使用反射层110的相位调制表面的结构来确定。
为了防止微腔具有偏振依赖性，多个纳米结构112可以有规则地且周期性地布置为具有4重(4-fold)对称性。当微腔具有偏振依赖性时，只有特定偏振分量的光可以谐振，从而降低了发光器件100的发光效率。例如，图4是示出图1的反射层110的结构的透视图。参照图4，均具有圆柱形状的多个纳米结构112可以按照规则的方形阵列二维地布置。虽然在图4中纳米结构112具有圆柱形状，但是纳米结构112的形状不限于此。例如，纳米结构112可以具有椭圆柱形状、多边形柱形状(例如，矩形柱形状、五边形柱形状等)或十字形柱形状。
图5和图6是示出根据示例实施例的图1的反射层110的多个纳米结构112的布置的平面图。只要多个纳米结构具有4重对称性，多个纳米结构112就可以具有除了方形阵列布置以外的任意布置。例如，如图5所示，多个纳米结构112可以按照六边形阵列二维地布置，或者如图6所示，多个纳米结构112可以按照以形体为中心的(body-centered)方形阵列二维地布置。
参照图4和图5，多个纳米结构112以规则的二维阵列图案布置。然而，实施例不限于此，并且当多个纳米结构112具有4重对称性时，多个纳米结构112可以按照任意其他阵列来布置。例如，多个纳米结构112可以不规则地布置。在另一示例实施例中，多个纳米结构112的布置可以设计为与4重对称性不同，以使得发光器件100只发射特定偏振分量的光。例如，多个纳米结构112可以以一维阵列图案来布置。
现在将描述包括由非金属材料形成的多个纳米结构112的反射层110的反射特性。
图7A至图7D是示出根据示例实施例的根据每个纳米结构112的厚度和周期，反射层110的反射率的变化的曲线图。每个纳米结构112具有圆柱形状并且由Si(硅)形成，并且低折射率层111由SiO2形成。图7A至图7D是当每个纳米结构112的厚度T是30nm、40nm、50nm和120nm时的曲线图。图7A至图7D的曲线图中的阴影区域指示反射层110的反射率等于或大于80％的情况。
如图7A至图7D的曲线图所示，当每个纳米结构112的厚度固定时，其中反射层110的反射率等于或大于80％的波段可以随着多个纳米结构112的周期的增加而增加。多个纳米结构112的周期小于其中反射层110的反射率等于或大于80％的波长。因此，多个纳米结构112的周期可以被选择为小于微腔的谐振波长。
随着每个纳米结构112的厚度增加，对于相同的周期其中反射层110的反射率等于或大于80％的波段的宽度增加，这指示反射峰的半峰全宽增加。例如，当每个纳米结构112的厚度是120nm时其中反射率等于或大于80％的波段的宽度大于当每个纳米结构112的厚度是30nm时其中反射率等于或大于80％的波段的宽度。当反射峰的半峰全宽增加时，由发光器件100发射的光的色纯度可能降低。因此，反射层110的反射特性可以根据纳米结构112的材料和低折射率层111的材料而变化，但是每个纳米结构112的厚度可以被选择为等于或小于200nm。
图8A至图8C是示出根据示例实施例的分别针对蓝光、绿光和红光具有选择性的高反射率的反射层110的截面图。纳米结构112具有圆柱形状并且由Si形成，并且低折射率层111由SiO2形成。在图8A至图8C中，纳米结构112的厚度被固定为60nm。图8A的反射蓝光的反射层110的多个纳米结构112的周期可以是236nm，图8B的反射绿光的反射层110的多个纳米结构112的周期可以是337nm，并且图8C的反射红光的反射层110的多个纳米结构112的周期可以是412nm。在图8A至图8C中，每个纳米结构112的直径被选择为周期的1/2。
图9是示出针对多个纳米结构112的周期，反射层110的反射率与波长之间的关系的曲线图。参照图9的曲线图，图8A的反射层110对于具有约450nm的波长的蓝光具有61.5％的最高反射率，图8B的反射层110对于具有约550nm的波长的绿光具有92.6％的最高反射率，并且图8C的反射层110对于具有约650nm的波长的红光具有91.9％的最高反射率。因此，当使用包括由非金属材料形成的多个纳米结构112的反射层110时，发光器件100的发射波长可以通过仅针对可见光区域中的特定波长增大反射率而进行选择。
