CN113991408A - 一种微型全固态低重频脉冲激光器 - Google Patents

一种微型全固态低重频脉冲激光器 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种微型全固态低重频脉冲激光器，该装置包括供电模块、激光二极管泵浦源、聚焦镜、滤光片、复合晶体、增透镜、镀膜硅片、光电二极管芯片、外壳及反馈控制电路。该激光二极管泵浦源、该聚焦镜、该滤光片、该复合晶体、该增透镜及该镀膜硅片依次排列，且各自的中心点在一条水平线上，故泵浦光可以依次经过该聚焦镜、该滤光片、该复合晶体、该增透镜及该镀膜硅片后，得到输出光，该反馈控制电路可控制供电模块的参数，而供电模块与该激光二极管泵浦源相连接，故激光二极管泵浦源发出的泵浦光的功率受控于该供电模块的参数，泵浦光的功率可影响输出脉冲能量，故本申请能够解决微型全固态低重频脉冲激光器输出脉冲能量不稳定的问题。

Description

一种微型全固态低重频脉冲激光器
技术领域
本申请涉及固体激光器领域，更具体地说，涉及一种微型全固态低重频脉冲激光器。
背景技术
由于微型全固态低重频脉冲激光器具有高稳定性、低成本、小体积、低功耗、宽温度使用范围等良好的性能，因此，微型全固态低重频脉冲激光器在车载激光雷达、光谱分析、无人机、地空导弹、单兵狙击作战等领域有着广阔的应用前景。
但，现有技术中，微型全固态低重频脉冲激光器由于外部主动控制，在低重频模式下工作，在主脉冲后面很容易产生一个峰值功率小得多的小脉冲，即次脉冲现象。由于不能主动控制腔内损耗，现有的微型全固态低重频脉冲激光器往往存在着此类问题，从而导致输出脉冲能量不稳定。
基于上述情况，亟需提供一种新的微型全固态低重频脉冲激光器，用于解决现有技术中，微型全固态低重频脉冲激光器输出脉冲能量不稳定的问题。
发明内容
有鉴于此，本申请提供了一种微型全固态低重频脉冲激光器，用于解决现有技术中，微型全固态低重频脉冲激光器输出脉冲能量不稳定的问题。
为了实现上述目的，现提出的方案如下：
一种微型全固态低重频脉冲激光器，包括供电模块(1)、激光二极管泵浦源(2)、聚焦镜(3)、滤光片(4)、复合晶体(5)、增透镜(6)、镀膜硅片(7)、光电二极管芯片(8)、外壳(9)及反馈控制电路(10)；
其中，所述供电模块(1)的一端与激光二极管泵浦源(2)的一端相连接；
所述供电模块(1)的另一端与所述反馈控制电路(10)的一端相连接；
所述反馈控制电路(10)的另一端与光电二极管芯片(8)的一端相连接；
所述激光二极管泵浦源(2)、所述聚焦镜(3)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)、所述镀膜硅片(7)及所述光电二极管芯片(8)在所述外壳(9)的内部区域；
所述聚焦镜(3)与所述外壳的内部为可拆卸连接；
所述激光二极管泵浦源(2)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)、所述镀膜硅片(7)及所述光电二极管芯片(8)与所述外壳(9)为固定连接；
所述激光二极管泵浦源(2)、所述聚焦镜(3)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)及所述镀膜硅片(7)在所述外壳(9)内部依次排列，且各自的中心点位于同一条水平线上；
所述增透镜(6)接收光的平面与所述水平线之间形成倾斜角，用于将在其表面产生的反射光发送至所述光电二极管芯片(8)；
所述镀膜硅片(7)紧贴所述外壳(9)内部的一端。
可选的，所述倾斜角的取值范围为30度-60度。
可选的，所述聚焦镜(3)在所述水平线方向上移动范围为0mm-3mm。
可选的，所述复合晶体(5)靠近所述滤光片(4)的一端镀有对所述激光二极管泵浦源(2)发出的泵浦光的增透膜，以及对所述复合晶体(5)产生的发射光的全反膜；
所述复合晶体(5)的另一端镀有对所述复合晶体(5)产生的发射光的半反膜。
可选的，所述镀膜硅片(7)靠近增透镜(6)一端镀有对所述复合晶体(5)产生的发射光的增透膜。
可选的，所述滤光片(4)靠近所述聚焦镜(3)的一端镀有对所述激光二极管泵浦源(2)发出的泵浦光的增透膜；
所述滤光片(4)的另一端镀有对所述复合晶体(5)产生的发射光的全反膜。
可选的，所述激光二极管泵浦源(2)通过焊接的方式固定在所述外壳(9)的内部。
可选的，所述聚焦镜(3)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)、所述镀膜硅片(7)及所述光电二极管芯片(8)底端表面金属化后，通过焊接的方式固定在所述外壳(9)的内部区域；
所述外壳(9)的顶盖采用焊接的方式进行密封。
可选的，所述镀膜硅片(7)由对1μm以下激光完全吸收的材料组成。
可选的，所述激光二极管泵浦源(2)为COS封装的激光二极管芯片。
从上述的技术方案可以看出，本申请实施例提供的微型全固态低重频脉冲激光器包括供电模块、激光二极管泵浦源、聚焦镜、滤光片、复合晶体、增透镜、镀膜硅片、光电二极管芯片、外壳及反馈控制电路。当供电模块给激光二极管泵浦源供电时，激光二极管泵浦源发出泵浦光，而所述激光二极管泵浦源、所述聚焦镜、所述滤光片、所述复合晶体、所述增透镜及所述镀膜硅片在所述外壳内部依次排列，且各自的中心点在一条水平线上，故该泵浦光可以依次经过所述聚焦镜、所述滤光片、所述复合晶体、所述增透镜及所述镀膜硅片后，得到输出光，故泵浦光的功率可影响输出脉冲能量。其中，经过所述增透镜时，可以产生发射光和折射光。其中，折射光可以在经过所述镀膜硅片后，作为输出光输出。而所述光电二极管芯片可以接收所述反射光，此时，电流经过所述光电二极管芯片，且光电二极管芯片与所述反馈控制电路相连接，因此，该电流流通所述反馈控制电路。由于光电二极管芯片本身的性质，该电流会随着反射光亮度的增加而减少，因此，经过反馈控制电路的电流会随着反射光亮度的增加而减少，而反馈控制电路与所述供电模块相连接，因此，所述反馈控制电路可以根据所述电流的大小，控制供电模块的参数，而供电模块与所述激光二极管泵浦源相连接，故所述激光二极管泵浦源发出的泵浦光的功率受控于所述供电模块的参数，由于泵浦光的功率可影响输出脉冲能量。基于此，本申请能够实现对所述微型全固态低重频脉冲激光器的输出脉冲能量进行控制，解决现有技术中，微型全固态低重频脉冲激光器输出脉冲能量不稳定的问题。
此外，所述聚焦镜与所述外壳的内部为可拆卸连接，即，可以根据需要，对所述聚焦镜进行移动，从而实现对所述微型全固态低重频脉冲激光器的输出的功率进行控制。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的微型全固态低重频脉冲激光器的一种结构示意图；
图2为本申请所提供的微型全固态低重频脉冲激光器的另一种结构示意图；
图3为本申请所提供的微型全固态低重频脉冲激光器的又一种结构示意图；
其中，图1至图3中的附图标记与部件名称之间的对应关系为：
供电模块1；激光二极管泵浦源2；聚焦镜3；滤光片4；复合晶体5；增透镜6；镀膜硅片7；光电二极管芯片8；外壳9；反馈控制电路10。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请提供的微型全固态低重频脉冲激光器，可以应用于车载激光雷达、光谱分析、无人机、地空导弹、单兵狙击作战等领域，本申请中的激光二极管泵浦源发出泵浦光，而所述激光二极管泵浦源、所述聚焦镜、所述滤光片、所述复合晶体、所述增透镜及所述镀膜硅片在所述外壳内部依次排列，且各自的中心点在一条水平线上，故该泵浦光可以依次经过所述聚焦镜、所述滤光片、所述复合晶体、所述增透镜及所述镀膜硅片后，得到输出光，故泵浦光的功率可影响输出脉冲能量。而本申请中的反馈控制电路可以通过供电模块间接控制本申请中的激光二极管泵浦源，从而实现对输出脉冲能量进行控制，解决微型全固态低重频脉冲激光器输出脉冲能量不稳定的问题。
接下来结合附图对本申请的微型全固态低重频脉冲激光器进行详细介绍。
如图1-图3所示，本申请的微型全固态低重频脉冲激光器的组成部件可以包括供电模块(1)、激光二极管泵浦源(2)、聚焦镜(3)、滤光片(4)、复合晶体(5)、增透镜(6)、镀膜硅片(7)、光电二极管芯片(8)、外壳(9)及反馈控制电路(10)。
其中，所述供电模块(1)的一端与激光二极管泵浦源(2)的一端相连接。
所述供电模块(1)的另一端与所述反馈控制电路(10)的一端相连接。
所述反馈控制电路(10)的另一端与光电二极管芯片(8)的一端相连接。
所述激光二极管泵浦源(2)、所述聚焦镜(3)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)、所述镀膜硅片(7)及所述光电二极管芯片(8)在所述外壳(9)的内部区域。
所述聚焦镜(3)与所述外壳的内部为可拆卸连接。
所述激光二极管泵浦源(2)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)、所述镀膜硅片(7)及所述光电二极管芯片(8)与所述外壳(9)为固定连接。
所述激光二极管泵浦源(2)、所述聚焦镜(3)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)及所述镀膜硅片(7)在所述外壳(9)内部依次排列，且各自的中心点位于同一条水平线上。
所述增透镜(6)接收光的平面与所述水平线之间形成倾斜角，用于将在其表面产生的反射光发送至所述光电二极管芯片(8)。
所述镀膜硅片(7)紧贴所述外壳(9)内部的一端。
从上述的技术方案可以看出，本申请实施例提供的微型全固态低重频脉冲激光器包括供电模块、激光二极管泵浦源、聚焦镜、滤光片、复合晶体、增透镜、镀膜硅片、光电二极管芯片、外壳及反馈控制电路。当供电模块给激光二极管泵浦源供电时，激光二极管泵浦源发出泵浦光，而所述激光二极管泵浦源、所述聚焦镜、所述滤光片、所述复合晶体、所述增透镜及所述镀膜硅片在所述外壳内部依次排列，且各自的中心点在一条水平线上，故该泵浦光可以依次经过所述聚焦镜、所述滤光片、所述复合晶体、所述增透镜及所述镀膜硅片后，得到输出光，故泵浦光的功率可影响输出脉冲能量。其中，经过所述增透镜时，可以产生发射光和折射光。其中，折射光可以在经过所述镀膜硅片后，作为输出光输出。而所述光电二极管芯片可以接收所述反射光，此时，电流经过所述光电二极管芯片，且光电二极管芯片与所述反馈控制电路相连接，因此，该电流流通所述反馈控制电路。由于光电二极管芯片本身的性质，该电流会随着反射光亮度的增加而减少，因此，经过反馈控制电路的电流会随着反射光亮度的增加而减少，而反馈控制电路与所述供电模块相连接，因此，所述反馈控制电路可以根据所述电流的大小，控制供电模块的参数，而供电模块与所述激光二极管泵浦源相连接，故所述激光二极管泵浦源发出的泵浦光的功率受控于所述供电模块的参数，由于泵浦光的功率可影响输出脉冲能量。基于此，本申请能够实现对所述微型全固态低重频脉冲激光器的输出脉冲能量进行控制，解决现有技术中，微型全固态低重频脉冲激光器输出脉冲能量不稳定的问题。
此外，所述聚焦镜与所述外壳的内部为可拆卸连接，即，可以根据需要，对所述聚焦镜进行移动，从而实现对所述微型全固态低重频脉冲激光器的输出的功率进行控制。
在本申请的一些实施例中，所述激光二极管泵浦源(2)为COS封装的激光二极管芯片。
在本申请的一些实施例中，考虑到仅需将部分由所述复合晶体(5)产生的发射光发送至所述光电二极管芯片(8)中，另一部分的发射光需要经过所述增透镜(6)及所述镀膜硅片(7)，作为输出脉冲。故，所述倾斜角需要在一定的范围内，以便能够实现该效果。
具体地，所述倾斜角的取值范围为30度-60度。
其中，为了让所述光电二极管芯片(8)可以更好地接收所述发射光，所述光电二极管芯片(8)也可以根据所述倾斜角的取值进行放置，即所述光电二极管芯片(8)接收所述发射光的平面与水平线之间形成一定的倾斜角度。
由上述的技术方案可以看出，相比于上一个实施例，本实施例通过将所述倾斜角的取值范围确定为30度-60度，可以更好地让光电二极管芯片(8)接收所述发射光，从而更好地将发射光的亮度信息传输至所述反馈控制电路(10)中，当接收到该信息时，反馈控制电路(10)可以控制所述供电模块(1)停止给所述激光二极管泵浦源(2)供电，从而更好地实现对所述微型全固态低重频脉冲激光器的输出脉冲能量的稳定性进行控制。
在本申请的一些实施例中，所述聚焦镜(3)在所述水平线方向上移动范围为0mm-3mm。
具体地，可以在所述外壳(9)的内部区域中设置卡槽，将所述聚焦镜(3)在所述水平线方向上移动范围限制为0mm-3mm。
用户可以根据对输出脉冲单脉冲能量的需求，对所述聚焦镜(3)进行移动。其中，实验表明，在本申请的一些实施例中，微型全固态低重频脉冲激光器的输出脉冲能量的调节范围为50uJ-300uJ。
由上述的技术方案可以看出，相比于上一个实施例，本实施例通过将所述聚焦镜(3)在所述水平线方向上的移动范围确定为0mm-3mm，可以实现对微型全固态低重频脉冲激光器的输出脉冲的单脉冲能量进行调控，调控范围为50uJ-300uJ。
在本申请的一些实施例中，考虑到所述复合晶体(5)需要在激光二极管泵浦源(2)的泵浦光的激发下，才能够产生发射光，从而获得输出脉冲。且所述发射光在所述复合晶体(5)的内部发生反射。故为了更好地产生发射光，可以使用对所述激光二极管泵浦源(2)发出的泵浦光的增透膜，及对所述复合晶体(5)产生的发射光的半反膜。进一步地，考虑到所述复合晶体(5)内部发生反射时，可能会反向输出的发射光，但所述复合晶体(5)在高脉冲能量输出模式下，反向输出的发射光易对所述激光二极管泵浦源(2)造成破坏。
因此，在本申请的一些实施例中，所述复合晶体(5)靠近所述滤光片(4)的一端镀有对所述激光二极管泵浦源(2)发出的泵浦光的增透膜，以及对所述复合晶体(5)产生的发射光的全反膜，且所述复合晶体(5)的另一端镀有对所述复合晶体(5)产生的发射光的半反膜。
需要说明的是，本申请中的所述复合晶体(5)靠近所述滤光片(4)的一端可以镀有两层膜，也可以镀有一层膜。
当镀有两层膜时，其中一层膜可以为对所述激光二极管泵浦源(2)发出的泵浦光的增透膜，另一层膜可以为对所述复合晶体(5)产生的发射光的全反膜。
当仅镀有一层膜时，该层膜不仅能对所述激光二极管泵浦源(2)发出的泵浦光进行增透，也可以对所述复合晶体(5)产生的发射光进行反射。
由上述的技术方案可以看出，相比于上一个实施例，本实施例通过对所述复合晶体(5)的两端镀膜，镀有增透膜能够实现更好地产生发射光，镀有全反膜能够减轻所述复合晶体(5)在高脉冲能量输出模式下，反向输出的发射光对所述激光二极管泵浦源(2)造成的破坏。
在本申请的一些实施例中，考虑到所述激光二极管泵浦源(2)产生的泵浦光要经过所述滤光片(4)才能到达所述复合晶体(5)，产生发射光，从而得到输出脉冲。进一步地，考虑到所述复合晶体(5)内部发生反射时，可能会反向输出的发射光，该发射光经过所述滤光片(4)，对所述激光二极管泵浦源(2)造成破坏。
因此，可以在所述滤光片(4)靠近所述聚焦镜(3)的一端镀有对所述激光二极管泵浦源(2)发出的泵浦光的增透膜，且所述滤光片(4)的另一端镀有对所述复合晶体(5)产生的发射光的全反膜。
由上述的技术方案可以看出，相比于上一个实施例，本实施例通过对所述滤光片(4)的两端镀膜，镀有增透膜能够实现更好地将所述激光二极管泵浦源(2)产生的泵浦光传输至所述复合晶体(5)中，从而能够更好地利用泵浦光产生发射光，提高输出脉冲的能量。其次，镀有全反膜能够实现减轻所述复合晶体(5)在高脉冲能量输出模式下，反向输出的发射光对所述激光二极管泵浦源(2)造成的破坏。
在本申请的一些实施例中，考虑到由所述复合晶体(5)产生的发射光，经过所述镀膜硅片(7)后，作为输出脉冲输出，为了更好地将所述发射光输出，可以使用增透膜。
具体地，可以在所述镀膜硅片(7)靠近增透镜(6)一端镀有对所述复合晶体(5)产生的发射光的增透膜。
由上述的技术方案可以看出，相比于上一个实施例，本实施例通过对所述镀膜硅片(7)进行镀膜，能够实现更好地将经过所述镀膜硅片(7)的发射光作为输出脉冲输出。
在本申请的一些实施例中，所述激光二极管泵浦源(2)可以通过焊接的方式固定在所述外壳(9)的内部，所述外壳(9)的顶盖采用焊接的方式进行密封。
由上述的技术方案可以看出，相比于上一个实施例，本实施例增加了将所述激光二极管泵浦源(2)通过焊接的方式固定在所述外壳(9)的内部，及采用焊接的方式对所述外壳(9)的顶盖进行密封的过程，能够实现更好地固定所述激光二极管泵浦源(2)且密封所述外壳(9)的顶盖。
在本申请的一些实施例中，考虑到将部件金属化后焊接的方式能够更好地对部件进行固定。
因此，可以将所述聚焦镜(3)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)、所述镀膜硅片(7)及所述光电二极管芯片(8)底端表面金属化后，通过焊接的方式固定在所述外壳(9)的内部区域。
由上述的技术方案可以看出，相比于上一个实施例，本实施例增加了将所述聚焦镜(3)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)、所述镀膜硅片(7)及所述光电二极管芯片(8)的底端表面金属化后，焊接固定在所述外壳(9)内部区域的过程。可见，本申请能够更好地将所述聚焦镜(3)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)、所述镀膜硅片(7)及所述光电二极管芯片(8)固定于所述外壳(9)的内部区域。
在本申请的一些实施例中，所述镀膜硅片(7)由对1μm以下激光完全吸收的材料组成，如此，能够将输出脉冲中的一些杂质激光进行吸收，从而获得更好的输出脉冲。其次，也可以吸收残留在所述内部区域中的所述泵浦光以及所述发射光，以免其作为输出脉冲输出。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、装置、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、装置、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、装置、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。本申请的各个实施例之间可以相互结合。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种微型全固态低重频脉冲激光器，其特征在于，包括供电模块(1)、激光二极管泵浦源(2)、聚焦镜(3)、滤光片(4)、复合晶体(5)、增透镜(6)、镀膜硅片(7)、光电二极管芯片(8)、外壳(9)及反馈控制电路(10)；
其中，所述供电模块(1)的一端与激光二极管泵浦源(2)的一端相连接；
所述供电模块(1)的另一端与所述反馈控制电路(10)的一端相连接；
所述反馈控制电路(10)的另一端与光电二极管芯片(8)的一端相连接；
所述激光二极管泵浦源(2)、所述聚焦镜(3)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)、所述镀膜硅片(7)及所述光电二极管芯片(8)在所述外壳(9)的内部区域；
所述聚焦镜(3)与所述外壳的内部为可拆卸连接；
所述激光二极管泵浦源(2)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)、所述镀膜硅片(7)及所述光电二极管芯片(8)与所述外壳(9)为固定连接；
所述激光二极管泵浦源(2)、所述聚焦镜(3)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)及所述镀膜硅片(7)在所述外壳(9)内部依次排列，且各自的中心点位于同一条水平线上；
所述增透镜(6)接收光的平面与所述水平线之间形成倾斜角，用于将在其表面产生的反射光发送至所述光电二极管芯片(8)；
所述镀膜硅片(7)紧贴所述外壳(9)内部的一端。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述倾斜角的取值范围为30度-60度。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述聚焦镜(3)在所述水平线方向上移动范围为0mm-3mm。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述复合晶体(5)靠近所述滤光片(4)的一端镀有对所述激光二极管泵浦源(2)发出的泵浦光的增透膜，以及对所述复合晶体(5)产生的发射光的全反膜；
所述复合晶体(5)的另一端镀有对所述复合晶体(5)产生的发射光的半反膜。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述镀膜硅片(7)靠近增透镜(6)一端镀有对所述复合晶体(5)产生的发射光的增透膜。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述滤光片(4)靠近所述聚焦镜(3)的一端镀有对所述激光二极管泵浦源(2)发出的泵浦光的增透膜；
所述滤光片(4)的另一端镀有对所述复合晶体(5)产生的发射光的全反膜。
7.根据权利要求1-6任一项所述的装置，其特征在于，所述激光二极管泵浦源(2)通过焊接的方式固定在所述外壳(9)的内部；
所述外壳(9)的顶盖采用焊接的方式进行密封。
8.根据权利要求1-6任一项所述的装置，其特征在于，所述聚焦镜(3)、所述滤光片(4)、所述复合晶体(5)、所述增透镜(6)、所述镀膜硅片(7)及所述光电二极管芯片(8)底端表面金属化后，通过焊接的方式固定在所述外壳(9)的内部区域。
9.根据权利要求1-6任一项所述的装置，其特征在于，所述镀膜硅片(7)由对1μm以下激光完全吸收的材料组成。
10.根据权利要求1-6任一项所述的装置，其特征在于，所述激光二极管泵浦源(2)为COS封装的激光二极管芯片。
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