CN114063804A - 触控感测器的触控点感知方法 - Google Patents
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Abstract
一种触控感测器的触控点感知方法,提供一种触控感测器及一连接该触控感测器的信号处理件,该触控感测器包含多个第一电极,多个第二电极,及至少一设于该些第一电极与该些第二电极之间的绝缘质,该些第一电极与该些第二电极之间存有能量差并具有一间距,该间距于该些第一电极及该些第二电极未受力时大于一量子穿隧距离,而未产生一穿隧电流。于后,接受一触控者施力,使该些第一电极及该些第二电极间产生该穿隧电流,该信号处理件接获该穿隧电流的产生并判断已受触控。该信号处理件以该穿隧电流流经的电极取得一触控点方位,并基于该穿隧电流大小得知一触控力道。
Description
技术领域
本发明涉及一种触控感测器的触控点感知方法,尤指一种以量子穿隧电流判断触控的触控点感知方法。
背景技术
查,目前市面上的触控感测器为增加使用者的触控灵敏度,例如使用者以该触控感测器进行绘图作业时,使用者可针对该触控感测器施以不同的力度大小,来做为绘图笔触的差异。又,以CN 110297567来说,该案揭露了以电阻式面板作为主要实施结构,但根据该专利说明书内容所述,可发现该触控面板是透过压力来感应电阻层中的电阻颗粒与导电电极接触率的变化,来判断触控体的按压力道。根据前述可知,电阻式触控面板乃接触式触控,此触控方式容易有精准度与灵敏度上的问题。再者,以电阻式触控装置进行绘图作业时精密度相对较差,另外电阻式触控装置多为单点触控,当前虽有以多点触控的装置,但装置解析度较差。
另外,TW I578202案则揭露使用电容式触控面板的技术内容,但该案为达判断Z轴信号变化的目的,因此于该电容式触控面板上额外增设压力感测层,借此以判断使用者的所施力度大小。但是,额外增设压力感测层容易造成该触控感测器的厚度被叠加,而无法令该触控感测器达更为轻薄的目的。再者,电容式触控面板于实施上,普遍受限于触控体的材质,该触控体须为导体,否则无法操控电容式触控装置。
再者,现今压电式触控装置是以压电材料作为面板的基础结构,但是压电材料的信号控制不稳定,易有操作准确度以及灵敏度等问题。又当前压电材料多非光学等级的材料而不适用于触控面板上。
发明内容
本发明的主要目的,在于解决现有触控装置难以准确感知信号以及存在触控限制的问题。
为达上述目的,本发明提供一种触控感测器的触控点感知方法,包含以下步骤:
步骤一:提供一触控感测器以及一连接该触控感测器的信号处理件,该触控感测器包含多个平行排列的第一电极,多个彼此平行排列且排列方向相对该些第一电极为垂直的第二电极,以及至少一设于该些第一电极与该些第二电极之间的绝缘质,该些第一电极与该些第二电极分别被施予能量而具能量差,该些第一电极与该些第二电极被该绝缘质分隔而具有一间距,该间距于该些第一电极与该些第二电极未受力时大于一量子穿隧距离,而未有一穿隧电流产生;
步骤二:接受一触控者对该触控感测器施力,该些第一电极的至少其中之一或该些第二电极的至少其中之一受力朝该绝缘质挤压,以致该穿隧电流产生,该信号处理件经该触控感测器接获该穿隧电流的产生并判断已受触控;以及
步骤三:该信号处理件以该穿隧电流流经的其中一该第一电极与其中一该第二电极定义出一纵轴位置与一横轴位置,以该纵轴位置与该横轴位置取得一触控点方位,并基于该穿隧电流大小得知一触控力道。
一实施例中,该触控感测器具有二分别对应设于该些第一电极及该些第二电极的基板,于该步骤二中,该信号处理件基于该触控感测器受力侧的电容值变化判断该触控者为导体或非导体。
一实施例中,该信号处理件存有一电流条件,该信号处理件基于该电流条件比对所接获的该穿隧电流,并以符合该电流条件的该穿隧电流所流经的其中一该第一电极与其中一该第二电极定义该纵轴位置与该横轴位置。
一实施例中,该信号处理件于接获该触控感测器受力区域所产生的多个穿隧电流信号时,以多个该穿隧电流中的最大者进行该触控点方位的判断。
