CN114034540B - 芯片性能的测试方法及装置 - Google Patents

芯片性能的测试方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114034540B
CN114034540B CN202110687023.4A CN202110687023A CN114034540B CN 114034540 B CN114034540 B CN 114034540B CN 202110687023 A CN202110687023 A CN 202110687023A CN 114034540 B CN114034540 B CN 114034540B
Authority
CN
China
Prior art keywords
target chip
chip
test probe
external force
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110687023.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114034540A (zh
Inventor
张雪梅
沈佳辉
伍凯义
王涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing Kangjia Optoelectronic Technology Co ltd
Original Assignee
Chongqing Kangjia Optoelectronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chongqing Kangjia Optoelectronic Technology Co ltd filed Critical Chongqing Kangjia Optoelectronic Technology Co ltd
Priority to CN202110687023.4A priority Critical patent/CN114034540B/zh
Publication of CN114034540A publication Critical patent/CN114034540A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114034540B publication Critical patent/CN114034540B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N3/00Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
    • G01N3/02Details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N3/00Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
    • G01N3/02Details
    • G01N3/04Chucks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N3/00Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
    • G01N3/08Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress by applying steady tensile or compressive forces
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N3/00Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
    • G01N3/24Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress by applying steady shearing forces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Strength Of Materials By Application Of Mechanical Stress (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明涉及一种芯片性能的测试方法及装置,该方法包括:在确定测试探头与目标芯片连接的情况下,在预定方向上通过测试探头对目标芯片施加外力直至目标芯片断裂,获取目标芯片断裂时对目标芯片所施加的外力的力度值;基于力度值确定目标芯片的性能。通过本发明,解决了现有技术中存在的无法对芯片的性能进行有效测试分析的问题。

