CN113990961A - 一种太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113990961A
CN113990961A CN202111256035.8A CN202111256035A CN113990961A CN 113990961 A CN113990961 A CN 113990961A CN 202111256035 A CN202111256035 A CN 202111256035A CN 113990961 A CN113990961 A CN 113990961A
Authority
CN
China
Prior art keywords
back surface
emitter
layer
surface field
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111256035.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113990961B (zh
Inventor
邓明璋
徐文州
何宇
陈浩
周凡
吴伟梁
孟夏杰
周鹏宇
姚骞
邢国强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tongwei Solar Chengdu Co Ltd
Original Assignee
Tongwei Solar Meishan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tongwei Solar Meishan Co Ltd filed Critical Tongwei Solar Meishan Co Ltd
Priority to CN202111256035.8A priority Critical patent/CN113990961B/zh
Publication of CN113990961A publication Critical patent/CN113990961A/zh
Priority to AU2022377798A priority patent/AU2022377798A1/en
Priority to US18/553,369 priority patent/US20240186439A1/en
Priority to EP22885093.9A priority patent/EP4254513A4/en
Priority to PCT/CN2022/096065 priority patent/WO2023071183A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113990961B publication Critical patent/CN113990961B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H01L31/022458—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for emitter wrap-through [EWT] type solar cells, e.g. interdigitated emitter-base back-contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
    • H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H01L31/077—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells the devices comprising monocrystalline or polycrystalline materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

本申请提供一种太阳能电池及其制备方法，属于光伏技术领域。太阳能电池，其基底的背面具有交替分布的发射极区域和背表面场区域。发射极区域形成有发射极，发射极的材质为掺硼单晶硅。背表面场区域形成有背表面场；背表面场包括层叠分布的隧穿氧化层和多晶硅层，多晶硅层的材质为掺磷多晶硅，隧穿氧化层位于多晶硅层和多晶硅层之间。太阳能电池的正电极与发射极电性连接，太阳能电池的负电极于背表面场电性连接。太阳能电池的制备方法用于实现上述结构的太阳能电池的制备。该太阳能电池能够增大正面的受光面积并降低电子空穴对的复合速率，从而能够有效提高太阳能电池的光电转换效率。

Description

一种太阳能电池及其制备方法
技术领域
本申请涉及光伏技术领域，具体而言，涉及一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
