CN114067846B - 耐腐蚀性改进的热辅助磁记录（hamr）写入头及头制造方法 - Google Patents

耐腐蚀性改进的热辅助磁记录（hamr）写入头及头制造方法 Download PDF

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Abstract

一种热辅助磁记录(HAMR)写入头具有写入极，该写入极具有基本上防止氧化并因此改进该写入极的耐腐蚀性的化学钝化端部。该写入极和近场换能器(NFT)支撑在滑块上并且使它们的端部位于该滑块的面向盘的表面的窗口区域中。该写入极的外表面区域优选地通过暴露于氮等离子体进行化学钝化。该氮等离子体对该NFT端部或磁阻读取头没有影响，该NFT端部或该磁阻读取头由于其位于该滑块的面向盘的表面的非窗口区域中而受到保护。光学透明的保护性膜在该窗口中在该钝化写入极端部和该NFT端部之上形成。

Description

耐腐蚀性改进的热辅助磁记录(HAMR)写入头及头制造方法
技术领域
本发明整体涉及热辅助磁记录(HAMR)盘驱动器，其中在盘上的磁 记录层处于升高的温度时写入数据，并且更具体地，涉及改进的HAMR写 入头。
背景技术
在常规磁记录中，在记录介质中所存储的磁化的热不稳定性可导致记 录数据的丢失。为避免这种情况，需要具有高磁晶各向异性(Ku)的介 质。然而，增大Ku也增大介质的矫顽磁性，这可超出写入头的写入字段能 力。由于已知记录层的磁性材料的矫顽磁性依赖于温度，因此对于热稳定 性问题提出的一种解决方案是热辅助磁记录(HAMR)，其中高Ku磁记录 材料在写入期间被局部加热以降低矫顽磁性而足以进行写入，但在盘驱动 器的环境温度(即，约15℃-30℃的“室”温或正常操作温度)下矫顽磁性 /各向异性足够高以实现所记录位元的热稳定性。在一些提出的HAMR系统 中，磁记录材料被加热至接近或高于其居里温度。然后，通过常规磁阻读 取头在环境温度下回读所记录的数据。已经针对常规连续介质提出了 HAMR盘驱动器，其中磁记录材料是盘上的连续层，并且针对位元图案介 质(BPM)提出了HAMR盘驱动器，其中磁记录材料被图案化成离散数据 岛或“位元”。
在典型的HAMR写入头中，来自激光二极管的光耦合到波导，该波导 将光引导至近场换能器(NFT)(也称为等离激元天线)。“近场”换能 器是指“近场光学器件”，其中光通过具有亚波长特征的元件，并且光耦 合到位于距第一元件亚波长距离的第二元件，诸如磁记录介质之类的衬 底。NFT通常位于气体轴承滑块的气体轴承表面(GBS)处，该气体轴承 滑块还支撑读取头和磁写入极并且骑跨或“归档”在盘表面上方。NFT通 常由低损耗金属(例如，Au、Ag、Al、Cu)形成，该低损耗金属以当光入 射时将表面电荷运动集中在位于滑块GBS处的凹口或尖端处的方式成形。 振荡尖端电荷产生强烈的近场图案，该近场图案加热盘上的记录层。然后 使用磁写入极在记录层冷却时改变记录层的磁化。有时，NFT的金属结构可产生谐振电荷运动(表面等离激元)以进一步增强强度和盘加热。例 如，当偏振光与E形天线类型NFT对准时，在E形天线的凹口或尖端处产 生强烈的近场图案。通过调节E形天线尺寸以使表面等离激元频率匹配入 射光频率，可发生谐振电荷运动。具有大致三角形输出端的NFT(有时称 为“纳米嘴(nanobeak)”类型NFT)在US 8705325 B2中有所描述，该 专利转让给与本专利申请相同的受让人。在该类型NFT中，在波导的表面 处产生的消散波耦合到在NFT的表面上激发的表面等离激元，并且在三角 形输出端的顶点处产生强光学近场。