Description

芯片性能的测试方法及装置
技术领域
本发明涉及电子领域,尤其涉及一种芯片性能的测试方法及装置。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有节能、环保、寿命长等优点,在照明、显示等领域中得到了广泛的应用,正逐步取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具而进入千家万户。微型发光二极管是新型的显示技术,具有高亮、低延迟、长寿命、广视角、高对比度的优势,是目前发光二极管的发展方向。微型发光二极管目前的关键技术为巨量转移,针对巨量转移问题目前各厂家开发出小尺寸结构的芯片来降低巨量转移的困难度,但是由于微型发光二极管芯片尺寸小,结构受力弱,目前暂无有效针对芯片的性能进行量化分析的方法。
因此,提供一种测试方法,能对芯片的性能进行有效测试分析,就成为本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种芯片性能的测试方法及装置,旨在解决相关技术中存在的缺乏对芯片的性能进行有效测试分析的方法的问题。
一种芯片性能的测试方法,包括:在确定测试探头与目标芯片连接的情况下,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,获取所述目标芯片断裂时对所述目标芯片所施加的外力的力度值;基于所述力度值确定所述目标芯片的性能。
在上述实施例中,通过测试探头对目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,可测出所述目标芯片能承受的外力强度,进而可以达到测试分析所述目标芯片性能的目的,有效解决了现有技术中存在的无法对芯片的性能进行有效测试分析的问题。
可选地,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂包括以下至少之一:在与所述目标芯片所在平面垂直且朝向所述目标芯片所在平面的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂;在与所述目标芯片所在平面垂直且背离所述目标芯片所在平面的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂;在与所述目标芯片所在平面成预定角度的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,其中,所述预定角度大于等于0度且小于90度,或者所述预定角度大于90度小于等于180度。
通过上述实施例,通过所述测试探头对所述目标芯片施加不同方向的外力以测试所述目标芯片所能承受的外力强度,能够达到更可靠更全面地分析所述目标芯片的性能的目的。
可选地,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂包括:在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加第一外力,其中,所述第一外力小于所述目标芯片在所述预定方向上所能承载的最大外力;在所述第一外力基础上按预定步长依次调整对所述目标芯片施加的所述外力直至所述目标芯片断裂。
通过上述实施例,通过采取逐步增加所述外力的大小直至所述目标芯片断裂的测试方法,能够有效避免对被测芯片的直接损坏而导致不必要的浪费,达到科学合理地实施测试的目的。
可选地,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂之前,所述方法还包括以下之一:在所述测试探头上蘸取胶黏剂,利用所述测试探头上蘸取的所述胶黏剂将所述测试探头与所述目标芯片连接;在所述目标芯片的预定位置处涂覆胶黏剂,利用所述目标芯片上涂覆的所述胶黏剂将所述测试探头与所述目标芯片连接。
通过上述实施例,通过所述胶黏剂可使所述测试探头与所述目标芯片连接得更牢固,达到了确保测试连接的有效性和可靠性的目的,同时,通过采取上述技术方案,可根据实际需要,灵活选择在测试探头上蘸取胶黏剂或在所述目标芯片的预定位置处涂覆胶黏剂,达到了灵活进行测试连接的目的。
可选地,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂包括:在确定所述胶黏剂达到预设状态的情况下,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂。
通过上述实施例,在确定所述胶黏剂达到预设状态的情况下,即在确定所述测试探头与所述目标芯片已经连接牢固的情况下,再通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力进行测试,能够实现可靠测试的目的,也可实现测试结果的可靠性。
可选地,所述胶黏剂包括固化胶水。
通过上述实施例,通过选取固化胶水,可实现胶黏剂更快更好地固化,达到可靠进行测试连接的目的。
可选地,所述目标芯片包括具有弱化结构的芯片。
通过上述实施例,可有效解决现有技术中存在的无法对弱化结构的芯片的性能进行有效测试分析的问题。
基于同样的发明构思,本申请还提供了一种芯片性能的测试装置,包括:测试探头,测力模块,其中,所述测试探头被配置为与目标芯片连接,其中,所述测试探头用于在与所述目标芯片连接之后,对所述目标芯片施加外力;所述测力模块,与所述测试探头连接,用于获取通过所述测试探头对所述目标芯片施加的外力的力度值。
在上述实施例中,所述测试探头与目标芯片连接,所述测力模块与所述测试探头连接,通过测力模块可获取所述测试探头对所述目标芯片施加的外力的力度值,有效解决了现有技术中存在的无法对芯片的性能进行有效测试分析的问题。
可选地,所述装置还包括摆臂,用于与所述测试探头通过转轴连接,所述摆臂具备自动旋转的能力,其中,所述测力模块位于所述摆臂内。