可以通过在包括由非金属材料形成的多个纳米结构112的反射层110和薄且平的第二电极122之间填充有机发射层130来形成具有高效率的顶部发射型微腔。图10是示出用于根据微腔的光学长度来模拟发光器件100的特性的结构的截面图。在图10的结构中，与低折射率层111(而不是有机发射层)的材料相同的SiO2填充在反射层110和第二电极122之间。将图8A至图8C的反射层各自用作反射层110。将具有30nm的厚度的银(Ag)用于第二电极122。
通过从外部对第二电极122发射白光，测量反射光的光谱，并且改变微腔的光学长度L。在这种情况下，因为波长与微腔的谐振波长相对应的光在反射层110与第二电极122之间谐振的同时被SiO2吸收，所以对波长与微腔的谐振波长相对应的光的反射率减小。
图11是示出根据图10的微腔的光学长度L，蓝光、绿光和红光的反射率的曲线图。随着微腔的光学长度L改变，被图10的结构吸收的光的波长改变。如由虚线圆所标记的，存在用于吸收蓝光、绿光和红光全部的微腔的光学长度L。例如，蓝光、绿光和红光的全部可以在与吸收蓝光的光学长度、吸收绿光的光学长度和吸收红光的光学长度的公倍数相对应的光学长度被吸收。
考虑到这一点，当适当地选择了发光器件100的微腔的光学长度L时，可以仅通过反射层110的纳米结构112的尺寸来确定发光器件100的发射颜色。因此，用于发射蓝光的发光器件、用于发射绿光的发光器件和用于发射红光的发光器件的物理厚度可以设置为相同。例如，可以通过固定微腔的光学长度L并改变纳米结构112的尺寸来制造用于发射蓝光的发光器件、用于发射绿光的发光器件和用于发射红光的发光器件。所制造的用于分别发射蓝光、绿光和红光的发光器件的物理厚度可以设置为相同。
图12和图13是示出根据图10的微腔的光学长度L，绿光和红光的发射光谱的曲线图。在图12和图13中，白光源设置在反射层110和第二电极122之间的SiO2中，并且计算了由第二电极122发射的光的强度。
图12示出了当图8B的反射层被用作反射层110时的结果。参照图12的曲线图，当微腔的光学长度L是320nm时，可以获得如下谐振峰，该谐振峰被放大了由微腔内部的光源产生的光的强度的大约2.5倍。此外，该谐振峰的半峰全宽是约10nm，其非常窄。图13示出了当图8C的反射层被用作反射层110时的结果。参照图13的曲线图，当微腔的光学长度L是380nm时，可以获得如下谐振峰，该谐振峰被放大了由微腔内部的光源产生的光的强度的大约4.5倍，并且该谐振峰的半峰全宽是约7nm，其非常窄。因此，因为几乎不发射具有除了目标波长以外的波长的光，所以可以获得非常高的色纯度。
虽然纳米结构112在图8A至图13中由Si形成，但是纳米结构112可以由除了Si以外的材料形成，并且反射层110的特性可以相应地改变。图14A至图14C是示出根据另一示例实施例的分别针对蓝光、绿光和红光具有选择性的高反射率的反射层110的截面图。每个纳米结构112具有圆柱形状并且由TiO2形成，并且低折射率层111由SiO2形成。在图14A至图14C中，纳米结构112的厚度被固定为60nm。多个纳米结构112的周期被选择为小于发射波长。例如，图14A的反射蓝光的反射层110的多个纳米结构112的周期可以是291nm，图14B的反射绿光的反射层110的多个纳米结构112的周期可以是364nm，并且图14C的反射红光的反射层110的多个纳米结构112的周期可以是435nm。在图14A至图14C中，每个纳米结构112的直径被选择为周期的1/2。
图15是示出针对蓝光、绿光和红光，多个纳米结构112的周期与反射层110的反射率之间的关系的曲线图。对于蓝光，当多个纳米结构112的周期是291nm时，可以获得约99％的反射率，并且当多个纳米结构112的周期改变时，反射率迅速地减小。对于绿光，当多个纳米结构112的周期是364nm时，可以获得约99％的反射率，并且当多个纳米结构112的周期改变时，反射率迅速地减小。对于红光，当多个纳米结构112的周期是435nm时，可以获得约99％的反射率，并且随着多个纳米结构112的周期改变，反射率迅速地减小。
图16是示出针对多个纳米结构112的周期，反射层110的反射率与波长之间的关系的曲线图。参照图16的曲线图，图14A的反射层110对于具有约450nm的波长的蓝光具有99％的最高反射率，图14B的反射层110对于具有约550nm的波长的绿光具有99％的最高反射率，并且图14C的反射层110对于具有约650nm的波长的红光具有99％的最高反射率。图16还示出了除了目标波长以外的波长的串扰噪声小于约20％，因此反射层110的波长选择性比较好。
