CN114008501B - 光投射系统及方法 - Google Patents

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Abstract

一种光投射系统(102)，包括：波导器件(1401)，包括第一表面，第二表面和第四表面，第一表面和第二表面中的至少一个表面包括多个第一光栅结构；光源(1402)，用于将光耦合到波导器件(1401)中以形成入耦合光束，其中：每个第一光栅结构被配置为破坏全内反射，以使至少一部分入耦合光束耦合出所述波导器件(1401)，所述入耦合光束的剩余光束进行全内反射，在经过所述第一光栅结构耦合出后，从波导器件(1401)耦合出；检测器(1403)，被配置为接收并测量剩余光束；处理器(1404)，与检测器(1403)相连接。

Description

光投射系统及方法
技术领域
本发明涉及光投射技术，具体地，涉及一种光投射系统及方法。
背景技术
光投射技术对实现一些重要设备的功能至关重要。例如，结构光投射技术应用于手机的三维相机模组中，用于识别面部特征。面部特征反射的投射光可由检测器捕获，并通过算法进行分析，以“感知”面部的拓扑结构。相应地，可根据面部特征识别的输入进行身份验证、表情符号生成、图像采集定位(image capture orientation)和其它各种功能的设计。
目前的光投射技术的光投射技术涉及到功率强大的激光器的使用。在设备损坏或故障的情况下，过量的激光可能会不受控制地溢出到环境中，有可能造成眼睛损伤。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种光投射系统及方法，能够对眼睛进行安全保护。
根据本发明提供的光投射系统，包括：
波导器件，包括第一表面，第二表面和第四表面，第一表面或第二表面中包括多个第一光栅结构；
光源，用于将光耦合到波导器件中以形成入耦合光束，其中：
所述波导器件被配置为引导入耦合光束在第一表面和第二表面之间进行全内反射，并且，每个第一光栅结构被配置为破坏所述全内反射，以使至少一部分入耦合光束耦合出所述波导器件，从所述波导器件中耦合出来的入射光束形成出耦合光束，所述入耦合光束在全内反射后且在每个第一光栅结构的耦合出之后形成剩余光束；
检测器，被配置为接收和测量剩余光束并响应于剩余光束超过阈值而至少使入耦合光束降低强度。
优选地，所述剩余光束通过耦合机制从波导耦合出来，所述耦合机制为：端耦合、光栅耦合和棱镜耦合。
优选地，还包括设置在所述第四表面上的第一棱镜，其中：
至少一部分入耦合光束通过第四表面耦合出所述波导器件；
所述剩余光束通过第四表面出射，进而通过所述第一棱镜从波导器件中耦合出。
优选地，所述检测器包括监控光电二极管。
优选地，还包括处理器，所述处理器电连接所述检测器，被配置为通过测量剩余光束来确定是否发生危险状况，其中：
所述测量剩余光束包括测量与剩余光束的强度相关的信号；
处理器被配置为至少使得入耦合光束的强度降低，以响应于检测到所述危险状况；和
所述危险状况至少与以下任一信号相对应：信号的变化量或信号的变化率超过最大阈值，信号的变化量或信号的变化率超过最小阈值。
优选地，所述处理器电连接所述光源，用于控制所述光源停止发光，以使入耦合光束的强度降低。
优选地，所述处理器电连接一遮光器，
被配置为使遮光器阻挡光源和波导之间的光，以使入耦合光束的强度降低。
优选地，所述检测器，被配置为通过测量剩余光束来确定是否发生危险状况，传输控制信号至光源以降低所述入耦合光束的强度；
所述危险状况至少与以下任一信号相对应：信号的变化量或信号的变化率超过最大阈值，信号的变化量或信号的变化率超过最小阈值。
优选地，还包括设置在第一表面或第二表面中的至少一个上的第二棱镜，其中：
所述光源，被配置为经由第二棱镜将光耦合到波导器件中以形成入耦合光束。
优选地，还包括在第一表面或第二表面上设置的多个第二光栅结构，其中：
所述光源，被配置为经由多个所述第二光栅结构将光耦合到波导器件中以形成入耦合光束。
根据本发明提供的光投射方法，包括：
将来自光源的光耦合到波导器件中以形成入耦合光束，其中波导器件包括第一表面，第二表面和第四表面，其中第一表面或第二表面中包括多个第一光栅结构；
通过波导器件引导入耦合光束在第一表面和第二表面之间进行全内反射，其中每个第一光栅结构破坏全内反射，以引起入耦合光束的至少一部分光束耦合出波导，耦合出的光束从波导耦合出的部分形成出耦合光束；
由检测器接收并测量剩余光束，并且响应于剩余光束超过阈值，至少使耦合入光束的强度降低，其中，所述剩余光束为所述入耦合光束在全内反射后且在每个第一光栅结构的耦合出之后剩余的。
优选地，所述光投射系统还包括处理器，所述处理器电连接所述检测器，且该方法还包括：处理器通过测量剩余光束来确定是否发生危险状况，其中：所述测量剩余光束包括测量与剩余光束的强度相关的信号；处理器被配置为至少使得入耦合光束的强度降低，以响应于检测到所述危险状况；和所述危险状况至少与以下任一信号相对应：信号的变化量或信号的变化率超过最大阈值，信号的变化量或信号的变化率超过最小阈值。
优选地，所述处理器电连接所述光源，用于控制所述光源停止发光，以使入耦合光束的强度降低。
优选地，所述处理器电连接一遮光器，被配置为使遮光器阻挡光源和波导之间的光，以使入耦合光束的强度降低。
本文在此所公开的系统、方法和非暂时性计算机可读介质的这些和其他特征，以及操作方法、结构相关元件的功能、部件的组合和制造的经济性，将参考附图通过下文的描述和权利要求变得更加清楚，所有这些形成了本说明书的一部分，其中附图标记标明了各附图中的相应部件。然而需要明确理解的是，附图仅用于说明和描述，而不作为对本发明的限制。
附图说明
本发明的各种实施例的特征在所附的权利要求中进行了阐述。所述详细描述阐述了利用本发明的原理的说明性实施例，以及其附图。为了更好地理解本发明的特征和有益效果，可参考详细描述了利用本发明的原理的阐述性实施例的具体说明，该说明所附的附图包括：
图1为本发明各实施例中光投射系统的工作原理示意图。
图2为本发明各实施例中示例性光投射系统的侧视图。
图3为本发明各实施例中示例性光投射装置的侧视图。
图4A-图4I为本发明各实施例中从光源耦合入光投射结构中平面波导的侧视图。
图5A-图5F为本发明各实施例中光从光投射结构耦合出的侧视图。
图6A为本发明各实施例中示例性用于投射光的光投射装置的侧视图。
图6B为本发明各实施例中光栅耦合效率相对于光栅深度和占空比的示意图。
图6C为本发明各实施例中光栅耦合效率相对于光栅占空比的示意图。
图7A为本发明各实施例中用于投射光的光投射装置的立体图。
图7B为本发明各实施例中与耦合出光束对应的点阵的示意图。
图8A为本发明各实施例中用于投射光的光投射装置的立体图。
图8B为本发明各实施例中耦合出光束角度相对于光栅周期的示意图。
图9为本发明各实施例中第一表面上示例性光栅的俯视图。
图10为本发明各实施例中第一表面上第二种示例性光栅的俯视图。
图11为本发明各实施例中第一表面上第三种示例性光栅的俯视图。
图12为本发明各实施例中示例性用于投射光的第一种光投射系统的示意图。