发明内容
因为写入极端部定位成紧邻(即，几纳米)记录层，所以写入极端部 也暴露于由NFT在记录层表面上产生的热。写入极还可由于导电或光学耦 合而被NFT加热。在升高的温度下，写入极可因与环境中的氧气相互作用 而容易被氧化。被腐蚀的写入极降低盘驱动器的写入性能。
本发明的实施方案涉及一种具有写入极的HAMR写入头，该写入极具 有基本上防止氧化并因此改进写入极的耐腐蚀性的化学钝化端部。在一个 实施方案中，在滑块的面向盘的表面上形成窗口，该窗口包括写入极端部 和NFT端部，但不包括磁阻读取头。然后将窗口中的写入极端部和NFT端 部暴露于氮等离子体，同时保护磁阻读取头免受等离子体影响。写入极的 外表面区域通过氮和铁氮化物变得钝化。然而，氮等离子体对NFT端部和 受保护读取头没有影响。然后在钝化写入极端部和NFT端部之上的窗口中 形成光学透明的保护性膜。
为了更全面地理解本发明的实质和优点，应当参考结合附图所作的以 下具体描述。
附图说明
图1是根据现有技术的热辅助磁记录(HAMR)盘驱动器的顶视图。
图2描绘了根据现有技术的在HAMR盘驱动器中使用的气体轴承滑块 和HAMR盘的一部分的剖视图，该剖视图由于难以显示非常小的特征部而 未按比例绘制。
图3A是根据一个实施方案的滑块的一部分的剖视图，并且图3B是仅 在滑块的面向盘的表面的窗口区域上具有保护性膜的滑块的GBS视图，其 中NFT是具有三角形端部的“纳米嘴”类型NFT，并且该三角形的顶点形 成面向写入极端部的NFT尖端。
图4A是根据另一个实施方案的滑块的一部分的剖视图，并且图4B是 仅在滑块的面向盘的表面的窗口区域上具有保护性膜的滑块的GBS视图。
图5A至图5E是示出在窗口区域中形成化学钝化写入极端部和保护性 膜中的基本工艺步骤的剖视图。
具体实施方式
图1是根据现有技术的热辅助磁记录(HAMR)盘驱动器100的顶视 图。在图1中，HAMR盘驱动器100被描绘为具有盘200，该盘具有图案 化成布置在径向间隔开的圆形磁道118中的可磁化材料的离散数据岛30的 磁记录层31。仅示出了靠近盘200的内径和外径的若干代表性岛30和代表 性磁道118。然而，HAMR盘驱动器可替代地使用其中记录层31是可磁化 材料的常规连续磁记录层的盘，而不是图1中示出为具有离散数据岛30的 位元图案化介质(BPM)。
驱动器100具有支撑致动器130的外壳或基部112和用于使磁记录盘 200旋转的驱动马达。致动器130可为具有刚性臂131并围绕枢轴132旋转 (如箭头133所示)的音圈马达(VCM)旋转致动器。头悬架组件包括悬 架135和头载体诸如气体轴承滑块120，该悬架具有附接到致动器臂131的 端部的一端，该头载体附接到悬架135的另一端。悬架135允许滑块120 保持非常接近盘200的表面，并且使得其能够在盘200沿箭头20的方向旋 转时在由该盘生成的气体(通常是空气或氦气)轴承上“倾斜”和“滚 动”。滑块120支撑HAMR头(未示出)，HAMR头包括HAMR写入头 和磁阻读取头。HAMR写入头包括感应写入头、近场换能器(NFT)和光 波导。例如，具有780nm至980nm波长的半导体激光器90可用作HAMR 光源，并且被描述为支撑在滑块120的顶部上。另选地，激光器可位于悬 架135上并通过光学通道耦合到滑块120。当盘200沿箭头20的方向旋转 时，致动器130的移动允许滑块120上的HAMR头访问盘200上的不同数 据磁道118。滑块120通常由复合材料形成，诸如氧化铝/碳化钛(Al2O3/TiC) 的复合材料。图1中仅示出了具有相关联的滑块和读写头的一个盘表面， 但通常在由主轴马达旋转的轮毂上堆叠有多个盘，其中单独的滑块和 HAMR头与每个盘的每个表面相关联。