此外，图17至图19是示出根据微腔的光学长度，蓝光、绿光和红光的发射光谱的曲线图。图17至图19是通过将图14A至图14C的反射层110应用到图10的结构而获得的。在图17至图19中，白光源设置在反射层110和第二电极122之间的SiO2中，并且计算了由第二电极122发射的光的强度。
图17示出了当图14A的反射层被用作反射层110时的结果。参照图17的曲线图，当微腔的光学长度L是240nm时，可以获得如下谐振峰，该谐振峰被放大了由微腔内部的光源产生的光的强度的大约3.5倍。图18示出了当图14B的反射层被用作反射层110时的结果。参照图18的曲线图，当微腔的光学长度L的范围从约300nm至约320nm时，可以获得如下谐振峰，该谐振峰被放大了由微腔内部的光源产生的光的强度的大约4.2倍。图19示出了当图14C的反射层被用作反射层110时的结果。参照图19的曲线图，当微腔的光学长度L是380nm时，可以获得如下谐振峰，该谐振峰被放大了由微腔内部的光源产生的光的强度的大约4.5倍。此外，图17至图19的曲线图中的每个谐振峰的半峰全宽是约3nm，其非常窄，因此显著减少了串扰噪声。因此，因为几乎不发射具有除了目标波长以外的波长的光，所以可以获得非常高的色纯度。
虽然每个纳米结构112在图8A至图19中具有圆柱形状，但是纳米结构112可以具有各种其它形状中的任意一种。例如，图20和图21是示出根据其他示例实施例的反射层的多个纳米结构的形状的平面图。如图20所示，每个纳米结构112可以具有矩形柱形状，或者如图21所示，每个纳米结构112可以具有十字形柱形状。然而，实施例不限于此。例如，每个纳米结构112可以具有椭圆柱形状或多边形柱形状(例如，五边形柱形状)等。反射层110的反射特性可以根据纳米结构112的形状变化。
例如，图22是示出根据纳米结构112的形状，被配置为反射蓝光的反射层110的反射特性的曲线图。图23是示出根据纳米结构112的形状，被配置为反射绿光的反射层110的反射特性的曲线图。图24是示出根据纳米结构112的形状，被配置为反射红光的反射层110的反射特性的曲线图。
每个纳米结构112由Si形成，并且低折射率层111由SiO2形成。图22至图24中的每一个中的实线指示纳米结构112具有圆柱形状的情况，虚线指示纳米结构112具有十字形柱形状的情况，并且点划线指示纳米结构112具有方形柱形状的情况。在所有示例中，纳米结构112的厚度被固定为100nm。在用于反射蓝光的反射层110中，纳米结构112的宽度是150nm并且多个纳米结构112的周期是290nm。在用于反射绿光的反射层110中，纳米结构112的宽度是180nm并且多个纳米结构112的周期是330nm。在用于反射红光的反射层110中，纳米结构112的宽度是180nm并且多个纳米结构112的周期是410nm。
参照图22至图24，当纳米结构112具有圆柱形状时，反射峰形成在450nm、550nm和650nm处。当纳米结构112具有十字形柱形状时，反射峰形成在稍微短于450nm、550nm和650nm的波长处。当纳米结构112具有方形柱形状时，反射峰形成在稍微长于450nm、550nm和650nm的波长处。在用于反射蓝光和绿光的反射层110中，具有十字形柱形状和方形柱形状的纳米结构112中的每一个的反射率大于具有圆柱形状的纳米结构112的反射率。在用于反射红光的反射层110中，具有方形柱形状的纳米结构的反射率与具有圆柱形状的纳米结构112的反射率相似。因此，即使当纳米结构112具有除了圆柱形状以外的形状时，也可以设计具有选择性的高反射率的反射层110，并且可以通过改变纳米结构112的尺寸来控制反射光的所需波长。
图25是示出根据另一示例实施例的发光器件的结构的截面图。在图1的发光器件100中，低折射率层111完全覆盖纳米结构112的顶表面。然而，在图25的发光器件100a中，低折射率层111不覆盖纳米结构112的顶表面，并且多个纳米结构112的顶表面和低折射率层111的顶表面设置在相同的平面上。多个纳米结构112的顶表面和低折射率层111的顶表面可以直接接触第一电极121。多个纳米结构112的侧表面和底表面可以被低折射率层111完全包围和密封。
图26是示出根据另一示例实施例的发光器件的结构的截面图。参照图26，发光器件100b的反射层110还可以包括扁平且具有高反射率的金属反射膜113。例如，金属反射膜113可以包括银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)或其组合。金属反射膜113可以直接接触纳米结构112的底表面。低折射率层111可以包围金属反射膜113的底表面和金属反射膜113的不接触纳米结构112的顶表面。