图13为本发明各实施例中示例性用于投射光的第二种光投射系统的示意图。
图14为本发明各实施例中示例性用于投射光的第三种光投射系统的示意图。
图15为本发明各实施例中示例性光投射方法的流程图。
具体实施方式
光投射是三维特征检测、三维地图等应用的关键一步。例如，工业零件检查和医学检查使用的深度相机模组需要测定深度信息。参考图1，在这种应用中，一个或多个光源(例如，光投射系统102的部件)可将预定图形的结构光束投射到物体(例如，物体104，如人脸)上，然后检测器(例如，检测器103)捕获光束的反射光来测量各种光学参数。所述光投射系统102和所述检测器103可设在同一装置(例如，装置101)或不同装置上。虽然显示为不同的部件，但检测器103可为光投射系统102的一部分，并配置成用来接收远处物体104在多个位置对投射光束的反射，以测定所述多个位置相对于光投射系统102的距离。光投射系统102可在各种系统或装置上实施，例如，手机、电脑、平板电脑、穿戴式设备，车辆等等。可将物体处极其平整的反射平面作为基准，基准对投射光的反射可预设为基准反射光束。可基于检测到的反射光束和基准反射光束之间的差值测定面部特征，这种差值显示为基准反射光束的偏差或畸变(shifts or distortions)。这种测定方法称为三角测量法。
当前光投射技术中采用多个激光器投射结构化光束。对于消费产品，即使激光器发出危险的强光束，但是由于激光器被包装在设备内部，也使从设备射出的激光处于安全级别之内。即，投射的光在安全范围内，即使照射到眼睛也不会造成眼睛伤害。但是，各种类型的事故都可能会改变设备内发射光的光路，并导致过多的激光无法控制地溢出到环境中，并可能导致眼睛受伤。此类事故可能包括，例如，设备部件因掉落设备而错位，设备部件因老化而劣化，设备部件因蒸气而损坏等。由于许多部件是微型的，因此其配置中的一些细微变化可能会导致严重的后果。然而，当前的技术尚未开发出足够的安全机制来解决该问题。
为了至少减少现有技术的缺点，本发明提供了具有安全保护(例如，针对眼睛和其他物体)的光投射系统和方法。在各种实施例中，示例性光投射系统包括：波导器件，包括第一表面，第二表面和第四表面，第一表面或第二表面中包括多个第一光栅结构；光源，用于将光耦合到波导器件中以形成入耦合光束，其中：所述波导器件被配置为引导入耦合光束在第一表面和第二表面之间进行全内反射，并且，每个第一光栅结构被配置为破坏所述全内反射，以使至少一部分入耦合光束耦合出所述波导器件，从所述波导器件中耦合出来的入射光束形成出耦合光束，所述入耦合光束在全内反射后且在每个第一光栅结构的耦合出之后形成剩余光束；检测器，被配置为接收并测量剩余光束；处理器，耦合到检测器并被配置为基于所测量的剩余光束确定是否发生危险状况。本发明能够放置过量的激光可不受控制地溢出到环境中，防止用户眼睛受损伤。
如本领域普通技术人员所理解的，波导器件是通过将扩展(expansion)限制在一个或多个维度而以最小能量损失引导波(例如，如本发明中的电磁(光)波)的结构。
为了更好地理解本申请中的安全机制，首先描述应用了安全机制的光投射系统。光投射系统可以包括图2和图3示出的光投射装置，图2中示出的投影透镜结构，以及图3中示出了检测器。所述投光装置可以包括光源和波导，光源可以通过波导的一个表面将光束耦合到波导中，然后，该光束通过光栅在另一个表面上投射多个光束以形成锥形的输出光束。根据现有技术的需求，光源可以是单个激光器(例如，边缘发射激光器，垂直腔表面发射激光器(VCSEL))，发光二极管等。由于可以通过标准的光刻技术来制造波导，因此可以进一步降低制造成本。由于可用标准光刻技术制作波导器件，因此可进一步降低制造成本。另外，由于可将波导器件集成在衬底上，因此可减小光投射系统的整体尺寸。进一步地，本发明的波导器件受益于不存在零级衍射的干涉(zeroth order diffractioninterference)，因为全内反射约束使得零级透射不可能发生。
图2为本发明各实施例中示例性光投射系统102的侧视图。光投射系统102可以在各种系统或装置上实施，例如，手机、电脑、平板电脑、穿戴式设备，车辆等等。
如图2所示，示例性光投射系统102可包括光投射装置211和可选的投射透镜结构231(或称为投射透镜)。在一些实施例中，光投射装置211包括光源201和光投射结构202。所述光源201包括单个激光器(例如，边发射激光器、垂直腔面发射激光器(VCSEL))、带光准直的发光二极管(LED)或类似物。或者，所述光源201可包括多个激光器或二极管(例如，边发射激光器阵列、VCSEL阵列、LED阵列)。所述光投射结构202可包括下文将详述的波导器件。自光投射结构202耦合出的光可为表面法向，聚焦或散焦。
在一些实施例中，自光投射装置211射出的光束(耦合出的光束)可从光投射装置211的一个表面耦合出。这样，可让光束穿过投射透镜结构231投射向空间中。即，可将所述投射透镜结构231(例如，一个或多个透镜)设在波导器件的上方(例如，在后面所述波导器件的第一表面的上方)。投射透镜结构231可配置成接收耦合出的光束，并将所述耦合出的光束投射到环境中的远处物体上。或者，将光束从光投射装置211直接投射到空间中。所述投射透镜结构231可包括各种透镜或透镜组合(例如，一个到六个单独的透镜)，用于控制投射光束的方向。
在一些实施例中，所述投射透镜结构231可配置成能增大或减小投射光束阵列的视野。例如，所述投射透镜结构231可通过分散所述投射光束阵列增大视野，或通过会聚投射光束阵列减小视野。
在一些实施例中，所述投射透镜结构231可配置成准直各耦合出的光束。例如，按照不同应用的工作距离要求，经投射透镜结构231准直后的投射光束阵列的激光束腰从10mm至1m不等。这样，投射透镜结构231可准直输出光以在观测的距离处(例如，根据应用，在10cm至10m的范围内)形成清晰的图像(例如，点阵)。
图3为本发明各实施例中示例性光投射装置211的侧视。图3所示和下文所述的结构和操作为示例性的。
在一些实施例中，光源201发射光，以光学方式将光在一个表面的耦合入(将光耦合进入光投射结构202中)区域上耦合进光投射结构202。耦合入设置包括端面耦合、光栅耦合、棱镜耦合或类似方式。进入光投射结构202后，光在光投射结构202内的第一表面和第二表面之间进行全内反射。所述光投射结构202可由高折射率的材料(例如，树脂玻璃、石英玻璃、单晶硅和熔融石英)制成。在一个例子中，若使用折射率为1.45的石英玻璃，全内折射的临界角度为44°。当光以相对于第一表面或第二表面大于临界角的角度在光投射结构202中传播，照射在光投射结构202的第一或第二表面上时，保持了全内反射。在光投射结构202中传播的光可在各个耦合出区域(例如，在第一表面上)从光投射结构202耦合出来。例如，所述耦合出区域可为具有耦合出结构(例如，透射光栅、反射光栅、反射器)的区域。
