CN114037659A

CN114037659A - 晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质

Info

Publication number: CN114037659A
Application number: CN202111192404.1A
Authority: CN
Inventors: 吴奇峰; 王建国; 熊柏泰
Original assignee: Wuhan Jingchuang Electronic Technology Co ltd
Current assignee: Wuhan Jingchuang Electronic Technology Co ltd
Priority date: 2021-10-13
Filing date: 2021-10-13
Publication date: 2022-02-11

Abstract

本发明提供一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。该方法包括：确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。通过本发明实现了对晶粒阵列进行自动化缺陷检测，提高了检测效率以及准确性。

Description

晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质

技术领域

本发明涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。

背景技术

Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。

Micro LED芯片器件的制造，先是在蓝宝石类的基板上通过分子束外延的方式生长出来，然后通过巨量转移技术将LED发光器件转移到玻璃基板上。其中，核心技术是纳米级LED发光器件的转运，由于目前转运技术难点较大，转运过程良率难以保证，转运过程中会出现晶粒缺失、偏移，以及翻晶、立晶、晶粒破损等缺陷，这些异常会导致最后的成品出现局部像素点不亮，颜色异常等产品缺陷。因此，Micro LED面板制造厂商需要对经过巨量转移后的二维周期阵列进行缺陷检测。目前，主要是人工检测的方式，例如，基于巨量转移技术在晶圆片上搭载Micro LED晶粒阵列，在进行缺陷检测时，将晶圆片置于显微镜载台上后，调节显微镜聚焦，随机选择若干个视野，人工统计各个视野下各类缺陷数量及其占比，通过各个视野的准确率来对整体转移率进行估算。这种方式检测效率低，且评判标准受人为影响因素比较大，检测结果不可靠。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。

第一方面，本发明提供一种晶粒阵列缺陷检测方法，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；

分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；

将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。

可选的，所述确定若干取像区域的步骤包括：

获取晶圆片上标记图案的位置；

根据所述标记图案的位置以及标记图案与晶粒阵列的相对位置关系，确定若干取像区域。

可选的，所述对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测的步骤包括：

按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点，其中，分布式检测系统包括多个检测节点；

检测节点对收到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果。

可选的，所述按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点的步骤包括：

将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中处于空闲状态的任一检测节点。

可选的，对每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果的步骤包括：

通过模板匹配技术确定每帧图像中缺失的第一类晶粒；

计算每帧图像中实际存在的晶粒的理论位置与实际位置间的距离，筛选理论位置与实际位置间的距离大于预设距离的第二类晶粒；

基于外观检测模型确定每帧图像中外观异常的第三类晶粒；

确定同属于所述第二类晶粒以及第三类晶粒的第四类晶粒。

可选的，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

在每帧图像中的第一类晶粒的理论位置处显示第一颜色、在第二类晶粒中除第四类晶粒以外的晶粒的实际位置处显示第二颜色、在第三类晶粒中除第四类晶粒以外的晶粒的实际位置处显示第三颜色以及在第四类晶粒的实际位置处显示第四颜色。

可选的，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

获取晶圆片上标记图案的位置；

根据所述标记图案的位置以及标记图案与晶粒阵列的相对位置关系和晶粒阵列上晶粒的理论排布规则，确定晶粒阵列中每个晶粒的理论位置；

根据晶粒阵列中每个晶粒的理论位置确定每帧图像中实际存在的晶粒的理论位置。

可选的，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

获取每帧图像中实际存在的晶粒在图像坐标系中的位置；

根据每帧图像对应的图像坐标系与世界坐标系的转换关系对每帧图像中实际存在的晶粒在图像坐标系中的位置进行转换，得到每帧图像中实际存在的晶粒的实际位置。

第二方面，本发明还提供一种晶粒阵列缺陷检测装置，所述晶粒阵列缺陷检测装置包括：

确定模块，用于确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；

检测模块，用于分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；

合并模块，用于将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。

第三方面，本发明还提供一种晶粒阵列缺陷检测设备，所述晶粒阵列缺陷检测设备包括处理器、存储器、以及存储在所述存储器上并可被所述处理器执行的晶粒阵列缺陷检测程序，其中所述晶粒阵列缺陷检测程序被所述处理器执行时，实现如上所述的晶粒阵列缺陷检测方法的步骤。

第四方面，本发明还提供一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有晶粒阵列缺陷检测程序，其中所述晶粒阵列缺陷检测程序被处理器执行时，实现如上所述的晶粒阵列缺陷检测方法的步骤。

本发明中，确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。通过本发明实现了对晶粒阵列进行自动化缺陷检测，提高了检测效率以及准确性。