在以下附图中，X方向表示垂直于滑块的气体轴承表面(GBS)的方 向，Y方向表示磁道宽度或跨磁道方向，并且Z方向表示沿磁道方向。图2 是示出根据现有技术的HAMR头的构型示例的示意性剖视图。在图2中， 盘200被描绘为具有记录层31，该记录层为具有磁化区域或“位元”34的 可磁化材料的常规连续磁记录层。盘包括通常由无定形类金刚石碳(DLC)形成的外涂层36和通常是全氟聚醚(PFPE)的液体润滑剂层 38。
气体轴承滑块120由悬架135支撑。滑块120具有面向记录层的表面 122，外涂层124沉积在该表面上。外涂层124通常是DLC外涂层，其厚 度在约1nm至3nm的范围内，并且其外表面形成滑块120的GBS。滑块 120支撑磁写入头50、读取头60和磁通读取头屏蔽件S1和S2。记录磁场 由写入头50产生，该写入头由线圈56、用于传输由线圈56产生的通量的 主磁极53、具有端部52的写入极55以及返回极54组成。由线圈56产生 的磁场通过磁极53传输到位于光学近场换能器(NFT)74附近的写入极端 部52。当来自波导73的光入射时，也被称为等离激元天线的NFT 74通常 使用低损耗金属(例如，Au、Ag、Al或Cu)，该低损耗金属被成形为使 得将表面电荷运动集中在位于滑块GBS处的尖端处。振荡尖端电荷产生强 烈的近场图案，从而加热记录层31。有时，NFT的金属结构可产生谐振电 荷运动(表面等离激元)以进一步增强记录层的强度和加热。在记录的时 刻，盘200的记录层31被由NFT 74产生的光学近场加热，并且同时，通 过施加由写入极端部52产生的记录磁场将区域或“位元”34磁化并因此写 入到记录层31上。
半导体激光器90安装到滑块120的顶部表面。用于将来自激光器90 的光引导至NFT 74的光学波导73形成于滑块120内。确保波导73芯材料 的折射率大于包覆材料的折射率的材料可用于波导73。例如，Al2O3可用作 包覆材料，并且TiO2、Ta2O5、Nb2O5和SiOxNy可用作芯材料。另选地， SiO2可用作包覆材料，并且Nb2O5、Ta2O5、TiO2、SiOxNy或Ge掺杂的 SiO2用作芯材料。将光传送至NFT 74的波导73优选地为单模波导。
如图2所示，写入极端部52定位成紧邻(即，仅几纳米)记录层31， 写入极端部52也暴露于由NFT 74在记录层表面上产生的热。NFT金属中 的电荷运动还导致NFT的加热，并且该“自加热”除了降低NFT的长期可 靠性之外，还可使滑块上的DLC外涂层劣化和氧化。写入极也可由于导电 或光学耦合而被NFT加热。滑块外涂层的升高的温度和/或劣化可致使写入 极端部被氧化，这导致较差的记录性能。
在本发明的实施方案中，优选地通过暴露于氮等离子体来化学钝化写 入极端部的非常薄的外部区域，这显著改进写入极端部的耐腐蚀性。在化 学钝化工艺期间，仅暴露滑块的面向盘的表面的窗口区域，该窗口区域包 括NFT端部和写入极端部两者，但不包括磁阻读取头。窗口区域包含用于 NFT端部和写入极端部的光学透明保护性膜，该光学透明保护性膜不同于 滑块的非窗口区域中的保护性外涂层。
