CN114024554B - 一种天线的射频电路结构及天线 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例提供一种天线的射频电路结构及天线，所述天线的射频电路结构包括：至少四个微带天线；与所述至少四个微带天线电连接的至少两个信号传输单元；与所述至少两个信号传输单元电连接的功分平面交叉矩阵；与所述功分平面交叉矩阵电连接的信号发射单元；其中，所述功分平面交叉矩阵将所述至少两个信号传输单元输出的信号进行交叉后输入到所述信号发射单元输出。本发明的实施例解决了网络交叉问题，不需要多层射频板，进而避免了工艺上的困难，简化了结构。

Description

一种天线的射频电路结构及天线

技术领域

本发明涉及天线技术领域，特别是指一种天线的射频电路结构及天线。

背景技术

由于高频段大扫描角相控阵天线单元间距十分狭 小，特别多波束相控阵馈电网络存在多重网络交叉问题，难以布局，现有技术中不得不采用多层射频印制板，而采用多层射频印制板的方式可能会导致垂直过度及平衡电阻难以安装等问题。

发明内容

本发明提供了一种天线的射频电路结构及天线。解决了网络交叉问题，不需要多层射频板，进而避免了工艺上的困难，简化了结构。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供以下方案：

一种天线的射频电路结构，包括：

至少四个微带天线；

与所述至少四个微带天线电连接的至少两个信号传输单元；

与所述至少两个信号传输单元电连接的功分平面交叉矩阵；

与所述功分平面交叉矩阵电连接的信号发射单元；

其中，所述功分平面交叉矩阵将所述至少两个信号传输单元输出的信号进行交叉后输入到所述信号发射单元输出。

可选的，所述信号传输单元包括：

与所述微带天线电连接的兰格耦合器；

通过至少两个单刀双掷开关与所述兰格耦合器电连接的低噪放大器；

与至少两个所述低噪放大器电连接的多功能芯片；

其中，所述兰格耦合器用于将所述微带天线输出的至少两束信号进行耦合处理；

所述至少两个单刀双掷开关用于对耦合处理后的信号进行选择，并将选择后的信号输入到所述低噪放大器；

所述低噪放大器用于对输入低噪放大器的信号进行降噪处理和信号放大处理，并将降噪处理和信号放大处理后的信号输入至所述多功能芯片；

所述多功能芯片用于对输入的信号进行可变移相处理、可变衰减处理、移相衰减驱动处理、移相衰减驱动控制处理以及放大处理中的至少一项。

可选的，所述信号传输单元还包括：与所述多功能芯片电连接的衰减平衡电阻。

可选的，当至少两个信号传输单元输出N束信号时，所述功分平面交叉矩阵包括(N-1)级的矩阵耦合器层；其中，N为正整数，1＜n＜N；

第n级的矩阵耦合器层设置有n个矩阵耦合器；其中，n为正整数，1＜m ＜n。

可选的，所述矩阵耦合器的输入信号从对角线输出；

所述矩阵耦合器的对角线将输入的至少两束输入信号隔离。

可选的，第n级的第1个矩阵耦合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第(N-n+1)束信号；另一个输入信号为第n-1级的第1个矩阵耦合器输出信号；

第n级的第m个矩阵耦合器的一个输入信号为第n-1级的第m-1个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第n-1级的第m个矩阵耦合器的输出信号；

第n级的第n个矩阵耦合器的一个输入信号为第n-1级的第n-1个矩阵耦合器输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第N束信号。

可选的，当两个信号传输单元输出4束信号时，所述功分平面交叉矩阵包括3级的矩阵耦合器层；第1级的矩阵耦合器层设置有1个矩阵耦合器，第2 级的矩阵耦合器层设置有3个矩阵耦合器，第3级的矩阵耦合器层设置有3 个矩阵耦合器；

第1级的第1个矩阵耦合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第4束信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第1束信号；

第2级的第1个矩阵耦合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第 3束信号；另一个输入信号为第1级的第1个矩阵耦合器的输出信号；第2级的第2个矩阵耦合器的一个输入信号为第1级的第1个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第2束信号；