太阳能电池的正面受光面积是影响其光电转换效率的重要因素，然而，常规的太阳能电池的正面存在栅线结构的遮挡，其会导致电流损失，从而会导致光电转换效率降低。
另外，对于晶硅太阳能电池来说，电池内部电子空穴对的复合决定了太阳能电池的光电转换效率，然而，常规扩散形成的扩散层存在电子空穴对复合速率大等问题，一直是制约太阳能电池效率的重要因素之一。
发明内容
本申请的目的在于提供一种太阳能电池及其制备方法，能够增大正面的受光面积并降低电子空穴对的复合速率，从而能够有效提高太阳能电池的光电转换效率。
本申请的实施例是这样实现的：
第一方面，本申请实施例提供一种太阳能电池，其基底的背面具有交替分布的发射极区域和背表面场区域。
发射极区域形成有发射极，发射极的材质为掺硼单晶硅。
背表面场区域形成有背表面场；背表面场包括层叠分布的隧穿氧化层和多晶硅层，多晶硅层的材质为掺磷多晶硅，隧穿氧化层位于多晶硅层和多晶硅层之间。
太阳能电池的正电极与发射极电性连接，太阳能电池的负电极于背表面场电性连接。
上述技术方案中，将连接正电极的发射极设置于基底的背面，使得基底的正面无正电极及对应的栅线结构，能够增大正面的受光面积、减小基底的正面因遮光而导致的电流损失，从而可以提高太阳电池的光电转换效率。
在基底的背面设置隧穿氧化层和材质为掺磷多晶硅的多晶硅层作为背表面场，隧穿氧化层的隧穿效应可以让电子通过而空穴无法通过，掺磷多晶硅形成钝化接触，从而能够降低电子空穴对的复合速率。
在一些可选的实施方案中，发射极区域和背表面场区域沿第一预设方向并排分布。
在第一预设方向上，每个背表面场区域的尺寸为100～300μm，相邻两个背表面场区域的间距为600～1500μm。
上述技术方案中，发射极区域和背表面场区域具有合适的尺寸和间距，使得太阳能电池具有合适的栅线密度，方便在制备过程中的印刷作业；在保证金属接触的同时，还能够有效实现降低发射极的复合、提升电池的开路电压、提升电池的光电转换效率的目的。
在一些可选的实施方案中，在第一预设方向上，正电极的尺寸为50～200μm，负电极的尺寸为40～100μm。
进一步地，正电极与开设于发射极的发射极接触孔内壁电性连接，负电极与开设于背表面场的背表面场接触孔内壁电性连接；发射极接触孔和背表面场接触孔的直径均为25～50μm。
进一步地，在第一预设方向上，每个发射极上相邻两个发射极接触孔的中心间距为20～80μm，每个背表面上相邻两个背表面场接触孔的中心间距为20～80μm。
进一步地，每个发射极区域和背表面场区域均沿第二预设方向延伸，第二预设方向与第一预设方向垂直；在第二预设方向上，每个发射极上相邻两个发射极接触孔的中心间距为50～100μm，每个背表面上相邻两个背表面场接触孔的中心间距为20～80μm。
上述技术方案中，电极及接触孔具有合适的规格和间距，与发射极及背表面场有较好的匹配性，且能够有效控制太阳能电池的金属化面积，同时方便在制备过程中的印刷作业。
在一些可选的实施方案中，隧穿氧化层为二氧化硅薄膜，且厚度为1～5nm；可选地，隧穿氧化层的厚度为1～3nm。
和/或，多晶硅层的厚度为100～500nm。
在一些可选的实施方案中，太阳能电池还包括氮化硅减反层、氧化铝钝化层以及氮化硅钝化层。
氮化硅减反层形成于基底的正面的减反绒面的表面。
氧化铝钝化层形成于发射极和背表面场的表面。
氮化硅钝化层形成于氧化铝钝化层的表面。
正电极贯穿氮化硅钝化层和氧化铝钝化层后与发射极电性连接，负电极贯穿氮化硅钝化层和氧化铝钝化层后与发射极电性连接。
进一步地，氮化硅减反层的厚度为80～120nm。
进一步地，氧化铝钝化层的厚度为3～20nm。
进一步地，氮化硅钝化层的厚度为75～150nm。
上述技术方案中，太阳能电池具有合适的结构层，且各结构层具有合适的厚度，有利于保证太阳能电池的光电转换效率。
在一些可选的实施方案中，太阳能电池还包括间隔分布的正极汇流条和负极汇流条。
正极汇流条与每个正电极均电性连接，负极汇流条与每个负电极均电性连接；正极汇流条与负电极之间以及负极汇流条与正电极之间均间隔有绝缘胶。
上述技术方案中，通过汇流条能够方便地进行多个电极的汇流；绝缘胶的设置有效避免正负极短路，且制备方便。
第二方面，本申请实施例提供一种太阳能电池的制备方法，包括：
对基底进行硼扩散，在基底的表面形成硼扩散层及位于硼扩散层表面的硼硅玻璃。
将基底的第一表面作为基底的背面，在基底的背面的硼硅玻璃的局部区域依次进行激光开槽以及硼扩散层刻蚀，形成背表面场区域；未开槽和刻蚀的区域为发射极区域，发射极区域和背表面场区域被配置为在基底的背面交替分布。
在基底的背面生长隧穿氧化层然后沉积本征非晶硅层。
对基底进行磷扩散，以使本征非晶硅层形成材质为掺磷多晶硅的多晶硅层，并在多晶硅层表面生成磷硅玻璃。
在背表面场区域对应的磷硅玻璃表面印刷耐腐蚀浆料，并烘干耐腐蚀浆料；耐腐蚀浆料溶于碱且不溶于酸。
用酸去除发射极区域对应的磷硅玻璃。
用碱去除耐腐蚀浆料以及与发射极区域对应的多晶硅层和隧穿氧化层。
用酸去除基底的背面剩余的磷硅玻璃和硼硅玻璃。