图3A是根据本发明的一个实施方案的滑块的一部分的剖视图，并且 图3B是该滑块的GBS视图。由于难以表示非常小的尺寸，因此图3A至图 3B中的图未按比例绘制。滑块220具有面向盘上的记录层的表面222。滑 块支撑波导273、NFT 274、主极153和具有写入极端部152的写入极 155。写入极端部152的外表面区域152a被化学钝化。写入极155通常是Fe与Co和Ni中的一者或多者的合金。在一个实施方案中，区域152a富含 氮，主要是铁氮化物。该示例中的NFT为具有三角形端部的“纳米嘴”类 型NFT，并且该三角形的顶点形成面向写入极端部152的NFT尖端276 (图3B)。在此类型NFT中，波导273具有面向NFT 274的表面274a的 表面273a。当光被引入波导273中时，消散波在表面273a处产生并且耦合 到在NFT274的表面274a上激发的表面等离激元。表面等离激元传播到输 出尖端276。面向盘的表面222包括围绕NFT 274和写入极端部152两者的 窗口区域240。保护性膜250仅位于窗口区域240中，并且优选地是氮化硅 (SiNx)之类的材料，该材料是光学透明的并且通常不同于外涂层224的 材料。在该实施方案中，膜250直接位于面向盘的表面222上，并且与 NFT 274和写入极端部152的外表面区域152a直接接触。非窗口区域中的 滑块外涂层224通常是DLC，并且可形成在内涂层230诸如氮化硅 (SiNx)涂层上。非窗口区域中的滑块外涂层224保护读取头160，该读取 头位于读取头屏蔽件S1、S2之间。
图4A是根据本发明的另一个实施方案的滑块的一部分的剖视图，并 且图4B是该滑块的GBS视图。由于难以表示非常小的尺寸，因此图4A至 图4B中的图未按比例绘制。滑块220具有面向盘上的记录层的表面222。 滑块支撑波导173、NFT 174、主极153和写入极155。写入极155具有在 面向盘的表面222处的端部152，该端部具有化学钝化外部区域152a。该示例中的NFT 174为具有面向写入极端部152的中心尖端176的E形天线 (图4B)。在该示例中，写入极端部152是从写入极155延伸到面向盘的 表面222处的唇缘。面向盘的表面222包括围绕NFT 174和写入极端部152 两者的窗口区域240。保护性膜250仅位于窗口区域240中。在该实施方案 中，膜250直接位于面向盘的表面222上，并且与NFT 174和写入极端部152的区域152a直接接触。
在全部实施方案中，窗口被描绘为圆形，但可具有其他形状，前提条 件是其覆盖NFT和写入极端部两者。窗口不能大到也覆盖读取头，因为读 取头(其通常是NiFe之类的磁合金)必须在形成写入极端部的外部区域 152a的化学钝化工艺期间被屏蔽。如果窗口区域是圆形的，则其可例如具 有在约3μm-5μm的范围内的直径，这将不会影响读取头，该读取头通常距 写入极端部约6μm。
图5A至图5E是示出在保护非窗口区域中的读取头的同时在窗口区域 中形成化学钝化写入极端部和保护性膜中的基本工艺步骤的剖视图。在该 示例中，NFT是E形天线(图4B)，但该工艺完全适用于具有纳米嘴形 NFT(图3B)或其他类型NFT的HAMR写入头。在图5A中，硅或氮化硅 内涂层230和无定形DLC外涂层224已沉积在滑块220的整个表面222之 上以覆盖将成为窗口区域的写入极端部152和NFT 174以及非窗口区域中 的屏蔽件S1、S2和读取头160的端部。内涂层230可具有介于约和/>之间的厚度，并且DLC外涂层224可具有介于约/>和/>之间的厚度。 在图5B中，抗蚀剂300沉积在外涂层224的整个表面之上，然后被图案化 并显影以限定窗口区域240。抗蚀剂可以为通过旋涂沉积的液体抗蚀剂。