除前述之外,本发明亦提供一种触控感测器的触控点感知方法,包含以下步骤:
步骤一:提供一触控感测器以及一连接该触控感测器的信号处理件,该触控感测器包含多个以一排列形式设置的触控元,每一该触控元包含一第一电极,一第二电极,以及一设于该第一电极与该第二电极之间的绝缘质,该第一电极与该第二电极分别被施予能量而具能量差,该第一电极与该第二电极被该绝缘质分隔而具有一间距,该间距于该第一电极与该第二电极未受力时大于一量子穿隧距离,而未有一穿隧电流产生;
步骤二:接受一触控者对该触控感测器施力,至少一该触控元的该第一电极或该第二电极受力朝同一该触控元的该绝缘质挤压,以致该穿隧电流产生,该信号处理件经该触控感测器接获该穿隧电流的产生并判断已受触控;以及
步骤三:该信号处理件基于产生有该穿隧电流的其中一该触控元位于排列形式内的位置取得一触控点方位,并基于该穿隧电流大小得知一触控力道。
一实施例中,每一该触控元具有二分别对应设于该第一电极及该第二电极的基板,于该步骤二中,该信号处理件基于该触控感测器受力侧的电容值变化判断该触控者为导体或非导体。
一实施例中,该信号处理件存有一电流条件,该信号处理件基于该电流条件比对所接获的该穿隧电流,并以符合该电流条件的该穿隧电流所流经的其中一该触控元判断出该触控点方位。
依前述发明内容所揭,相较于现有技术,本发明具有以下特点:本发明不以现有电容感应式结构或是电阻接触式结构感知信号,而以该触控感测器接受该触控者的施力。透过该触控者施力使该穿隧电流产生,以判断该触控者的该触控点方位,并基于该穿隧电流大小得知该触控力道,使得该触控感测器可做更为具体的触控辨识。又,本发明所揭该触控感测器的操作准确度与解析度亦优于现有以电阻架构或以电容架构实施的触控感测器。
附图说明
图1,本发明第一实施例的步骤流程图;
图2,本发明第一实施例的立体结构示意图;
图3,本发明第一实施例的单元图;
图4,本发明第一实施例的剖面示意图;
图5,本发明第一实施例的实施状态剖面示意图;
图6,本发明第一实施例的触控点方位示意图;
图7,本发明第二实施例的步骤流程图;
图8,本发明第二实施例的剖面示意图;
图9,本发明第二实施例的实施状态剖面示意图;
图10,本发明第三实施例的步骤流程图;
图11,本发明第三实施例的立体结构示意图;
图12,本发明第四实施例的结构上视图;
图13,本发明第三实施例的实施状态示意图;
图14,本发明第五实施例的步骤流程图;
图15,本发明第五实施例的实施状态剖面示意图。
【符号说明】
10:触控点感知方法
11:步骤一
12:步骤二
121:子步骤
13:步骤三
20:触控点感知方法
21:步骤一
22:步骤二
221:子步骤
23:步骤三
30:触控感测器
301:触控元
31:第一电极
311:第二延伸方向
313:纵轴位置
32:第二电极
321:第一延伸方向
322:横轴位置
33:绝缘质
34:量子穿隧距离
35:穿隧电流
36:基板
40:信号处理件
50:触控者
具体实施方式
本发明详细说明及技术内容,现就配合附图说明如下:
请参阅图1至图6,本发明提供一种触控点感知方法10,该触控点感知方法10被应用于一触控感测器30上,该触控感测器30可应用于手机、平板、工业电脑等相关显示产业的产品上,该触控点感知方法10供该触控感测器30判断使用者的触控方位以及触控力度。
于实施的初始,进入一步骤一11,提供该触控感测器30以及一连接该触控感测器30的信号处理件40。具体说明,该触控感测器30包含多个第一电极31,多个第二电极32,以及至少一设于该些第一电极31与该些第二电极32间的绝缘质33。其中,该些第一电极31具有导电特性,该些第一电极31相互间隔设置且呈平行排列。该些第二电极32同样具有导电特性,该些第二电极32之间同样采间隔设置,且该些第二电极32之间的排列方向互为平行。又,该些第二电极32具有一第一延伸方向321,该些第一电极31具有一第二延伸方向311,该第一延伸方向321与该第二延伸方向311为垂直,即该些第二电极32的排列方向相对该些第一电极31的排列方向为垂直。