附图说明

图1为本发明实施例方案中涉及的晶粒阵列缺陷检测设备的硬件结构示意图；

图2为本发明晶粒阵列缺陷检测方法一实施例的流程示意图；

图3为本发明晶粒阵列缺陷检测方法一实施例中划分取像区域的场景示意图；

图4为本发明晶粒阵列缺陷检测装置一实施例的功能模块示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

第一方面，本发明实施例提供一种晶粒阵列缺陷检测设备。

参照图1，图1为本发明实施例方案中涉及的晶粒阵列缺陷检测设备的硬件结构示意图。本发明实施例中，晶粒阵列缺陷检测设备可以包括处理器1001(例如中央处理器Central Processing Unit，CPU)，通信总线1002，用户接口1003，网络接口1004，存储器1005。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信；用户接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard)；网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如无线保真WIreless-FIdelity，WI-FI接口)；存储器1005可以是高速随机存取存储器(random access memory，RAM)，也可以是稳定的存储器(non-volatile memory)，例如磁盘存储器，存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。本领域技术人员可以理解，图1中示出的硬件结构并不构成对本发明的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

继续参照图1，图1中作为一种计算机存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及晶粒阵列缺陷检测程序。其中，处理器1001可以调用存储器1005中存储的晶粒阵列缺陷检测程序，并执行本发明实施例提供的晶粒阵列缺陷检测方法。

第二方面，本发明实施例提供了一种晶粒阵列缺陷检测方法。

一实施例中，参照图2，图2为本发明晶粒阵列缺陷检测方法一实施例的流程示意图。如图2所示，晶粒阵列缺陷检测方法包括：

步骤S10，确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；

本实施例中，Micro LED的尺寸微小，针对由Micro LED组成的晶粒阵列的检测，需要用到高倍率镜头，而高倍率镜头的视野一般较小，无法拍摄到完整的晶粒阵列。因此，需要对晶粒阵列进行划分，将其划分成若干取像区域，然后再分别对每个取像区域进行取像。其中，若干取像区域覆盖整个晶粒阵列，且相邻取像区域间存在重合部分，保证不会发生漏检的情况。参照图3，图3为本发明晶粒阵列缺陷检测方法一实施例中划分取像区域的场景示意图。如图3所示的3个取像区域，相邻取像区域间存在重合部分，其中，重合部分的大小根据实际需要进行设置。需要说明的是，为了图示清楚，在图3中仅示出了取像区域1、取像区域2和取像区域3，但容易理解的是，实际还有其他的取像区域未示出，且所有的取像区域覆盖晶粒阵列，相邻取像区域间存在重合部分。

进一步地，一实施例中，确定若干取像区域的步骤包括：

获取晶圆片上标记图案的位置；根据所述标记图案的位置以及标记图案与晶粒阵列的相对位置关系，确定若干取像区域。

本实施例中，晶粒阵列位于晶圆片上，且晶圆片设置有标记图案，其中，标记图案的位置以及标记图案与晶粒阵列的相对位置关系是可知的。通过获取晶圆片上标记图案的位置，根据标记图案的位置以及标记图案与晶粒阵列的相对位置关系，即可确定晶粒阵列的位置，从而根据晶粒阵列的位置确定若干取像区域。

步骤S20，分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；

本实施例中，可按照预设的顺序分别对每个取像区域进行拍摄，然后对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果。例如，参照图3，按照从上至下、从左至右的顺序，先对第一行第一个取像区域进行拍摄，得到第一帧图像，然后对第一帧图像进行缺陷检测，得到第一帧图像对应的子检测结果1；然后对第一行第二个取像区域进行拍摄，得到第二帧图像，然后对第二帧图像进行缺陷检测，得到第二帧图像对应的子检测结果2，以此类推，即可得到每帧图像对应的子检测结果。

进一步地，一实施例中，所述对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测的步骤包括：

按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点，其中，分布式检测系统包括多个检测节点；检测节点对收到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果。

本实施例中，为了提高检测效率，可通过分布式检测系统完成图像检测工作，其中，分布式检测系统包括多个检测节点。按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点，各个检测节点即可对收到的每帧图像进行缺陷检测，从而得到每帧图像对应的子检测结果。其中，预设调度策略可以是负载均衡调度策略，每拍摄得到一帧图像，便通过分布式检测系统中各个检测节点的负载，选择一个适宜的检测节点，并将该帧图像发送至该检测节点，以供该检测节点对收到的该帧图像进行缺陷检测。

进一步地，一实施例中，所述按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点的步骤包括：

本实施例中，分布式检测系统中的检测节点的状态分为两种，若正在对收到的图像进行缺陷检测，则为忙碌状态，反之为空闲状态。分布式检测系统中检测节点的数量可根据实际需要进行设置，例如设置3台检测节点。每拍摄得到一帧图像，便查看3台检测节点的状态，从中选择状态为空闲状态的检测节点，并将拍摄得到的该帧图像分配至该检测节点。需要说明的是，若空闲状态的检测节点有多台，则并将拍摄得到的该帧图像分配至多台中的任一台。