在一些实施例中，所述光投射结构202包括第一表面和第二表面。所述第一表面或第二表面中至少一个表面包括第一光栅结构。在本发明中，第一光栅结构可指一个栅格(例如，光学栅格)，其是平行的、相同的长形元件匀称地间隔排布的组合。在本图中，例如，示出了脊形光栅(ridge grating)的轮廓，且各脊形光栅可包括多个相同的、平行的长形的脊(见图7A的光栅A)。所述光投射结构202引导耦合入的光束在第一表面和第二表面之间进行全内反射。各第一光栅结构干扰全内反射以使得至少部分耦合入光束从光投射结构202耦合出来，从光投射结构202耦合出的这部分耦合入光束为耦合出光束。这样，在波导器件内传播的一个耦合入光束可通过光栅从波导器件中耦合出来，以得到多个耦合出光束。下面详述各种耦合入和耦合出机构。
图4A-图4I为本发明各实施例中从光源耦合入到光投射结构202(例如，平面波导(planar waveguide))的侧视图。图4A-图4I所示和下文所述结构和操作为示例性的。假定图4A、图4F、图4G、图4H和图4I中的平面波导处于水平位置，光源201可基本上在水平面内发射光，而耦合出的光基本上在垂直平面内传播。在图4B,图4C，图4D，图4E中，光源201可基本上在垂直平面内发射光，而耦合出的光基本上在所述垂直平面内传播。所述水平平面和所述垂直平面是相对的，对环境并不构成限制。
在一些实施例中，如图4A所示，光源201发出的光可通过光投射结构202的一个表面利用“端面耦合”耦合进入光投射结构202中。耦合入光的环境折射率、光投射结构202的折射率、波长和耦合入光在光投射结构202的第三表面上的入射角满足本领域技术人员所理解的“端面耦合”条件。在光投射结构202内，光在所述光投射结构202的第一表面和第二表面之间进行全内反射，并从所述光投射结构202的第一表面耦合出来。或者，若光源201比第三表面大，可使用透镜通过“端面耦合”将来自光源201的光聚焦在光投射结构202中。
在一些实施例中，如图4B和图4C所示，光源201发出的光可通过耦合入光栅利用“光栅耦合”耦合进入光投射结构202中。即，所述光投射结构202进一步包括第二光栅结构，所述第二光栅结构设在第一表面或第二表面中的至少一个表面上。光源通过所述第二光栅结构将光耦合进入光投射结构202，形成耦合入的光束。如图4B所示，所述耦合入光栅可制作在所述光投射结构202的第一表面上。虽然图中显示所述耦合入光栅与第一表面齐平，但也可使其高于或低于第一表面，只要能保持随后的全内反射。耦合入光的环境折射率、光投射结构202的折射率、耦合入光栅的几何构造、波长和耦合入光在光投射结构202的第三表面上的入射角满足本领域技术人员所理解的“光栅耦合”条件。在光投射结构202内，光在所述光投射结构202的第一表面和第二表面之间进行全内反射，并从所述光投射结构202的第一表面耦合出来。图4C与图4B类似，除了所述耦合入光栅可制作在所述光投射结构202的第二表面上。
在一些实施例中，如图4D到4I所示，光源201发出的光可通过棱镜利用“棱镜耦合”耦合进入光投射结构202中。即，所述光投射结构202可进一步包括棱镜，所述棱镜设在第一表面、第二表面或第三表面中的至少一个表面上。光源通过棱镜将光耦合进入光投射结构202，形成耦合入的光束。在本发明中，“设在......(一个物体)上”还包含“靠近......(所述物体)设置”。棱镜和光投射结构202之间的任何间隙可用光学胶或另一种折射率的匹配材料填充。
如图4D所示，所述棱镜可设在所述光投射结构202的第三表面上。光源201可设在第二表面边上，将光发射到棱镜中。光在棱镜内发生一次反射，并在第三表面从棱镜耦合进入光投射结构202。棱镜的折射率、光投射结构202的折射率、棱镜的几何构造和来自光源201的光的入射角满足本领域技术人员所理解的“光栅耦合”条件。在光投射结构202内，光在所述光投射结构202的第一表面和第二表面之间进行全内反射，并从所述光投射结构202的第一表面耦合出来。图4E与图4D类似，除了可将棱镜倒过来以使光源201设在第一表面边上。
如图4F所示，所述棱镜可设在所述光投射结构202的第一表面上。光源201发出的光可进入棱镜。在棱镜和光投射结构202之间的第一表面处，光的凋落模(evanescentmode)可耦合进入光投射结构202中。棱镜的折射率、光投射结构202的折射率、棱镜的几何构造和来自光源201的光的入射角满足本领域技术人员所理解的“相位匹配(phasematching)”条件。在光投射结构202内，光在所述光投射结构202的第一表面和第二表面之间进行全内反射，并从所述光投射结构202的第一表面耦合出来。图4G与图4D类似，除了所述棱镜可设在所述光投射结构202的第二表面上。
在一些实施例中，图4H与图4D类似，除了棱镜设在第一表面上外，光在棱镜内的坡面上发生一次反射，然后耦合进入光投射结构202中。图4I与图4H类似，除了棱镜设在第二表面上。图4F和图4G中使用的棱镜可为规则棱镜，图4H和图4I中使用的棱镜可为楔形棱镜。
图5A-图5F为本发明各实施例中从光投射结构(例如，平面波导)耦合出的侧视图。图5A-图5F所示和下文所述结构和操作为示例性的。为了简明起见，图5A-图5F省略了耦合入和光在光投射结构202中的传播。
在一些实施例中，光投射结构202包括平面波导。第一表面和第二表面相互平行且为平面波导的最大表面。耦合出光束自第一表面从光投射结构202中耦合出来。所述第一表面或第二表面中包括第一光栅结构。当第二表面包括第一光栅结构时，所述光投射结构202可进一步包括设在第二表面上的金属层。或者，所述第一光栅结构包括设在第一表面和第二表面之间的体积测定光栅。即，耦合入光束在光投射结构202中进行全内反射。虽然其余部分继续进行全内反射，但有一部分光在照射到第一表面、第二表面上或波导器件内的耦合出结构上时可能会不发生全内反射，而是自其一个表面(例如，第一表面)从波导器件射出。下文描述各种耦合出结构(透射光栅、反射光栅、反射器等)。
在图5A-图5C中，所示波导器件结构包括光栅，可允许一个或多个衍射级从波导器件中耦合出来。在一些实施例中，如图5A所示，光栅可制作在光投射结构202第一表面上的各个耦合出区域。所述耦合出区域对应于各个全内反射区域，光在波导器件内传播时，有一部分光可自各耦合出区域从波导器件中耦合出来(例如，进入空气中)。
在一些实施例中，如图5B示出了光栅制作在第二表面上的构型1，衍射光栅可制作在光投射结构202第二表面上的各个耦合出区域。即，该波导器件包括：(1)底层，光栅制作在其上面，所述底层具有第一折射率；和(2)顶层，其形状与底层互补。所述耦合出区域可对应于各个全内反射区域，照射在各耦合出区域上的一部分光可转向第一表面，随后自第一表面从波导耦合出来。
类似地，图5B示出了光栅制作在第二表面上的构型2。所述光栅的折射率可与波导器件的折射率相同，也可不同。
在一些实施例中，如图5C所示，微透镜阵列可设置在与图5C中耦合出区域的位置对应地在第一表面上，使得能对耦合出光进行准直、使其平行或其它控制。
在一些实施例中，如图5D所示，折射光栅可制作在光投射结构202第一表面上的各个耦合出区域。例如，可从第一表面上蚀刻掉图中所示三角形轮廓的光栅。所述光栅对应于耦合出区域，一部分全内反射光可自所述光栅从波导器件中耦合出来。
