CN114008499A

CN114008499A - 安装式中空芯部光纤布置

Info

Publication number: CN114008499A
Application number: CN202080044895.2A
Authority: CN
Inventors: 塞巴斯蒂安·托马斯·鲍尔思科米特; 帕特里克·塞巴斯蒂安·于贝尔; 彼得·马克西米兰·戈茨
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2019-06-21
Filing date: 2020-06-09
Publication date: 2022-02-01
Also published as: US11385402B2; TWI734534B; KR20220008912A; IL288580A; EP3754389A1; TW202113492A; US11703634B2; WO2020254138A1; US20220317368A1; US20200400880A1

Abstract

一种安装式中空芯部光纤布置包括：中空芯部光纤，具有微结构；以及包括多个安装触点的安装布置，安装触点被配置为向中空芯部光纤的外层施加力。中空芯部光纤的一部分位于安装布置的容置区域中。多个安装触点被定位在容置区域周围。安装触点被分布在容置区域周围，安装触点的分布对应于中空芯部光纤的微结构的特征的分布。安装式中空芯部光纤能够被用于辐射源设备，以提供宽带辐射。

Description

安装式中空芯部光纤布置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年6月21日提交的EP申请19181578.6和于2019年7月17日提交的EP申请19186702.7的优先权，其通过引用全部并入本文。

技术领域

本发明涉及用于中空芯部光纤的安装式光纤布置。具体地，它涉及通过安装到包括内部微结构的中空芯部光纤施加的力的分布。

背景技术

光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够被用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)处的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了能够被形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以被用于在衬底上形成更小的特征。

低k1光刻可以被用于处理尺寸小于光刻设备的典型分辨率极限的特征。在这种过程中，分辨率公式可以被表达为CD＝k1×λ/NA，其中λ是所采用的辐射波长，NA是光刻设备中的投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常打印的最小特征尺寸，但在这种情况下是半节距)，并且k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，就越难在衬底上再现与电路设计者计划的形状和尺寸类似的图案，以实现特定电气功能性和性能。为了克服这些困难，复杂的微调步骤可以被应用于光刻投影设备和/或设计布局。例如，这些包括但不限于NA的优化、定制照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局中的诸如光学邻近效应校正(OPC，有时也称为“光学和过程校正”)等设计布局的各种优化或者通常定义为“分辨率增强技术”(RET)的其他方法。备选地，用于控制光刻设备的稳定性的紧密控制环可以被用于改进低k1下的图案的再现。

与光刻应用有关，许多不同类型的测量可以在光刻设备内和光刻设备外部执行。通常，这种测量可以由设备使用用于照射测量目标的辐射源和检测系统执行，该检测系统可操作以测量从目标散射的入射辐射的一部分的至少一个性质。光刻设备外部的测量设备的示例包括量测设备和检查设备。量测设备可以返回与衬底的一个或多个性质相关的数据，其中数据可以是定量数据。检查设备可以检测衬底上的缺陷或不完整性。光刻设备内的测量系统的示例包括形貌测量、位置测量和对准测量，以测量衬底上的图案的性质。

测量的质量可能会影响与其相关联的光刻过程的质量。可能会影响测量质量的元素中的一个元素是测量中使用的辐射质量。

不同类型的辐射可以被用于查询衬底的不同性质。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供了一种安装式中空芯部光纤布置，包括：中空芯部光纤，具有微结构；以及包括多个安装触点的安装布置，该安装触点被配置为向中空芯部光纤的外层施加力。中空芯部光纤的一部分位于安装布置的容置区域中。多个安装触点被定位在容置区域周围。安装触点被分布在容置区域周围，安装触点的分布对应于中空芯部光纤的微结构的特征的分布。

可选地，多个安装触点中的每个安装触点可以被配置为向中空芯部光纤的外层施加基本相等的力。

可选地，多个安装触点的位置在容置区域周围可以是等间隔的。

可选地，微结构的特征的分布可以包括对称性。多个安装触点的位置的对称性可以与微结构的对称性相对应。

可选地，中空芯部光纤可以是中空芯部光子晶体光纤，包括围绕中空芯部具有多个毛细管的单环结构。

可选地，单环结构中的毛细管分布可以具有多种旋转对称性。安装触点的数量是旋转对称性的数量的整数倍，或者旋转对称性的数量是安装触点的数量的整数倍。

可选地，安装触点的数量可以等于围绕中空芯部的毛细管的数量。

可选地，中空芯部光纤的安装在安装布置的容置区域内的部分可以是中空芯部光纤的端部。

可选地，由安装触点施加的力可以是可调整的。

可选地，安装布置可以包括弹簧加载螺钉，被配置为调整由安装触点施加的力。

可选地，安装布置可以包括电气布置，被配置为通过施加电场来调整由安装触点施加的力。

可选地，电气布置可以包括在安装布置的第一侧的第一板和在安装布置的第二侧的第二板，其中容置区域位于第一侧与第二侧之间。力可以被配置为通过调整在第一板与第二板之间施加的电场来调整。

可选地，安装布置可以包括磁性布置，被配置为通过施加磁场来调整由安装触点施加的力。

可选地，磁性布置可以包括在安装布置的第一侧的第一磁体和在安装布置的第二侧的第二磁体，其中容置区域位于第一侧与第二侧之间。力可以被配置为通过调整在第一磁体与第二磁体之间施加的磁场来调整。

可选地，力可以被配置为被调整以针对预定的窄波长范围优化中空芯部光纤的性能。

可选地，预定的窄波长范围可以包括用于提供输入辐射以被耦合到中空芯部光纤中的源的波长。

可选地，预定波长范围可以包括中空芯部光纤的操作波长范围的至少一部分。

可选地，中空芯部光纤可以被配置为在宽带波长范围内操作。

可选地，宽带波长范围可以包括从200nm到2000nm的波长。

可选地，宽带波长范围可以包括从400nm到1000nm的波长。

可选地，安装布置可以包括具有形成容置区域的一部分的凹槽的基部以及被配置为覆盖基部的顶盖。

可选地，顶盖可以包括用于容置中空芯部光纤的凹槽，其中顶盖凹槽可以与基部凹槽对准以形成容置区域。

可选地，基部凹槽和顶盖可以被配置为当顶盖覆盖基部时形成多边形形式。

可选地，多边形形式的每侧可以包括安装触点。

可选地，多边形形式可以是规则的多边形形式。

可选地，安装式中空芯部光纤布置还可以包括储存器，被配置为在储存器的内部与储存器的外部之间提供可重新密封的气封。安装式中空芯部光纤可以位于储存器内。储存器可以被配置为包含控制的气体混合物。

可选地，安装式中空芯部光纤布置可以包括第二安装布置，其中中空芯部光纤的第二部分可以位于第二安装布置的容置区域内。

根据当前公开的另一方面，提供了一种安装式中空芯部光纤布置，包括：中空芯部光纤，具有微结构；以及包括多个安装触点的安装布置，该安装触点被配置为在多个接触点处向中空芯部光纤的外层施加力。中空芯部光纤可以位于安装布置的容置区域中。多个安装触点可以被均匀地定位在安装布置的容置区域周围。多个安装触点可以被配置为在多个接触点中的每个接触点处向中空芯部光纤的外层施加基本相等的力。

可选地，中空芯部光纤可以是中空芯部光子晶体光纤，包括围绕中空芯部包括多个毛细管的单环。

根据当前公开的另一方面，提供了一种用于提供输出辐射的辐射源设备。辐射源设备可以包括上述安装式中空芯部光纤布置。中空芯部光纤可以包括被配置为接收输入辐射的输入端部以及被配置为提供输出辐射的输出端部。中空芯部光纤的输出端部可以位于第一安装布置的容置区域内。

可选地，输出辐射可以是宽带输出辐射。中空芯部光纤可以被配置为在输入端部处接收输入辐射，当辐射传播通过中空芯部光纤时展宽输入辐射的波长范围，并且在中空芯部光纤的输出端部处提供宽带输出辐射。

可选地，中空芯部光纤的输入端部可以位于第二安装布置的容置区域中，该容置区域被配置为容置中空芯部光纤的输入端部。第二安装布置和输入端部可以位于储存器的内部内。

可选地，第一安装布置可以被配置为向输出端部施加第一力，并且第二安装布置可以被配置为向输入端部施加第二力。第一力可以被优化，以在输出辐射中包括的窄波长范围内减少应力引起的损失或模式加扰。第二力可以被优化，以在输入波长内减少应力引起的损失或模式加扰。

根据本公开的另一方面，提供了一种将中空芯部光纤安装到安装布置中的方法。该方法可以包括：提供上述的中空芯部光纤和安装布置；将中空芯部光纤的一部分安装到安装布置中；将输入辐射提供到中空芯部光纤的端截面中；测量由中空芯部光纤输出的辐射，以确定应力引起的损失或模式加扰；以及在测量由光纤输出的辐射时，调整由安装布置的多个安装触点施加的力，使得中空芯部光纤内的应力引起的损失或模式加扰被减少。

根据本公开的另一方面，提供了一种量测布置，包括上述辐射源设备。

根据本公开的另一方面，提供了一种量测设备，包括上述量测布置。

根据本公开的另一方面，提供了一种检查设备，包括上述量测布置。

根据本公开的另一方面，提供了一种光刻设备，包括上述量测布置。

附图说明

本发明的实施例现在将参照所附示意图仅通过示例描述，其中：

-图1描绘了光刻设备的示意性概述；

-图2描绘了光刻单元的示意性概述；

-图3描绘了整体光刻的示意性表示，表示了三种关键技术之间的协作以优化半导体制造；

-图4描绘了水平传感器的示意性概述；

-图5描绘了对准传感器的示意性概述；

-图6描绘了安装在安装布置中的光纤的已知设置；

-图7描绘了通过粘合剂施加到中空芯部光纤的不均匀分布的力；

-图8描绘了均匀力分布(左侧)和不均匀力分布(右侧)的中空芯部光纤的示例束轮廓；

-图9描绘了安装式中空芯部光纤布置的示意性表示，包括具有围绕中空芯部的微结构的中空芯部光纤；

-图10描绘了由多个安装触点保持的中空芯部光纤的示意性表示，多个安装触点的分布对应于中空芯部光纤的微结构的分布；

-图11描绘了安装式中空芯部光纤布置的示意性表示；

-图12描绘了安装式中空芯部光纤布置的示意性表示，其中容置区域具有规则的多边形形式；

-图13描绘了安装式中空芯部光纤布置，其被配置为向已安装的中空芯部光纤施加可调整的力；以及

-图14描绘了可重新密封的储存器内的已安装中空芯部光纤布置的示意性表示。

-图15是可以形成根据实施例的辐射源的一部分的中空芯部光纤在横向平面(即，垂直于光纤的轴线)中的示意性截面图；

-图16描绘了用于提供宽带输出辐射的根据实施例的辐射源的示意性表示；以及

-图17(a)和(b)示意性地描绘了用于超连续谱生成的中空芯部光子晶体光纤(HC-PCF)设计的示例的横向横截面。

具体实施方式

在本文档中，术语“辐射”和“束”被用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如波长为365、248、193、157或126nm)和EUV(极紫外辐射，例如波长在约5至100nm的范围内)。