通过上述实施例,通过采用具备自动旋转的能力的摆臂,可使所述测试探头能够更方便地蘸取胶黏剂,达到了提高测试效率的目的。
可选地,所述装置中的所述测力模块包括:传感器,显示器,其中,所述传感器,用于获取通过所述测试探头对所述目标芯片施加的外力;所述显示器,与所述传感器连接,用于显示所述传感器所获取的所述外力的力度值。
通过上述实施例,可达到对所施加的外力进行有效测试并显示的目的。
附图说明
图1是根据本发明实施例的芯片性能的测试方法的流程图;
图2是根据本发明实施例的芯片性能的测试连接示意图;
图3是根据本发明具体实施例的胶水固化流程示意图;
图4是根据本发明具体实施例的芯片性能的测试示例图一;
图5是根据本发明具体实施例的芯片性能的测试示例图二;
图6是根据本发明具体实施例的芯片性能的测试示例图三;
图7是根据本发明实施例的芯片性能的测试装置结构框图;
图8是根据本发明具体实施例的芯片性能的测试装置结构示意图。
附图标记说明:
202-探针头,204-固化胶水,206-芯片,208-摆臂,210-固化胶瓶,212-箱体。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。
在相关技术中,对芯片的性能缺乏有效测试分析的方法。
基于此,本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案,其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
本发明实施例中提供了一种芯片性能的测试方法及装置,通过测试探头对目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,可测出所述目标芯片能承受的外力强度,进而可以达到测试分析所述目标芯片性能的目的,有效解决了现有技术中存在的无法对芯片的性能进行有效测试分析的问题。下面结合实施例对本发明进行说明:
本发明实施例中的方案可以应用于弱化结构的芯片、弱化结构的LED芯片或其它芯片中。
在本发明实施例中,提供了一种芯片性能的测试方法,如图1所示,图1是根据本发明实施例的芯片性能的测试方法的流程图,该流程图包括:
步骤S102,在确定测试探头与目标芯片连接的情况下,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,获取所述目标芯片断裂时对所述目标芯片所施加的外力的力度值;
步骤S104,基于所述力度值确定所述目标芯片的性能。
在上述实施例中,在确定测试探头与目标芯片连接的情况下,通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,可测出所述目标芯片能承受的外力强度,进而可以达到确定所述目标芯片性能的目的,可有效解决现有技术中存在的无法对芯片的性能进行有效测试分析的问题,达到了有效测试芯片的性能的目的。
在一个可选的实施例中,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂包括以下至少之一:在与所述目标芯片所在平面垂直且朝向所述目标芯片所在平面的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂;在与所述目标芯片所在平面垂直且背离所述目标芯片所在平面的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂;在与所述目标芯片所在平面成预定角度的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,其中,所述预定角度大于等于0度且小于90度,或者所述预定角度大于90度小于等于180度。
在上述实施例中,可从不同方向通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,例如,可在与所述目标芯片所在平面垂直且朝向所述目标芯片所在平面的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,即对所述目标芯片进行压力测试;还可在与所述目标芯片所在平面垂直且背离所述目标芯片所在平面的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,即对所述目标芯片进行拉力测试;此外,还可在与所述目标芯片所在平面成预定角度的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,其中,所述预定角度大于等于0度且小于90度,或者所述预定角度大于90度小于等于180度,如对所述目标芯片进行剪切力或其它方向的受力测试,能够达到更可靠更全面地分析所述目标芯片的性能的目的;可选地,在实际应用中,可根据测试的需要选择从单个方向施加外力进行测试,也可从多个方向分别施加外力进行测试。
在一个可选的实施例中,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂包括:在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加第一外力,其中,所述第一外力小于所述目标芯片在所述预定方向上所能承载的最大外力;在所述第一外力基础上按预定步长依次调整对所述目标芯片施加的所述外力直至所述目标芯片断裂。
在上述实施例中,在通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂的测试过程中,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加第一外力,其中,所述第一外力小于所述目标芯片在所述预定方向上所能承载的最大外力,即,施加的所述第一外力要在所述目标芯片能承受的范围内,以免被测芯片直接损坏而导致不必要的浪费,此外,要在所述第一外力基础上按预定步长依次调整对所述目标芯片施加的所述外力直至所述目标芯片断裂,即,逐步增加所施加外力的大小直至所述目标芯片断裂,通过该技术方案,可达到科学合理地实施测试的目的。