在一些实施例中，如图5E所示，反射光栅可制作在光投射结构202的第二表面上的各个耦合出区域。例如，可从第二表面上蚀刻掉图中所示三角形轮廓的光栅。所述光栅对应于耦合出区域，一部分全内反射光可自所述光栅向第一表面反射，随后从波导器件中耦合出来。
在一些实施例中，如图5F所示，可在波导器件内制作体积测定光栅。例如，体积测定光栅的周期性是重复周期段(repeating periodic sections)之间的交替折射率(alternating refractive index)。所述折射率变化分界面对应于耦合出区域，一部分全内反射光可自所述分界面向第一表面反射，随后从波导器件中耦合出来。
第一光栅结构的各种构型可对耦合出的光束进行控制。如下文所述，耦合出效率可由光栅深度(也称“厚度”)和光栅占空比(图6A-图6C)决定，耦合出光束相对于表面法线的角度可由光栅周期(图8A-图8B)决定，耦合出光束的旋转角度可由光栅定向(gratingorientation)决定(图9-图10)。
在一些实施例中，所述光栅(第一光栅结构)干扰全内反射以使耦合出光束从第一表面投射出去，且所述耦合出光束设置为使得在耦合出光束投射的表面上形成点阵。例如，所述耦合出光束可在与第一表面平行的平面上形成点阵。在一个例子中，耦合出的光束垂直于第一表面传播，耦合出光束与第一表面平行的截面包括与耦合出光束对应的随机点阵。
在另一个例子中，耦合出光束从第一表面会聚形成直立光锥，然后发散以在直立光锥的上方形成倒立光锥；直立或倒立光锥与第一表面平行的截面包括与耦合出光束对应的点阵。如下文所述，光点图形不限于所示例子，可包括各种其它构型。下面参考图6A至图9B进行的描述可借用图10或图11中所示的坐标系。即，所述第一表面(或第二表面)在x轴方向与y轴方向相互垂直的x-y平面内，耦合入的光束基本上沿着x-y平面的x轴方向在光投射结构202内传播，耦合出的光束基本上沿着与x-y平面正交的z轴方向传播。所述第一光栅结构以相应的(x，y)位置可随机地分布在x-y平面内。在一些实施例中，光栅的尺寸约为2μm至30μm，波导器件上的光栅数量约为几百到一百万个，平均栅距(两个最接近光栅之间的间隔)约为5μm至100μm。
图6A为本发明各实施例中示例性用于投射光的光投射装置211的侧视图。图6A所示和下文所述结构和操作为示例性的。图6A可对应于上述图5A，下面对光栅耦合出机构进行描述。
在一些实施例中，耦合出光束的方向可遵循以下公式：
Figure SMS_1
其中，m为衍射级；λ为波长；Γ为光栅周期；n为波导器件的折射率；θm为耦合出光束与第一表面法线的夹角；及θi为在波导器件内进行全内反射的光束与第一表面法线的夹角。
在一些实施例中，+1衍射级(m＝1)的有效率折射率与波导支持模式的有效折射率匹配时，发生所述的耦合出(在波导器件内进行全内反射的光束自设有第一光栅结构的区域从波导器件中耦合出来)。因此，为得到与法线平行传播的耦合出光束，(即，θm＝0，可由下式得到光栅周期(图中用“周期”标示)：
Figure SMS_2
例如，当波导器件为石英玻璃(n＝1.45)时，λ＝940nm，且θi＝60°，可得到Γ为748nm。因此，光栅周期影响耦合出光束与法线的夹角。
将式(2)代入式(1)，可得到：
sinθm＝(m-1)×n×sinθi (3)
进一步地，根据临界角为θc的全内反射条件：
Figure SMS_3
可得到
Figure SMS_4
因此：
n×sinθi>1 (5)
为了同时满足(3)和(5)，其中m为整数且|sinθm|≤1，因此m只能为1。在无其它透射衍射级的光干扰时，所述耦合出(在波导器件内进行全内反射的光束自设有第一光栅结构的区域从波导器件中耦合出来)可以仅产生m＝+1级的耦合出光。这是现有光投射技术不具有的一种优点。
图6B为本发明各实施例中模拟耦合效率相对于光栅深度和占空比的示意图。
在一些实施例中，光栅具有能产生高耦合效率的几何构造，耦合效率为进行全内反射的光在光栅处从波导器件中耦合出来的百分比(部分)。因此，在上下文中，耦合效率可理解为耦合出效率。光栅周期固定时，耦合效率由光栅深度和占空比(各周期中脊形结构所占的百分比)决定。参考图6A和图9中的标示“脊宽”和“周期”，用脊宽除以周期得到占空比。占空比又称填充系数。对于图6B，当λ＝940nm且θi＝60°时，可得到Γ为748nm。
图6B显示了两种不同波导模式的模拟耦合效率(即，TE模式和TM模式光在波导器件中的传播)。x轴代表占空比，y轴代表光栅深度。较亮区域代表较高的耦合效率。对于TE模式，最高耦合效率为9.8％，在占空比为0.43、厚度为0.35μm时出现。对于TM模式，最高耦合效率为2.8％，在占空比为0.52、厚度为0.3μm时出现。因此，可通过设计光栅深度和占空比获得各种耦合效率。进一步地，通过调整光栅深度，可获得比所述9.8％效率更大的耦合效率。
在一个例子中，从图6B的TE模式图提取，当λ＝940nm，θi＝60°,Γ＝748nm且厚度＝0.35μm时，可得到相对于占空比的耦合效率，如图6C所示。在占空比为0.43、厚度为0.35μm时，具有相同的峰值耦合效率9.8％。
在一些实施例中，由于光在进行全内反射时有一部分在各光栅处从波导器件中耦合出来，每次耦合出后，波导器件中其余光的功率会减小。为确保点阵中耦合出光束具有大致相同或近似的功率，可将光栅设计成使耦合效率随着光栅距光源201的距离增大而增大。例如，再回到图6A，通过调整占空比和光栅深度，可使光栅Y的耦合效率大于光栅X的耦合效率，以确保自光栅Y和光栅X的耦合出光具有相同或近似的功率。
因此，在一些实施例中，各所述第一光栅结构与耦合出效率相关联。耦合出效率沿着x轴方向呈单调递增。耦合出效率取决于第一光栅结构的光栅深度和占空比。光栅周期的光栅深度或占空比中至少有一个在x轴方向上变化，使耦合出效率沿着x轴方向单调递增。在一个例子中，第一光栅结构的光栅深度在x轴方向上单调递增，使耦合出效率沿着x轴方向单调递增。在另一个例子中，第一光栅结构的占空比在x轴方向上单调递增，使耦合出效率沿着x轴方向单调递增。在另一个例子中，x-y平面包括与沿x轴方向的各个位置范围对应的多个区域，所述区域包括第一区域和第二区域。第一区域最靠近耦合入光束耦合入光投射结构202的区域。第二区域距离耦合入光束耦合入光投射结构202的区域最远。相同区域中的第一光栅结构具有相同或近似的耦合出效率。耦合出效率沿着x轴方向单调递增使得第一区域内自各第一光栅结构的耦合出光束的功率与第二区域内自各第一光栅结构的耦合出光束的功率相同或近似。
图7A为本发明各实施例中用于投射光的光投射装置211的立体图。图7A所示和下文所述结构和操作为示例性的。
如图7A所示，在一些实施例中，光投射结构202包括平面波导，该平面波导具有制作在第一表面上的光栅。图7A所示光投射结构202类似于图6A所示的光投射结构202，除了图7A中的耦合出光束垂直于第一表面。光源201包括带光准直的一个或多个激光器或LED。所述激光器或LED可成排地设在平面波导的侧表面中。