本文中采用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为指代通用图案形成装置，其能够被用于向入射的辐射束赋予与将在衬底的目标部分中创建的图案对应的图案化的横截面。在该上下文中，术语“光阀”也能够被使用。除了经典的掩模(透射或反射的、二进制的、相移的、混合的等)以外，其他这种图案形成装置的示例可以包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。

图1示意性地描绘了光刻设备LA。光刻设备LA包括被配置为调节辐射束B(例如UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)的照射系统(也称为照射器)IL、被构造为支撑图案形成装置(例如掩模)MA并且连接至被配置为根据某些参数准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM的掩模支撑件(例如掩模台)T、被构造为保持例如抗蚀剂涂覆的晶片的衬底W并且连接至被配置为根据某些参数准确地定位衬底支撑件的第二定位器PW的衬底支撑件(例如晶片台)WT以及被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如折射投影透镜系统)PS。

在操作中，照射系统IL(例如经由束递送系统BD)从辐射源SO接收辐射束。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电和/或其他类型的光学部件或其任何组合，用于导向、整形和/或控制辐射。照射器IL可以被用于调节辐射束B，以使其在图案形成装置MA的平面处的横截面中具有期望的空间和角强度分布。

本文使用的术语“投影系统”PS应该被广义地解释为涵盖各种类型的投影系统，包括折射、反射、反射折射、变形、磁性、电磁和/或静电光学系统或其任何组合，以适合于所使用的曝光辐射和/或其他因素(诸如使用浸没液或使用真空)。本文中对术语“投影透镜”的任何使用可以被认为与更通用的术语“投影系统”PS同义。

光刻设备LA可以是其中衬底的至少一部分可以被具有相对较高的折射率的液体(例如水)覆盖的类型，以填充投影系统PS和衬底W之间的空间，这也被称为浸没式光刻。关于浸没技术的更多信息在US6952253中给出，其通过引用并入本文。

光刻设备LA也可以是具有两个或多个衬底支撑件WT的类型(也称为“双工作台”)。在这种“多工作台”机器中，衬底支撑件WT可以被并行使用，和/或准备随后曝光衬底W的步骤可以对位于衬底支撑件WT中的一个衬底支撑件WT上的衬底W执行，而其他衬底支撑件WT上的另一衬底W被用于在其他衬底W上曝光图案。

除了衬底支撑件WT之外，光刻设备LA可以包括测量工作台。测量工作台被布置为保持传感器和/或清理装置。传感器可以被布置为测量投影系统PS的性质或辐射束B的性质。测量工作台可以保持多个传感器。清理装置可以被布置为清理光刻设备的一部分，例如投影系统PS的一部分或提供浸没液的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投影系统PS时，测量工作台可以在投影系统PS下方移动。

在操作中，辐射束B入射到图案形成装置上，例如掩模MA，该掩模MA被保持在掩模支撑件T上，并且由存在于图案形成装置MA上的图案(设计布局)图案化。在遍历掩模MA后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统IF，衬底支撑件WT能够被准确地移动，例如以便在聚焦和对准位置处将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和可能的另一位置传感器(在图1中未明确描绘)可以被用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置MA。图案形成装置MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。尽管所图示的衬底对准标记P1、P2占用了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时，这些被称为划线对准标记。

如图2所示，光刻设备LA可以形成光刻单元LC的一部分，该光刻单元LC有时也称为光刻单元或(光刻单元)集群，其通常还包括在衬底W上执行曝光前和曝光后过程的设备。常规来说，这些包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、使曝光的抗蚀剂显影的显影器DE、例如用于调节衬底W的温度(例如用于调节抗蚀剂层中的溶剂)的激冷板CH和烘烤板BK。衬底处置器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底W，在不同的过程设备之间移动它们，并且将衬底W递送给光刻设备LA的进料台LB。光刻单元中的装置(通常也被统称为轨道)典型地受轨道控制单元TCU的控制，该轨道控制单元TCU本身可以由监督控制系统SCS控制，该监督控制系统SCS也可以控制光刻设备LA，例如经由光刻控制单元LACU。

为了使由光刻设备LA曝光的衬底W被正确且一致地曝光，期望检查衬底以测量图案化结构的性质，诸如后续层之间的重叠误差、线厚度、临界尺寸(CD)等。为此目的，检查工具(未示出)可能被包括在光刻单元LC中。如果误差被检测到，例如调整可以对后续衬底的曝光或要在衬底W上执行的其他处理步骤进行，特别是如果检查在同一批次或批量的其他衬底W仍然要被曝光或处理之前完成。

检查设备(也可以被称为量测设备)被用于确定衬底W的性质，特别是不同衬底W的性质如何变化，或与同一衬底W的不同层相关联的性质如何在层间发生变化。检查设备可以备选地被构造为标识衬底W上的缺陷，并且例如可以是光刻单元LC的一部分，或者可以被集成到光刻设备LA中，甚或可以是独立的装置。检查设备可以测量潜像(曝光后抗蚀剂层中的图像)或半潜影(曝光后烘烤步骤PEB后抗蚀剂层中的图像)或经显影的抗蚀剂图像(其中抗蚀剂的曝光或未曝光部分已经被移除)上的性质，或者甚至是蚀刻图像(在诸如蚀刻等图案转印步骤之后)上的性质。

典型地，光刻设备LA中的图案化过程是处理中最关键的步骤之一，它需要衬底W上的结构的高准确性的尺寸确定和放置。为了确保这种高准确性，三个系统可以被组合到所谓的“整体”控制环境中，如图3中示意性地描绘的。这些系统中的一个系统是光刻设备LA，它(实际上)被连接至量测工具MT(第二系统)和计算机系统CL(第三系统)。这种“整体”环境的关键是优化这三个系统之间的协作以增强整个过程窗口，并且提供紧密的控制环以确保由光刻设备LA执行的图案化停留在过程窗口内。过程窗口限定了过程参数范围(例如剂量、聚焦、重叠)，在该过程参数范围内，具体的制造过程会产生限定的结果(例如功能半导体装置)，典型地在该过程参数范围内，光刻过程或图案化过程中的过程参数被允许变化。

计算机系统CL可以使用要被图案化的设计布局(的一部分)，以预测使用哪些分辨率增强技术，并且执行计算光刻模拟和计算以确定哪些掩模布局和光刻设备设置实现图案化过程的最大总体过程窗口(在图3中由第一标尺SC1中的双箭头描绘)。典型地，分辨率增强技术被布置为匹配光刻设备LA的图案化可能性。计算机系统CL还可以被用于检测光刻设备LA当前正在过程窗口内何处操作(例如使用来自量测工具MET的输入)，以预测是否由于例如次优处理而可能存在缺陷(在图3中由第二标尺SC2中指向“0”的箭头描绘)。

量测工具MT可以向计算机系统CL提供输入以实现准确的模拟和预测，并且可以向光刻设备LA提供反馈以标识可能的漂移，例如在光刻设备LA的校准状态(在图3中由第三标尺SC3中的多个箭头描绘)下。

在光刻过程中，期望对所创建的结构进行频繁测量，例如以进行过程控制和验证。进行这种测量的工具典型地被称为量测工具MT。用于进行这种测量的不同类型的量测工具MT是已知的，包括扫描电子显微镜或各种形式的散射仪量测工具MT。散射仪是多功能仪器，其通过将传感器置于散射仪物镜的光瞳或与光瞳的共轭平面中(这些测量通常称为基于光瞳的测量)或者通过将传感器置于图像平面或与图像平面共轭的平面中(在这种情况下，这些测量通常被称为基于图像或场的测量)来允许测量光刻过程的参数。这种散射仪和关联的测量技术在专利申请US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1,628,164A中进一步描述，其通过引用全部并入本文。上述散射仪可以使用来自软x射线并且对于近IR波长范围可见的光来测量光栅。

在第一实施例中，散射仪MT是角分辨散射仪。在这种散射仪中，重构方法可以被应用于所测量的信号以重构或计算光栅的性质。例如，这种重构可以通过模拟散射辐射与目标结构的数学模型的相互作用并将模拟结果与测量结果进行比较来进行。数学模型的参数被调整，直到模拟的相互作用产生类似于从实际目标观察到的衍射图案为止。

在第二实施例中，散射仪MT是光谱散射仪MT。在这种光谱散射仪MT中，由辐射源发射的辐射被导向到目标上，并且来自目标的反射或散射辐射被导向到光谱仪检测器，该光谱仪检测器测量镜面反射辐射的光谱(即，根据波长测量强度)。通过该数据，例如通过严格耦合波分析和非线性回归或通过与模拟的光谱库进行比较，产生检测到的光谱的目标的结构或轮廓可以被重构。

在第三实施例中，散射仪MT是椭偏散射仪。椭偏散射仪允许通过针对每个偏振态测量散射辐射来确定光刻过程的参数。这种量测设备通过在量测设备的照射区段中使用例如适当的偏振滤光器来发射偏振光(诸如线性的、圆形的或椭圆形的)。适于量测设备的源也可以提供偏振辐射。现有椭偏散射仪的各种实施例在美国专利申请11/451,599、11/708,678、12/256,780、12/486,449、12/920,968、12/922,587、13/000,229、13/033,135、13/533,110和13/891,410中描述，其通过引用全部并入本文。

在散射仪MT的一个实施例中，散射仪MT适用于通过测量反射光谱和/或检测配置中的不对称性来测量两个未对准的光栅或周期性结构的重叠，该不对称性与该重叠的程度相关。两个(通常是重叠的)光栅结构可以被应用在两个不同的层(不一定是连续的层)中，并且可以被形成在晶片上基本相同的位置处。散射仪可以具有例如在共同拥有的专利申请EP1,628,164A中描述的对称检测配置，使得任何不对称性都是明显可区分的。这提供了一种测量光栅中的未对准的直接方式。用于在目标通过周期性结构的不对称性测量时测量包含周期性结构的两个层之间的重叠误差的其他示例可以在PCT专利申请公开号WO 2011/012624或美国专利申请US 20160161863中找到，其通过引用全部并入本文。

其他感兴趣的参数可以是聚焦和剂量。聚焦和剂量可以通过散射测量(或备选地通过扫描电子显微镜)同时确定，如美国专利申请US2011-0249244中描述的，其通过引用全部并入本文。单个结构可以被使用，该结构对于聚焦能量矩阵(FEM，也称为聚焦曝光矩阵)中的每个点具有关键尺寸和侧壁角度测量的唯一组合。如果临界尺寸和侧壁角度的这些唯一组合可用，则聚焦和剂量值可以从这些测量中唯一地确定。

量测目标可以是复合光栅的整体，其通过光刻过程形成，主要形成在抗蚀剂中，但是也可以在例如蚀刻过程之后形成。典型地，光栅中的结构的节距和线宽很大程度上取决于测量光学器件(尤其是光学器件的NA)，以便能够捕获来自量测目标的衍射级。如早前指示的，衍射信号可以被用于确定两个层之间的偏移(也称为‘重叠’)，或可以被用于重构由光刻过程产生的至少部分原始光栅。该重构可以被用于提供光刻过程的质量的引导，并且可以被用于控制光刻过程的至少一部分。目标可以具有更小的子分段，该子分段被配置为模仿目标中的设计布局的功能部分的尺寸。由于该子分段，目标的行为将与设计布局的功能部分更加类似，使得总体过程参数测量更好地类似于设计布局的功能部分。目标可以以填充不足模式或过度填充模式测量。在填充不足模式，测量束生成比总体目标小的斑点。在过度填充模式下，测量束生成比总体目标大的斑点。在这种过度填充模式下，也可能可以同时测量不同的目标，从而同时确定不同的处理参数。