进一步地，一实施例中，对每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果的步骤包括：

步骤S201，通过模板匹配技术确定每帧图像中缺失的第一类晶粒；

本实施例中，通过模板匹配技术搜索每一个晶粒在其理论位置附近是否存在，如不存在则判定为缺失，即可确定每帧图像中缺失的第一类晶粒。

步骤S202，计算每帧图像中实际存在的晶粒的理论位置与实际位置间的距离，筛选理论位置与实际位置间的距离大于预设距离的第二类晶粒；

本实施例中，首先确定每帧图像中实际存在的晶粒的理论位置与实际位置，然后计算每帧图像中实际存在的晶粒的理论位置与实际位置间的距离，若理论位置与实际位置间的距离大于预设距离，则此类晶粒存在位置偏移缺陷，此类晶粒记为第二类晶粒。

步骤S203，基于外观检测模型确定每帧图像中外观异常的第三类晶粒；

本实施例中，预先通过深度学习技术训练得到外观检测模型，外观检测模型用于识别晶粒外观是否存在异常。基于此，将每帧图像输入外观检测模型，即可确定每帧图像中外观异常的第三类晶粒。

步骤S204，确定同属于所述第二类晶粒以及第三类晶粒的第四类晶粒。

本实施例中，考虑到有些晶粒可能同时存在位置偏移缺陷以及外观异常，因此要确定同属于第二类晶粒以及第三类晶粒的第四类晶粒。其中，第四类晶粒即同时存在位置偏移缺陷以及外观异常缺陷的晶粒。

自此，即得到每帧图像对应的子检测结果。

进一步地，一实施例中，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

步骤S205，在每帧图像中的第一类晶粒的理论位置处显示第一颜色、在第二类晶粒中除第四类晶粒以外的晶粒的实际位置处显示第二颜色、在第三类晶粒中除第四类晶粒以外的晶粒的实际位置处显示第三颜色以及在第四类晶粒的实际位置处显示第四颜色。

本实施例中，子检测结果可以图示的形式展示，例如在每帧图像中的第一类晶粒的理论位置处显示第一颜色、在第二类晶粒中除第四类晶粒以外的晶粒的实际位置处显示第二颜色、在第三类晶粒中除第四类晶粒以外的晶粒的实际位置处显示第三颜色以及在第四类晶粒的实际位置处显示第四颜色。后续，相关人员看到第一颜色，即可知晓该位置处的晶粒缺失了，看到第二颜色即可知晓对应的晶粒存在位置偏移缺陷，看到第三颜色即可知晓对应的晶粒存在外观异常缺陷，看到第四颜色即可知晓对应的晶粒同时存在位置偏移缺陷以及外观异常缺陷。

当然，还可以通过文字的形式展示子检测结果，例如通过步骤S201至步骤S204，即可确定哪些晶粒缺失了、哪些晶粒存在位置偏移缺陷、哪些晶粒存在外观异常缺陷以及哪些晶粒同时存在位置偏移缺陷以及外观异常缺陷。基于此，即可输出编号为xx的晶粒存在缺失/位置偏移缺陷/外观异常缺陷/位置偏移缺陷以及外观异常缺陷的文字信息。其中，可以晶粒在晶粒阵列上的位置作为其编号，例如晶粒阵列上第n行第m列的晶粒，其编号为nm。

进一步地，一实施例中，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

获取晶圆片上标记图案的位置；根据所述标记图案的位置以及标记图案与晶粒阵列的相对位置关系和晶粒阵列上晶粒的理论排布规则，确定晶粒阵列中每个晶粒的理论位置；根据晶粒阵列中每个晶粒的理论位置确定每帧图像中实际存在的晶粒的理论位置。

本实施例中，由于标记图案的位置以及标记图案与晶粒阵列的相对位置关系以及晶粒阵列上晶粒的理论排布规则根据实际需要预先设置，则标记图案与晶粒阵列中任一角点晶粒的理论横向距离以及理论纵向距离是已知的，晶粒阵列上晶粒的理论排布规则包含的晶粒阵列上相邻晶粒间的阵列横向周期距离Δx，以及阵列纵向周期距离Δy也是已知的。则可预先将这些已知的信息预先写入配置文件，并通过读取配置文件的方式，获取标记图案与晶粒阵列中任一角点晶粒的理论横向距离、理论纵向距离以及晶粒阵列上晶粒的理论排布规则。