在一些实施例中，光栅(例如，光栅A、光栅B、光栅C、光栅D等)可制作在第一表面上的随机位置。所述光栅可具有相同的光栅周期。各耦合出光束自各个光栅从波导器件中耦合出来，并垂直于第一表面传播。因此，从顶部观察时，耦合出光束可形成随机点阵，如图7B所示。所示点阵图形仅为示例性的。基于对第一光栅结构的构型(例如，通过调整周期、定向、深度、占空比、波导器件上的(x，y，z)位置、数量等)，可获得任何点阵图形以满足应用需求。
图8A为本发明各实施例中用于投射光的光投射装置211的立体图。图8A所示和下文所述结构和操作为示例性的。
光投射装置211类似于图7A与图8A，还提供随机点阵，除了图8A中的光栅可具有不同的光栅周期。如图8A所示，在一些实施例中，光栅(例如，光栅E、光栅F、光栅G、光栅H等)可具有不同的光栅周期Γ。根据上述式(1)，θ_m随光栅周期而变化Γ。即，耦合出光束可以与正交方向不同夹角传播。因此，θ_m的变化也会增大点阵的随机性。图8B显示了耦合出光束角度(在相对于z轴方向的x-z平面内)对光栅周期的图线。如图所示，在垂直于第一表面且沿着光在波导器件内传播的方向(x轴方向)的同一垂直平面内，通过改变光栅周期可将耦合出光束与正交方向的夹角控制在-5°至15°之间。虽然耦合出光束还可具有y轴方向的分量，但图8A与图8B关注x轴方向上的分量。
因此，在一些实施例中，各第一光栅结构与周期相关联。对于沿着x轴方向的第一光栅结构，周期会有所变化。周期的变化导致耦合出光束以一在x轴方向上的角度偏差范围从波导器件中耦合出来。在一个例子中，周期沿着x轴方向单调递增。周期沿着x轴方向的单调变化导致耦合出光束以一在x轴方向上的角度偏差范围从光投射结构202中耦合出来。
图9A为本发明各实施例中第一表面上第一种示例性光栅的俯视图。如图9A所示，在一些实施例中，光栅在x-y平面内可具有各种定向。可参考光栅凸脊的定向来体现光栅的定向。例如，光栅M可定向成使其凸脊垂直于x轴方向，光栅N可定向成使其凸脊与x轴方向成正旋转角度，且光栅K可定向成使其凸脊与x轴方向成负旋转角度。
在一些实施例中，耦合入光在x轴方向上在波导器件内从左向右传播。自光栅M耦合出的光在y轴方向上的分量为0。即，忽略x轴方向上的分量，自光栅M耦合出的光在z轴方向上传播。自正旋转角度的光栅N耦合出的光具有y轴负方向分量。即，忽略x轴方向上的分量，自光栅N耦合出的光在z轴方向-y轴负方向上传播。自负旋转角度的光栅K耦合出的光具有y轴正方向分量。即，忽略x轴方向上的分量，自光栅K耦合出的光在z轴方向-y轴正方向上传播。因此，综合考虑自光栅M、N和K耦合出的光束，耦合出光束在y-z平面内会聚。图9A为对下面图10中所述的光栅定向控制以得到会聚的耦合出光束的简化示意图。下图11显示了图9B的反向以得到发散的耦合出光束。
图9B显示了耦合出光束角度(在相对于z轴方向的y-z平面内)相对于光栅旋转角度(相对于x轴方向)的曲线图。在此曲线图中，通过使光栅相对于x轴方向的定向在45°和-45°之间变化，可将耦合出光束角度相对于参考方向控制在约-70°和70°之间。图9B仅为示例性的，可使用替代方向参考系。虽然耦合出光束还可具有x轴方向的分量，但图9A与图9B关注y轴方向上的分量。
因此，在一些实施例中，各第一光栅结构与相对于z轴方向的旋转角度相关联，且对于沿y轴方向的第一光栅结构，旋转角度会有所变化。旋转角度的变化导致耦合出光束以在一y轴方向上的角度偏差范围从波导器件中耦合出来。在一个例子中，旋转角度顺时针或逆时针单调变化。旋转角度的单调变化使耦合出光束以不同的y轴方向分量传播。
图10和图11都是本发明各实施例中第一表面上两种示例性光栅(第一光栅结构)的俯视图。或者，光栅可制作在第二表面上或按图5A-图5F中所示的另一构型进行制作。图10和图11所示和下文所述结构和操作为示例性的。图10和图11中的光栅可结合图6A-图9B所述的以下几种情况：通过光栅深度和占空比控制耦合出效率，通过光栅周期控制耦合出光束相对于法线的角度和通过光栅定向控制耦合出光束的旋转角度。如图10和图11所示，平面波导在x-y平面内，且z轴方向为表面正交方向(与x-y平面垂直)。在本发明中，x轴方向和y轴方向的定义如本图中所示。z轴方向垂直于x-y平面，并指向纸张平面的外面。x轴、y轴和z轴方向又称x轴、y轴和z轴正方向，其相对方向称为x轴、y轴和z轴负方向。耦合入光可从左侧进入波导器件，其中部分光通过光栅从波导器件耦合出来，一些残余光(又称其余光)留下并在x轴方向上继续传播。耦合入光可产生自一个或多个激光器。第一光栅结构与光栅深度、占空比、周期和在x-y平面内相对于z轴方向的定向都相关联。在x轴方向上不同位置处的第一光栅结构具有至少一种不同的光栅深度或不同的光栅占空比。x轴方向上不同位置处的第一光栅结构具有不同的周期。y轴方向上不同位置处的第一光栅结构具有不同的定向。
在一些实施例中，所述波导器件进一步包括与第四表面相对的长形第三表面。第三表面相对于第一和第二表面的位置如上所述。光源201通过第三表面将光耦合进入波导器件中(在图10和图11所述的光入射方向上)，以形成耦合入光束。来自光源201的光准直成与所述长形第三表面对应的线形。在使用单个激光器的一个例子中，激光器输出光束可通过准直透镜或准直透镜阵列准直成线形，所述线形光在平面波导的第三表面上，随后可通过第三表面耦合进入平面波导内。
在一些实施例中，可通过光栅定向和光栅周期控制耦合出光束的发散。例如，可通过光栅定向控制耦合出光束在y轴方向上的发散，还可通过光栅周期控制耦合出光束在x轴方向上的发散。在图10和图11的y轴方向上，y-z平面(包含y轴和z轴的平面)内的耦合出光束相对于z轴方向的角度随光栅的旋转定向而变化。详细解释参考上面结合图9A和图9B的论述。在图10和图11的x轴方向上，x-z平面(包含x轴和z轴的平面)内的耦合出光束相对于z轴方向的角度随光栅周期而变化。耦合出光束的输出角度随着光栅周期而增大。详细解释参考上面结合图8A和图8B的论述。因此，可通过控制光栅定向和光栅周期来得到会聚的耦合出光束(例如，成锥形，从第一表面会聚而成)或发散的耦合出光束(例如，成倒锥形，从第一表面发散而成)。
图10显示了为得到会聚的耦合出光束而进行的示例性光栅定向和周期控制，图11显示了为得到发散的耦合出光束而进行的示例性光栅定向和周期控制。
在一些实施例中，图10和图11示出了带光栅定向控制的示例性光栅结构。在图10中，光栅定向可在y轴方向上由下向上变化，以使光栅相对于第一表面的法线顺时针旋转。即，在图10中，假定y轴方向为参考方向，第一表面中间水平段的光栅无旋转，第一表面底部水平段的光栅负向旋转(向左倾斜)，且第一表面顶部水平段的光栅正向旋转(向右倾斜)，使得最上面光栅的耦合出光束具有最大y轴负方向分量，最下面光栅的耦合出光束具有最大y轴正方向分量，与图9B及其描述一致。即，沿y轴方向的第一光栅结构的定向可顺时针旋转，以使耦合出光束从第一表面会聚在y-z平面内。在图11中，光栅定向可在y轴方向上由下向上变化，以使光栅相对于第一表面的法线逆时针旋转。即，在图11中，假定y轴方向为参考方向，第一表面中间水平段的光栅无旋转，第一表面底部水平段的光栅正向旋转(向右倾斜)，且第一表面顶部水平段的光栅负向旋转(向左倾斜)，使得最上面光栅的耦合出光束具有最大y轴正方向分量，最下面光栅的耦合出光束具有最大y轴负方向分量，与图9B及其描述一致。即，沿y轴方向的第一光栅结构的定向逆时针旋转，以使耦合出光束从第一表面发散在y-z平面内。这样，改变光栅定向(例如，在y轴方向上单调地顺时针或逆时针)将耦合出光从仅在表面法线方向(垂直于第一表面)上扩展到在y轴方向上具有一定的视野(field-of-view)。y轴方向上的视野在图10中会聚，而在图11中发散，分别使耦合出光束发生会聚和发散。