在一个可选的实施例中,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂之前,所述方法还包括以下之一:在所述测试探头上蘸取胶黏剂,利用所述测试探头上蘸取的所述胶黏剂将所述测试探头与所述目标芯片连接;在所述目标芯片的预定位置处涂覆胶黏剂,利用所述目标芯片上涂覆的所述胶黏剂将所述测试探头与所述目标芯片连接。
在上述实施例中,在通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂之前,要将所述测试探头与所述目标芯片进行连接,其中连接方法包括以下之一:在所述测试探头上蘸取胶黏剂,利用所述测试探头上蘸取的所述胶黏剂将所述测试探头与所述目标芯片连接;在所述目标芯片的预定位置处涂覆胶黏剂,利用所述目标芯片上涂覆的所述胶黏剂将所述测试探头与所述目标芯片连接;可选地,可在所述目标芯片的正面或背面的预定位置处涂覆胶黏剂,在实际应用中,可根据需要,灵活选择在测试探头上蘸取胶黏剂或在所述目标芯片的预定位置处涂覆胶黏剂,达到了灵活进行测试连接的目的。
在一个可选的实施例中,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂包括:在确定所述胶黏剂达到预设状态的情况下,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂。
在上述实施例中,在确定所述胶黏剂达到预设状态的情况下,再通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力进行测试,即在确定所述测试探头与所述目标芯片已经连接牢固的情况下进行测试,可选地,在实际应用中,可采取使所述胶黏剂固化的方法使所述胶黏剂达到预设状态,如采用紫外曝光的方法使所述胶黏剂固化。通过该实施例,能够实现可靠测试的目的,也可实现测试结果的可靠性。
在一个可选的实施例中,所述胶黏剂包括固化胶水。
在上述实施例中,通过选取固化胶水,可实现胶黏剂更快更好地固化,达到可靠进行测试连接的目的。
在一个可选的实施例中,所述目标芯片包括具有弱化结构的芯片。
在上述实施例中,可对具有弱化结构的芯片实施上述测试,可有效解决现有技术中存在的无法对弱化结构的芯片的性能进行有效测试分析的问题。
显然,上述所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。
下面结合具体实施例对本发明进行具体说明:
图2是根据本发明实施例的芯片性能的测试连接示意图,利用探针头202(对应于前述测试探头)蘸取固化胶水204(对应于前述胶黏剂),此固化胶水204属于固化胶,随着时间固化的;再将带胶水的探针头202轻微地接触芯片206(对应于前述芯片或具有弱化结构的芯片或其它芯片)背面,等待时间使胶水固化,探针头与摆臂208通过转轴连接,摆臂可自动旋转,以实现方便蘸取固化胶水的目的;可选地,在实际应用中,也可先在芯片206背面涂覆固化胶水,然后将探针头202轻微地接触芯片206背面,再等待时间使胶水固化,在测试时,芯片是通过支撑结构(图2中未标出,如支架)与基板(图2中未标出,如雷石基板)进行连接,为了保证测试的准确性,基板通常放置于水平台面上。
图3是根据本发明具体实施例的胶水固化流程示意图,该流程包括以下步骤:
S1,在密闭的箱体212内,自动旋转摆臂208蘸取固化胶水204;
S2,自动摆臂208蘸取固化胶水204后压在芯片206上,紫外照射5min左右,进行固化;
S3,通过测试探针头202进行力学性能测试(如拉力、压力、剪切力等),力学数据根据测试探针头上的力学传感器输出。
在上述固化胶水达到固化状态的情况下,可通过探针头202对芯片206施加外力直至所述芯片206断裂,下面结合附图进行说明:
图4是根据本发明具体实施例的芯片性能的测试示例图一,给测试探针头202一个力大小为达因dyn至克力gf(给测试探针头的力的大小可以基于芯片的实际情况来确定,例如,还可以是df至牛N等),精度为大小的1%,向下压使弱化结构的芯片206断裂,读取弱化结构的芯片断裂时测试探针头的力数值,达到了对芯片进行压力性能测试的目的;
图5是根据本发明具体实施例的芯片性能的测试示例图二,可换一颗芯片206,给测试探针头202一个力大小为dyn至gf,精度为大小的1%,向上拉使弱化结构的芯片206断裂,读取弱化结构的芯片断裂时测试探针头的力数值,达到了对芯片进行拉力性能测试的目的;
图6是根据本发明具体实施例的芯片性能的测试示例图三,可再换一颗芯片206,给测试探针头202一个力大小为dyn至gf,精度为大小的1%,向左右给力,使弱化结构的芯片206断裂,读取弱化结构的芯片断裂时测试探针头的力数值,达到了对芯片进行其它方向受力性能测试的目的,如剪切力的测试。
需要说明的是,上述从不同方向对芯片施加外力以进行受力性能的测试,为了达到对芯片的性能进行测试的目的,所述芯片须为同一批次的芯片。
通过上述具体实施例,从不同方向通过测试探针头对具有弱化结构的芯片施加外力直至芯片断裂,可测出所述芯片能承受的不同方向外力强度,进而可以达到测试所述芯片性能的目的。
在本发明实施例中,还提供了一种芯片性能的测试装置,如图7所示,图7是根据本发明实施例的芯片性能的测试装置结构框图,该装置包括:
测试探头702,所述测试探头702被配置为与目标芯片连接,其中,所述测试探头702用于在与所述目标芯片连接之后,对所述目标芯片施加外力;
测力模块704,与所述测试探头702连接,用于获取通过所述测试探头702对所述目标芯片施加的外力的力度值。