进一步地,该些第一电极31与该些第二电极32为上下间隔设置,且每一该第一电极31与每一该第二电极32之间不接触。承上,该些第一电极31与该些第二电极32分别被施予能量,而令该些第一电极31与该些第二电极32之间存有能量差。举例来说,该些第一电极31与该些第二电极32可分别为一低电位以及一高电位。反之,该些第二电极32亦可被设计为低电位,该些第一电极31则被施予较高的能量而为高电位。该些第一电极31与该些第二电极32之间的能量差并不足以使该些第一电极31的电子或该些第二电极32的电子跨越该绝缘质33而形成电流,即该些第一电极31与该些第二电极32于未受力时,该触控感测器30处于稳态。
另外,该绝缘质33用以分隔该些第一电极31与该些第二电极32,且该绝缘质33的电阻率大于该些第一电极31的电阻率与该些第二电极32的电阻率。该绝缘质33为一可变形且具良好弹性恢复力的材料,例如硅胶、压克力等。该绝缘质33实际上为一未额外掺杂导电材料的物质,该绝缘质33于受压迫形变时电阻率维持不变。又,该绝缘质33受压迫时将产生形变,同时该些第一电极31与该些第二电极32之间的距离亦被改变,当该绝缘质33不再受压迫时,该绝缘质33将复归原样,同时该些第一电极31与该些第二电极32之间的距离亦复归至原始距离。再者,该信号处理件40与该触控感测器30资讯连接,该信号处理件40可为一MCU,该信号处理器用以侦测该触控感测器30是否受触控,并于该触控感测器30受触控后对信号进行分析与处理。
进一步地,该触控感测器30于未受力时,该些第一电极31与该些第二电极32被该绝缘质33分隔而具有一间距,该间距大于一量子穿隧距离34。即,该些第一电极31与该些第二电极32之间即便存有能量差,该些第一电极31中的电子与该些第二电极32中的电子亦无法跨越该量子穿隧距离34,而未产生一穿隧电流35。于此当下,该触控感测器30处于稳态,而该信号处理件40未接获该穿隧电流35,因此该信号处理件40判断该触控感测器30未受触控。
接着,进入一步骤二12,接受一触控者50对该触控感测器30施力。于此须说明的是,本文附图所绘该触控者50虽为使用者手指,但实际上于操作时亦可为一绝缘材料,例如一触控笔。换句话说,本发明该触控感测器30可接受导电物质或是非导电物质的施力。承上,该触控感测器30于实施时可以该些第一电极31或是该些第二电极32的其中之一接受该触控者50施力,使得该些第一电极31或该些第二电极32朝该绝缘质33方向挤压。又,本文于后为方便说明遂先假设以该些第一电极31受力进行说明。至少其中一该第一电极31受力后,该第一电极31产生形变,随外力的施加,该第一电极31与该些第二电极32之间的距离被改变。当该第一电极31与该些第二电极32之间的垂直距离被缩短至该量子穿隧距离34时,该第一电极31与该些第二电极32之间的电子可跨过该绝缘质33,使得该第一电极31与该些第二电极32之间的电子生成该穿隧电流35。一实施例中,该穿隧电流35的计算可如后:
I∝e-2kd,其中,I为穿隧电流,k为波数(wave number),d为该些第一电极31与该些第二电极32之间的该间距。此时,该信号处理件40经该触控感测器30接获该穿隧电流35的产生,该信号处理件40判断该触控感测器30由未受触控转变为受触控状态。
进入一步骤三13,该信号处理件40以该穿隧电流35流经的其中一该第一电极31与其中一该第二电极32定义出一纵轴位置313与一横轴位置322。其中,该纵轴位置313与该横轴位置322可分别对应该触控感测器30于生成该穿隧电流35的X轴座标以及Y轴座标,并表示该穿隧电流35位置数据的数位资讯。进一步举例来说,该信号处理件40可依据出厂时的设定,将该些第一电极31视为该触控感测器30的X轴,该些第二电极32视为该触控感测器30的Y轴,当该穿隧电流35流经其中一该第一电极31以及其中一该第二电极32时,该信号处理件40基于前述设定,以其中一该第一电极31定义出该纵轴位置313,并以其中一该第二电极32定义出该横轴位置322,并取得该触控者50的一触控点方位。反之,该信号处理件40亦可以该些第二电极32视为该触控感测器30的X轴,该些第一电极31视为该触控感测器30的Y轴,并以该穿隧电流35流经的其中一该第二电极32定义出该纵轴位置313,并以该穿隧电流35流经的其中一该第一电极31定义出该横轴位置322。于后,该信号处理件40以该纵轴位置313以及该横轴位置322取得该触控点方位。同一时间,该信号处理件40基于该穿隧电流35大小得知该触控者50的一触控力道,即该穿隧电流35大时,该信号处理件40判断该触控力道较大,当该穿隧电流35小时,该信号处理件40判断该触控力道较小。
承此,本发明透过该触控者50施力使该穿隧电流35产生,以判断该触控者50的该触控点方位,并基于该穿隧电流35大小得知该触控力道,使得该触控感测器30可做更为具体的触控辨识。再者,本发明不以现有电容感应式结构或是电阻接触式结构感知信号,而以该触控感测器30接受该触控者50的施力。又,本发明所揭该触控感测器30的操作准确度与解析度亦优于现有以电阻架构或以电容架构实施的触控感测器30。
一实施例中,还请参阅图7至图9,该触控感测器30具有二基板36,该二基板36分别对应该些第一电极31与该些第二电极32设置,该二基板36的其一设于该些第一电极31远离该绝缘质33一侧,该二基板36的另一则设于该些第二电极32远离该绝缘质33一侧。于本实施例中,该二基板36可以导体实施,又该步骤二12包含一子步骤121,该信号处理件40基于该触控感测器30受力侧的电容值变化判断该触控者50为导体或非导体。详细说明,假设该触控者50为导体时,该触控者50未接触该位于受力侧的该基板36,该基板36本身即存有一定的电容值,一旦该触控者50接触该基板36后,该基板36与该触控者50串联,该基板36本身的电容值产生变化并下降。此时,该信号处理件40感知该基本的电容值发生变化,而判断该触控者50为导体。反之,当该触控者50为非导体时,该触控者50接触该基板36后,该基板36不会与该触控者50产生电连接,因此该基板36本身的电容值不会产生变化,承此,该信号处理件40则判断该触控者50为非导体。值得注意的是,本发明该信号处理件40为具体判断该触控感测器30的受力侧,该信号处理件40常态下对该二基板36进行电容值侦测,一旦该二基板36的其中一发生电容值变化,则可基于该基板36的设置位置,判断出该触控感测器30的受力侧。
另外,一实施例中,该信号处理件40可具有一记忆储存功能,或是该信号处理件40可资讯连接一记忆体(图中未示),使该信号处理件40可存有一电流条件。该信号处理件40基于该电流条件比对所接获的该穿隧电流35,并以符合该电流条件的该穿隧电流35所流经的其中一该第一电极31与其中一该第二电极32定义该纵轴位置313与该横轴位置322。举例地说,该电流条件可为一固定电流数值,即该触控者50触控该触控感测器30后,该穿隧电流35未达到该电流条件时,该信号感测器则忽略该穿隧电流35,并判断该触控感测器30未受触控。以图9来说,该触控感测器30受该触控者50触控后,该触控感测器30产生多个该穿隧电流35,又假设该信号处理件40基于该电流条件过滤多个该穿隧电流35,令多个该穿隧电流35中仅有产生最大电流值者通过该电流条件,使得该信号处理件40以产生前述该穿隧电流35的该第一电极31与该第二电极32判断该触控点方位。承此,本发明可通过设定该电流条件的数值,以避免该触控感测器30受误触的情况。再者,当该触控者50以一定力道施力于该触控感测器30后,该触控感测器30所生成的该穿隧电流35符合该电流条件时,该信号处理件40此时方判断该触控感测器30受触控,并以该穿隧电流35所流经的其中一该第一电极31与其中一该第二电极32定义该纵轴位置313与该横轴位置322。更进一步地,当多个该穿隧电流35皆符合该电流条件时,该信号处理件40则可判断该触控感测器30接受多点触控,并以符合该电流条件的多个该穿隧电流35判断每一该纵轴位置313以及每一该横轴位置322。