使用具体目标的光刻参数的总体测量质量至少部分地由用于测量该光刻参数的测量方案确定。术语“衬底测量方案”可以包括测量本身的一个或多个参数、被测量的一个或多个图案的一个或多个参数或两者。例如，如果在衬底测量方案中使用的测量是基于衍射的光学测量，则测量的一个或多个参数可以包括辐射的波长、辐射的偏振、相对于衬底的辐射入射角、相对于衬底上的图案的辐射定向等。选择测量方案的标准中的一个标准可以是例如测量参数中的一个测量参数对处理变化的敏感性。更多示例在美国专利申请US2016-0161863和发布的美国专利申请US 2016/0370717A1中描述，其通过引用全部并入本文。

可以被集成在光刻设备中的形貌测量系统、水平传感器或高度传感器被布置为测量衬底(或晶片)的顶表面的形貌。衬底的形貌的地图(也称为高度图)可以从这些测量生成，该地图根据在衬底上的位置指示衬底的高度。该高度图随后可以被用于在将图案转印到衬底上期间校正衬底的位置，以便在衬底上的适当聚焦位置中提供图案形成装置的航空图像。要理解，在该上下文中，“高度”是指对于衬底明显在平面之外的尺寸(也称为Z轴)。典型地，水平或高度传感器在固定位置(相对于其自己的光学系统)执行测量，并且衬底与水平或高度传感器的光学系统之间的相对移动导致在整个衬底上的位置处进行高度测量。

本领域中已知的水平或高度传感器LS的示例在图4中示意性地示出，其仅图示了操作原理。在该示例中，水平传感器包括光学系统，该光学系统包括投影单元LSP和检测单元LSD。投影单元LSP包括辐射源LSO，该辐射源LSO提供由投影单元LSP的投影光栅PGR赋予的辐射束LSB。辐射源LSO可以是例如窄带或宽带辐射源(诸如超连续谱光源)、偏振的或非偏振的、脉冲的或连续的，诸如偏振或非偏振激光束。辐射源LSO可以包括具有不同颜色或波长范围的多个辐射源，诸如多个LED。水平传感器LS的辐射源LSO不被限于可见辐射，而是可以附加地或备选地涵盖UV和/或IR辐射以及适合于从衬底表面反射的任何波长范围。

投影光栅PGR是包括周期性结构的周期性光栅，该周期性结构导致辐射束BE1具有周期性变化的强度。强度周期性变化的辐射束BE1被导向衬底W上的测量位置MLO，该衬底W相对于与入射衬底表面垂直的轴线(Z轴)具有入射角ANG，入射角ANG在0度与90度之间，典型地在70度与80度之间。在测量位置MLO处，图案化的辐射束BE1由衬底W反射(由箭头BE2指示)，并且被导向检测单元LSD。

为了确定测量位置MLO处的高度水平，水平传感器还包括检测系统，该检测系统包括检测光栅DGR、检测器DET和用于处理检测器DET的输出信号的处理单元(未示出)。检测光栅DGR可以与投影光栅PGR相同。检测器DET产生检测器输出信号，该检测器输出信号指示接收到的光，例如指示接收到的光的强度(诸如光电检测器)，或者代表接收到的强度的空间分布(诸如相机)。检测器DET可以包括一种或多种检测器类型的任何组合。

借助于三角测量技术，测量位置MLO处的高度水平能够被确定。检测到的高度水平典型地与由检测器DET测量的信号强度相关，该信号强度具有周期性，该周期性尤其取决于投影光栅PGR的设计和(倾斜)入射角ANG。

投影单元LSP和/或检测单元LSD可以包括沿着投影光栅PGR和检测光栅DGR之间的图案化辐射束的路径(未示出)的其他光学元件，诸如透镜和/或反射镜。

在实施例中，检测光栅DGR可以被省略，并且检测器DET可以被放置在检测光栅DGR所在的位置。这种配置提供了对投影光栅PGR的图像的更直接的检测。

为了有效地覆盖衬底W的表面，水平传感器LS可以被配置为将测量束BE1的阵列投影到衬底W的表面上，从而生成测量区域MLO的阵列或覆盖更大测量范围的斑点。

例如，通用类型的各种高度传感器在US7265364和US7646471中公开，两者均通过引用并入本文。使用UV辐射而不是可见辐射或红外辐射的高度传感器在US2010233600A1中公开，其通过引用并入本文。在WO2016102127A1(其通过引用并入本文)中，紧凑型高度传感器被描述，其使用多元素检测器来检测和识别光栅图像的位置，而不需要检测光栅。

在复杂装置的制造中，典型地，许多光刻图案化步骤被执行，从而在衬底上的连续层中形成功能特征。因此，光刻设备的性能的关键方面是能够关于在先前层中(通过相同的设备或不同的光刻设备)铺设的特征正确且准确地放置所施加的图案。为此目的，衬底被提供有一个或多个标记集合。每个标记是其位置能够在稍后使用位置传感器(典型地光学位置传感器)测量的结构。位置传感器可以被称为“对准传感器”，并且标记可以被称为“对准标记”。

光刻设备可以包括一个或多个(例如多个)对准传感器，设置在衬底上的对准标记的位置能够通过该对准传感器来准确地测量。对准(或位置)传感器可以使用光学现象，诸如衍射和干扰，以从在衬底上形成的对准标记获得位置信息。在当前光刻设备中使用的对准传感器的示例基于US6961116中描述的自参考干涉仪。例如，如US2015261097A1中公开的，位置传感器的各种增强和修改已经被开发。所有这些出版物的内容均通过引用并入本文。

图5是诸如例如在US6961116中描述的已知对准传感器AS的实施例的示意性框图，其通过引用并入本文。辐射源RSO提供一种或多种波长的辐射束RB，该辐射束RB通过将光学器件转向到标记(诸如位于衬底W上的标记AM)上作为照射斑点SP而被转向。在该示例中，转向光学器件包括斑点反射镜SM和物镜OL。标记AM被照亮的照射斑点SP的直径可以比标记本身的宽度稍小。

由标记AM衍射的辐射被准直(在该示例中，经由物镜OL)到信息携带束IB中。术语“衍射”旨在包括来自标记的零级衍射(可以被称为反射)。自参考干涉仪SRI(例如上面提及的US6961116中公开的类型)使束IB与其本身干涉，此后束由光电检测器PD接收。在多于一个波长由辐射源RSO创建的情况下，附加的光学器件(未示出)可以被包括在内以提供单独的束。如果需要，光电检测器可以是单个元件，或者它可以包括若干像素。光电检测器可以包括传感器阵列。

在该示例中包括斑点反射镜SM的转向光学器件还可以用于阻挡从标记反射的零级辐射，使得信息携带束IB仅包括来自标记AM的高级衍射辐射(这对测量不是必不可少的，但提高了信噪比)。

强度信号SI被供应给处理单元PU。通过块SRI中的光学处理和单元PU中的计算处理的组合，衬底上相对于参考系的X和Y位置的值被输出。

所图示类型的单个测量仅将标记的位置固定在与标记的一个节距相对应的特定范围内。粗测技术与此结合使用，以标识正弦波的哪个周期是包含所标记位置的周期。相同的过程可以在不同的波长以更粗糙和/或更精细的级别重复，以便提高准确性和/或稳健地检测标记，而不考虑标记被制成的材料以及标记被设置的位置上和/或下方的材料。波长可以被光学地复用和解复用，以便被同时处理，和/或它们可以通过时分或频分复用。

在该示例中，对准传感器和斑点SP保持静止，而衬底W在移动。对准传感器因此能够被刚性且准确地安装至参考系，同时在与衬底W的移动方向相反的方向上有效地扫描标记AM。衬底W在该移动中通过其安装在衬底支撑件和衬底定位系统(控制衬底支撑件的移动)上来控制。衬底支撑位置传感器(例如干涉仪)测量衬底支撑件(未示出)的位置。在实施例中，一个或多个(对准)标记被设置在衬底支撑件上。测量设置在衬底支撑件上的标记的位置允许由位置传感器确定的衬底支撑件的位置被校准(例如相对于对准系统所连接的框架)。测量设置在衬底上的对准标记的位置允许衬底相对于衬底支撑件的位置被确定。

量测工具MT(诸如上面提及的散射仪、位置测量系统或形貌测量系统)可以使用来自辐射源的辐射起源来执行测量。由量测工具MT使用的辐射性质可能会影响可能被执行的测量的类型和质量。用于测量的辐射频率可能会影响可能被该辐射询问的特征的尺寸，并且可能会影响不同材料与辐射相互作用的方式。针对一些应用，使用多个辐射频率来测量衬底可能是有利的。例如，宽带辐射可以被使用，其可以是超连续谱辐射。多个不同的频率可能能够传播、照射和/或散射量测目标，而对其他频率没有干扰或干扰最小。因此，例如不同的频率可以被用于同时获得越来越多的各种各样的量测数据。不同的辐射频率也可能能够询问和发现量测目标的不同性质。宽带辐射还可以用于量测工具MT，诸如例如水平传感器、对准标记测量系统、散射测量工具或检查工具。宽带辐射源可以是超连续谱源。在一些实例中，宽带输出辐射可以被选择性地过滤，以从输出辐射中基本上移除一个或多个频率和/或频带。例如，可以这样做，以获得包括一个或多个感兴趣的窄带辐射区域的过滤输出辐射。选择性过滤可以提供可调整的辐射源。辐射可以是电磁辐射。

生成高质量的宽带辐射可能是困难的。生成宽带辐射(诸如宽带电磁辐射)的一种选项是使用非线性频率展宽效应。为了获得显著的非线性效应，可能需要高辐射强度。高辐射可以在光纤中实现。光纤可以具有包括光轴线的细长尺寸，横截面沿着该光轴线可以是基本恒定的。辐射可以被耦合到光纤中。辐射可以沿着细长尺寸传播通过光纤。辐射可以被限制在光纤内部的小空间内，例如主要在光纤的芯部内。由于其将辐射限制在小区域中的能力，光纤可能适合于在光纤的一部分内创建局部化的高辐射强度。然而，高辐射强度可能会损坏光纤材料和/或光纤结构。对光纤的损坏可能会导致光纤的光学性能下降，这可能会导致光纤的寿命减少。

为了解决辐射引起的损坏的问题，中空芯部光纤可以被用于生成宽带辐射。中空芯部光纤可以被设计为使得耦合到光纤中的大部分辐射被限制在中空芯部内。因此，辐射与光纤材料的相互作用被减少，这可能会导致对光纤材料的损坏减少。