在一个可选的实施例中,上述装置还包括摆臂,用于与所述测试探头通过转轴连接,所述摆臂具备自动旋转的能力,其中,所述测力模块位于所述摆臂内。
在一个可选的实施例中,上述装置中的所述测力模块包括:传感器,显示器,其中,所述传感器,用于获取通过所述测试探头对所述目标芯片施加的外力;所述显示器,与所述传感器连接,用于显示所述传感器所获取的所述外力的力度值。
图8是根据本发明具体实施例的芯片性能的测试装置结构示意图,图8中,摆臂208具备自动旋转的能力,所述摆臂208上面有设置力学传感器,而探针头202可选取R1-10um规格的探针,探针头的尺寸一般比具有弱化结构的芯片尺寸要小,这样可满足芯片测试的需要,可选地,实际应用中探针头的尺寸也可大于芯片尺寸,最多可达到芯片尺寸的120%,固化胶水204可采用紫外固化胶,该固化胶水具有一定的粘附性,可附着在测试探针头上和芯片上,固化后粘附力会更强。
应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种芯片性能的测试方法,其特征在于,包括:
在确定测试探头与目标芯片连接的情况下,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,获取所述目标芯片断裂时对所述目标芯片所施加的外力的力度值;
基于所述力度值确定所述目标芯片的性能;
其中,所述目标芯片包括弱化结构的微型发光二极管芯片,所述测试探头通过转轴与摆臂连接,所述摆臂具备自动旋转的能力。
2.根据权利要求1所述的芯片性能的测试方法,其特征在于,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂包括以下至少之一:
在与所述目标芯片所在平面垂直且朝向所述目标芯片所在平面的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂;
在与所述目标芯片所在平面垂直且背离所述目标芯片所在平面的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂;
在与所述目标芯片所在平面成预定角度的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂,其中,所述预定角度大于等于0度且小于90度,或者所述预定角度大于90度小于等于180度。
3.根据权利要求1所述的芯片性能的测试方法,其特征在于,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂包括:
在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加第一外力,其中,所述第一外力小于所述目标芯片在所述预定方向上所能承载的最大外力;
在所述第一外力基础上按预定步长依次调整对所述目标芯片施加的所述外力直至所述目标芯片断裂。
4.根据权利要求1所述的芯片性能的测试方法,其特征在于,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂之前,所述方法还包括以下之一:
在所述测试探头上蘸取胶黏剂,利用所述测试探头上蘸取的所述胶黏剂将所述测试探头与所述目标芯片连接;
在所述目标芯片的预定位置处涂覆胶黏剂,利用所述目标芯片上涂覆的所述胶黏剂将所述测试探头与所述目标芯片连接。
5.根据权利要求4所述的芯片性能的测试方法,其特征在于,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂包括:
在确定所述胶黏剂达到预设状态的情况下,在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂。
6.根据权利要求4或5所述的芯片性能的测试方法,其特征在于,所述胶黏剂包括固化胶水。
7.一种芯片性能的测试装置,其特征在于,包括:
测试探头,测力模块,其中,
所述测试探头被配置为与目标芯片连接,其中,所述测试探头用于在与所述目标芯片连接之后,对所述目标芯片施加外力;
所述测力模块,与所述测试探头连接,用于获取通过所述测试探头对所述目标芯片施加的外力的力度值;
其中,所述目标芯片包括弱化结构的微型发光二极管芯片;
其中,所述芯片性能的测试装置还包括:摆臂,用于与所述测试探头通过转轴连接,所述摆臂具备自动旋转的能力。
8.根据权利要求7所述的芯片性能的测试装置,其特征在于,所述测力模块位于所述摆臂内。
9.根据权利要求7所述的芯片性能的测试装置,其特征在于,所述测力模块包括:传感器,显示器,其中,
所述传感器,用于获取通过所述测试探头对所述目标芯片施加的外力;
所述显示器,与所述传感器连接,用于显示所述传感器所获取的所述外力的力度值。
CN202110687023.4A 2021-06-21 2021-06-21 芯片性能的测试方法及装置 Active CN114034540B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110687023.4A CN114034540B (zh) 2021-06-21 2021-06-21 芯片性能的测试方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110687023.4A CN114034540B (zh) 2021-06-21 2021-06-21 芯片性能的测试方法及装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114034540A CN114034540A (zh) 2022-02-11
CN114034540B true CN114034540B (zh) 2024-05-17