第3级的第1个矩阵耦合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第 2束信号；另一个输入信号为第2级的第1个矩阵耦合器的输出信号；第3级的第2个矩阵耦合器的一个输入信号为第2级的第1个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第2级的第2个矩阵耦合器的输出信号；第3级的第3个矩阵耦合器的第2级的第2个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第3束信号。

可选的，所述信号发射单元包括：N个功合器以及与所述功合器连接的密封插头；所述功合器将来自功分平面交叉矩阵的至少两束输入信号进行功率合成处理，并输出至所述密封插头，并输出。

可选的，所述N个功合器中第1个功合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第1束信号；另一个输入信号为第n级的第1个矩阵耦合器输出信号；

所述N个功合器中第n个功合器的一个输入信号为第n级的第n-1个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第n级的第n个矩阵耦合器输出信号；

所述N个功合器中第N个功合器的一个输入信号为第N-1级的第N-1个矩阵耦合器输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第N束信号。

本发明还提供一种天线，包括：如上述的天线的射频电路结构。

本发明的上述方案至少包括以下有益效果：

本发明的上述方案，包括至少四个微带天线；与所述至少四个微带天线电连接的至少两个信号传输单元；与所述至少两个信号传输单元电连接的功分平面交叉矩阵；与所述功分平面交叉矩阵电连接的信号发射单元；其中，所述功分平面交叉矩阵将所述至少两个信号传输单元输出的信号进行交叉后输入到所述信号发射单元输出。解决了网络交叉问题，不需要多层射频板，进而避免了工艺上的困难，简化了结构。

附图说明

图1为本发明实施例的天线的射频电路结构的示意图。

附图标记说明：

1-微带天线；2-信号传输单元；21-兰格耦合器；22-单刀双掷开关；23-低噪放大器；24-多功能芯片；25-衰减平衡电阻；3-功分平面交叉矩阵；31-矩阵耦合器；4-信号发射单元；41-功合器；42密封插头。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。虽然附图中显示了本发明的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本发明，并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。

如图1所示，本发明提供天线的射频电路结构，包括：

至少四个微带天线1；

与所述至少四个微带天线1电连接的至少两个信号传输单元2；

与所述至少两个信号传输单元2电连接的功分平面交叉矩阵3；

与所述功分平面交叉矩阵3电连接的信号发射单元4；

其中，所述功分平面交叉矩阵3将所述至少两个信号传输单元4输出的信号进行交叉后输入到所述信号发射单元4输出。

该实施例中的天线射频电路的结构包括至少四个微带天线1、至少两个信号传输单元2、功分平面交叉矩阵3以及信号发射单元4，其中，微带天线1 用于向信号传输单元2发送信号；信号传输单元2用于接收微带天线1发送的信号并进行耦合、选择、低噪放大等处理，将处理后的信号发送至功分平面交叉矩阵3；功分平面交叉矩阵3用于接收信号传输单元2发送的信号，并将该信号通过分支线交叉矩阵网络传输至信号发射单元4；信号发射单元4用于经功分平面交叉矩阵3的信号进行功率合成并发出；解决了网络交叉问题，不需要多层射频板，进而避免了工艺上的困难，简化了结构；