微结构可以被包括在中空芯部光纤中，例如围绕光纤的中空芯部。微结构可以控制和优化光纤内的辐射限制和引导性质。微结构可以形成光子晶体结构以创建光子晶体光纤。例如，微结构可以包括多个薄壁特征，诸如周期性晶格或毛细管，用于控制中空芯部内的辐射的限制和引导性质。薄壁特征可以具有例如范围在100nm和1000nm之间、500nm至1000nm之间、100nm和500nm之间的壁厚。具体地，薄壁特征可以具有在100nm和300nm之间的壁厚。

中空芯部光子晶体光纤(HC-PCF)可以将辐射主要限制在中空芯部内。HC-PCF可以将辐射作为横向模式沿着光纤轴线引导，该光纤轴线可以位于沿着光纤的细长尺寸的中心区域中。中空芯部可以被填充有气体混合物，当气体混合物与耦合到光纤中的高强度辐射相互作用时，其经历非线性展宽效应以生成宽带输出辐射。

一个示例微结构包括单环结构，其中中空芯部被单环毛细管围绕。毛细管可以是平行于光纤的光轴线的薄壁管。毛细管的薄壁可能会引起干扰效应，该干扰效应可以被用于控制光纤内的模式限制，从而创建光子晶体光纤。

中空芯部光纤内的辐射引导可能对光纤的内部微结构的变化敏感。中空芯部光纤中的辐射限制和引导的不想要的或意外的变化可能会对输出辐射的性质产生负面影响。辐射限制和引导的变化可能会产生损坏光纤、降低光纤的性能以及减少光纤的寿命中的一项或多项。可能会影响光纤内的辐射行为的一种类型的特征是施加到光纤的力。施加到光纤的力可能会将应力引入到光纤中。光纤内的应力(例如微结构中的应力)可能反过来会导致对损坏的敏感性增加，和/或改变光纤内的辐射限制。力可以被施加到光纤的一个示例是光纤被安装到安装布置中的情况。安装布置可以施加夹持力以将光纤保持在期望位置。期望位置可以例如涉及用于将辐射耦合到光纤中和/或从光纤耦合辐射的耦合元件。安装布置可以与光纤的一部分物理接触，例如用于控制光纤的该部分的位置。安装布置可以例如被用于促进辐射进入和/或离开光纤的有效耦合。因此，安装布置可以在光纤的一端或两端找到。

由安装布置施加到光纤的力可能会在光纤材料中引入应力，这可能会影响光纤性能。更大的施加力可能会引入更大的应力，并且可能对光纤性能产生更大的负面影响。在力的大小之后，中空芯部光纤可能对力的分布很敏感。具体地，在光纤中引入的不对称应力可能会对光纤性能产生负面影响。不对称应力可能会由不对称安装布置引入，例如使用套管或粘合剂来定位光纤的布置。不对称的力也可以由安装布置来施加，其中光纤由锋利的边缘和/或扭结局部接触。不对称的应力分布可能会导致以下一项或多项：通过光纤的可选传输减少、光纤中的引导模式的模式加扰以及光纤的损坏增加和寿命减少。针对更高的辐射频率，模式加扰的影响可能会更强。因此，期望获得对称的应力分布，以减少安装布置对中空芯部光纤的负面影响。

图6描绘了位于安装布置104中的光纤102的已知示例设置。所图示光纤具有在光纤外层周围施加的保护涂层106。涂层106可以从位于安装布置中的光纤的第一部分剥离，例如以使得能够将辐射更好地耦合到光纤中。安装布置的第二部分保留了聚合物涂层106。粘合剂108已被插入到区域中，在该区域中光纤102由安装布置接收以附接光纤，并且将其固定在安装布置104中的适当位置。粘合剂108可以向光纤102施加不对称的力分布。示例的不对称力分布在图7中图示，其描绘了施加到中空芯部光纤102的力F1到F6。力F1到F6被示出为由粘合剂108施加。力F1到F6在光纤102周围具有不均匀分布，并且大小不相等，导致施加到光纤102的总力的总体不对称性。

不均匀力分布的影响的示例在图8中图示，其描绘了用于两种不同力分布的示例束轮廓。左图示出了用于安装布置的光纤的准直输出辐射的束轮廓，其具有施加到光纤的均匀分布的力。右图示出了光纤的准直输出辐射的束轮廓，用于应用不均匀力分布的安装布置。

为了使得光纤102周围的力施加均匀，保护涂层106可以围绕中空芯部光纤的外层施加。保护涂层106可以例如是聚合物涂层。然而，在一些实例中，聚合物或其他材料涂层的使用不适合于应用。例如，当使用光纤102时，粘合剂、聚合物或其他材料中的有机组分可能会排气。这可能会导致气态残留物被释放到光纤的紧邻环境中。气态残留物可以被照射，这可能会导致杂质被添加到围绕光纤102的中空芯部的材料内。这些杂质可以位于光纤材料的内表面上或附近，并且可以降低光纤的损坏阈值。

本文描述了用于以均匀的力分布安装光纤以减少中空芯部光纤内的应力引起的损失和/或模式加扰的方法和设备。为了减轻上述潜在的负面放气效应，该方法和设备被配置为可用于裸光纤，也就是说，没有保护涂层106的光纤。本发明人认识到光纤内的微结构的存在可能会影响光纤对力分布的反应。因此，建议提供与微结构中的元素分布相匹配的力分布。

图9描绘了安装式中空芯部光纤布置200的示意图，包括中空芯部光纤202，具有围绕光纤202的中空芯部201的微结构203。为了简洁起见，中空芯部光纤202可以在整个文本中被称为光纤202。中空芯部光纤202的一部分位于具有多个安装触点MC的安装布置204的容置区域205中。容置区域是光纤周围的区域，光纤将被放置在该区域。可选地，容置区域的横截面在垂直于光纤方向的一个平面内。安装触点MC位于容置区域中，并且在容置区域周围分布。安装触点MC可以被配置为向中空芯部光纤202的外层施加力206。安装触点MC被定位在安装布置204的容置部分205周围，使得它们可以接触光纤202。安装触点MC可以被分布在容置区域205周围，其中该分布可以被设计为对应于光纤202的微结构203的特征的分布。

当安装触点MC的分布被设计为对应于光纤的微结构的分布时，这意味着安装触点与中空芯部光纤的外层之间的接触点的位置基于光纤的微结构的位置。在一个实施例中，至少一个接触点被定位为与毛细管中的一个毛细管的位置对准，这意味着从光纤中心沿着径向方向看，从中心到接触点的线与从中心到毛细管的线基本重合。在另一实施例中，至少一个接触点被定位在单环结构的两个毛细管之间，可选地居中，这意味着从光纤中心沿着径向方向看，从中心到接触点的线基本上在来自两个毛细管的中心的两个线之间，可选地基本上居中。

可选地，所有接触点被定位为与至少部分毛细管的位置对准，或者被定位在单环结构的两个毛细管之间的中心。

可选地，安装触点的分布的对称性与光纤的微结构的分布相对应，这意味着安装触点的分布的对称性基于微结构的至少一种对称性。在一个示例中，微结构包括60度旋转对称性和120度旋转对称性，并且安装触点MD可以包括60度旋转对称性和120度旋转对称性之一。

可选地，对称性是反射对称性。可选地，对称性是旋转对称性。

可选地，安装触点的数量是旋转对称性的数量的整数倍，或者旋转对称性的数量是安装触点的数量的整数倍。要注意的是，本文的整数倍是指一倍、两倍、三倍、四倍、五倍等之一。

本发明人已经认识到，光纤202的性能可以通过使安装触点MC的分布与微结构203的特征分布相匹配来提高。这种对应关系可能会导致力206施加的位置之间的对应关系和由此产生的引入光纤202的应力。然后，光纤中的应力分布可以与微结构的特征相对应，这意味着与安装接触MC不对应于微结构203的特征分布的情况相比，更均匀的应力分布可以被实现。因此，安装触点MC和微结构特征203的对应分布的优点可以是减少中空芯部光纤202内的应力引起的损失和/或模式加扰。损失可以是输出频率范围的一部分或全部中来自光纤202的光学输出功率的损失。模式加扰可能会导致光纤202的输出辐射的形状和功率分布的质量降低。这又可能会导致安装式中空芯部光纤布置200的性能降低，例如当在量测应用中使用时。

多个安装触点MC中的每个安装触点MC可以对中空芯部光纤202的外层施加基本相等的力。指示施加力206的三个箭头被示出为具有相同的大小，指示它们施加具有相同大小的力206。

安装触点MC的位置在容置区域205周围可以是等间隔的。这在图9中图示，其中三个安装触点MC在位于安装布置204中的光纤202的圆周周围间隔开120度施加力206。安装触点CM的等间隔可以反映微结构的特征的对应的等间隔。例如，N个等间隔的安装触点可以对应于N个特征的等间隔的分布。特征可以包括重复的单个元素或元素集群，其中该集群是重复的。在另一示例中，N个等间隔的安装触点CM可以对应于微结构203的2N个等间隔特征。这在图9中图示，其中三个安装触点CM向具有六个微结构特征203的光纤202施加力206。

在一个示例中，包括微结构的中空芯部光纤202被设置在安装布置204的容置区域内，以形成安装式中空芯部光纤布置200。安装布置可以具有多个安装触点，该安装触点被配置为在多个接触点处向中空芯部光纤202的外层施加力。多个安装触点可以被均匀地定位在安装布置的容置区域周围。多个安装触点MC可以被配置为在多个接触点中的每个接触点处向中空芯部光纤202的外层施加基本相等的力。

微结构230的特征的分布可以包括一种或多种对称性。安装触点CM的位置的对称性可以对应于微结构230的一种或多种对称性中的至少一种。图9所描绘的微结构203包括120度旋转对称性，并且图9的安装触点MD也包括120度旋转对称性。要注意的是，图9所描绘的微结构203还包括60度旋转对称性。

中空芯部光纤202的微结构可以包括光子晶体结构。光纤202可以是中空芯部光子晶体光纤(HC-PCF)。微结构203可以包括单环结构203。单环可以具有围绕中空芯部201的多个毛细管。图10描绘了示例中空芯部光纤202，包括具有多个毛细管210的单环结构208。围绕单环结构208可以有包层材料212，其可以是基体材料(例如玻璃材料)。

中空芯部201周围的毛细管210的分布可以具有多种旋转对称性。在毛细管在中空芯部周围是等间隔的情况下，旋转对称性的数量可以等于毛细管的数量。图10(a)描绘了围绕中空芯部201具有6个等间隔的毛细管210的中空芯部光纤202。等间隔可以以60度间隔放置毛细管。安装触点MC在6个类似的基本等距的位置处施加力206。图10(b)描绘了具有围绕中空芯部201的5个等间隔的毛细管210的中空芯部光纤202。等间隔可以以72度间隔放置毛细管。

在一些实施方式中，微结构203的特征的位置可以与安装布置的安装触点MC的位置对准。例如，在图10中，安装触点MC被描绘为被对准以被定位在单环结构208的两个毛细管210之间的中心中。另一示例布置可以是将毛细管210的位置与安装触点MC的位置对准。这可以被优化，以获得进一步减少中空芯部光纤202中的应力引起的损失或模式加扰。然而，不要求微结构203与安装触点MC的位置的对准。与安装触点MC相比，存在微结构203的特征的对应分布可能足够了。