另外一方面,当有多个该穿隧电流35符合该电流条件,而该触控感测器30被设定为仅能进行单点触控时。该信号处理件40于接获该触控感测受力区域所产生的多个该穿隧电流35,以多个该穿隧电流35中的最大者进行该触控点方位的判断。换句话说,该信号处理件40仅以多个该穿隧电流35中的最大者进行触控点感知,而其余的多个该穿隧电流35则会被忽略。
承上,由前述可知,该触控点感知方法10是基于该穿隧电流35的产生来得知触控,基于相同技术构想,本发明亦提供另一触控点感知方法20,请参图3、图10至图13。该触控点感知方法20包含一步骤一21,提供一触控感测器30以及一连接该触控感测器30的信号处理件40。其中,该信号处理件40同样与该触控感测器30连接,且该信号处理件40亦用以侦测该触控感测器30的电流信号,于此不再赘述。该触控感测器30包含多个触控元301,该些触控元301以一排列形式设置,所述该排列形式可以为任意阵列方式排列,且该触控元301于该排列形式下将不致令该触控感测区产生感知盲区。举例来说,该排列形式可以为一矩阵阵列,或是一菱形阵列。
进一步来说,请参图5、图10至图13,每一该触控元301包含一第一电极31,一第二电极32,以及一设于该第一电极31与该第二电极32之间的绝缘质33。该第一电极31、该第二电极32以及该绝缘质33的设置方式与前述相同,于此不再赘述。又,该第一电极31与该第二电极32于未受力时,该第一电极31与该第二电极32相距有该间距,使得该第一电极31与该第二电极32之间大于该量子穿隧距离34,而未产生该穿隧电流35。此时,该信号处理件40未接获该穿隧电流35,因此判断该触控感测器30未受触控。
进入一步骤二22,接受该触控者50对该触控感测器30施力,该触控感测器30以至少一该触控元301的该第一电极31或是该第二电极32的其中一者作为受力侧,令位于受力侧的电极朝同一该触控元301的该绝缘质33挤压,使得同一该触控元301的该第一电极31与该第二电极32之间的间距小于该量子穿隧距离34,以致该第一电极31与该第二电极32之间的电子可跨越该量子穿隧距离34,进而产生该穿隧电流35。同一时间,该信号处理件40经该触控感测器30接获该穿隧电流35产生,并判断该触控感测器30由未受触控转为已受触控。
接着,进入一步骤三23,该信号处理件40基于产生有该穿隧电流35的其中一该触控元301于该排列形式内的位置取得一触控点方位。举例来说,产生有该穿隧电流35的其中一该触控元301,其排列于该矩阵阵列之中,前述该触控元301于该矩阵形式内的位置,即对应出该触控者50的触控点方位。同一时间,该信号处理件40基于该穿隧电流35大小得知该触控者50的一触控力道,即该穿隧电流35大时,该信号处理件40判断该触控力道较大,当该穿隧电流35小时,该信号处理件40判断该触控力道较小。
承上,请参阅14与图15,一实施例中,每一该触控元301同样设置该二基板36,该二基板36分别对应该第一电极31与该第二电极32设置,该二基板36可为一导体材料,而令该信号处理件40可基于该二基板36上的电容变化判断该触控者50是否为导体。具体地说,该步骤二22包含一子步骤221,于该子步骤221中,该信号处理件40基于该触控感测器30受力侧的电容值变化进行导体、非导体判断。于本实施例中,该触控感测器30同样可以该些触控元301的该些第一电极31侧作为受力侧,亦可以该些触控元301的该些第二电极32侧作为受力侧。又如同本文前段所述,该信号处理件40检测受力侧的该基板36的电容值变化,当该触控者50接触该触控感测器30时,该基板36的电容值产生改变,该信号处理件40判断该触控者50为导体。反之,当该触控者50接触该导体时,该基板36的电容值未产生变化,该信号处理件40则判断该触控者50为非导体。
再另一方面,于本实施例中的该信号处理件40同样存有该电流条件,该信号处理件40同样基于该电流条件比对所接获的该穿隧电流35,并仅以符合该电流条件的该穿隧电流35流经的该触控元301判断该触控点方位,其详细判断方式就如本文前段所述,不再详述。于本实施例中,透过该信号处理件40比对该电流条件,可避免使用者因误触该触控感测器30而被判断为该触控点方位的情况。另外,假设该触控感测器30具有多点触控功能时,当有多个该穿隧电流35符合比对该电流条件时,该信号处理件40可判断为多点触控。