Family

ID=80134211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110687023.4A Active CN114034540B (zh) 2021-06-21 2021-06-21 芯片性能的测试方法及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114034540B (zh)

Citations (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5969262A (en) * 1996-11-19 1999-10-19 Denso Corporation Method and apparatus for testing junction strength of electrode
JP2003106990A (ja) * 2001-09-27 2003-04-09 Fujitsu Ltd 接着剤剥離試験片とその試験方法
JP2009180620A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Dainippon Printing Co Ltd Icチップの接合強度試験装置及びicチップの接合強度試験方法
CN102156069A (zh) * 2011-03-30 2011-08-17 复旦大学 一种双相材料界面混合断裂测试用夹具
KR101375077B1 (ko) * 2013-10-30 2014-03-17 주식회사 지엔티시스템즈 플렉서블 디스플레이 벤딩검사장치 및 이를 이용한 벤딩검사방법
CN203490126U (zh) * 2013-08-28 2014-03-19 航天科工防御技术研究试验中心 一种芯片粘接强度试验工装
CN203534921U (zh) * 2013-10-29 2014-04-09 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 拉力试验机的校准装置
WO2015005225A1 (ja) * 2013-07-09 2015-01-15 日立建機株式会社 荷重検出装置及びこれを備えた作業機械
CN204255780U (zh) * 2014-12-04 2015-04-08 长安大学 一种剪切角度可变式剪切仪
CN104865138A (zh) * 2015-05-20 2015-08-26 浙江吉利汽车研究院有限公司 测量试件的力学性能的装置
CN105203393A (zh) * 2015-09-21 2015-12-30 厦门三安光电有限公司 Led芯片抗断裂强度的测试方法及其测试装置
CN106289970A (zh) * 2016-07-28 2017-01-04 大唐微电子技术有限公司 一种芯片抗外力测试装置及其测试方法
CN206450537U (zh) * 2016-08-15 2017-08-29 苏州奥比特精密注塑有限公司 辐照测试仪
CN206573462U (zh) * 2017-03-29 2017-10-20 厦门华信安电子科技有限公司 一种芯片焊接结合力测量装置
CN108152144A (zh) * 2017-12-26 2018-06-12 方圆广电检验检测股份有限公司 施力检测设备及施力测试方法
CN108760503A (zh) * 2018-07-19 2018-11-06 黑龙江省农业科学院佳木斯水稻研究所 一种水稻茎秆抗倒伏强度测量装置
CN108956144A (zh) * 2018-06-28 2018-12-07 西安理工大学 一种模块化交叉滚子轴承温升及静刚度测试装置与方法
CN109374439A (zh) * 2018-10-23 2019-02-22 北京航天时代光电科技有限公司 一种y波导集成光学器件芯片剪切试验工装及剪切方法
CN110208113A (zh) * 2019-05-31 2019-09-06 南京理工大学 一种考虑拉剪耦合效应的柔性膜材剪切性能测试方法
CN110348556A (zh) * 2019-07-26 2019-10-18 山东泰宝防伪技术产品有限公司 Rfid芯片防撞击电子标签及测试装置及方法
CN210052716U (zh) * 2019-07-04 2020-02-11 成都汉芯国科集成技术有限公司 一种芯片推拉力测试仪
CN210166211U (zh) * 2019-06-26 2020-03-20 成都汉芯国科集成技术有限公司 多功能晶圆剪切力测试机
CN211061346U (zh) * 2019-10-28 2020-07-21 脉创测控装备科技(苏州)有限公司 一种方向盘疲劳测试系统
CN112213189A (zh) * 2020-09-28 2021-01-12 河南航天精工制造有限公司 一种复合拉剪试验装置
CN212391351U (zh) * 2020-09-24 2021-01-22 湘潭县东凌彩印有限公司 一种多角度拉力试验机
CN112444727A (zh) * 2019-08-28 2021-03-05 飞锃半导体(上海)有限公司 晶片测试系统及方法
CN112504823A (zh) * 2021-02-04 2021-03-16 浙江荷清柔性电子技术有限公司 柔性芯片弯曲能力测试装置、测试方法及柔性载具
CN112967981A (zh) * 2020-08-31 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移头及其制作方法、固晶机及芯片转移方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040181304A1 (en) * 2002-12-11 2004-09-16 Collier Terence Quintin Tool and fixture for measuring mechanical and electromechanical properties for IC assemblies and features
US8950269B2 (en) * 2012-07-27 2015-02-10 Globalfoundries Inc. Detecting anomalous stiff pillar bumps formed above a metallization system