图27是示出根据另一示例实施例的发光器件的结构的截面图。虽然金属反射膜113在图26中直接接触纳米结构112的底表面，但是实施例不限于此。在图27的发光器件100c中，金属反射膜113可以设置在低折射率层111的底表面上。在这种情况下，金属反射膜113不直接接触纳米结构112。
图28是示出根据另一示例实施例的发光器件的结构的截面图。参照图28，发光器件100d还可以包括基板101。基板101的示例可以包括半导体基板，例如硅(Si)基板、透明玻璃基板和透明聚合物基板。反射层110、第一电极121、有机发射层130、第二电极122和钝化层140可以顺序堆叠在基板101上。
此外，低折射率层111可以由两种不同的电介质材料形成。例如，低折射率层111可以包括：第一低折射率层111a，设置在纳米结构112下方；以及第二低折射率层111b，设置为覆盖纳米结构112的侧表面和顶表面。第一低折射率层111a和第二低折射率层111b可以具有不同的折射率，并且可以均由具有低于纳米结构112的折射率的折射率的透明电介质材料形成。由反射层110反射的反射光的波长可以由第一低折射率层111a和第二低折射率层111b控制。
如上所述，通过使用包括由非金属材料形成的多个纳米结构112的反射层110，可以根据微腔的光学长度L发射具有高效率和窄的半峰全宽的蓝光、绿光和红光。通过在固定反射层110的纳米结构112的高度和微腔的光学长度L的同时仅改变纳米结构112的宽度和/或周期，可以更容易地确定发光器件100的发射波长。因此，当将根据示例实施例的发光器件100应用到显示装置的红、绿、蓝(RGB)子像素时，可以促进制造显示装置的过程。
例如，图29是示出根据示例实施例的显示装置的结构的截面图。参照图29，根据示例实施例的显示装置200可以包括显示基板201和在显示基板201上对准的第一像素100B、第二像素100G和第三像素100R。在图29中，虽然第一像素至第三像素100B、100G和100R中的每一个具有与图1的发光器件100的结构相同的结构，但是第一像素至第三像素100B、100G和100R中的每一个可以具有图25至图28的发光器件100a、100b、100c和100d中的任意一个的结构。此外，虽然为了便于说明在图29中仅示出了一个第一像素100B、一个第二像素100G和一个第三像素100R，但是可以重复地布置大量的第一像素至第三像素100B、100G和100R。
第一像素至第三像素100B、100G和100R可以包括：反射层110B、110G和110R，分别包括二维地布置的多个纳米结构112B、112G和112R；第一电极121，设置在反射层110B、110G和110R上；有机发射层130，设置在第一电极121上；以及第二电极122，设置在有机发射层130上。此外，第一像素至第三像素100B、100G和100R还可以均包括：钝化层140，其是透明的，并且设置在第二电极122上，以保护第二电极122。
第一像素至第三像素100B、100G和100R可以被配置为发射具有不同波长的光。例如，第一像素100B可以被配置为发射蓝色波段的光B，第二像素100G可以被配置为发射绿色波段的光G，并且第三像素100R可以被配置为发射红色波段的光R。为此，第一像素至第三像素100B、100G和100R的反射层110B、110G和110R可以分别包括：具有不同尺寸6的纳米结构112B、112G和112R。
例如，每个纳米结构112B的直径、每个纳米结构112B的高度以及多个纳米结构112B的周期可以被确定为使得第一像素100B的反射层110B对于蓝色波段的光B具有最高反射率并且透射或吸收其余波段的光R和G。此外，每个纳米结构112G的直径、每个纳米结构112G的高度以及多个纳米结构112G的周期可以被确定为使得第二像素100G的反射层110G对于绿色波段的光G具有最高反射率并且透射或吸收其余波段的光B和R。同样，每个纳米结构112R的直径、每个纳米结构112R的高度以及多个纳米结构112R的周期可以被确定为使得第三像素100R的反射层110R对于红色波段的光R具有最高反射率并且透射或吸收其余波段的光B和G。