再一实施例中,当有多个该穿隧电流35符合该电流条件,而该触控感测器30被设定为仅能进行单点触控时。该信号处理件40于接获该触控感测受力区域所产生的多个该穿隧电流35,同样以多个该穿隧电流35中的最大者进行该触控点方位的判断。本实施例的具体实施方式,可参本文前段所言,不再详述。
Claims (8)
1.一种触控感测器的触控点感知方法,其特征在于,包含以下步骤:
步骤一:提供一触控感测器以及一连接该触控感测器的信号处理件,该触控感测器包含多个平行排列的第一电极,多个彼此平行排列且排列方向相对该些第一电极为垂直的第二电极,以及至少一设于该些第一电极与该些第二电极之间的绝缘质,该些第一电极与该些第二电极分别被施予能量而具能量差,该些第一电极与该些第二电极被该绝缘质分隔而具有一间距,该间距于该些第一电极与该些第二电极未受力时大于一量子穿隧距离,而未有一穿隧电流产生;
步骤二:接受一触控者对该触控感测器施力,该些第一电极的至少其中之一或该些第二电极的至少其中之一受力朝该绝缘质挤压,以致该穿隧电流产生,该信号处理件经该触控感测器接获该穿隧电流的产生并判断已受触控;以及
步骤三:该信号处理件以该穿隧电流流经的其中一该第一电极与其中一该第二电极定义出一纵轴位置与一横轴位置,以该纵轴位置与该横轴位置取得一触控点方位,并基于该穿隧电流大小得知一触控力道。
2.根据权利要求1所述的触控感测器的触控点感知方法,其特征在于,该触控感测器具有二分别对应设于该些第一电极及该些第二电极的基板,于该步骤二中,该信号处理件基于该触控感测器受力侧的电容值变化判断该触控者为导体或非导体。
3.根据权利要求1或2所述的触控感测器的触控点感知方法,其特征在于,该信号处理件存有一电流条件,该信号处理件基于该电流条件比对所接获的该穿隧电流,并以符合该电流条件的该穿隧电流所流经的其中一该第一电极与其中一该第二电极定义该纵轴位置与该横轴位置。
4.根据权利要求3所述的触控感测器的触控点感知方法,其特征在于,该信号处理件于接获该触控感测器受力区域所产生的多个该穿隧电流信号时,以多个该穿隧电流中的最大者进行该触控点方位的判断。
5.一种触控感测器的触控点感知方法,其特征在于,包含以下步骤:
步骤一:提供一触控感测器以及一连接该触控感测器的信号处理件,该触控感测器包含多个以一排列形式设置的触控元,每一该触控元包含一第一电极,一第二电极,以及一设于该第一电极与该第二电极之间的绝缘质,该第一电极与该第二电极分别被施予能量而具能量差,该第一电极与该第二电极被该绝缘质分隔而具有一间距,该间距于该第一电极与该第二电极未受力时大于一量子穿隧距离,而未有一穿隧电流产生;
步骤二:接受一触控者对该触控感测器施力,至少一该触控元的该第一电极或该第二电极受力朝同一该触控元的该绝缘质挤压,以致该穿隧电流产生,该信号处理件经该触控感测器接获该穿隧电流的产生并判断已受触控;
步骤三:该信号处理件基于产生有该穿隧电流的其中一该触控元位于排列形式内的位置取得一触控点方位,并基于该穿隧电流大小得知一触控力道。
6.根据权利要求5所述的触控感测器的触控点感知方法,其特征在于,每一该触控元具有二分别对应设于该第一电极及该第二电极的基板,于该步骤二中,该信号处理件基于该触控感测器受力侧的电容值变化判断该触控者为导体或非导体。
7.根据权利要求5或6所述的触控感测器的触控点感知方法,其特征在于,该信号处理件存有一电流条件,该信号处理件基于该电流条件比对所接获的该穿隧电流,并以符合该电流条件的该穿隧电流所流经的其中一该触控元判断出该触控点方位。
8.根据权利要求7所述的触控感测器的触控点感知方法,其特征在于,该信号处理件于接获该触控感测器受力区域所产生的多个该穿隧电流信号时,以多个该穿隧电流中的最大者进行该触控点方位的判断。
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