Patent Citations (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5969262A (en) * 1996-11-19 1999-10-19 Denso Corporation Method and apparatus for testing junction strength of electrode
JP2003106990A (ja) * 2001-09-27 2003-04-09 Fujitsu Ltd 接着剤剥離試験片とその試験方法
JP2009180620A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Dainippon Printing Co Ltd Icチップの接合強度試験装置及びicチップの接合強度試験方法
CN102156069A (zh) * 2011-03-30 2011-08-17 复旦大学 一种双相材料界面混合断裂测试用夹具
WO2015005225A1 (ja) * 2013-07-09 2015-01-15 日立建機株式会社 荷重検出装置及びこれを備えた作業機械
CN203490126U (zh) * 2013-08-28 2014-03-19 航天科工防御技术研究试验中心 一种芯片粘接强度试验工装
CN203534921U (zh) * 2013-10-29 2014-04-09 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 拉力试验机的校准装置
KR101375077B1 (ko) * 2013-10-30 2014-03-17 주식회사 지엔티시스템즈 플렉서블 디스플레이 벤딩검사장치 및 이를 이용한 벤딩검사방법
CN204255780U (zh) * 2014-12-04 2015-04-08 长安大学 一种剪切角度可变式剪切仪
CN104865138A (zh) * 2015-05-20 2015-08-26 浙江吉利汽车研究院有限公司 测量试件的力学性能的装置
CN105203393A (zh) * 2015-09-21 2015-12-30 厦门三安光电有限公司 Led芯片抗断裂强度的测试方法及其测试装置
CN106289970A (zh) * 2016-07-28 2017-01-04 大唐微电子技术有限公司 一种芯片抗外力测试装置及其测试方法
CN206450537U (zh) * 2016-08-15 2017-08-29 苏州奥比特精密注塑有限公司 辐照测试仪
CN206573462U (zh) * 2017-03-29 2017-10-20 厦门华信安电子科技有限公司 一种芯片焊接结合力测量装置
CN108152144A (zh) * 2017-12-26 2018-06-12 方圆广电检验检测股份有限公司 施力检测设备及施力测试方法
CN108956144A (zh) * 2018-06-28 2018-12-07 西安理工大学 一种模块化交叉滚子轴承温升及静刚度测试装置与方法
CN108760503A (zh) * 2018-07-19 2018-11-06 黑龙江省农业科学院佳木斯水稻研究所 一种水稻茎秆抗倒伏强度测量装置
CN109374439A (zh) * 2018-10-23 2019-02-22 北京航天时代光电科技有限公司 一种y波导集成光学器件芯片剪切试验工装及剪切方法
CN110208113A (zh) * 2019-05-31 2019-09-06 南京理工大学 一种考虑拉剪耦合效应的柔性膜材剪切性能测试方法
CN210166211U (zh) * 2019-06-26 2020-03-20 成都汉芯国科集成技术有限公司 多功能晶圆剪切力测试机
CN210052716U (zh) * 2019-07-04 2020-02-11 成都汉芯国科集成技术有限公司 一种芯片推拉力测试仪
CN110348556A (zh) * 2019-07-26 2019-10-18 山东泰宝防伪技术产品有限公司 Rfid芯片防撞击电子标签及测试装置及方法
CN112444727A (zh) * 2019-08-28 2021-03-05 飞锃半导体(上海)有限公司 晶片测试系统及方法
CN211061346U (zh) * 2019-10-28 2020-07-21 脉创测控装备科技(苏州)有限公司 一种方向盘疲劳测试系统
CN112967981A (zh) * 2020-08-31 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移头及其制作方法、固晶机及芯片转移方法
CN212391351U (zh) * 2020-09-24 2021-01-22 湘潭县东凌彩印有限公司 一种多角度拉力试验机
CN112213189A (zh) * 2020-09-28 2021-01-12 河南航天精工制造有限公司 一种复合拉剪试验装置
CN112504823A (zh) * 2021-02-04 2021-03-16 浙江荷清柔性电子技术有限公司 柔性芯片弯曲能力测试装置、测试方法及柔性载具