这里，微带天线1优选的为微带贴片天线，减小了结构的体积大小，简化了结构。

本发明一可选的实施例中，所述信号传输单元2包括：

与所述微带天线1电连接的兰格耦合器21；

通过至少两个单刀双掷开关22与所述兰格耦合器21电连接的低噪放大器 23；

与至少两个所述低噪放大器23电连接的多功能芯片24；

其中，所述兰格耦合器23用于将所述微带天线1输出的至少两束信号进行耦合处理；

所述至少两个单刀双掷开关22用于对耦合处理后的信号进行选择，并将选择后的信号输入到所述低噪放大器23；

所述低噪放大器23用于对输入低噪放大器23的信号进行降噪处理和信号放大处理，并将降噪处理和信号放大处理后的信号输入至所述多功能芯片24；

所述多功能芯片24用于对输入的信号进行可变移相处理、可变衰减处理、移相衰减驱动处理、移相衰减驱动控制处理以及放大处理中的至少一项。

本实施例中，信号传输单元2包括兰格耦合器21、至少两个单刀双掷开关22、低噪放大器23以及多功能芯片24，其中，兰格耦合器21与微带天线 1电连接，兰格耦合器21和微带天线1之间优选的还可以包括密封插头，微带天线1输出的天线信号可通过密封插头输入至兰格耦合器21中，兰格耦合器用于对信号进行耦合处理，具体地，由于兰格耦合器21是定向耦合器的一种，可用于对至少两束信号进行功率平分并输出；

同时，兰格耦合器21与低噪放大器23之间通过至少两个单刀双掷开关 22电连接，至少两个单刀双掷开关分别设置在兰格耦合器21输出信号的通路上，单刀双掷开关用于对耦合处理后的信号进行选择，即为低噪放大器23选择不同的输入端口，从而实现不同旋向的园级化转换，待选定信号后，对单刀双掷开关进行调节，使被选择的信号输入到低噪放大器23中；

需要说明的是这里对单刀双掷开关的调节可以是通过相关的设备对信号进行测试后，人工选择，也可以通过预设条件利用软件或硬件设备进行智能选择，本申请对此不作限制。

经兰格耦合器21耦合处理后的信号，通过选择后进入低噪放大器23，低噪放大器23是噪声系数很低的放大器，可在放大微弱信号的同时，减少自身的噪声，提高输出的信噪比；具体地，与兰格耦合器21电连接的低噪放大器 23将耦合后的信号放大并输出至多功能芯片24；

优选的，每两个低噪放大器23的输出信号接入一个多功能芯片24，多功能芯片24可对信号进行可变移相处理、可变衰减处理、移相衰减驱动处理、移相衰减驱动控制处理以及放大处理；每两个低噪放大器23的输出信号接入一个多功能芯片24后可输出至少四束信号，每个多功能芯片24的输出为至少四束信号，多功能信号24的输出信号可输入至功分平面交叉矩阵3以及信号发射单元4中。

本发明一可选的实施例中，所述信号传输单元2还包括：与所述多功能芯片24电连接的衰减平衡电阻25。

这里的衰减平衡电阻是为了使集成运放器件的至少两个输入端的对地直流电阻相等，运放的偏置电流不会产生附加的失调电压；若多功能芯片24的输出信号输入的设备的至少两个输入端的对地直流电阻相等，则不需要在多功能芯片24的输出信号通路上连接衰减平衡电阻25。

本发明一可选的实施例中，当至少两个信号传输单元2输出N束信号时，所述功分平面交叉矩阵3包括(N-1)级的矩阵耦合器层；其中，N为正整数， 1＜n＜N；

第n级的矩阵耦合器层设置有n个矩阵耦合器31；其中，n为正整数，1 ＜m＜n。

本实施例中，信号传输单元2输出N束信号，功分平面交叉矩阵3接收信号传输单元2发送的N-1束信号，功分平面交叉矩阵3包括(N-1)级的矩阵耦合器层，每一级的矩阵耦合器层中设置有n个矩阵耦合器31，其中，N 为正整数，1＜n＜N。

需要说明的是，功分平面交叉矩阵3中优选的包括至少6个矩阵耦合器 31。

本发明一可选的实施例中，所述矩阵耦合器31的输入信号从对角线输出；所述矩阵耦合器31的对角线将输入的至少两束输入信号隔离。

这里的矩阵耦合器31的对角线端口互通，而对角线端口间互相隔离，可实现在同一平面上两条信号的交叉传输。

本发明一可选的实施例中，第n级的第1个矩阵耦合器31的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第(N-n+1)束信号；另一个输入信号为第n-1 级的第1个矩阵耦合器31输出信号；

第n级的第m个矩阵耦合器31的一个输入信号为第n-1级的第m-1个矩阵耦合器31的输出信号；另一个输入信号为第n-1级的第m个矩阵耦合器31 的输出信号；

第n级的第n个矩阵耦合器31的一个输入信号为第n-1级的第n-1个矩阵耦合器31输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第N束信号。

本实施例中，当至少两个信号传输单元2输出N束信号时，每个信号传输单元2的输出信号都为N束，功分平面交叉矩阵3中接收到的信号为2(N-1) 束，功分平面交叉矩阵3中矩阵耦合器层为N-1层，每一层的矩阵耦合器31 的数量与其层数的序号相同，这里，优选的，层数由小到大的序号为从远离信号输出口至靠近信号输出口排列；第一信号传输单元和第二信号输出单元的信号序号从左至右为1，2，…，N-1，N；

第n级的第1个矩阵耦合器31的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第(N-n+1)束信号；另一个输入信号为第n-1级的第1个矩阵耦合器31输出信号；第n级的第m个矩阵耦合器31的一个输入信号为第n-1级的第m-1 个矩阵耦合器31的输出信号；另一个输入信号为第n-1级的第m个矩阵耦合器31的输出信号；第n级的第n个矩阵耦合器31的一个输入信号为第n-1级的第n-1个矩阵耦合器31输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第N束信号；

上述的功分平面交叉矩阵3中的矩阵耦合器31为对称排列，其信号的传输也为对称传输；信号从矩阵耦合器31的一端输入，从对角线的另一端输出，当输入信号为两路信号时，分别从对角输出，两路信号之间不会相互影响。

本发明一可选的实施例中，所述信号发射单元4包括：N个功合器41以及与所述功合器连接的密封插头42；所述功合器41将来自功分平面交叉矩阵 3的至少两束输入信号进行功率合成处理，并输出至所述密封插头42，并输出。

其中，所述N个功合器41中第1个功合器41的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第1束信号；另一个输入信号为第n级的第1个矩阵耦合器 31输出信号；

所述N个功合器41中第n个功合器41一个输入信号为第n级的第n-1 个矩阵耦合器31的输出信号；另一个输入信号为第n级的第n个矩阵耦合器 31输出信号；

所述N个功合器41中第N个功合器41的一个输入信号为第N-1级的第 N-1个矩阵耦合器31输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第N束信号。

本实施例中，信号发射单元4包括功合器41和密封插头42，每个功合器 41对应一个密封插头42，功合器的作用是将至少两束输入信号进行功率合成处理，并输出至所述密封插头42，并输出；密封插头42的作用是将处理完的信号从该天线的射频电路结构中输出；

这里的功合器41的数量比功分平面交叉矩阵3中靠近输出信号的矩阵耦合器层中的矩阵耦合器31的数量多一个，功合器41中第1个功合器41的一个输入信号为第一信号输入单元输出的第1束信号，另一个输入信号为第n 级的第n个矩阵耦合器31的输出信号；功合器41中第N个功合器41的一个输入信号为第N-1级的第N-1个矩阵耦合器31输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第N束信号；第1至第N个之间的功合器41的一端输入信号取自功分平面交叉矩阵3最后一层中序号比当前的功合器少1的矩阵耦合器的输出信号，另一端输入信号取自功分平面交叉矩阵3最后一层中序号和当前的功合器相同的矩阵耦合器的输出信号。

本发明一可选的实施例中，当两个信号传输单元输出4束信号时，所述功分平面交叉矩阵包括3级的矩阵耦合器层；第1级的矩阵耦合器层设置有1 个矩阵耦合器，第2级的矩阵耦合器层设置有3个矩阵耦合器，第3级的矩阵耦合器层设置有3个矩阵耦合器；

第1级的第1个矩阵耦合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第 4束信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第1束信号；

第2级的第1个矩阵耦合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第3束信号；另一个输入信号为第1级的第1个矩阵耦合器的输出信号；第2级的第2个矩阵耦合器的一个输入信号为第1级的第1个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第2束信号；

第3级的第1个矩阵耦合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第 2束信号；另一个输入信号为第2级的第1个矩阵耦合器的输出信号；第3级的第2个矩阵耦合器的一个输入信号为第2级的第1个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第2级的第2个矩阵耦合器的输出信号；第3级的第3个矩阵耦合器的第2级的第2个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第3束信号。

如图1所示，该实施例中，T/R(发射/接收)模块中包括四个贴片的微带天线1、两个信号传输单元2、一个功分平面交叉矩阵3以及一个信号发射单元4，其中每两个微带天线1对应一个信号传输单元2，每两个信号传输单元 2对应一个功分平面交叉矩阵3，一个功分平面交叉矩阵3对应一个信号发射单元4，由四个微带天线1发出八路信号，同一个微带天线1发出的两路信号分别通过兰格耦合器21进行耦合处理成一路信号，通过单刀双掷开关22进行选择后，将该信号放大并输出至多功能芯片24中，在多功能芯片24中根据实际需求进行处理，每个多功能芯片24处理成4路信号；

在图1中靠左侧的多功能芯片24为第一多功能芯片，靠右侧的多功能芯片24为第二多功能芯片，图1中的第一多功能芯片从左至右的输出信号分别为信号a1、信号a2、信号a3以及信号a4，第二多功能芯片从左至右的输出信号分别为信号b1、信号b2、信号b3以及信号b4，功分平面交叉矩阵3的第一层的矩阵耦合器31为耦合器c1，第二层从左至右为耦合器c2和耦合器c3，第三层从左至右为耦合器c4、耦合器c5和耦合器c6；

耦合器c1的输入信号为信号a4和信号b1，输出信号为信号c101和信号 c102；

耦合器c2的输入信号为信号a3和信号c101，输出信号为信号c201和信号c202；

耦合器c3的输入信号为信号c102和信号b2，输出信号为信号c301和信号c302；

耦合器c4的输入信号为信号a2和信号c201，输出信号为信号c401和信号c402；

耦合器c5的输入信号为信号c202和信号c301，输出信号为信号c501和信号c502；

耦合器c6的输入信号为信号c302和信号b3，输出信号为信号c601和信号c602；

功分平面交叉矩阵3的第三层的输出信号分别为信号c401、信号c402、信号c501、信号c502、信号c601和信号c602；

功合器41从左至右分别为功合器d1、功合器d2、功合器d3以及功合器 d4；

功合器d1的输入信号为信号a1和信号c401，输出信号为信号d101；

功合器d2的输入信号为信号402和信号c501，输出信号为信号d201；

功合器d3的输入信号为信号502和信号c601，输出信号为信号d301；

功合器d4的输入信号为信号602和b4，输出信号为信号d401；

信号d101、信号d201、信号d301以及信号d401分别通过密封插头42 输出。

本发明的实施例中包括至少四个微带天线；与所述至少四个微带天线电连接的至少两个信号传输单元；与所述至少两个信号传输单元电连接的功分平面交叉矩阵；与所述功分平面交叉矩阵电连接的信号发射单元；其中，所述功分平面交叉矩阵将所述至少两个信号传输单元输出的信号进行交叉后输入到所述信号发射单元输出；解决了网络交叉问题，不需要多层射频板，进而避免了工艺上的困难，简化了结构。

本发明还提供一种天线，包括：如上述的天线的射频电路结构。

需要说明的是，上述射频电路结构实施例中的所有实现方式均适用于该天线的实施例中，也能达到相同的技术效果。

本发明的上述实施例，适用于较高频段、波束数量较多、空间狭小相控阵馈电网络，可以避免使用多层射频印制板而仅使用单层射频板，简化了结构，提高了集成度，从而降低了网络的成本。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种天线的射频电路结构，其特征在于，包括：

至少四个微带天线；

与所述至少四个微带天线电连接的至少两个信号传输单元；

与所述至少两个信号传输单元电连接的功分平面交叉矩阵；

与所述功分平面交叉矩阵电连接的信号发射单元；

其中，所述功分平面交叉矩阵将所述至少两个信号传输单元输出的信号进行交叉后输入到所述信号发射单元输出；

其中，当至少两个信号传输单元输出N束信号时，所述功分平面交叉矩阵包括(N-1)级的矩阵耦合器层；其中，N为正整数，1＜n＜N；

第n级的矩阵耦合器层设置有n个矩阵耦合器；其中，n为正整数，1＜m＜n；

第n级的第1个矩阵耦合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第(N-n+1)束信号；另一个输入信号为第n-1级的第1个矩阵耦合器输出信号；

第n级的第m个矩阵耦合器的一个输入信号为第n-1级的第m-1个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第n-1级的第m个矩阵耦合器的输出信号；

第n级的第n个矩阵耦合器的一个输入信号为第n-1级的第n-1个矩阵耦合器输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第N束信号。

2.根据权利要求1所述的天线的射频电路结构，其特征在于，所述信号传输单元包括：

与所述微带天线电连接的兰格耦合器；

通过至少两个单刀双掷开关与所述兰格耦合器电连接的低噪放大器；

与至少两个所述低噪放大器电连接的多功能芯片；

其中，所述兰格耦合器用于将所述微带天线输出的至少两束信号进行耦合处理；

所述至少两个单刀双掷开关用于对耦合处理后的信号进行选择，并将选择后的信号输入到所述低噪放大器；

所述低噪放大器用于对输入低噪放大器的信号进行降噪处理和信号放大处理，并将降噪处理和信号放大处理后的信号输入至所述多功能芯片；

所述多功能芯片用于对输入的信号进行可变移相处理、可变衰减处理、移相衰减驱动处理、移相衰减驱动控制处理以及放大处理中的至少一项。

3.根据权利要求2所述的天线的射频电路结构，其特征在于，所述信号传输单元还包括：与所述多功能芯片电连接的衰减平衡电阻。

4.根据权利要求1所述的天线的射频电路结构，其特征在于，

所述矩阵耦合器的输入信号从对角线输出；

所述矩阵耦合器的对角线将输入的至少两束输入信号隔离。

5.根据权利要求1所述的天线的射频电路结构，其特征在于，当两个信号传输单元输出4束信号时，所述功分平面交叉矩阵包括3级的矩阵耦合器层；第1级的矩阵耦合器层设置有1个矩阵耦合器，第2级的矩阵耦合器层设置有3个矩阵耦合器，第3级的矩阵耦合器层设置有3个矩阵耦合器；

第1级的第1个矩阵耦合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第4束信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第1束信号；

第2级的第1个矩阵耦合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第3束信号；另一个输入信号为第1级的第1个矩阵耦合器的输出信号；第2级的第2个矩阵耦合器的一个输入信号为第1级的第1个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第2束信号；

第3级的第1个矩阵耦合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第2束信号；另一个输入信号为第2级的第1个矩阵耦合器的输出信号；第3级的第2个矩阵耦合器的一个输入信号为第2级的第1个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第2级的第2个矩阵耦合器的输出信号；第3级的第3个矩阵耦合器的第2级的第2个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第3束信号。

6.根据权利要求1所述的天线的射频电路结构，其特征在于，所述信号发射单元包括：N个功合器以及与所述功合器连接的密封插头；所述功合器将来自功分平面交叉矩阵的至少两束输入信号进行功率合成处理，并输出至所述密封插头，并输出。

7.根据权利要求6所述的天线的射频电路结构，其特征在于，

所述N个功合器中第1个功合器的一个输入信号为第一信号传输单元输出的第1束信号；另一个输入信号为第n级的第1个矩阵耦合器输出信号；

所述N个功合器中第n个功合器的一个输入信号为第n级的第n-1个矩阵耦合器的输出信号；另一个输入信号为第n级的第n个矩阵耦合器输出信号；

所述N个功合器中第N个功合器的一个输入信号为第N-1级的第N-1个矩阵耦合器输出信号；另一个输入信号为第二信号传输单元输出的第N束信号。

8.一种天线，包括：如权利要求1至7任一项所述的天线的射频电路结构。

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