发射极区域剩余材质的硼扩散层作为发射极。背表面场区域剩余的隧穿氧化层和多晶硅层作为背表面场。
将正电极与发射极电性连接并将负电极与背表面场电性连接。
上述技术方案中，通过扩散形成硼硅玻璃(BSG)和磷硅玻璃(PSG)作为掩膜，同时通过局部激光开槽刻蚀和印刷浆料，能够形成如第一方面实施例提供的太阳能电池的结构，能够增大正面的受光面积并降低电子空穴对的复合速率，从而能够有效提高太阳能电池的光电转换效率。
在一些可选的实施方案中，用碱去除耐腐蚀浆料以及与发射极区域对应的多晶硅层和隧穿氧化层的步骤包括：
先用第一碱液去除耐腐蚀浆料，然后用第二碱液去除发射极区域对应的多晶硅层和隧穿氧化层。
其中，第一碱液的碱性小于第二碱液的碱性。
上述技术方案中，将耐腐蚀浆料的去除步骤同多晶硅层和隧穿氧化层的去除分步骤进行，便于分槽体处理，能有效改善槽体交叉污染的情况。
采用碱性相对较大的第二碱液，有利于更充分地去除发射极区域对应的多晶硅层和隧穿氧化层。
在一些可选的实施方案中，将正电极与发射极电性连接并将负电极与背表面场电性连接的步骤包括：
在发射极开设发射极接触孔，在与发射极接触孔对应的区域印刷正电极。
在背表面场开设背表面场接触孔，在与表面场接触孔对应的区域印刷负电极。
上述技术方案中，通过开孔后印刷金属浆料的方式形成电极，有利于减小金属化的面积，从而能够减少电池背面的金属复合、提高光电转换效率。
在一些可选的实施方案中，将基底的第二表面作为基底的正面，在基底的表面形成减反绒面的步骤包括：
在用碱去除耐腐蚀浆料以及与发射极区域对应的多晶硅层和隧穿氧化层的步骤之后，在用酸去除基底的背面剩余的磷硅玻璃和硼硅玻璃的步骤之前，用酸去除基底的正面的磷硅玻璃和硼硅玻璃，然后对基底的正面进行制绒处理形成减反绒面。
上述技术方案中，制绒步骤在N型区域和P型区域制备完成后进行，能够有效降低前序工艺对减反绒面的损伤。同时，制绒步骤在去除基底的背面剩余的磷硅玻璃和硼硅玻璃的步骤之前进行，利用基底的背面剩余的磷硅玻璃和硼硅玻璃作为掩模，有效防止制绒步骤对N型区域和P型区域的损伤。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的第一种太阳能电池的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的太阳能电池的背面的分区及开槽结构示意图；
图3为本申请实施例提供的太阳能电池的电极的连接示意图；
图4为本申请实施例提供的第二种太阳能电池的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的太阳能电池的制备方法中激光开槽的示意图。
图标：100-太阳能电池；101-基底；110-发射极区域；111-发射极；120-背表面场区域；121-背表面场；122-隧穿氧化层；123-多晶硅层；131-正电极；132-发射极接触孔；133-正极汇流条；141-负电极；142-背表面场接触孔；143-负极汇流条；150-减反绒面；160-氮化硅减反层；170-氧化铝钝化层；180-氮化硅钝化层；190-前表面场；200-光斑；300-激光开槽区域；a-第一预设方向；b-第二预设方向；c-第三预设方向。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“正面”、“背面”、“中心”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外，术语“垂直”、“平行”等术语并不表示要求部件绝对垂直或平行，而是可以稍微倾斜。
在本申请的实施例中，未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
另外，需要说明的是，本申请中的“和/或”，如“特征1和/或特征2”，均是指可以单独地为“特征1”、单独地为“特征2”、“特征1”加“特征2”，该三种情况。
下面对本申请实施例的结构及方法进行具体说明。
请参阅图1，第一方面，本申请实施例提供一种太阳能电池100，其基底101的背面具有交替分布的发射极区域110和背表面场区域120。
为了便于对本申请的技术方案进行更清楚地阐述，作出如下定义：
请参阅图1和图2，发射极区域110和背表面场区域120交替并排分布的方向为第一预设方向a，每个发射极区域110和背表面场区域120的延伸方向为第二预设方向b；该第一预设方向a和第二预设方向b相互垂直，且二者均与基底101的表面平行。太阳能电池100的厚度方向为第三预设方向c，该第三预设方向c与基底101的表面垂直。
发射极区域110形成有发射极111，发射极111的材质为掺硼单晶硅。背表面场区域120形成有背表面场121；背表面场121包括层叠分布的隧穿氧化层122和多晶硅层123，多晶硅层123的材质为掺磷多晶硅，隧穿氧化层122位于多晶硅层123和多晶硅层123之间。太阳能电池100的正电极131与发射极111电性连接，太阳能电池100的负电极141于背表面场121电性连接。