在一些实施例中，图10和图11还示出了带光栅周期控制的示例性光栅结构。在图10中，光栅周期在x轴方向上减小，使得x轴方向上的第一个耦合出光束具有最大x轴正方向分量，x轴方向上的最后一个耦合出光束具有最大x轴负方向分量，与图8B及其描述一致。这样，耦合出光束在x轴方向上会聚。在图11中，光栅周期在x轴方向上增大，使得x轴方向上的第一个耦合出光束(从第一个光栅耦合出)具有最大x轴负方向分量，x轴方向上的最后一个耦合出光束(从最后一个光栅耦合出)具有最大x轴正方向分量，与图8B及其描述一致。这样，改变光栅周期(例如，在x轴方向上单调递增或递减)将耦合出光从仅在表面法线方向(垂直于第一表面)上扩展到在x轴方向上具有一定的视野。周期可在x轴方向上单调递减，以使耦合出光束从第一表面会聚在x-z平面内。周期可在x轴方向上单调递增，以使耦合出光束从第一表面发射在x-z平面内。在图10中，x轴方向上的视野会聚，而在图11中发散，分别使耦合出光束发生会聚和发散。
参考图10，光栅周期在x轴方向上减小(例如，单调递减)结合光栅定向在y轴方向上顺时针旋转(例如，y轴方向上的光栅，相对于z轴方向单调地顺时针旋转)可使耦合出光束从第一表面会聚。即，周期在x轴方向上单调递减，同时沿y轴方向的第一光栅结构的定向顺时针旋转，可使耦合出光束从第一表面会聚。在一个例子中，会聚的光束可形成直立光锥，所述光锥从第一表面投射出去并朝第一表面上方的一个点会聚，但是一旦穿过会聚点，光束发散并在直立光锥的顶部形成倒立光锥。
参考图11，光栅周期在x轴方向上增加(例如，单调递增)结合光栅定向在y轴方向上逆时针旋转(例如，y轴方向上的光栅，相对于z轴方向单调地逆时针旋转)可使耦合出光束从第一表面发散。即，周期在x轴方向上单调递增，同时沿y轴方向的第一光栅结构的定向逆时针旋转，可使耦合出光束从第一表面发散。在一个例子中，发散光束可形成倒立光锥，所述倒立光锥从第一表面投射出去并从第一表面发散。
在一些实施例中，波导器件中的光功率沿着传播方向(图10和图11中的x轴方向)减小，因此射在光栅上供耦合出的全内反射光束的功率沿着传播方向减小。为了获得统一的耦合出光束的输出功率，耦合出效率可沿着传播方向增大以补偿功率的损失。耦合出效率可在传播方向上单调递增。可通过改变光栅深度和/或光栅占空比来改变耦合出效率(见如上面图6B和图6C的论述)。用光栅深度和光栅占空比的适当组合可获得任意耦合出效率。光栅厚度沿着传播方向可单调递增或不单调递增。光栅占空比沿着传播方向可单调递增或不单调递增。各光栅厚度和光栅占空比在传播方向上不必遵循任何单调趋势，只要光栅厚度和光栅占空比的组合能为耦合出光束沿着传播方向增大耦合出效率。
参考图10和图11，在一些实施例中，可将第一表面设计成条状全内反射区(全内反射TIR 1区、TIR 2区等)，这些条状全内反射区具有对应的耦合出效率η1,η2,…,ηn，从η1到ηn逐渐增加以使输出功率保持恒定。在一个例子中，这种关系可为Pn-1×ηn-1＝Pn×ηn，其中Pn＝Pn-1×(1-ηn-1。若要改变耦合效率，可改变占空比和/或光栅深度。
图中第一表面上光栅位置的分布图10和图11可以是随机的。即，尽管遵从所述的光栅周期、光栅深度、光栅占空比和光栅定向趋势，但若第一表面(或第二表面)在x-y平面内，光栅可相对于对应的(x，y)位置随机分布在x-y平面内。这里，随机分布指可不将光栅固定在第一表面或第二表面上的周期性位置(例如，二维格子位置、等间距的位置等)处。本文所述随机点阵对应于光栅位置的这种随机分布。光栅位置的随机分布可使算法误差最小化。算法误差对基于耦合出光束的检测不利。算法误差通常由周期性或其它非随机图形趋势引起，因为检测器103为检测不同结构光束的反射之间的差异所运行的算法有时由于看起来相同，很难将图形的一部分与另一部分区分开来。
虽然图10和图11中光栅显示为三个凸脊，但各光栅可包括任一数量的凸脊或另一种替代第一光栅结构(例如，肋(rib)、埋藏脊(buried ridge)和扩散脊(diffusedridge))。凸脊轮廓可为方形、圆形、三角形等。虽然图10和图11所示为方形，但各光栅的外形可为圆形、椭圆形、矩形等。光栅的尺寸可为1个周期(约1μm)到整像素尺寸(约30μm)。在一些实施例中，若光栅足够大以致可忽略衍射极限，光点大小将随着光栅尺寸而增大，可通过控制光栅的尺寸得到理想的光点尺寸(投射光束的光束尺寸)。例如，若某一应用需要更多光点，则可将光栅的尺寸减少以将更多光点聚集在固定区域(例如，第一表面)。若某一应用需要更明亮的光点(更高的信噪比)，可增大光栅的尺寸，因为较大的光点具有更大的功率，因此更明亮。
图12为本发明各实施例中示例性用于投射光的第一种光投射系统102的示意图。所述光投射系统102可实施上面参考图4H描述的耦合入机构和上面参考图5B(构型2)描述的耦合出机构。
在一些实施例中，所述波导器件进一步包括反射层，所述反射层设在第二表面上且覆盖第一光栅结构。反射层包括一个或多个金属(合金)和/或非金属(例如，绝缘层(dielectric))子层。在一个例子中，反射层包括一个或多个子层，各个子层包括下列至少一种：铝、银、金、铜、钛、铬、镍、锗、铟、锡、铂、钯、锌、氧化铝、氧化银、氧化金、氧化铜、氧化钛、氧化铬、氧化镍、氧化锗、氧化铟、氧化锡、氧化铂、氧化钯、氧化锌、氮化铝、氮化银、氮化金、氮化铜、氮化钛、氮化铬、氮化镍、氮化锗、氮化铟、氮化锡、氮化铂、氮化钯、氮化锌、氟化铝、氟化银、氟化金、氟化铜、氟化钛、氟化铬、氟化镍、氟化锗、氟化铟、氟化锡、氟化铂、氟化钯或氟化锌。
图13为本发明各实施例中示例性用于投射光的第二种光投射系统的示意图。所述光投射系统102可实施上面参考图4H描述的耦合入机构和上面参考图3描述的耦合出机构。
在一些实施例中，可使用所示光吸收材料层将较高光栅模式的泄露光或不完全耦合的残余光产生的背景噪音减至最小。要将波导器件射出的残余光减至最少，可直接在波导器件的侧壁上设置光吸收材料层(在波导器件中光传播的末端处)。要减少其它光栅模式的泄露光，光吸收材料层可设为与第二表面具有间隙，以防止破坏全内反射条件。光吸收材料层可为(着色)阳极氧化铝层、粗糙表面、炭黑涂层或另一种光吸收材料层。
即，光投射结构进一步包括第四表面、第一光吸收材料层和第二光吸收材料层。耦合入光束经全内反射后的其余部分在各光栅结构耦合出后到达第四表面。所述第四表面包括光吸收材料层，用于吸收耦合入光束的其余部分。所述第二光吸收材料层与第二表面平行且与第二表面有间隔。
图14为本发明各实施例中示例性用于投射光的第三种光投射系统的示意图。所述光投射系统102可实施上面参考图4H描述的耦合入机构和上面参考图3描述的耦合出机构。本发明中各种波导结构，耦合入机构和耦合出机构均可以应用在图14中的光投射系统中。