根据所述晶粒阵列上晶粒的理论排布规则、所述标记图案的位置、理论横向距离以及理论纵向距离得到所述晶粒阵列中每个晶粒的理论位置。

本实施例中，例如，标记图案与晶粒阵列中左上角点晶粒(即位于晶粒阵列中第一行第一列的晶粒)的理论横向距离为x₀₀，理论纵向距离为y₀₀，则标记图案与晶粒阵列上第m行第n列的晶粒的横向距离为：x_mn＝x₀₀+n*Δx，纵向距离为：y_mn＝y₀₀+m*Δy。然后进一步结合标记图案的位置，即可得到每个晶粒的理论位置，在此基础上，即可确定每帧图像中实际存在的晶粒的理论位置。

进一步地，一实施例中，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

获取每帧图像中实际存在的晶粒在图像坐标系中的位置；根据每帧图像对应的图像坐标系与世界坐标系的转换关系对每帧图像中实际存在的晶粒在图像坐标系中的位置进行转换，得到每帧图像中实际存在的晶粒的实际位置。

本实施例中，世界坐标系是固定的，而相机在对每帧图像进行拍摄时，处在世界坐标系中的不同位置，因此可以算出每帧图像对应的世界坐标系与相机坐标系的转换关系，每帧图像还对应有相机坐标系与图像坐标系的转换关系，因此基于每帧图像对应的世界坐标系与相机坐标系的转换关系以及相机坐标系与图像坐标系的转换关系，即可得到每帧图像对应的图像坐标系与世界坐标系的转换关系，在此基础上，结合每帧图像中实际存在的晶粒在图像坐标系中的位置，即可得到每帧图像中实际存在的晶粒的实际位置。

步骤S30，将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。

本实施例中，若子检测结果是图示的形式，则将所有的子检测结果拼接成一张图，作为晶粒阵列的缺陷检测结果。若子检测结果是文字的形式，则将所有的子检测结果汇总，得到晶粒阵列的缺陷检测结果。

本实施例中，确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。通过本实施例实现了对晶粒阵列进行自动化缺陷检测，提高了检测效率以及准确性。

第三方面，本发明实施例还提供一种晶粒阵列缺陷检测装置。

一实施例中，参照图4，图4为本发明晶粒阵列缺陷检测装置一实施例的功能模块示意图。如图4所示，晶粒阵列缺陷检测装置包括：

确定模块10，用于确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；

检测模块20，用于分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；

合并模块30，用于将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。

进一步地，一实施例中，确定模块10，用于：

获取晶圆片上标记图案的位置；

进一步地，一实施例中，检测模块20，用于：

通过模板匹配技术确定每帧图像中缺失的第一类晶粒；

基于外观检测模型确定每帧图像中外观异常的第三类晶粒；

确定同属于所述第二类晶粒以及第三类晶粒的第四类晶粒。

进一步地，一实施例中，检测模块20，用于：

进一步地，一实施例中，晶粒阵列缺陷检测装置还包括理论位置确定模块，用于：

获取晶圆片上标记图案的位置；

进一步地，一实施例中，晶粒阵列缺陷检测装置还包括实际位置确定模块，用于：

获取每帧图像中实际存在的晶粒在图像坐标系中的位置；

其中，上述晶粒阵列缺陷检测装置中各个模块的功能实现与上述晶粒阵列缺陷检测方法实施例中各步骤相对应，其功能和实现过程在此处不再一一赘述。

第四方面，本发明实施例还提供一种可读存储介质。

本发明可读存储介质上存储有晶粒阵列缺陷检测程序，其中所述晶粒阵列缺陷检测程序被处理器执行时，实现如上述的晶粒阵列缺陷检测方法的步骤。

其中，晶粒阵列缺陷检测程序被执行时所实现的方法可参照本发明晶粒阵列缺陷检测方法的各个实施例，此处不再赘述。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在如上所述的一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备执行本发明各个实施例所述的方法。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims

1.一种晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

2.如权利要求1所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述确定若干取像区域的步骤包括：

获取晶圆片上标记图案的位置；

3.如权利要求1所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测的步骤包括：

4.如权利要求3所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点的步骤包括：

5.如权利要求1或3所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，对每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果的步骤包括：

通过模板匹配技术确定每帧图像中缺失的第一类晶粒；

基于外观检测模型确定每帧图像中外观异常的第三类晶粒；

确定同属于所述第二类晶粒以及第三类晶粒的第四类晶粒。

6.如权利要求5所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

7.如权利要求5所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

获取晶圆片上标记图案的位置；

8.如权利要求5所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

获取每帧图像中实际存在的晶粒在图像坐标系中的位置；

9.一种晶粒阵列缺陷检测装置，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测装置包括：

10.一种晶粒阵列缺陷检测设备，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测设备包括处理器、存储器、以及存储在所述存储器上并可被所述处理器执行的晶粒阵列缺陷检测程序，其中所述晶粒阵列缺陷检测程序被所述处理器执行时，实现如权利要求1至8中任一项所述的晶粒阵列缺陷检测方法的步骤。