在图5C中，在窗口区域240中去除了内涂层230和滑块外涂层224， 例如通过离子束蚀刻(IBE)如在Ar-N2或Ar-O2气氛中的反应离子蚀刻 (RIE)。由于内涂层230和外涂层224材料的蚀刻速率为人们所熟知，因 此可在精确的时间终止蚀刻以去除外涂层224材料和全部内涂层230，而不 蚀刻NFT 174材料(通常是Au或Au合金)或写入极152材料(通常是 CoFe或CoFeNi合金)中的任一者。
接下来，在图5D中，来自RF等离子体工具的低能氮离子被引导到包 含滑块的暴露窗口区域的衬底。优选地，衬底是一排滑块，该排滑块已从 晶片切下然后被加工以在该排中的每个滑块上形成窗口区域。在RF等离子 体工具中，氩气和氮气在RF场下被激发并分解以产生自由移动的带负电的 电子和带正电的Ar+和N+离子的等离子体。壳体表面(包括衬底)上存在 有限厚度的电势梯度，并且该电势梯度称为鞘层。在一个实施方案中，关 闭RF等离子体工具的栅格组件偏置。等离子体中的氮离子仅由存在于衬底 表面上的鞘电势差拉向基底表面。这在滑块中的每个滑块中产生写入极端 部152的化学钝化外部膜或区域152a。区域152a富含氮并且包括与其自身 结合的氮和铁氮化物(例如，Fe2N、Fe3N4)，并且具有通常在0.5nm至 2nm的范围内的厚度。然而，已显示氮钝化工艺对NFT端部没有影响，因此NFT性能不受影响。由于钝化外表面区域152a主要是氮和铁氮化物，因 此它在盘驱动器操作期间抵抗下面的写入极材料的氧化。转让给与本专利 申请相同的受让人的US7137190 B2描述了用于常规(非HAMR)纵向 (非垂直)磁记录的滑块上所有磁性膜的氮处理。由于磁阻读取头上还形 成有氮膜，因此读回信号大幅减小。另外，据信，写入极上的氮膜还将不 利地影响写入性能，因为在非HAMR中，写入依赖于写入场梯度，这与其 中写入场梯度小得多并且不会显著影响写入的HAMR相反。在本发明的用 于HAMR的化学钝化工艺的实施方案中，必须保护磁阻读取头，因为读回 信号强烈地依赖于头-盘间距，而写入极较少地依赖于头-盘间距，因为写入 场梯度不会显著影响写入。
在另选的实施方案中，可通过暴露于氧气来化学钝化写入极端部152 的外表面以形成薄氧化物膜作为外部区域152a。如图5D所描绘具有暴露 的NFT端部和写入极端部的滑块可暴露于氧等离子体或浸渍在过氧化氢溶 液(10％至30％浓度)中以形成氧化外表面。所得的薄(即，0.5nm-2nm) 外氧化物表面区域152a防止在盘驱动器的操作期间进一步氧化。在另一个 另选的实施方案中，具有暴露的NFT端部和写入极端部的滑块可暴露于用 于使钢渗碳的烃气，如CO、CH4和C2H8。这形成碳化铁(FeC)作为外表 面区域152a。作为化学钝化工艺的一部分，在通过上述方法中的任一种方 法形成外表面区域152a之后，可对滑块进行退火以加速或增强化学钝化。
接下来，在图5E中，在窗口区域240中沉积对激光波长的辐射光学透 明的材料(如氮化硅(SiNx))的保护性膜250。除了SiNx之外，其他基本上 光学透明的材料也可用于保护性膜250，包括TiO2、ZrO2、HfO2或SiBN。 可通过溅射沉积将保护性膜250沉积至在约1nm至4nm的范围内的厚度。 在优选的实施方案中，保护性膜250被沉积至一定厚度，使得其外表面延 伸超过非窗口区域中的外涂层224的外表面，通常仅超过约1nm。在其他 实施方案中，保护性膜250可以是可能不完全光学透明的两种或更多种相 异材料的多层。例如，一层DLC可沉积在SiNx层的顶部上。在这种情况 下，可预期DLC由于光学加热而在NFT区域中氧化，但在DLC保持完整 的情况下，DLC可在极上提供额外保护。然后去除抗蚀剂300，从而留下如图4A所示的结构。