特别地，可以配置第一像素至第三像素100B、100G和100R，使得多个纳米结构112B、112G和112R的高度固定为相同，并且多个纳米结构112B、112G和112R的直径和周期彼此不同。例如，第一像素100B的纳米结构112B的周期可以小于蓝色波长，并且可以小于第二像素100G的纳米结构112G的周期。第二像素100G的纳米结构112G的周期可以小于绿色波长，并且可以小于第三像素100R的纳米结构112R的周期。此外，第三像素100R的纳米结构112R的周期可以小于红色波长。
第一像素至第三像素100B、100G和100R中的微腔的光学长度可以相同。如参考图10和图11所描述的，第一像素至第三像素100B、100G和100R的微腔的光学长度可以对应于用于使蓝光谐振的光学长度、用于使绿光谐振的光学长度和用于使红光谐振的光学长度的公倍数。因此，第一像素至第三像素100B、100G和100R的发射波长仅通过反射层110B、110G和110R的纳米结构112B、112G和112R的尺寸来确定。在第一像素至第三像素100B、100G和100R中，除了反射层110B、110G和110R以外的元件，例如第一电极121、有机发射层130和第二电极122，可以具有相同的组分和相同的厚度。因此，第一像素至第三像素100B、100G和100R的物理厚度可以相同。因此，制造显示装置200的过程可以更加简单，并且制造成本可以降低。
图30是示出根据另一示例实施例的显示装置的结构的截面图。在图30的显示装置300中，第二像素100G和第三像素100R的反射层110G和反射层110R可以分别包括纳米结构112G和112R，但是第一像素100B的反射层110B可以不包括纳米结构。图30的显示装置300的反射层110B、110G和110R中的每一个还可以包括金属反射膜113。金属反射膜113可以直接接触纳米结构112G和112R中的每一个的底表面。然而，如图27所示，金属反射膜113可以接触低折射率层111的底表面。反射层110B、110G和110R的金属反射膜113可以设置在相同的平面上。
第一像素100B的微腔的光学长度可以被确定为使得谐振波长与蓝色波长相匹配。例如，第一像素100B的微腔的光学长度可以通过设置在金属反射膜113和第二电极122之间的材料的光学长度之和确定。因此，第一像素100B可以发射蓝色波段的光B。
在第二像素100G和第三像素100R中，微腔的谐振波长可以通过使用纳米结构112G和112R，经由反射光的相位延迟来调整。例如，可以配置第二像素100G的纳米结构112G，使得第二像素100G的微腔的谐振波长与绿色波长相匹配以延迟反射光的相位并且对于绿色波段的光G具有最高反射率。可以配置第三像素100R的纳米结构112R，使得第三像素100R的微腔的谐振波长与红色波长相匹配以延迟反射光的相位并且对于红色波段的光R具有最高反射率。
应当理解，应仅以描述性意义而不是限制性目的来考虑本文描述的示例实施例。对每个示例性实施例中的特征或方面的描述应当典型地被看作可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已参照附图描述了示例实施例，但本领域普通技术人员将理解，在不脱离由随附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的多种改变。

Claims (33)

1.一种发光器件，包括：
反射层，包括有规则地二维设置的多个纳米结构和邻近所述多个纳米结构设置的低折射率层；
第一电极，设置在所述反射层上；
有机发射层，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，设置在所述有机发射层上，
其中，所述多个纳米结构中的每一个包括非金属材料，并且所述低折射率层包括具有比所述非金属材料的第一折射率低的第二折射率的电介质材料。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极是透明电极，并且所述第二电极是被配置为反射光的一部分并透射光的其余部分的半透射电极。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述非金属材料包括电介质材料或半导体材料。