图14示出了本发明实施例中光投射系统(例如，用于眼睛保护)。如图所示，示例性光投射系统包括波导器件，包括第一表面，第二表面和第四表面，第一表面或第二表面中包括多个第一光栅结构；光源，用于将光耦合到波导器件中以形成入耦合光束，其中：所述波导器件被配置为引导入耦合光束在第一表面和第二表面之间进行全内反射，并且，每个第一光栅结构被配置为破坏所述全内反射，以使至少一部分入耦合光束耦合出所述波导器件，从所述波导器件中耦合出来的入射光束形成出耦合光束，所述入耦合光束在全内反射后且在每个第一光栅结构的耦合出之后形成剩余光束；检测器，例如，监视光电二极管，被配置为接收和测量剩余光束并响应于剩余光束超过阈值而至少使入耦合光束降低强度。
在一些实施例中，光投射系统包括处理器，其耦合到检测器并被配置为基于所测量的剩余光束来确定是否发生了危险状况(如下所述)。处理器也可以耦合到下面描述的光源和/或遮光器。处理器还可耦合到存储指令的可选存储器(例如，非暂时性计算机可读存储介质)，所述指令在由处理器执行时使处理器执行本文所述的各种步骤。在一个示例中，处理器包括承载光投射系统的设备中的处理器(例如，图1的设备101中的手机处理器)。处理器可以监视自检测器测得的剩余光束信号，并且如果测得的剩余光束信号满足危险条件，则将停止信号发送到光源以停止发光。处理器可以直接确定是否满足危险条件，或者可以从检测器接收表明满足危险条件的信号以触发停止信号。
在一些实施例中，检测器还被配置为基于所测量的剩余光束来确定是否发生了危险状况，并且响应于检测到该危险状况，将信号传输至光源以使耦合入光束的强度下降。例如，处理器和存储器可被完全移除，并且检测器直接耦合至光源。检测器可向光源的驱动器发送指示满足危险条件的信号以触发光源。光源以部分或全部关闭电源此方法可能具有较低的延迟。可替代地，处理器可以由控制器直接控制连接，开关或任何其他机制来代替，控制器基于测量的剩余光束来引起光源的关断或调光或以其他方式减轻危险状况。
在一些实施例中，如图14所示，可以增加剩余光束外耦合设置，以将剩余光束耦合出波导器件(如光在波导器件中传播的末端)，例如，通过上述的末端耦合、光栅耦合或棱镜耦合。在如图所示的一个例子中，光投射系统还包括位于第四表面上的棱镜，至少部分内耦合光束通过第一表面耦合出波导器件，剩余光束通过棱镜耦合出波导器件以远离第一表面。
在一些实施例中，可使用诸如监控光电二极管(例如，硅、锗或其他二极管)的检测器来检测出耦合的剩余光束。在一些实施例中，测量出耦合的剩余光束包括与剩余光束的强度相关联的信号(例如，功率、强度等)。响应于检测到危险条件，处理器被配置为使耦合入光束至少降低强度。在如图所示的一个例子中，处理器被耦合到光源，并且为了使耦合入光束至少降低强度，处理器被配置为使光源停止光发射。在另一个例子中，处理器与位于激光器的光发射孔处的遮光器耦合，并且为了使耦合入光束至少降低强度，处理器被配置为使遮光器阻挡光源和波导器件之间的光。
在一些实施例中，所述危险状况至少与以下任一信号相对应：信号的变化量或信号的变化率超过最大阈值，信号的变化量或信号的变化率超过最小阈值。因此，若发生任何事故(例如，芯片开裂、水进入(water damage)、蒸气进入(vapor damage)、激光器错位(laser dislocation)、耦合入棱镜错位或另一种失效事件)，失效点的全内反射条件将会破坏。利用阈值算法，通过检测光电二极管可及时检测到剩余光束的变化，并相应地关闭输入激光器，以确保眼睛安全。若不关闭输入激光器，一些激光光束会从光投射系统漏出。由于这些光束的功率未受到控制，因此会造成眼睛损伤。
图15是本申请中各种实施例的示例性光投射方法1500(例如，用于护眼)的流程图。可以通过上述图1中描述的光投射系统来实现该投光方法。参照图14，光投射系统包括光源，波导器件，检测器和耦合到检测器的处理器。
如图15所示，本发明提供的光投射方法，包括：
将来自光源的光耦合到波导器件中以形成入耦合光束，其中波导器件包括第一表面，第二表面和第四表面，其中第一表面或第二表面中包括多个第一光栅结构；
通过波导器件引导入耦合光束在第一表面和第二表面之间进行全内反射，其中每个第一光栅结构破坏全内反射，以引起入耦合光束的至少一部分光束耦合出波导，耦合出的光束从波导耦合出的部分形成出耦合光束；
由检测器接收并测量剩余光束，并且响应于剩余光束超过阈值，至少使耦合入光束的强度降低，其中，所述剩余光束为所述入耦合光束在全内反射后且在每个第一光栅结构的耦合出之后剩余的。
在一些实施例中，光投射方法进一步包括，由处理器通过测量剩余光束来确定是否发生危险状况，处理器被配置为至少使得入耦合光束的强度降低，测得的剩余光束包括与剩余光束的强度相关的信号，以响应于检测到所述危险状况；所述危险状况至少与以下任一信号相对应：信号的变化量或信号的变化率超过最大阈值，信号的变化量或信号的变化率超过最小阈值。
在一些实施例中，光投射方法进一步包括，由检测器通过测量剩余光束来确定是否发生危险状况，传输控制信号至光源以降低所述入耦合光束的强度；所述危险状况至少与以下任一信号相对应：信号的变化量或信号的变化率超过最大阈值，信号的变化量或信号的变化率超过最小阈值。
在一些实施例中，处理器耦合到光源，使光源停止发光以至少使耦合入光束降低强度包括使。在一些实施例中，处理器耦合到遮光器，使遮光器阻挡光源和波导之间的光，以至少使耦合入光束降低强度。
上文所述的各种特征和过程可相互独立地使用，或以各种方式组合。所有可能的组合和子组合均在本发明的范围内。此外，在一些实施应用中可省略某些方法或过程块。此处描述的方法和过程不限于任何特定顺序，与之相关的块或状态可采用其他合适的顺序进行实施。例如，所述块或状态可采用不同于特定公开的顺序进行实施，或多个块或状态可组合到单个块或状态内。示例块或状态可采用串行、并行或其他一些方式进行实施。块或状态可添加至公开的示例性实施例，或从其中移除。在此描述的示例性系统和组件可采用不同于所描述的方式进行配置。例如，元件可添加至公开的示例性实施例，从其中移除，或相较于公开的示例性实施例进行重新布局。
在本说明书的通篇中，多个例子可作为单个例子进行所描述的组件、操作或结构的实施应用。虽然一个或多个方法的单个操作是作为独立的操作进行阐述和描述的，但是一个或多个单个操作可同时实施，且不是必须采用显示的顺序进行操作。在示例性配置中显示为独立组件的结构和功能可以作为组合结构或组件来实施应用。类似地，显示为单个组件的结构和功能可以作为单独组件来实施应用。这些和其他变型、修改、增加和改善均落入到本技术方案的范围内。
虽然本技术方案已经参照具体实施例进行了综述，但可以在不偏离本技术方案实施例广义范围的情况下，对这些实施例进行各种修改和变更。本技术方案的这些实施例可以单独地或共同地通过术语“发明”来表示，这仅仅是为了方便。而并不是意味着，在实际公开了多个方案的情况下，将本申请的范围主动地限制于任何单个公开方案或概念。