通过浸入Na2B4O7、B(OH)3和NaCl的溶液中来测试具有和不具有氮钝 化的NiFe合金试样块的耐腐蚀性。与未受保护的NiFe相比，具有富氮表 面的NiFe显示出显著更好的耐腐蚀性。将NiFe试样块暴露于氮离子达各 种时间。腐蚀速率随着暴露时间的增加而降低。对于具有 DLC的多层保护性膜的NiFe试样块，具有富氮表面的试样块表现出的腐蚀 速率为不具有富氮表面的试样块的腐蚀速率的约十分之一。
在自旋支架中测试在写入极上具有富氮表面的HAMR写入头和SiNx 保护性膜，其中重复写入和读回数据，直到读回信号变得不可读为止。这 些头的寿命是不具有氮钝化写入极的常规HAMR写入头的寿命的约2.5 倍。
虽然已参考优选的实施方案具体示出并描述了本发明，但本领域的技 术人员将理解，在不脱离本发明的实质和范围的情况下可在形式和细节上 作出各种更改。因此，所公开的本发明被认为仅是示例性的，并且在范围 上仅限于所附权利要求书中指定的范围。

Claims (21)

1.一种用于写入磁记录层的热辅助磁记录头即HAMR头，所述HAMR头包括：
头载体，所述头载体具有面向记录层的表面；
写入极，所述写入极位于所述头载体上并且由包含Fe以及Co和Ni中的一者或多者的材料形成，所述写入极具有在所述面向记录层的表面处的端部，所述写入极端部处的写入极材料被化学钝化；
光学波导，所述光学波导位于所述头载体上以用于接收激光辐射；
近场换能器即NFT，所述NFT位于所述头载体上以用于与所述波导光学耦合，所述NFT具有在所述面向记录层的表面处的面向所述写入极端部的输出端；
磁阻读取头，所述磁阻读取头位于所述头载体上，具有在所述记录层表面处的端部；
保护性膜，所述保护性膜仅位于所述面向记录层的表面的窗口区域上，所述窗口区域包括所述NFT端部和所述写入极端部，但不包括所述读取头端部；和
外涂层，所述外涂层位于所述面向记录层的表面的非窗口区域上。
2.根据权利要求1所述的HAMR头，其中，所述写入极端部处的所述写入极材料包含选自氮、氧和碳的元素。
3.根据权利要求2所述的HAMR头，其中，所述写入极端部处的所述写入极材料包含一种或多种铁氮化物。
4.根据权利要求2所述的HAMR头，其中，所述写入极端部处的所述写入极材料包含碳化物或一种或多种氧化物。
5.根据权利要求1所述的HAMR头，其中，所述写入极端部处的所述写入极材料具有大于或等于0.5nm并且小于或等于2nm的厚度。
6.根据权利要求1所述的HAMR头，其中，所述窗口区域中的所述保护性膜包含氮化硅。
7.根据权利要求1所述的HAMR头，其中，所述窗口区域中的所述保护性膜具有外表面，所述外表面延伸超过所述非窗口区域中的所述外涂层的外表面。
8.根据权利要求1所述的HAMR头，其中，所述窗口区域中的所述保护性膜包括两种或更多种相异材料的多层。
9.根据权利要求1所述的HAMR头，其中，所述非窗口区域中的所述外涂层包含无定形类金刚石碳即无定形DLC。
10.根据权利要求1所述的HAMR头，其中，所述NFT端部选自纳米嘴形天线和E形天线，所述纳米嘴形天线具有大致三角形输出尖端，并且所述三角形的顶点面向所述写入极端部，所述E形天线具有面向所述写入极端部的中心输出尖端。