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述电介质材料包括TiO2、BaTiO3、Cr2O3、HfO2和SiNx中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述半导体材料包括Si、ZnS、ZnSe、GaP、InP、GaAs、GaN和AlAs2中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层和所述第二电极形成具有谐振波长的微腔。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述反射层的所述多个纳米结构中的每一个的直径、所述多个纳米结构中的每一个的高度以及所述多个纳米结构的周期被确定为，使得所述反射层对于波长与所述微腔的谐振波长相对应的光具有最高反射率。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述多个纳米结构的周期小于所述微腔的谐振波长。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述多个纳米结构的周期的范围从200nm至500nm。
10.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述多个纳米结构中的每一个的高度的范围从20nm至200nm。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述低折射率层的顶表面设置在所述多个纳米结构的顶表面上，所述多个纳米结构的顶表面与所述第一电极间隔开，并且所述低折射率层的顶表面直接接触所述第一电极。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多个纳米结构的顶表面和所述低折射率层的顶表面设置在相同平面上，并且所述多个纳米结构的顶表面和所述低折射率层的顶表面直接接触所述第一电极。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层还包括：金属反射膜，所述金属反射膜是扁平的并且直接接触所述多个纳米结构的底表面。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述低折射率层设置在所述金属反射膜的不与所述多个纳米结构的底表面接触的顶表面上，并且设置在所述金属反射膜的底表面上。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层还包括：金属反射膜，所述金属反射膜是扁平的并且设置在所述低折射率层的底表面上。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述低折射率层包括：设置在所述多个纳米结构的底表面上的第一低折射率层，以及设置在所述多个纳米结构的侧表面和顶表面上的第二低折射率层，并且
其中，所述第一低折射率层和所述第二低折射率层包括具有不同折射率的电介质材料。
17.一种显示装置，包括：
第一像素，配置为发射第一波长的光；以及
第二像素，配置为发射与所述第一波长不同的第二波长的光，
其中，所述第一像素包括：
反射层，包括有规则地二维设置的多个纳米结构和邻近所述多个纳米结构设置的低折射率层；
第一电极，设置在所述反射层上；
有机发射层，设置在所述第一电极上并且被配置为发射包括所述第一波长的光和所述第二波长的光在内的可见光；以及
第二电极，设置在所述有机发射层上，
其中，所述多个纳米结构中的每一个包括非金属材料，并且所述低折射率层包括具有比所述非金属材料的第一折射率低的第二折射率的电介质材料。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一电极是透明电极，并且所述第二电极是被配置为反射光的一部分并透射光的其余部分的半透射电极。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述非金属材料包括电介质材料或半导体材料。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述电介质材料包括TiO2、BaTiO3、Cr2O3、HfO2和SiNx中的至少一种。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述半导体材料包括Si、ZnS、ZnSe、GaP、InP、GaAs、GaN和AlAs2中的至少一种。