本文对实施例进行了足够详细的描述说明，以使本领域内技术人员可以实施这些公开的方案。可以使用其他实施例并从中导出其他实施例，使得可以在不脱离本发明范围的情况下进行结构的和逻辑的替换和更改。因此，详细的描述并不应被视为具有限制意义，且各实施例中范围仅通过附属权利要求以及这些权利要求所赋予的等同概念的全部范围来进行限定。
如本文所采用的，词语“或”、“或者”可以以包含性或排他性的含义来解释。此外，多个例子还可作为单个例子用于其中描述的资源、操作或结构。此外，不同资源、操作、引擎和数据保存之间的边界是任意的，且特定操作在特定说明性配置的环境下被阐述。功能的其他配置也是可以预期的，并且其落入本发明的各个实施例的范围内。通常，在示例性配置中作为独立资源呈现的结构和功能可作为组合的结构或资源以实施应用。类似地，作为单个资源呈现的结构和功能可作为单独资源以实施应用。如附属权利要求所述的这些及其他变型、修改、添加和改善均属于本发明实施例的范围内。相应地，说明书和附图均是用于解释说明，而不具有限制意义。
除非另有说明，条件性语词，例如尤其是“可以”、“可能”、“可能会”或“可”或本文中采用的其他作此理解的词语，通常旨在表达某些实施例包括某些特征、元件和/或步骤，而其他实施例不包括。因此，此类条件性语词通常并不表示特征、元件和/或步骤必须要以任何方式用于一个或多个实施例，或一个或多个实施例必须要包括决定这些特征、元件和/或步骤是否要被纳入或者是否在任何特定的实施例中实施的逻辑，而不论具有或不具有用户输入或提示。

Claims (20)

1.一种光投射系统，其特征在于，包括：
波导器件，包括第一表面，第二表面和第四表面，第一表面或第二表面中包括多个第一光栅结构；
光源，用于将光耦合到波导器件中以形成入耦合光束，其中：
所述波导器件被配置为引导入耦合光束在第一表面和第二表面之间进行全内反射，并且，每个第一光栅结构被配置为破坏所述全内反射，以使至少一部分入耦合光束耦合出所述波导器件，从所述波导器件中耦合出来的入射光束形成出耦合光束，所述入耦合光束在全内反射后且在每个第一光栅结构的耦合出之后形成剩余光束；其中，所述剩余光束是最终从所述第四表面出射的光；
检测器，被配置为接收和测量剩余光束并响应于剩余光束超过阈值而至少使入耦合光束降低强度。
2.根据权利要求1所述的光投射系统，其特征在于，所述剩余光束通过耦合机制从波导耦合出来，所述耦合机制为：端耦合、光栅耦合和棱镜耦合。
3.根据权利要求1所述的光投射系统，其特征在于，还包括设置在所述第四表面上的第一棱镜，其中：
至少一部分入耦合光束通过第四表面耦合出所述波导器件；
所述剩余光束通过第四表面出射，进而通过所述第一棱镜从波导器件中耦合出。
4.根据权利要求1所述的光投射系统，其特征在于，所述检测器包括监控光电二极管。
5.根据权利要求1所述的光投射系统，其特征在于，还包括处理器，所述处理器电连接所述检测器，被配置为通过测量剩余光束来确定是否发生危险状况，其中：
所述测量剩余光束包括测量与剩余光束的强度相关的信号；
处理器被配置为至少使得入耦合光束的强度降低，以响应于检测到所述危险状况；和
所述危险状况至少与以下任一信号相对应：信号的变化量或信号的变化率超过最大阈值，信号的变化量或信号的变化率超过最小阈值。
6.根据权利要求5所述的光投射系统，其特征在于，所述处理器电连接所述光源，用于至少控制所述光源停止发光，以使入耦合光束的强度降低。
7.根据权利要求5所述的光投射系统，其特征在于，所述处理器电连接一遮光器，
被配置为至少使遮光器阻挡光源和波导器件之间的光，以使入耦合光束的强度降低。
8.根据权利要求1所述的光投射系统，其特征在于，所述检测器，被配置为通过测量剩余光束来确定是否发生危险状况，传输控制信号至光源以降低所述入耦合光束的强度；
所述危险状况至少与以下任一信号相对应：信号的变化量或信号的变化率超过最大阈值，信号的变化量或信号的变化率超过最小阈值。
9.根据权利要求1所述的光投射系统，其特征在于，还包括位于第一表面或第二表面中的至少一个上的第二棱镜，其中：
所述光源，被配置为通过第二棱镜将光耦合到波导器件中以形成入耦合光束。
10.根据权利要求1所述的光投射系统，其特征在于，还包括在第一表面或第二表面上设置的多个第二光栅结构，其中：
所述光源，被配置为经由多个所述第二光栅结构将光耦合到波导器件中以形成入耦合光束。
11.一种权利要求1至10任一项所述的光投射系统的光投射方法，其特征在于，包括：
将来自光源的光耦合到波导器件中以形成入耦合光束，其中波导器件包括第一表面，第二表面和第四表面，其中第一表面或第二表面中包括多个第一光栅结构；
通过波导器件引导入耦合光束在第一表面和第二表面之间进行全内反射，其中每个第一光栅结构破坏全内反射，以引起入耦合光束的至少一部分光束耦合出波导器件，耦合出的光束从波导器件耦合出的部分形成出耦合光束；
由检测器接收并测量剩余光束，并且响应于剩余光束超过阈值，至少使耦合入光束的强度降低，其中，所述剩余光束为所述入耦合光束在全内反射后且在每个第一光栅结构的耦合出之后剩余的。
12.根据权利要求11所述的光投射方法，其特征在于，所述剩余光束通过耦合机制从波导器件耦合出来，所述耦合机制为：端耦合、光栅耦合和棱镜耦合。
13.根据权利要求11所述的光投射方法，其特征在于，所述光投射系统还包括设置在所述第四表面上的第一棱镜，其中：
至少一部分入耦合光束通过第四表面耦合出所述波导器件；
所述剩余光束通过第四表面出射，进而通过所述第一棱镜从波导器件中耦合出。
14.根据权利要求11所述的光投射方法，其特征在于，所述检测器包括监控光电二极管。
15.根据权利要求11所述的光投射方法，其特征在于，所述光投射系统还包括处理器，所述处理器电连接所述检测器，所述方法还包括：
所述处理器通过测量剩余光束来确定是否发生危险状况；使得入耦合光束的强度降低，以响应于检测到所述危险状况，其中：
所述测量剩余光束包括测量与剩余光束的强度相关的信号；和
所述危险状况至少与以下任一信号相对应：信号的变化量或信号的变化率超过最大阈值，信号的变化量或信号的变化率超过最小阈值。
16.根据权利要求15所述的光投射方法，其特征在于，所述处理器电连接所述光源，用于至少控制所述光源停止发光，以使入耦合光束的强度降低。
17.根据权利要求15所述的光投射方法，其特征在于，所述处理器电连接一遮光器，
被配置为使遮光器阻挡光源和波导器件之间的光，以使入耦合光束的强度降低。
18.根据权利要求11所述的光投射方法，其特征在于，所述检测器通过测量剩余光束来确定是否发生危险状况，传输控制信号至光源以降低所述入耦合光束的强度；
所述危险状况至少与以下任一信号相对应：信号的变化量或信号的变化率超过最大阈值，信号的变化量或信号的变化率超过最小阈值。
19.根据权利要求11所述的光投射方法，其特征在于，所述光投射系统还包括位于第一表面或第二表面中的至少一个上的第二棱镜，其中：
所述光源通过棱镜将光耦合到波导器件中以形成入耦合光束。
20.根据权利要求11所述的光投射方法，其特征在于，所述光投射系统还包括在第一表面或第二表面上设置的多个第二光栅结构，其中：
所述光源经由多个所述第二光栅结构将光耦合到波导器件中以形成入耦合光束。
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