11.一种热辅助记录盘驱动器即HAMR盘驱动器，所述HAMR盘驱动器包括：
根据权利要求1所述的HAMR头；
用于将光引导至所述波导的激光器；以及
具有磁记录层的磁记录盘。
12.一种用于从磁记录盘上的磁记录层读取和写入到所述磁记录层的热辅助磁记录头即HAMR头，所述HAMR头包括：
气体轴承滑块，所述气体轴承滑块具有用于面向所述盘上的所述磁记录层的面向盘的表面，
写入极，所述写入极位于所述滑块上并且包含Fe以及Co和Ni中的一者或多者，所述写入极具有在所述面向盘的表面处的包含氮的端部；
光学波导，所述光学波导位于所述滑块上以用于接收激光辐射；
近场换能器即NFT，所述NFT位于所述滑块上以用于与所述波导光学耦合，所述NFT具有在所述面向盘的表面处的面向所述写入极端部的输出尖端；
磁阻读取头，所述磁阻读取头位于所述滑块上，具有在所述面向盘的表面处的端部；
基本上光学透明的保护性膜，所述基本上光学透明的保护性膜仅位于所述面向盘的表面的窗口区域上，所述窗口区域包括所述NFT尖端和所述写入极端部，但不包括所述读取头端部；以及
无定形类金刚石碳外涂层即无定形DLC外涂层，所述无定形DLC外涂层位于所述面向盘的表面的非窗口区域上，所述外涂层的外表面和所述保护性膜的外表面形成所述滑块的气体轴承表面即GBS。
13.根据权利要求12所述的HAMR头，其中，所述写入极端部包含一种或多种铁氮化物。
14.根据权利要求12所述的HAMR头，其中，所述写入极端部具有大于或等于0.5nm并且小于或等于2nm的厚度。
15.根据权利要求12所述的HAMR头，其中，所述窗口区域中的所述保护性膜包含氮化硅。
16.根据权利要求12所述的HAMR头，其中，所述窗口区域中的所述保护性膜具有外表面，所述外表面延伸超过所述非窗口区域中的所述外涂层的所述外表面。
17.根据权利要求12所述的HAMR头，其中，所述NFT选自纳米嘴形天线和E形天线，所述纳米嘴形天线具有大致三角形输出尖端，并且所述三角形的顶点面向所述写入极端部，所述E形天线具有面向所述写入极端部的中心输出尖端。
18.一种热辅助记录盘驱动器即HAMR盘驱动器，所述HAMR盘驱动器包括：
根据权利要求13所述的HAMR头；
用于将光引导至所述波导的激光器；以及
具有磁记录层的磁记录盘。
19.一种用于化学钝化写入极的位于气体轴承滑块的面向盘的表面上的端部的方法，所述滑块具有在所述面向盘的表面处的磁阻读取头端部、近场换能器端部即NFT端部和写入极端部，所述方法包括：
在所述面向盘的表面上形成窗口区域，所述窗口区域包括所述NFT端部和所述写入极端部，但不包括所述读取头端部；
保护位于所述面向盘的表面的非窗口区域中的所述读取头端部；
将所述窗口区域中的所述NFT端部和所述写入极端部暴露于选自氮、氧和碳的元素，以形成所述写入极端部的钝化外表面区域；以及
在所述窗口区域中的所述NFT端部和所述钝化写入极端部之上沉积保护性膜。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，将所述NFT端部和所述写入极端部暴露于氮包括：将所述NFT端部和所述写入极端部暴露于氮等离子体以在所述写入极端部上形成一种或多种氮化物。
21.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括：在所述暴露步骤之后对所述滑块进行退火。
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