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"晶振芯片在高g值冲击下的失效机理分析";李乐等;仪器仪表学报;第27卷(第6期);第2589-2590页 *
A comparative study of high speed orthogonal turning of AISI4340 by three different finite element models;Wang, T 等;12th Conference on Machining and Advanced Manufacturing Technology;20140618;第589-590卷;第111-116页 *
中国标准出版社总编室.《中国国家标准汇编1995》.中国标准出版社,1997,(第一版),第14-19页. *
机械材料力学性能测量研究;陈志伟;;中小企业管理与科技(下旬刊);20200925(09);第189-190页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN114034540A (zh) 2022-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9627279B2 (en) Method for removing defective light emitting diode (LED) package from LED package arrary
CN110307929B (zh) 一种基于压力敏感薄膜的流体压力测量系统及方法
CN105334160A (zh) 薄膜附着力测试设备及测试方法
KR20190126472A (ko) 도막 부착력 평가 장치 및 방법
CN114034540B (zh) 芯片性能的测试方法及装置
CN111579972A (zh) 一种pcba板级组件的寿命检测方法
CN105806779A (zh) 一种界面剥离测试装置及其测试方法
CN107515366B (zh) 一种基于Coffin-Mason的LED引线寿命预测方法及测试装置
CN111446351B (zh) 一种固晶胶质量评估方法
CN106896025A (zh) 一种用于胶粘接头内部疲劳裂纹扩展试验测试系统
CN210376092U (zh) 晶片附着力测试机
WO2003010506A3 (en) Combined electronic-and photonic-based hybridation assay
Lüngen et al. Reliability of 3D additive manufactured packages
CN111458222A (zh) 一种网络弹性结构水凝胶渗透压调节拉伸装置与测试方法
US6861655B2 (en) Non-destructive method for testing curing level of cured product of curable adhesive composition and manufacturing method of electronic devices
CN105259377A (zh) 一种led光电特性量测仪
CN204556479U (zh) 涂层结合力测试装置
US7960190B2 (en) Temporary package for at-speed functional test of semiconductor chip
CN110308042B (zh) 一种led荧光胶的力学损伤检测装置及方法
CN208606670U (zh) 一种馈线卡具测试装置
CN206920556U (zh) 全自动化软缆测试设备
CN116539524B (zh) 一种用于单面拉开法附着力测试的系统及其使用方法
CN1885059A (zh) 微电子标准物质制备技术
CN100460867C (zh) 塑料有引线芯片载体封装器件的封装材料可靠性检测方法
TW200427963A (en) Board deflection metrology using photoelectric amplifiers

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Country or region after: China

Address after: 402760 No.69, Wushan Road, Biquan street, Bishan District, Chongqing

Applicant after: Chongqing Kangjia Optoelectronic Technology Co.,Ltd.

Address before: 402760 No.69, Wushan Road, Biquan street, Bishan District, Chongqing

Applicant before: Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co.,Ltd.

Country or region before: China

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant