CN114023736A - 一种电路结构、显示面板和终端设备 - Google Patents

一种电路结构、显示面板和终端设备 Download PDF

Info

Publication number
CN114023736A
CN114023736A CN202111284083.8A CN202111284083A CN114023736A CN 114023736 A CN114023736 A CN 114023736A CN 202111284083 A CN202111284083 A CN 202111284083A CN 114023736 A CN114023736 A CN 114023736A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrostatic ring
electrostatic
wires
ring structure
discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111284083.8A
Other languages
English (en)
Inventor
陈伟雄
李阳恒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Eswin Computing Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing Eswin Computing Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Eswin Computing Technology Co Ltd filed Critical Beijing Eswin Computing Technology Co Ltd
Priority to CN202111284083.8A priority Critical patent/CN114023736A/zh
Publication of CN114023736A publication Critical patent/CN114023736A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0292—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using a specific configuration of the conducting means connecting the protective devices, e.g. ESD buses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00—Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/02—Carrying-off electrostatic charges by means of earthing connections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电路结构、显示面板和终端设备，主要目的在于降低显示面板功率消耗；电路结构包括：多个静电环结构、多条配线、多个尖端放电结构；一条配线对应一个尖端放电结构；一个静电环结构对应两组配线，第一组配线由至少两条配线组成，第二组配线由至少两条配线组成；第一组配线中的各条配线分别通过对应的尖端放电结构与静电环结构的第一端连接；第二组配线中的各条配线分别通过对应的尖端放电结构与静电环结构的第二端连接；尖端放电结构包括两个尖端放电体；每个尖端放电体的前端均设置有放电尖端，且两个放电尖端彼此相对；一个尖端放电体的后端与对应的配线相连，另一个尖端放电体的后端与静电环结构连接。

Description

一种电路结构、显示面板和终端设备
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，特别是涉及一种电路结构、显示面板和终端设备。
背景技术
显示技术是利用电子技术为人类提供变化灵活视觉信息的一项前沿技术，而显示面板作为显示技术的现实载体，其视觉性能一直在持续发展中。为了实现显示面板变化灵活的特点，在技术上要求显示面板响应时间短、驱动功耗低、且具有可随时切换画面的特性。其中，随着全球环保节能的趋势愈演愈烈，显示面板的功率消耗问题已越来越受到人们的关注。
目前，显示面板中的显示器件的功耗来源除了信号线的供电外，最大的消耗就是信号线的RC Delay。其中，静电环是信号线RC Delay的一个很大的功率消耗来源。由于防止静电损伤方面的考虑，几乎显示器件的每根信号线都会设置一个静电环，以保证其受静电干扰时，不会被击伤从而造成显示异常。由于静电环数量众多，其本身对RC的消耗，使得其在面板功耗所占的比重非常地高。
随着节能方面的要求逐渐升高，目前这种为每条信号线都设置一个静电环的面板设计已经很难满足低功耗的要求。
发明内容
有鉴于此，本发明提出了一种电路结构、显示面板和终端设备，主要目的在于降低显示面板功率消耗。
为达到上述目的，本发明主要采用了以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种电路结构，该电路结构包括：多个静电环结构、多条配线以及多个尖端放电结构；
一条所述配线对应一个所述尖端放电结构；
一个所述静电环结构对应两组配线，其中，第一组配线由至少两条所述配线组成，第二组配线由至少两条所述配线组成；所述第一组配线中的各条所述配线分别通过对应的尖端放电结构与所述静电环结构的第一端连接；所述第二组配线中的各条所述配线分别通过对应的尖端放电结构与所述静电环结构的第二端连接；
所述尖端放电结构包括两个尖端放电体；
每个所述尖端放电体的前端均设置有放电尖端，且两个所述放电尖端彼此相对；一个所述尖端放电体的后端与对应的配线相连，另一个所述尖端放电体的后端与所述静电环结构连接。
第二方面，本发明提供了一种显示面板，所述显示面板包括第一方面所述的电路结构。
第三方面，本发明提供了一种终端设备，所述终端设备包括第二方面所述的显示面板。
本发明提供的电路结构、显示面板和终端设备，电路结构包括有多个静电环结构、多条配线以及多个尖端放电结构。一条配线对应一个尖端放电结构。一个静电环结构对应两组配线，第一组配线由至少两条配线组成，第二组配线由至少两条配线组成。第一组配线中的各条配线分别通过对应的尖端放电结构与静电环结构的第一端连接，第二组配线中的各条配线分别通过对应的尖端放电结构与静电环结构的第二端连接。尖端放电结构包括两个尖端放电体，每个尖端放电体的前端均设置有放电尖端，且两个放电尖端彼此相对。一个尖端放电体的后端与对应的配线相连，另一个尖端放电体的后端与静电环结构连接。可见，本发明提供的方案中每条配线均有静电环结构保护，且实现了多条配线的静电环结构的共享，不用为每条配线设置单独的静电环结构。由于减少了静电环结构的数量，因此能够降低显示面板功率消耗。另外，由于每一个配线均通过对应的尖端放电结构与静电环结构连接，能够在保证将配线释放的静电及时静电传导至静电环结构的同时，避免连接同一静电环结构的配线间的短路。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明一个实施例提供的一种电路结构的结构图；
图2示出了本发明另一个实施例提供的一种电路结构的结构图；
图3示出了本发明另一个实施例提供的一种尖端放电结构的结构图；
图4示出了本发明一个实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图5示出了本发明一个实施例提供的一种终端设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更加详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
目前，LCD、OLED等显示面板中设置有静电环结构，在信号线发生静电释放时，由于静电环的电压削弱作用及静电疏导作用，有效地避免静电释放造成的信号线损伤。常规的静电环结构为：在静电环结构的每一个端部，都只连接有一条信号线。显示面板正常工作时，由于静电环结构本身由TFT组成，因此不可避免地存在耦合电容和漏电流等影响，其会增加信号线的额外功率消耗。由于静电环结构数量众多，造成了极大的功率消耗。为了降低显示面板的功耗，本发明实施例提供一种电路结构、显示面板和终端设备，以在不影响显示面板静电释放功能的基础上，减少显示面板的功率消耗。下面对该电路结构、显示面板和终端设备进行具体说明。
如图1所示，本发明实施例提供了一种电路结构，该电路结构包括：多条配线11、多个尖端放电结构12以及多个静电环结构13。其中，一条所述配线11对应一个所述尖端放电结构12。
一个所述静电环结构13对应两组配线，其中，第一组配线由至少两条所述配线11组成，第二组配线由至少两条所述配线11组成；所述第一组配线中的各条所述配线11分别通过对应的尖端放电结构12与所述静电环结构13的第一端连接；所述第二组配线中的各条所述配线11分别通过对应的尖端放电结构12与所述静电环结构13的第二端连接。
下面以图1为例对配线11、尖端放电结构12以及静电环结构13之间的连接关系和相互作用进行说明，为了说明的更为清晰，图1中仅示出了一个静电环结构13与配线11和尖端放电结构12的连接情况。
配线11：
配线11包括显示面板中进行静电释放的线路和显示面板中将静电传导至地线的线路。其中，进行静电释放的线路为信号线，该信号线为与显示面板中像素单元连接，并控制像素单元的扫描线或数据线。将静电传导至地线的线路为将静电环结构中的静电传导至地线的静电释放线。
示例性的，图1中四条配线11均为数据线，这四条配线11均通过其各自对应的尖端放电结构12(图1中标号12对应的虚线框部分)与静电环结构13(图1中标号13对应的虚线框部分)连接。
尖端放电结构12：
尖端放电结构12用于连接配线11和静电环结构13。为了保证在配线释放静电时将静电传导至静电环结构进行静电消耗的同时，又能避免连接同一静电环结构的配线间的短路，一个配线11对应一个尖端放电结构12。
示例性的，图1中的四条配线11均存在其对应的尖端放电结构12。
静电环结构13：
静电环结构13用于获取配线11所释放的静电，为了降低显示面板静电释放的功耗，一个静电环结构13的每一端均要与至少两条配线11连接，下面以一个静电环结构13为例来说明静电环结构13的连接关系：
一个静电环结构13对应两组配线，第一组配线由至少两条所述配线11组成，第二组配线由至少两条所述配线11组成。需要说明的是，若该静电环结构13仅为获取信号线所释放的静电时，则第一组配线和第二组配线中的配线均为释放静电的信号线。若该静电环结构13不仅需要获取信号线所释放的静电，而且还需要将所获取的静电传导出去，则第一组配线和/或第二组配线中包括有将所获取的静电传输到地线的静电释放线，第一组配线和第二组配线中除静电释放线之外的配线均为能够释放静电的信号线。第一组配线中的各条配线11分别通过对应的尖端放电结构12与静电环结构13的第一端连接，第二组配线中的各条配线11分别通过对应的尖端放电结构12与静电环结构13的第二端连接。
示例性的，静电环结构13对应两组配线，第一组配线由两条数据线11组成，第二组配线由两条数据线11组成。第一组配线中的各条配线11分别通过对应的尖端放电结构12与静电环结构13的第一端A连接。第二组配线中的各条配线11分别通过对应的尖端放电结构12与静电环结构13的第二端B连接。当数据线11释放静电时，静电环结构13便通过数据线11对应的尖端放电结构12获取静电，并对所获取的静电进行消耗。
本发明实施例提供的电路结构，电路结构包括有多个静电环结构、多条配线以及多个尖端放电结构。一条配线对应一个尖端放电结构。一个静电环结构对应两组配线，第一组配线由至少两条配线组成，第二组配线由至少两条配线组成。第一组配线中的各条配线分别通过对应的尖端放电结构与静电环结构的第一端连接，第二组配线中的各条配线分别通过对应的尖端放电结构与静电环结构的第二端连接。尖端放电结构包括两个尖端放电体，每个尖端放电体的前端均设置有放电尖端，且两个放电尖端彼此相对。一个尖端放电体的后端与对应的配线相连，另一个尖端放电体的后端与静电环结构连接。可见，本发明实施例提供的方案中每条配线均有静电环结构保护，静电环结构的每一端均连接有多条配线，且实现了多条配线的静电环结构的共享。由于减少了静电环结构的数量，因此能够降低显示面板功率消耗。另外，由于每一个配线均通过对应的尖端放电结构与静电环结构连接，能够在保证将配线释放的静电及时静电传导至静电环结构的同时，避免连接同一静电环结构的配线间的短路。
进一步的，根据图1所示的电路结构，本发明的另一个实施例还提供了一种电路结构，如图2所示，该电路结构主要包括：多条配线11、多个尖端放电结构12以及多个静电环结构13。下面对配线11、尖端放电结构12以及静电环结构13之间的连接关系和相互作用进行说明：
配线11：
配线11包括显示面板中进行静电释放的线路和显示面板中将静电传导至地线的线路。其中，进行静电释放的线路为信号线，该信号线为与显示面板中像素单元连接，并控制像素单元的扫描线或数据线。将静电传导至地线的线路为将静电环结构中的静电传导至地线的静电释放线。
示例性的，图2中有N+2条配线，其中DATA 1至DATA N均为数据线，2条为ESD线。
尖端放电结构12：
尖端放电结构12用于连接配线11和静电环结构13。为了保证在配线11释放静电时能够将静电传导至静电环结构13进行静电消耗的同时，避免连接同一静电环结构13的配线11间的短路，一个配线11对应一个尖端放电结构12。
尖端放电结构12可以为多向尖端放电结构，其具体结构可基于业务要求确定，示例性的，本实施例中尖端放电结构12为双向尖端放电结构，下面对尖端放电结构12进行具体说明：如图3所示，图3中仅为尖端放电结构12的结构表示，并非是对尖端放电结构12具体形状的表示，尖端放电结构12中各部分的形状可以基于具体业务要求确定，本实施例不做具体限定。图3中尖端放电结构12包括两个尖端放电体121，每个尖端放电体121的前端均设置有放电尖端12A，且两个放电尖端12A彼此相对。一个尖端放电体121的后端与对应的配线11相连，另一个所述尖端放电体12A的后端与所述静电环结构13连接。
当与尖端放电体121的前端相连的配线11释放静电时，静电通过尖端放电体121传输至与尖端放电体121的后端相连的静电环结构13，以使静电环结构13进行静电消耗处理。由于尖端放电体121彼此相对的放电尖端12A并未直接接触，因此其不会造成连接静电环结构13同一端的各配线11之间的短路。
静电环结构13：
多个静电环结构13划分为至少一个静电环结构组，每一个静电环结构组中包括有至少一个静电环结构13。由于静电环结构13所获取的静电未被消耗的部分也需要传导出去，因此每一个静电环结构组中均需要有与静电释放线连接的静电环结构13，以使静电环结构13所获取的静电通过静电释放线接入到地线。
电路结构中静电环结构组的数量可以基于业务需求确定，本实施例中对该数量不做具体限定。示例性的，如图2所示，电路结构中所有的静电环结构13均划分为同一静电环结构组。示例性的，一个静电环结构13划分为一个静电环结构组。示例性的，电路结构中所有的静电环结构13划分为多个静电环结构组，一个静电环结构组包括一个或多个静电环结构13。
对于包括有两个或两个以上静电环结构13的静电环结构组：一个静电环结构组中的各静电环结构13串联，对于任意相邻的两个所述静电环结构13，前一个静电环结构13对应的第二组配线中的配线11是后一个静电环结构13对应的第一组配线中的配线11。位于首位的静电环结构13对应的第一组配线中，一条配线11为静电释放线，其他配线11均为信号线，其中，静电环结构13用于获取其连接的信号线11释放的静电，静电释放线用于将所有串联的静电环结构13的静电传输给地线。位于末位的静电环结构13对应的第二组配线中，一条配线11为静电释放线，其他配线11均为信号线，其中，静电环结构13用于获取其连接的信号线释放的静电，静电释放线用于将所有串联的静电环结构13的静电传输给地线。
示例性的，如图2所示，电路结构中所有的静电环结构13均划分为同一静电环结构组。串联的各静电环结构13中位于非首位和非末位的静电环结构对应的配线11均为数据线，静电环结构13用于获取其连接的信号线释放的静电。位于首位的静电环结构131对应的第一组配线中，一条配线为静电释放线ESD，一条配线为数据线DATA 1，其中，静电环结构131用于获取其连接的DATA 1释放的静电，静电释放线ESD用于将所有串联的静电环结构13的静电传输给地线。位于末位的静电环结构13m对应的第二组配线中，一条配线为静电释放线ESD，一条配线为数据线DATA N，其中，静电环结构13用于获取其连接的DATAN释放的静电，静电释放线ESD用于将所有串联的静电环结构的静电传输给地线，该地线为显示面板中的地线Panel GND，然后地线Panel GND最终并入到地线FPC GND。
对于仅包括有一个静电环结构13的静电环结构组：静电环结构13对应的第一组配线中，一条配线11为静电释放线，其他配线11均为信号线，其中，静电环结构13用于获取其连接的信号线释放的静电，静电释放线用于将静电环结构13的静电传输给地线。静电环结构13对应的第二组配线中，一条配线11为静电释放线，其他配线11均为信号线，其中，静电环结构13用于获取其连接的信号线释放的静电，静电释放线用于将静电环结构13的静电传输给地线。
上述提及的信号线为扫描线或数据线，其中，扫描线和数据线均为与像素单元连接，并控制所述像素单元的信号线。
上述提及的第一组配线中配线11的数量与第二组配线中配线11的数量，可以基于业务需求确定，其数量可以相同或不同。若需要节省静电环结构的数量，则第一组配线和第二组配线的数量可以设置的相对较少。
示例性的，如图2所示，每个静电环结构13连接的第一组配线和第二组配线中的数据线数量相同，都为两条。
为了增强静电环结构13的静电消耗能力，则静电环结构13包括多个静电环13A以及多个电阻结构13B，任意两个静电环13A之间通过一个电阻结构13B连接。
静电环13A的具体结构不实施例中不做具体限定，满足电路结构的静电消耗要求的静电环均可以选用为本实施例所提及的静电环。
电阻结构13B主要用于增强静电环结构13的静电消耗能力，在选用时电阻结构13B时，需要选用阻值能够满足静电消耗能力的电阻结构。电阻结构13B的具体类型不作具体限定，具有满足静电消耗能力的阻值的电阻都可以作为电阻结构13B使用。示例性的，电阻结构13B可以为导线弯曲而成的波形结构，或，所述电阻结构13B为可变电阻。
示例性的，由于电路结构中的多条配线共用一个静电环结构，因此电路结构中会节省大量的布线空间，这个布线空间中对静电环结构进行优化，引入电阻结构13。如图2所示，该电阻结构13B为导线弯曲而成的波形结构，该导线的具体材质可以基于业务要求确定，本实施例中不做具体限定，比如，导线为合金导线。该电阻结构13B设置在两个相邻的静电环之间，用于连接两个相邻的静电环。该电阻结构13B引入到静电环结构13中可以有效的实现静电电压的降低，提高静电环结构13的静电消耗能力。
电阻结构13B为导线弯曲而成的波形结构，是利用波形结构走线比一般的走线长度更长，电阻率更大的特点来提高静电环结构13的静电消耗能力。通过公式可以看出，当根据静电消耗能力和布线空间确定电阻结构的阻值后，通过公式R＝ρL/S，并可选取导线的长度，然后选用该长度的导线形成波形结构的电阻。其中，ρ表示导线的电阻率，L表示导线的长度，S标识导线的横截面积。
当电阻结构13B选用导线弯曲而成的波形结构时，导线的电阻率越大，走线越长，静电环结构13具有的电阻越大，其静电消耗能力越强。
示例性的，电阻结构13B为可变电阻。可变电阻可以在外界的控制下改变自身阻值。电路结构所在产品在出厂时，可变电阻设定为一个固定值。用户在购买使用产品后，用户可以根据自身的需求控制可变电阻的阻值变大或变小。比如，产品为显示面板时，用户需要提高显示面板的静电消耗能力，其可以通过显示面板中与可变电阻相连的控制器，控制可变电阻的阻值变大。
进一步的，依据上述电路结构实施例，本发明的另一个实施例还提供了一种显示面板，如图4所示，所述终端设备包括：上述图1或图2所述的电路结构20。
本发明实施例提供的电路结构，由于电路结构中的每条配线均有静电环结构保护，静电环结构的每一端均连接有多条配线，且实现了多条配线的静电环结构的共享。由于减少了静电环结构的数量，因此能够降低显示面板功率消耗。另外，由于每一个配线均通过对应的尖端放电结构与静电环结构连接，能够在保证将配线释放的静电及时静电传导至静电环结构的同时，避免连接同一静电环结构的配线间的短路。
进一步的，依据上述显示面板实施例，本发明的另一个实施例还提供了一种终端设备，如图5所示，所述终端设备包括：上述图4所述的显示面板30。
本发明实施例提供的终端设备，终端设备的显示面板包括有多个静电环结构、多条配线以及多个尖端放电结构。一条配线对应一个尖端放电结构。一个静电环结构对应两组配线，第一组配线由至少两条配线组成，第二组配线由至少两条配线组成。第一组配线中的各条配线分别通过对应的尖端放电结构与静电环结构的第一端连接，第二组配线中的各条配线分别通过对应的尖端放电结构与静电环结构的第二端连接。尖端放电结构包括两个尖端放电体，每个尖端放电体的前端均设置有放电尖端，且两个放电尖端彼此相对。一个尖端放电体的后端与对应的配线相连，另一个尖端放电体的后端与静电环结构连接。可见，本发明实施例提供的方案中每条配线均有静电环结构保护，静电环结构的每一端均连接有多条配线，且实现了多条配线的静电环结构的共享。由于减少了静电环结构的数量，因此能够降低显示面板功率消耗。另外，由于每一个配线均通过对应的尖端放电结构与静电环结构连接，能够在保证将配线释放的静电及时静电传导至静电环结构的同时，避免连接同一静电环结构的配线间的短路。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种电路结构，其特征在于，所述电路结构包括：多个静电环结构、多条配线以及多个尖端放电结构；
一条所述配线对应一个所述尖端放电结构；
一个所述静电环结构对应两组配线，其中，第一组配线由至少两条所述配线组成，第二组配线由至少两条所述配线组成；所述第一组配线中的各条所述配线分别通过对应的尖端放电结构与所述静电环结构的第一端连接；所述第二组配线中的各条所述配线分别通过对应的尖端放电结构与所述静电环结构的第二端连接；
所述尖端放电结构包括两个尖端放电体；
每个所述尖端放电体的前端均设置有放电尖端，且两个所述放电尖端彼此相对；一个所述尖端放电体的后端与对应的配线相连，另一个所述尖端放电体的后端与所述静电环结构连接。
2.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述多个静电环结构划分为至少一个静电环结构组，每一个所述静电环结构组中包括有至少一个静电环结构。
3.根据权利要求2所述的电路结构，其特征在于，对于包括有两个或两个以上静电环结构的静电环结构组：
一个所述静电环结构组中的各静电环结构串联，对于任意相邻的两个所述静电环结构，前一个所述静电环结构对应的第二组配线中的配线是后一个所述静电环结构对应的第一组配线中的配线。
4.根据权利要求3所述的电路结构，其特征在于，串联的各所述静电环结构中位于非首位和非末位的静电环结构对应的配线均为信号线；
位于首位的静电环结构对应的第一组配线中，一条配线为静电释放线，其他配线均为信号线；
位于末位的静电环结构对应的第二组配线中，一条配线为静电释放线，其他配线均为信号线；
其中，所述静电释放线连接地线。
5.根据权利要求2所述的电路结构，其特征在于，对于仅包括有一个静电环结构的静电环结构组：
所述静电环结构对应的第一组配线中，一条配线为静电释放线，其他配线均为信号线；
所述静电环结构对应的第二组配线中，一条配线为静电释放线，其他配线均为信号线；
其中，所述静电释放线连接地线。
6.根据权利要求4或5所述的电路结构，其特征在于，所述信号线为扫描线或数据线，其中，所述扫描线和数据线均为与像素单元连接，并控制所述像素单元的信号线。
7.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述静电环结构包括多个静电环以及多个电阻结构；
任意两个所述静电环之间通过一个所述电阻结构连接。
8.根据权利要求7所述的电路结构，其特征在于，所述电阻结构为导线弯曲而成的波形结构或可变电阻。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-8中任一所述的电路结构。
10.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括权利要求9所述的显示面板。
CN202111284083.8A 2021-11-01 2021-11-01 一种电路结构、显示面板和终端设备 Pending CN114023736A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111284083.8A CN114023736A (zh) 2021-11-01 2021-11-01 一种电路结构、显示面板和终端设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111284083.8A CN114023736A (zh) 2021-11-01 2021-11-01 一种电路结构、显示面板和终端设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114023736A true CN114023736A (zh) 2022-02-08

Family

ID=80059343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111284083.8A Pending CN114023736A (zh) 2021-11-01 2021-11-01 一种电路结构、显示面板和终端设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114023736A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024026634A1 (zh) * 2022-08-01 2024-02-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、其制作方法、中板及电子纸显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024026634A1 (zh) * 2022-08-01 2024-02-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、其制作方法、中板及电子纸显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103092397B (zh) 具静电放电保护的触控面板及使用其的电子装置
CN100541403C (zh) 触摸面板输入装置
US10199398B2 (en) Display device with different circuit groups
CN107797693B (zh) 触摸面板和包括其的显示装置
US10062856B1 (en) Flexible display substrate and flexible display apparatus
CN108877523B (zh) 阵列基板、显示面板和显示装置
CN102637100A (zh) 电容式触摸屏面板显示器
CN114023736A (zh) 一种电路结构、显示面板和终端设备
CN109343258A (zh) 显示面板和显示装置
US20150277642A1 (en) Touch panel module
US11314133B2 (en) Source driver and display device
CN216213436U (zh) 一种电路结构、显示面板和终端设备
CN105549776A (zh) 触控显示装置
JP2019067142A (ja) 検出装置及び表示装置
CN111369945B (zh) 电路板组件、显示装置、终端和信号处理系统
CN105467699A (zh) 带有传感器的显示装置以及显示装置的控制方法
CN109755279B (zh) Oled显示面板及oled显示装置
CN113168945B (zh) 焊盘电极部分和具有焊盘电极部分的触摸传感器
CN204302936U (zh) 触控面板与具有该触控面板之触控装置
US20080253043A1 (en) Active matrix device and a flat panel display with electrostatic protection
CN110288911B (zh) 显示驱动芯片、显示模组和显示装置
CN101276810A (zh) 具有静电防护功能的主动阵列装置
CN108364597B (zh) 阵列基板及其显示异常的确定方法、显示面板和显示装置
CN107665066B (zh) 一种显示面板及装置
CN107390951B (zh) 触控显示面板、触控显示装置和电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: Room 101, floor 1, building 3, yard 18, Kechuang 10th Street, Beijing Economic and Technological Development Zone, Daxing District, Beijing 100176

Applicant after: Beijing yisiwei Computing Technology Co.,Ltd.

Address before: Room 101, floor 1, building 3, yard 18, Kechuang 10th Street, Beijing Economic and Technological Development Zone, Daxing District, Beijing 100176

Applicant before: Beijing yisiwei Computing Technology Co.,Ltd.