中空芯部光纤202的位于安装布置204内的部分可以是光纤的端部。安装式中空芯部光纤布置200可以包括两个单独的安装布置204。第一安装布置204可以保持光纤202的第一端部。第二安装布置204可以保持光纤202的第二端部。第一端部和第二端部可以是同一中空芯部光纤202的相对端部。

图11描绘了安装式中空芯部光纤布置200的示例实施方式。中空芯部光纤202可以位于安装布置204的容置区域205内。安装布置204可以包括基部214和顶盖216。力218可以被施加到安装布置204的顶盖216。力218可以由安装布置转化为施加到光纤202的外层的力。基部214可以包括凹槽。在凹槽中可用的空间可以形成容置空间205的一部分。凹槽可以是V形凹槽，如图11所图示的。在替代实施方式中，凹槽可以具有多边形形状、弯曲形状和/或不规则的形状。

顶盖216还可以包括凹槽(未在图11中示出)。凹槽可以位于顶盖面向基部的一侧，使得当顶盖21在其预期位置被放置在基部214的顶部时，基部214中的凹槽可以与顶盖216中的凹槽对准。当顶盖216和基部214中的凹槽对准时，它们可以形成用于中空芯部光纤202的容置区域205。

容置区域可以具有多边形形状。多边形形状可以例如由基部中的多边形凹槽与顶盖组合形成。如果顶盖包括凹槽，则多边形容置区域可以由顶盖216和基部214的对准凹槽形成。多边形形式可以是规则的多边形形式，也就是说，多边形，其中两个相邻侧之间的每个角度的大小基本相同。在图11中，基部和顶盖中的凹槽可以组合以形成规则的三角形。图12描绘了两个其他示例安装布置(a)和(b)。图12的安装布置均包括具有凹槽的顶盖216和具有凹槽的基部214，其中凹槽形成基本规则的多边形。在安装布置(a)中，凹槽组合以形成基本规则的六边形。在安装布置(b)中，凹槽组合以形成基本规则的五边形。规则多边形可以容置中空芯部光纤202。

在上述容置区域205中，安装触点可以由容置区域的边界上的点或区域形成。在容置区域具有多边形形状的情况下，每侧可以包括安装触点。在容置区域具有规则的多边形形状的情况下，安装触点可以被基本定位在多边形的每侧的中心中。

安装布置204可以由能够被机械处理以形成容置区域205的至少一部分的材料形成。安装布置可以包括金属，例如铝、黄铜或不锈钢。安装布置204可以包括石英玻璃(SiO2)。例如，凹槽可以在石英玻璃中蚀刻，以形成安装布置204的容置区域205的一部分。安装布置204可以包括硅(Si)。安装布置204可以由多种材料形成。中空芯部光纤202的长度可以在几十厘米到几十米的范围内。例如，中空芯部光纤202的长度可以在10cm到100m之间。中空芯部光纤长度可以在10cm和1m之间。中空芯部光纤202的长度可以基于安装式中空芯部光纤布置200所用于的应用来确定。具体地，长度可以由中空芯部光纤202旨在被用于的应用的光谱要求来确定。

可调整的力

安装布置可以被配置为向中空芯部光纤202施加可调整的力。图13示出了包括基部214和顶盖216的安装布置204，如上所述。当顶盖216和基部214被对准时，可调整的力220可以通过将它们压向彼此来施加。施加到安装布置204以将顶盖216和基部214推到一起的力的幅度可以与由中空芯部光纤202的外层上的安装触点施加的力的强度成比例。施加到安装布置的力可以例如在几十mN到几N之间的范围内。施加到安装布置204的力的示例范围可以是10mN到10N。

具有能够将可调整的力220施加到已安装光纤的外层的安装布置204的优点在于，力可以被调整以提高中空芯部光纤202的光学性能。如果施加到中空芯部光纤202的外层的力的幅度太高，则这可能会导致应力引起的损失或模式加扰增加。这又可能会导致质量降低的输出辐射束。如果施加到中空芯部光纤202的外层的力太小，则光纤202可能未由安装布置204正确稳固。如果光纤202没有以稳定的方式稳固地安装，则这可能会导致辐射进入和/或离开光纤202的耦合效率降低。低夹持力可能会导致光纤202滑动，这又可能会导致辐射耦合损失。可能可以使用最大容许力来确定和操作安装式光纤布置200。这种最大容许力可以被确定为具有能够实现低损失、高模态纯度的辐射传输的最高幅度的力。最大容许力可以是光纤202在太低的力下在安装布置204中滑动或移动的风险与在太高的力下降低光学性能之间的平衡。低损失和高模态纯度都可以被确定为比预定阈值表现更好。最大容许力可以取决于光纤202被使用的系统和/或应用。例如，最大容许力可以基于模态质量、平均功率谱变化、偏振等中的一个或多个来确定。

力可以通过包括弹簧加载螺钉的结构施加到安装布置204。结构中的弹簧可以被调整，以控制由该结构施加到安装布置204的力的大小。由弹簧加载螺钉施加的力可以被手动调整，或者可以被电子设置。力的电子设置可以包括设置力的目标幅度，并且使控制系统调整弹簧加载螺钉，直到目标幅度被实现为止。为了实现目标力幅度，控制系统可以例如包括传感器，或者可以被校准以将螺钉位置与对应力相关联。

力可以通过电气布置施加到安装布置204。电气布置可以被配置为调整由安装触点MC施加到中空芯部光纤202的外层的力。力可以通过调整电场来调整。在示例实施方式中，电气布置可以包括位于安装布置204的第一侧的第一板。电气布置还可以包括位于安装布置204的第二侧的第二板。第一板和第二板可以由导电材料形成，因此当场在第一板和第二板之间施加时，板相互吸引。这可以通过在相对板上的相反电荷积累来实现。

第二板可以与第一板相对，使得安装布置204的至少一部分位于第一板和第二板之间。位于第一板和第二板之间的部分可以包括容置区域。安装布置204的第一侧和第二侧可以分别对应于安装布置204的基部214和顶盖216的侧部，使得当第一板和第二板被拉向彼此时，基部214和顶盖216被压在一起。

力可以通过磁性布置施加到安装布置201。磁性布置可以被配置为通过施加磁场来调整由安装布置204施加的力。磁性布置可以包括在安装布置204的第一侧的第一磁体，并且可以包括在安装布置的第二侧的第二磁体。在一些实例中，两个磁体都可以是具有可调整磁场的磁体。在其他实例中，磁体中的一个磁体可以具有可调整磁场，而另一磁体可以是具有恒定磁场的磁体。磁体可以例如是电磁体或永磁体。磁性布置可以通过向第一板和第二板施加相反的磁荷来施加可调整的力，使得它们被朝向彼此吸引。这可以将安装布置的第一侧拉向安装布置的第二侧，磁体位于该第二侧。第一侧和第二侧可以在安装布置的相对侧。包括容置区域的安装布置的一部分可以位于第一侧和第二侧之间。第一侧和第二侧可以分别位于安装布置的基部214和顶盖216上。当磁体被吸引到一起时，基部214可以被拉向顶盖216，从而在位于容置区域205中的中空芯部光纤202上施加力。调整两个磁体之间的吸引力可以调整施加到中空芯部光纤202外层的力。

由基部214施加到顶盖216上的力可以与由顶盖216施加到安装布置的基部214上的力相等且相反。由顶盖施加的力被转化为由安装触点施加的力的方式取决于容置区域的形状和尺寸。容置区域的形状可以以优选的力施加被实现的这种方式设计。例如，多边形的长度和/或角度可以被改变，以改变施加到顶盖216或基部214的力的比例，该力被转化到安装触点MC。

如上所述，由安装布置204施加到中空芯部光纤202的外层的力可以被调整，以减少应力引起的损失或模式加扰。中空芯部光纤202内的损失和/或模式加扰量可能与波长相关。这在中空芯部光纤202被配置为在宽带波长范围内操作的实施方式中可能特别相关。中空芯部光纤被配置为起作用的范围可以被称为光纤的操作波长范围。操作波长范围可以包括电磁谱的红外、可见和/或紫外部分中的辐射。宽带波长范围可以例如包括从200nm到2000nm或者从400nm到1000nm的波长。

由安装触点施加的力可以被配置为被调整，以优化中空芯部光纤202的操作波长范围的至少一部分的性能。如上所述，优化性能可以指调整施加到中空芯部光纤的力，以减少应力引起的损失和/或模式加扰。力调整可以优化的操作波长部分可以是窄带波长范围。该部分可以包括一个或多个离散波长和/或一个或多个窄波长范围。该部分可以例如是对中空芯部光纤202被使用的应用感兴趣的输出波长。在一些示例中，该部分可以包括耦合到中空芯部光纤202中的输入辐射的波长。

中空芯部光纤202可以被用于宽带辐射源，如上所述。中空芯部光纤202可以例如被用于展宽输入辐射以提供宽带输出辐射。宽带输出辐射可以包括输入辐射。输入辐射可以包括单个波长、多个离散波长或窄带波长范围。输出辐射可以是超连续谱辐射。

图14描绘了位于储存器222内的安装式中空芯部光纤布置200的示意性概述。为了展宽输入辐射以获得宽带输出辐射，光纤202的中空芯部可以被填充有气体混合物224。为了在光纤202的中空芯部内提供和控制气体混合物224，光纤可以被放置在可重新密封的储存器222内。储存器222可以具有气体混合物控制单元226，以在储存器的内部内提供合适的气体条件以使宽带辐射被生成。储存器222可以包括中空芯部光纤202的全部或一个或多个部分。中空芯部光纤202的一个或多个部分可以至少包括中空芯部光纤202的端部，其中气体混合物可以进入和/或离开光纤202的中空芯部。

本文描述了一种用于提供输出辐射的辐射源设备。辐射源设备可以从输入辐射源接收输入辐射。辐射源设备可以包括本文描述的安装式中空芯部光纤布置。输入辐射可以被耦合到中空芯部光纤202中，辐射可以传播通过光纤，并且输出辐射可以被耦合到中空芯部光纤202之外。为了能够耦合到中空芯部光纤202中和中空芯部光纤202之外，中空芯部光纤的端部可以被安装到安装布置204中。耦合至源(将输入辐射耦合到中空芯部光纤202中)的辐射源设备可以形成辐射源。

输出辐射可以是宽带辐射。为了展宽输入辐射以生成宽带输出辐射，安装式中空芯部光纤布置200可以被放置在用于提供可控气体混合物的储存器内。在光纤内提供的气体混合物可以包括氢组分和附加组分。附加组分可以是惰性气体。附加组分可以包括氩气、氪气、氖气、氦气和氙气中的一种或多种。备选地或附加地，附加组分可以包括分子气体(例如H2、N2、O2、CH4、SF6)。

中空芯部光纤202可以由玻璃材料形成。例如，中空芯部光纤202可以由以下任何一种组成或包括以下任何一种：高纯度二氧化硅(SiO2)(例如由德国贺利氏控股集团销售的F300材料)；软玻璃，诸如例如硅酸铅玻璃(例如由德国肖特集团销售的SF6玻璃)；或其他特殊玻璃，诸如例如硫属化物玻璃或重金属氟化物玻璃(也称为ZBLAN玻璃)。具有适合于光纤功能性的性质(例如针对光纤的操作范围中的频率基本上透明)的其他材料也可以被使用。

中空芯部光纤202可以被安装到中空芯部光纤202的输入端部和输出端部两者上。由安装布置204施加的力可以被调整，以优化光纤的输入端部和输出端部处的(多个)不同波长的性能。例如，由安装布置204在输入端部处施加的力可以被调整，以优化一个或多个输入辐射波长的性能。由安装布置204在输出端部处施加的力可以被调整，以优化输出辐射的一个或多个波长的性能。

为了确定由安装布置204施加到安装式光纤部分的最优力，由安装布置施加的可调整的力可以被调整。为了根据特定的已安装中空芯部光纤布置200的具体要求来调整可调整的力，可以在使用中执行调整。在使用中可能意味着用作辐射源的一部分。从中空芯部光纤202耦合的输出辐射可以被测量，并且辐射束的质量可以被评估，以便调整力并且确定最优力设置。

现在将描述用于将中空芯部光纤202安装到安装布置204中的方法。中空芯部光纤202的一部分(例如端部)可以被安装到安装布置204的容置区域205中。光纤202可以通过两个单独的安装布置204安装到两个端部上。安装式中空芯部光纤布置可以被放置在可重新密封的储存器中。储存器可以被配置为提供可控的气体混合物，以实现中空芯部光纤202内的输入辐射的光谱展宽。由安装触点MC施加的力可以是可调整的，并且可以被调整以获得中空芯部光纤202的优化性能。调整可调整的力可以包括对来自中空芯部光纤202的宽带输出辐射进行光谱过滤。光谱过滤可以选择过滤的输出辐射波长的窄带。在过滤的输出辐射束被监测时，由安装布置通过安装触点MC施加的力然后可以被调整。

输出辐射的过滤部分的力的调整可以针对稳固中空芯部光纤202的输出端部的安装布置执行。中空芯部光纤202的输入端部可以被稳固在可调整的力被调整的安装布置中，以优化输入波长辐射的性能。

由于远程调整的可能性，在中空芯部光纤202在储存器内使用时调整可调整的力可能是可以的。力可以在储存器内调整，例如通过用于调整力的电气布置、磁性布置或机械力布置的远程控制和操作。

当安装式中空芯部光纤布置200在使用中时，可调整的力可以被重新调整。例如，光纤可以形成宽带辐射源的一部分，该宽带辐射源被配置为在按顺序使用宽带波长范围的不同部分的设备中操作。这可以例如通过按顺序过滤输出波长范围的不同部分来实现。随着应用感兴趣的(多个)波长的变化，可调整的力可以被重新调整以优化(多个)那些波长的性能，如上所述。

本文描述的安装式中空芯部光纤布置200可以被用于宽带辐射源。宽带辐射源可以被用于量测布置中，例如用于量测工具MT中，诸如上述的量测设备和/或检查设备。辐射源可以被用于光刻设备LA中。辐射源可以例如被用于光刻设备LA内的量测布置中。光刻设备LA内的量测布置的一个示例是图5所示的对准传感器。

量测工具MT(诸如上面提及的散射仪、形貌测量系统或位置测量系统)可以使用源自辐射源的辐射来执行测量。由量测工具使用的辐射性质可能会影响可以被执行的测量的类型和质量。针对一些应用，可能有利的是，使用多个辐射频率来测量衬底，例如宽带辐射可以被使用。多个不同的频率可能能够传播、照射和散射量测目标，而对其他频率没有干扰或干扰最小。因此，例如不同的频率可以被用于同时获得更多的量测数据。不同的辐射频率也可能能够询问和发现量测目标的不同性质。宽带辐射可以用于量测系统MT，诸如例如水平传感器、对准标记测量系统、散射测量工具或检查工具。宽带辐射源可以是超连续谱源。

生成高质量宽带辐射(例如超连续谱辐射)可能是困难的。用于生成宽带辐射的一种方法可以是展宽高功率窄带或单频输入辐射，例如利用非线性高级效应。输入辐射(其可以使用激光器产生)可以被称为泵浦辐射。备选地，输入辐射可以被称为种子辐射。为了获得用于展宽效应的高功率辐射，辐射可以被限制在小区域中，使得强局部化的高强度辐射被实现。在这些区域中，辐射可能与形成非线性介质的展宽结构和/或材料相互作用，从而创建宽带输出辐射。在高强度辐射区域中，不同的材料和/或结构可以被用于通过提供合适的非线性介质来实现和/或改进辐射展宽。

在一些实施方式中，宽带输出辐射是在光子晶体光纤(PCF)中创建的。在多个实施例中，这种光子晶体光纤在其光纤芯部周围具有微结构，帮助限制行进通过光纤芯部中的光纤的辐射。光纤芯部能够由具有非线性性质并且能够在高强度泵浦辐射通过光纤芯部透射时生成宽带辐射的固体材料制成。尽管在固体芯部光子晶体光纤中生成宽带辐射是可行的，但使用固体材料可能存在一些缺点。例如，如果UV辐射在固体芯部中生成，则该辐射可能不会出现在光纤的输出光谱中，因为该辐射被大多数固体材料吸收。

在一些实施方式中，如下面参照图16进一步讨论的，用于展宽输入辐射的方法和设备可以使用光纤来限制输入辐射，并且展宽输入辐射以输出宽带辐射。光纤可以是中空芯部光纤，并且可以包括内部结构以实现光纤中的辐射的有效引导和限制。光纤可以是中空芯部光子晶体光纤(HC-PCF)，它特别适合于强辐射限制，主要在光纤的中空芯部内部，从而实现高辐射强度。光纤的中空芯部可以被填充有气体，该气体充当用于展宽输入辐射的展宽介质。这种光纤和气体布置可以被用于创建超连续谱辐射源。输入到光纤的辐射可以是电磁辐射，例如红外、可见、UV和极UV光谱中的一种或多种中的辐射。输出辐射可以由宽带辐射组成或包括宽带辐射，其在本文中可以被称为白光。输出辐射可以

一些实施例涉及包括光纤的这种宽带辐射源的新设计。光纤是中空芯部光子晶体光纤(HC-PCF)。具体地，光纤可以是中空芯部光子晶体光纤，其类型包括用于限制辐射的反谐振结构。包括反谐振结构的这种光纤在本领域中被称为反谐振光纤、管状光纤、单环光纤、负曲率光纤或抑制耦合光纤。这种光纤的各种不同设计在本领域中是已知的。备选地，光纤可以是光子带隙光纤(HC-PBF，例如Kagome光纤)。

多种类型的HC-PCF能够被设计，分别基于不同的物理引导机制。两种这样的HC-PCF包括：中空芯部光子带隙光纤(HC-PBF)和中空芯部反谐振反射光纤(HC-ARF)。HC-PCF的设计和制造细节能够在美国专利US2004/015085A1(针对HC-PBF)和国际PCT专利申请WO2017/032454A1(针对中空芯部反谐振反射光纤)中找到，其通过引用并入本文。图17(a)示出了Kagome光纤，包括Kagome晶格结构。

用于辐射源的光纤的示例现在参照图15描述，图15是光纤OF在横向平面中的示意性截面图。与图15的光纤的实际示例类似的其他实施例在WO2017/032454A1中公开。

光纤OF包括细长主体，与光纤OF的其他两个维度相比，该细长主体在一个维度上更长。这个更长的维度可以被称为轴向方向，并且可以限定光纤OF的轴线。两个其他维度限定了可以被称为横向平面的平面。图15示出了在该横向平面(即，垂直于轴线)中的光纤OF的横截面，该横向平面被标记为xy平面。光纤OF的横向横截面可以沿着光纤轴线基本恒定。

要了解的是，光纤OF具有一定程度的柔性，因此轴线的方向通常不会沿着光纤OF的长度一致。诸如光轴线、横向横截面等术语将被理解为是指局部光轴线、局部横向横截面等。此外，在部件被描述为圆柱形或管状的情况下，这些术语将被理解为涵盖随着光纤OF折曲而可能已经变形的这种形状。

光纤OF可以具有任何长度，并且要了解，光纤OF的长度可以取决于应用。光纤OF的长度可以在1cm与10m之间，例如光纤OF的长度可以在10cm与100cm之间。

光纤OF包括：中空芯部COR；围绕中空芯部COR的包层部分；以及围绕并支撑包层部分的支撑部分SP。光纤OF可以被认为包括具有中空芯部COR的主体(包括包层部分和支撑部分SP)。包层部分包括多个反谐振元件，用于引导辐射通过中空芯部COR。具体地，多个反谐振元件被布置为限制主要在中空芯部HC内传播通过光纤OF的辐射，并且沿着光纤OF引导辐射。光纤OF的中空芯部HC可以被基本设置在光纤OF的中心区域中，使得光纤OF的轴线也可以限定光纤OF的中空芯部HC的轴线。

包层部分包括多个反谐振元件，用于引导辐射传播通过光纤OF。具体地，在该实施例中，包层部分包括六个管状毛细管CAP的单环。管状毛细管CAP中的每个管状毛细管CAP充当反谐振元件。

毛细管CAP也可以被称为管。毛细管CAP的横截面可以是圆形的，或者可以具有另一形状。每个毛细管CAP包括大致圆柱形的壁部WP，其至少部分地限定光纤OF的中空芯部HC并且将中空芯部HC与毛细管腔CC分开。要了解的是，壁部WP可以充当用于传播通过中空芯部HC(并且可以以掠入射角入射到壁部WP上)的辐射的抗反射法布里-珀罗谐振器。壁部WP的厚度可以是合适的，以确保返回到中空芯部HC中的反射通常会被增强，而进入毛细管腔CC中的透射通常会被抑制。在一些实施例中，毛细管壁部WP可以具有在0.01至10.0μm之间的厚度。

要了解的是，如本文使用的，术语包层部分旨在表示用于引导辐射传播通过光纤OF(即，将所述辐射限制在中空芯部COR内的毛细管CAP)的光纤OF的部分。辐射可以被限制为横向模式的形式，沿着光纤轴线传播。

支撑部分通常是管状的，并且支撑包层部分的六个毛细管CAP。六个毛细管CAP在内支撑部分SP的内表面周围均匀分布。六个毛细管CAP可以被描述为以大致六边形的形成设置。

毛细管CAP被布置为使得每个毛细管不与任何其他毛细管CAP接触。毛细管CAP中的每个毛细管CAP与内支撑部分SP接触，并且与环形结构中的相邻毛细管CAP间隔开。这种布置可能是有益的，因为它可以增加光纤OF的传输带宽(例如相对于其中毛细管彼此接触的布置)。备选地，在一些实施例中，毛细管CAP中的每个毛细管CAP可以与环形结构中的相邻毛细管CAP接触。

包层部分的六个毛细管CAP以环形结构围绕中空芯部COR设置。毛细管CAP的环形结构的内表面至少部分地限定光纤OF的中空芯部HC。中空芯部HC的直径d(其可以被定义为相对毛细管之间的最小尺寸，如由箭头d指示的)可以在10与1000μm之间。中空芯部HC的直径d可能会影响中空芯部光纤OF的模场参数、撞击损失、色散、模态多样性和非线性性质。

在该实施例中，包层部分包括毛细管CAP(充当反谐振元件)的单环布置。因此，从中空芯部HC的中心到光纤OF的外部的任何径向方向上的线穿过不超过一个毛细管CAP。

要了解的是，其他实施例可以被提供有反谐振元件的不同布置。这些布置可以包括具有多个反谐振元件环的布置以及具有嵌套反谐振元件的布置。此外，尽管图15所示的实施例包括六个毛细管的环，但是在其他实施例中，包括任何数量的反谐振元件(例如4、5、6、7、8、9、10、11或12个毛细管)的一个或多个环可以被设置在包层部分中。

图17(b)示出了上面讨论的具有单环管状毛细管的HC-PCF的修改实施例。在图17(b)的示例中，存在管状毛细管21的两个同轴环。为了保持管状毛细管21的内环和外环，支撑管ST可以被包括在HC-PCF中。支撑管可以由二氧化硅制成。

图15和图17(a)和(b)的示例的管状毛细管可以具有圆形横截面形状。针对管状毛细管，其他形状也是可能的，如椭圆形或多边形横截面。附加地，图15和图17(a)和(b)的示例的管状毛细管的固体材料可以包括塑料材料，如PMA、玻璃(如二氧化硅)或软玻璃。

图16描绘了用于提供宽带输出辐射的辐射源RDS。辐射源RDS包括脉冲泵浦辐射源PRS或能够生成期望长度和能级的短脉冲的任何其他类型的源；具有中空芯部COR的光纤OF(例如图15所示的类型)；以及设置在中空芯部COR内的工作介质WM(例如气体)。尽管在图16中辐射源RDS包括图15所示的光纤OF，但在替代实施例中，其他类型的中空芯部光纤可以被使用。

脉冲泵浦辐射源PRS被配置为提供输入辐射IRD。光纤OF的中空芯部HC被布置为接收来自脉冲泵浦辐射源PRS的输入辐射IRD，并且将其展宽以提供输出辐射ORD。工作介质WM能够展宽接收到的输入辐射IRD的频率范围，从而提供宽带输出辐射ORD。

辐射源RDS还包括储存器RSV。光纤OF被设置在储存器RSV内。储存器RSV也可以被称为外壳、容器或气室。储存器RSV被配置为包含工作介质WM。储存器RSV可以包括本领域已知的一个或多个特征，用于控制、调节和/或监测储存器RSV内的工作介质WM(其可以是气体)的成分。储存器RSV可以包括第一透明窗口TW1。在使用中，光纤OF被设置在储存器RSV内，使得第一透明窗口TW1位于光纤OF的输入端IE附近。第一透明窗口TW1可以形成储存器RSV的壁的一部分。第一透明窗口TW1可以至少对于接收到的输入辐射频率是透明的，使得接收到的输入辐射IRD(或其至少大部分)可以被耦合到位于储存器RSV内的光纤OF中。要了解的是，光学器件(未示出)可以被提供，用于将输入辐射IRD耦合到光纤OF中。

储存器RSV包括第二透明窗口TW2，形成储存器RSV的壁的一部分。在使用中，当光纤OF被设置在储存器RSV内时，第二透明窗口TW2位于光纤OF的输出端OE附近。第二透明窗口TW2可以至少对于设备120的宽带输出辐射ORD的频率是透明的。

备选地，在另一实施例中，光纤OF的两个相对端可以被放置在不同储存器内。光纤OF可以包括被配置为接收输入辐射IRD的第一端部和用于输出宽带输出辐射ORD的第二端部。第一端部可以被放置在包括工作介质WM的第一储存器内。第二端截面可以被放置在第二储存器内，其中第二储存器还可以包括工作介质WM。储存器的运作可以如上面关于图16所描述的。第一储存器可以包括第一透明窗口，其被配置为对于输入辐射IRD是透明的。第二储存器可以包括被配置为对于宽带输出宽带辐射ORD透明的第二透明窗口。第一储存器和第二储存器还可以包括可密封的开口，以允许光纤OF被部分地放置在储存器内并且被部分地放置在储存器外，使得气体能够被密封在储存器内。光纤OF还可以包括未被包含在储存器内的中间区段。使用两个单独的气体储存器的这种布置对于其中光纤OF相对较长(例如当长度大于1m时)的实施例可能特别方便。要了解的是，针对使用两个单独的气体储存器的这种布置，两个储存器(其可以包括本领域已知的一个或多个特征，用于控制、调节和/或监测两个储存器内的气体的成分)可以被认为提供一种用于在光纤OF的中空芯部HC内提供工作介质WM的设备。

在这种情境中，如果窗口上的该频率的入射辐射的至少50％、75％、85％、90％、95％或99％被透射通过窗口，则窗口对于该频率可以是透明的。

第一TW1透明窗口和第二TW2透明窗口都可以在储存器RSV的壁内形成气封，使得工作介质WM(其可以是气体)可以被包含在储存器RSV内。要了解的是，气体WM可以在不同于储存器RSV的环境压力的压力下被包含在储存器RSV内。

工作介质WM可以包括：惰性气体，诸如氩气、氪气和氙气；拉曼活性气体，诸如氢气、氘气和氮气；或气体混合物，诸如氩气/氢气混合物、氙气/氘气混合物、氪气/氮气混合物或氮气/氢气混合物。取决于填充气体的类型，非线性光学过程能够包括调制不稳定性(MI)、孤子自压缩、孤子裂变、克尔效应、拉曼效应和色散波生成，其细节在WO2018/127266A1和US9160137B1中描述(两者均通过引用并入本文)。由于填充气体的色散能够通过改变储存器RSR中的工作介质WM压力(即，气室压力)来调整，因此所生成的宽带脉冲动力学和关联的光谱展宽性质能够被调整，以优化频率转换。

在一种实施方式中，工作介质WM可以至少在接收输入辐射IRD以产生宽带输出辐射ORD期间设置在中空芯部HC内。要了解的是，虽然光纤OF没有接收到输入辐射IRD以产生宽带输出辐射，但中空芯部COR中可以完全或部分地不存在气体WM。

为了实现频率展宽，高强度辐射可能是期望的。具有中空芯部光纤OF的优点在于它可以通过对传播通过光纤OF的辐射的强空间限制来实现高强度辐射，从而实现高局部化的辐射强度。光纤OF内的辐射强度可能很高，例如由于接收到的输入辐射强度高和/或由于光纤OF内的辐射的强空间限制。中空芯部光纤的优点在于它们能够引导波长范围比固体芯部光纤宽的辐射，特别是中空芯部光纤能够引导紫外和红外范围中的辐射。

使用中空芯部光纤OF的优点可以是在光纤OF内引导的大部分辐射被限制在中空芯部COR中。因此，光纤OF内的辐射的大部分相互作用是与工作介质WM发生的，工作介质WM被设置在光纤OF的中空芯部HC内。因此，工作介质WM对辐射的展宽效应可以被增加。

接收到的输入辐射IRD可以是电磁辐射。输入辐射IRD可以被接收为脉冲辐射。例如，输入辐射IRD可以包括例如由激光器生成的超快脉冲。

输入辐射IRD可以是相干辐射。输入辐射IRD可以是准直辐射，其优点可以是促进和提高将输入辐射IRD耦合到光纤OF中的效率。输入辐射IRD可以包括单个频率或窄范围的频率。输入辐射IRD可以由激光器生成。类似地，输出辐射ORD可以是准直的和/或可以是相干的。

输出辐射ORD的宽带范围可以是连续范围，包括连续范围的辐射频率。输出辐射ORD可以包括超连续谱辐射。连续辐射可能有益于在许多应用中使用，例如在量测应用中。例如，连续范围的频率可以被用于询问大量性质。连续范围的频率可以例如被用于确定和/或消除所测量性质的频率相关性。超连续谱输出辐射ORD可以包括例如波长范围为100nm至4000nm的电磁辐射。宽带输出辐射ORD频率范围可以是例如400nm至900nm、500nm至900nm或200nm至2000nm。超连续谱输出辐射ORD可以包括白光。

由脉冲泵浦辐射源PRS提供的输入辐射IRD可以是脉冲的。输入辐射IRD可以包括在200nm与2μm之间的一个或多个频率的电磁辐射。输入辐射IRD可以例如包括波长为1.03μm的电磁辐射。脉冲辐射IRD的重复率可以是1kHz到100MHz的数量级。脉冲能量可以具有0.1μJ到100μJ的数量级，例如1至10μJ。输入辐射IRD的脉冲持续时间可以在10fs与10ps之间，例如300fs。输入辐射IRD的平均功率可以在100mW到若干100W之间。输入辐射IRD的平均功率可以例如是20至50W。

脉冲泵浦辐射源PRS可以是激光器。这种沿光纤OF传输的激光脉冲的时空传输特征(例如其光谱振幅和相位)能够通过调整(泵浦)激光参数、工作部件WM变化和光纤OF参数来改变和调整。所述时空传输特征可以包括以下一项或多项：输出功率、输出模式轮廓、输出时间轮廓、输出时间轮廓的宽度(或输出脉冲宽度)、输出光谱轮廓和输出光谱轮廓的带宽(或输出光谱带宽)。所述脉冲泵浦辐射源PRS参数可以包括以下一项或多项：泵浦波长、泵浦脉冲能量、泵浦脉冲宽度、泵浦脉冲重复率。所述光纤OF参数可以包括以下一项或多项：光纤长度、中空芯部101的尺寸和形状、毛细管的尺寸和形状、围绕中空芯部的毛细管壁的厚度。所述工作部件WM(例如填充气体)参数可以包括以下一项或多项：气体类型、气体压力和气体温度。

由辐射源RDS提供的宽带输出辐射ORD可以具有至少1W的平均输出功率。平均输出功率可以是至少5W。平均输出功率可以是至少10W。宽带输出辐射ORD可以是脉冲宽带输出辐射ORD。宽带输出辐射ORD在输出辐射的整个波长带中可以具有至少0.1mW/nm的功率谱密度。宽带输出辐射的整个波长带中的功率谱密度可以至少为3mW/nm。

其他实施例在后续带编号的条项中公开：

1.一种安装式中空芯部光纤布置，包括：

中空芯部光纤，具有微结构；以及

包括多个安装触点的安装布置，所述安装触点被配置为向中空芯部光纤的外层施加力；

其中

中空芯部光纤的一部分位于安装布置的容置区域中；

多个安装触点被定位在容置区域周围；并且

安装触点被分布在容置区域周围，安装触点的分布对应于中空芯部光纤的微结构的特征的分布。

2.根据条项1的安装式中空芯部光纤布置，其中多个安装触点中的每个安装触点被配置为向中空芯部光纤的外层施加基本相等的力。

3.根据前述条项中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中多个安装触点的位置在容置区域周围是等间隔的。

4.根据前述条项中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中微结构的特征的分布包括对称性，并且其中多个安装触点的位置的对称性与微结构的对称性相对应。

5.根据前述条项中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中中空芯部光纤是中空芯部光子晶体光纤，包括围绕中空芯部具有多个毛细管的单环结构。

6.根据条项5的安装式中空芯部光纤布置，其中单环结构中的毛细管分布具有多种旋转对称性，并且其中安装触点的数量是旋转对称性的数量的整数倍，或者旋转对称性的数量是安装触点的数量的整数倍。

7.根据条项5至6中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中安装触点的数量等于围绕中空芯部的毛细管的数量。

8.根据前述条项中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中中空芯部光纤的安装在安装布置的容置区域内的部分是中空芯部光纤的端部。

9.根据前述条项中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中由安装触点施加的力是可调整的。

10.根据条项9的安装式中空芯部光纤布置，其中安装布置包括弹簧加载螺钉，被配置为调整由安装触点施加的力。

11.根据条项9的安装式中空芯部光纤布置，其中安装布置包括电气布置，被配置为通过施加电场来调整由安装触点施加的力。

12.根据条项11的安装式中空芯部光纤布置，其中电气布置包括在安装布置的第一侧的第一板和在安装布置的第二侧的第二板，其中容置区域位于第一侧与第二侧之间；

并且其中力被配置为通过调整在第一板与第二板之间施加的电场来调整。

13.根据条项9的安装式中空芯部光纤布置，其中安装布置包括磁性布置，被配置为通过施加磁场来调整由安装触点施加的力。

14.根据条项13的安装式中空芯部光纤布置，其中磁性布置包括在安装布置的第一侧的第一磁体和在安装布置的第二侧的第二磁体，其中容置区域位于第一侧与第二侧之间；

并且其中力被配置为通过调整在第一磁体与第二磁体之间施加的磁场来调整。

15.根据条项9至14中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中力被配置为被调整以针对预定的窄波长范围优化中空芯部光纤的性能。

16.根据条项15的安装式中空芯部光纤布置，其中预定的窄波长范围包括用于提供输入辐射以被耦合到中空芯部光纤中的源的波长。

17.根据条项15的安装式中空芯部光纤布置，其中预定波长范围包括中空芯部光纤的操作波长范围的至少一部分。

18.根据前述条项中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中中空芯部光纤被配置为在宽带波长范围内操作。

19.根据条项18的安装式中空芯部光纤布置，其中宽带波长范围包括从200nm到2000nm的波长。

20.根据条项18或19中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中宽带波长范围包括从400nm到1000nm的波长。

21.根据前述条项中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中安装布置包括具有形成容置区域的一部分的凹槽的基部以及被配置为覆盖基部的顶盖。

22.根据条项21的安装式中空芯部光纤布置，其中顶盖包括用于容置中空芯部光纤的凹槽，并且其中顶盖凹槽与基部凹槽对准以形成容置区域。

23.根据条项21或22中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中基部凹槽和顶盖被配置为当顶盖覆盖基部时形成多边形形式。

24.根据条项23的安装式中空芯部光纤布置，其中多边形形式的每侧都包括安装触点。

25.根据条项23至24中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中多边形形式是规则的多边形形式。

26.根据前述条项中任一项的安装式中空芯部光纤布置，还包括储存器，被配置为在储存器的内部与储存器的外部之间提供可重新密封的气封；

其中安装式中空芯部光纤位于储存器内；并且其中储存器被配置为包含控制的气体混合物。

27.根据前述条项中任一项的安装式中空芯部光纤布置，包括第二安装布置，其中中空芯部光纤的第二部分位于第二安装布置的容置区域内。

28.一种安装式中空芯部光纤布置，包括：

中空芯部光纤，具有微结构；以及

包括多个安装触点的安装布置，所述安装触点被配置为在多个接触点处向中空芯部光纤的外层施加力；

其中：

中空芯部光纤位于安装布置的容置区域中；

多个安装触点被均匀地定位在安装布置的容置区域周围；并且

多个安装触点被配置为在多个接触点中的每个接触点处向中空芯部光纤的外层施加基本相等的力。

29.根据条项28的安装式中空芯部光纤布置，其中中空芯部光纤是中空芯部光子晶体光纤，包括围绕中空芯部包括多个毛细管的单环。

30.一种用于提供输出辐射的辐射源设备，包括：

根据条项26至27中任一项的安装式中空芯部光纤布置，其中中空芯部光纤包括被配置为接收输入辐射的输入端部和被配置为提供输出辐射的输出端部；

其中中空芯部光纤的输出端部位于第一安装布置的容置区域内。

31.根据条项30的辐射源设备，其中输出辐射是宽带输出辐射，并且其中中空芯部光纤被配置为在输入端部处接收输入辐射，当辐射传播通过中空芯部光纤时展宽输入辐射的波长范围，并且在中空芯部光纤的输出端部处提供宽带输出辐射。

32.根据条项30至31中任一项的辐射源设备，其中中空芯部光纤的输入端部位于第二安装布置的容置区域中，所述容置区域被配置为容置中空芯部光纤的输入端部；

其中第二安装布置和输入端部位于储存器的内部内。

33.根据条项32的辐射源设备，其中第一安装布置被配置为向输出端部施加第一力，并且第二安装布置被配置为向输入端部施加第二力；

其中第一力被优化，以在输出辐射中包括的窄波长范围内减少应力引起的损失或模式加扰；并且

其中第二力被优化，以在输入波长内减少应力引起的损失或模式加扰。

34.一种将中空芯部光纤安装到安装布置中的方法，所述方法包括：

当从属于条项9时，提供条项9至27的中空芯部光纤和安装布置；

将中空芯部光纤的一部分安装到安装布置中；

将输入辐射提供到中空芯部光纤的端截面中；

测量由中空芯部光纤输出的辐射，以确定应力引起的损失或者模式加扰；

当测量由光纤输出的辐射时，调整由安装布置的多个安装触点施加的力，使得中空芯部光纤内的应力引起的损失或者模式加扰被减少。

35.一种量测布置，包括根据条项30至33中任一项的辐射源设备。

36.一种量测设备，包括根据条项35的量测布置。

37.一种检查设备，包括根据条项35的量测布置。

38.一种光刻设备，包括根据条项35的量测布置。

尽管具体引用“量测设备/工具/系统”或“检查设备/工具/系统”，但是这些术语可以指代相同或类似类型的工具、设备或系统。例如，包括本发明的实施例的检查或量测设备可以被用于确定衬底或晶片上的结构的特征。例如，包括本发明的实施例的检查设备或量测设备可以被用于检测衬底的缺陷或衬底或晶片上的结构的缺陷。在这种实施例中，衬底上的感兴趣结构的特征可能与结构中的缺陷、结构的具体部分的缺失或者衬底或晶片上的不想要的结构的存在相关。

尽管在本文中可以具体引用光刻设备在IC的制造中的使用，但是应所述理解的是，本文描述的光刻设备可以具有其他应用。可能的其他应用包括集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。

尽管在本文中可以在光刻设备的上下文中具体引用本发明的实施例，但是本发明的实施例可以被用于其他设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备或者测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)等物体的任何设备的一部分。这些设备通常可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

尽管上面可能已经在光学光刻的上下文中具体引用本发明的实施例的使用，但是要了解，在上下文允许的情况下，本发明不被限于光学光刻，并且可以被用于其他应用中，例如压印光刻。

尽管本发明的具体实施例已经在上面描述，但是要了解的是，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。以上描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离下面陈述的权利要求的范围的情况下，修改可以对所描述的本发明进行。

Claims

1.一种安装式中空芯部光纤布置，包括：

中空芯部光纤，具有微结构；以及

包括多个安装触点的安装布置，所述安装触点被配置为向所述中空芯部光纤的外层施加力；

其中

所述中空芯部光纤的一部分位于所述安装布置的容置区域中；

所述多个安装触点被定位在所述容置区域周围；并且

所述安装触点被分布在所述容置区域周围，所述安装触点的所述分布对应于所述中空芯部光纤的所述微结构的特征的分布。

2.根据权利要求1所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述多个安装触点中的每个安装触点被配置为向所述中空芯部光纤的所述外层施加基本相等的力。

3.根据前述权利要求中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述多个安装触点的所述位置在所述容置区域周围是等间隔的。

4.根据前述权利要求中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述微结构的特征的所述分布包括对称性，并且其中所述多个安装触点的所述位置的对称性与所述微结构的所述对称性相对应。

5.根据前述权利要求中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述中空芯部光纤是中空芯部光子晶体光纤，包括单环结构，所述单环结构围绕所述中空芯部具有多个毛细管。

6.根据权利要求5所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述单环结构中的所述毛细管分布具有多种旋转对称性，并且其中安装触点的数量是旋转对称性的数量的整数倍，或者旋转对称性的数量是安装触点的数量的整数倍。

7.根据权利要求5至6中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中安装触点的数量等于围绕所述中空芯部的毛细管的数量。

8.根据前述权利要求中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述中空芯部光纤的安装在所述安装布置的所述容置区域内的所述部分是所述中空芯部光纤的端部。

9.根据前述权利要求中任一项所述的安装式中空芯部光纤布置，其中由所述安装触点施加的所述力是可调整的。

10.根据权利要求9所述的安装式中空芯部光纤布置，其中以下至少一项：

所述安装布置包括弹簧加载螺钉，所述弹簧加载螺钉被配置为调整由所述安装触点施加的所述力，并且

所述安装布置包括电气布置，所述电气布置被配置为通过施加电场来调整由所述安装触点施加的所述力。

11.根据权利要求10所述的安装式中空芯部光纤布置，其中所述电气布置包括在所述安装布置的第一侧的第一板和在所述安装布置的第二侧的第二板，其中所述容置区域位于所述第一侧与所述第二侧之间；

并且其中所述力被配置为通过调整在所述第一板与所述第二板之间施加的电场来调整。

12.一种安装式中空芯部光纤布置，包括：

中空芯部光纤，具有微结构；以及

包括多个安装触点的安装布置，所述安装触点被配置为在多个接触点处向所述中空芯部光纤的外层施加力；

其中：

所述中空芯部光纤位于所述安装布置的容置区域中；

所述多个安装触点被均匀地定位在所述安装布置的所述容置区域周围；并且

所述多个安装触点被配置为在所述多个接触点中的每个接触点处向所述中空芯部光纤的所述外层施加基本相等的力。

13.一种用于提供输出辐射的辐射源设备，包括：

根据权利要求12的安装式中空芯部光纤布置，其中所述中空芯部光纤包括被配置为接收输入辐射的输入端部和被配置为提供输出辐射的输出端部；

其中所述中空芯部光纤的所述输出端部位于第一安装布置的所述容置区域内，并且

其中可选地，所述输出辐射是宽带输出辐射，并且其中所述中空芯部光纤被配置为在所述输入端部处接收输入辐射，当所述辐射传播通过所述中空芯部光纤时展宽所述输入辐射的所述波长范围，以及在所述中空芯部光纤的所述输出端部处提供宽带输出辐射。

14.一种将中空芯部光纤安装到安装布置中的方法，所述方法包括：

提供中空芯部光纤和安装布置，所述安装布置包括被配置为在容置区域中向所述中空芯部光纤的外层施加力的多个安装触点，

将所述中空芯部光纤的一部分安装到所述安装布置中；

将输入辐射提供到所述中空芯部光纤的端截面中；

测量由所述中空芯部光纤输出的辐射，以确定应力引起的损失或者模式加扰；

当测量由所述光纤输出的辐射时，调整由所述安装布置的所述多个安装触点施加的所述力，使得所述中空芯部光纤内的应力引起的损失或者模式加扰被减少。

15.一种量测布置或者量测设备，包括根据权利要求13的辐射源设备。