22.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述反射层的所述多个纳米结构中的每一个的直径、所述多个纳米结构中的每一个的高度以及所述多个纳米结构的周期被确定为，使得所述第一像素的所述反射层对于所述第一波长的光具有最高反射率并且被配置为透射或吸收所述第二波长的光。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述多个纳米结构的周期小于所述第一波长。
24.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述多个纳米结构的顶表面和所述低折射率层的顶表面设置在相同平面上，并且
其中，所述多个纳米结构的顶表面和所述低折射率层的顶表面直接接触所述第一电极。
25.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述低折射率层的顶表面设置在所述多个纳米结构的顶表面上，所述多个纳米结构的顶表面与所述第一电极间隔开，并且所述低折射率层的顶表面直接接触所述第一电极。
26.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述反射层还包括：金属反射膜，所述金属反射膜是扁平的并且直接接触所述多个纳米结构的底表面。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述低折射率层设置在所述金属反射膜的不与所述多个纳米结构的底表面接触的顶表面上，并且设置在所述金属反射膜的底表面上。
28.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述反射层还包括：金属反射膜，所述金属反射膜是扁平的并且设置在所述低折射率层的底表面上。
29.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第二像素包括：
反射层，包括有规则地二维设置的多个纳米结构和邻近所述多个纳米结构设置的低折射率层；
第一电极，设置在所述反射层上；
有机发射层，设置在所述第一电极上并且配置为发射包括所述第一波长的光和所述第二波长的光在内的可见光；以及
第二电极，设置在所述有机发射层上，
其中，所述第二像素的反射层的多个纳米结构中的每一个包括非金属材料，并且所述第二像素的反射层的低折射率层包括具有比所述非金属材料的第二折射率低的第一折射率的电介质材料。
30.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述第二像素的多个纳米结构中的每一个的直径、多个纳米结构中的每一个的高度以及多个纳米结构的周期被确定为，使得所述第二像素的反射层对于所述第二波长的光具有最高反射率并且被配置为透射或吸收所述第一波长的光。
31.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述第一像素的反射层的多个纳米结构中的每一个的高度和所述第二像素的反射层的多个纳米结构中的每一个的高度相同，并且所述第一像素的反射层的多个纳米结构的周期和所述第二像素的反射层的多个纳米结构的周期彼此不同。
32.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述第一像素的第一电极、有机发射层和第二电极分别与所述第二像素的第一电极、有机发射层和第二电极相同。
33.一种发光器件，包括：
反射层，包括有规则地二维设置的多个纳米结构和邻近所述多个纳米结构设置的低折射率层；
第一电极，设置在所述反射层上；
有机发射层，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，设置在所述有机发射层上，
其中，所述多个纳米结构中的每一个包括电介质材料或半导体材料，并且所述低折射率层包括具有比所述电介质材料或半导体材料的第一折射率低的第二折射率的电介质材料，
其中，所述反射层和所述第二电极形成具有谐振波长的微腔，并且
其中，所述反射层的所述多个纳米结构中的每一个的直径、所述多个纳米结构中的每一个的高度以及所述多个纳米结构的周期被确定为，使得所述反射层对于波长与所述微腔的谐振波长相对应的光具有最高反射率。
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