本申请提供的太阳能电池100，将连接正电极131的发射极111设置于基底101的背面，使得基底101的正面无正电极131及对应的栅线结构，能够增大正面的受光面积、减小基底101的正面因遮光而导致的电流损失，从而可以提高太阳电池的光电转换效率。在基底101的背面设置隧穿氧化层122和材质为掺磷多晶硅的多晶硅层123作为背表面场121，隧穿氧化层122的隧穿效应可以让电子通过而空穴无法通过，掺磷多晶硅形成钝化接触，从而能够降低电子空穴对的复合速率。
在一些示例性的实施方案中，在第一预设方向a上，每个背表面场区域120的尺寸为100～300μm，例如但不限于为100μm、150μm、200μm、250μm和300μm中的任意一者或者任意两者之间的范围，使得背表面场区域120具有合适的尺寸，并使得相邻的两个发射极区域110之间具有合适的间距。
进一步地，相邻两个背表面场区域120的间距为600～1500μm，例如但不限于600μm、700μm、800μm、900μm、1000μm、1100μm、1200μm、1300μm、1400μm和1500μm中的任意一者或者任意两者之间的范围，使得发射极区域110具有合适的尺寸，并使得相邻的两个背表面场区域120之间具有合适的间距。
上述的设置方式，通过合理地配置发射极区域110和背表面场区域120的尺寸和间距使得太阳能电池100具有合适的栅线密度，方便在制备过程中的印刷作业；在保证金属接触的同时，还能够有效实现降低发射极111的复合、提升电池的开路电压、提升电池的光电转换效率的目的。
可选地，在第一预设方向a上，正电极131的尺寸为50～200μm，例如但不限于为50μm、80μm、100μm、120μm、150μm、180μm和200μm中的任意一者或者任意两者之间的范围，与发射极111有较好的匹配性。在第一预设方向a上，负电极141的尺寸为40～100μm，例如但不限于为40μm、60μm、80μm和100μm中的任意一者或者任意两者之间的范围，与背表面场121有较好的匹配性。
可以理解的是，在本申请提供的太阳能电池100中，正电极131和负电极141可以按照常规的方式分别同发射极111及背表面场121进行电性连接，例如通过将正电极131和负电极141分别印刷在发射极111及背表面场121。
作为一种示例，发射极111开设有发射极接触孔132，正电极131与开设于发射极111的发射极接触孔132内壁电性连接。背表面场121开设有背表面场接触孔142，负电极141与开设于背表面场121的背表面场接触孔142内壁电性连接。本申请中，由于发射极111和背表面场121相互交错设置，使得发射极接触孔132和背表面场接触孔142相互交错设置，其不仅能够更有效地收集电流，还能够使工艺人员在丝网印刷对准的时候较快速识别正负极位置。
可选地，发射极接触孔132和背表面场接触孔142的直径均为25～50μm，例如但不限于为25μm、30μm、35μm、40μm、45μm和50μm中的任意一者或者任意两者之间的范围，方便印刷形成电极时得到的电极能够与接触孔保持较好的电性连接关系。
考虑到合适的接触孔密度能够使得电极具有合适的分布密度，其能够方便在制备过程中的印刷作业，也能够有效地控制栅线密度及金属化面积。
示例性地，在每个发射极区域110，发射极接触孔132设置为至少一列，例如为1～5列。其中，每列发射极接触孔132中的多个发射极接触孔132沿第二预设方向b间隔分布，多列发射极接触孔132沿第一预设方向a间隔分布。在每个背表面场区域120，背表面场接触孔142设置为至少一列，例如为1～8列。其中，每列背表面场接触孔142中的多个背表面场接触孔142沿第二预设方向b间隔分布，多列背表面场接触孔142沿第一预设方向a间隔分布。
可选地，在第一预设方向a上，每个发射极111上相邻两个发射极接触孔132的中心间距为20～80μm，每个背表面上相邻两个背表面场接触孔142的中心间距为20～80μm，例如但不限于20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm和80μm中的任意一者或者任意两者之间的范围。
进一步地，在第二预设方向b上，每个发射极111上相邻两个发射极接触孔132的中心间距为50～100μm，例如但不限于为50μm、60μm、70μm、80μm、90μm和100μm中的任意一者或者任意两者之间的范围。每个背表面上相邻两个背表面场接触孔142的中心间距为20～80μm，例如但不限于20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm和80μm中的任意一者或者任意两者之间的范围。
考虑到发射极111和背表面场121均设置有多个电极，采用汇流的方式方便将多个电极进行连接。
请参阅图3，作为示例，太阳能电池100还包括间隔分布的正极汇流条133和负极汇流条143。正极汇流条133与每个正电极131均电性连接，负极汇流条143与每个负电极141均电性连接；正极汇流条133与负电极141之间以及负极汇流条143与正电极131之间均间隔有绝缘胶(图未示)，该绝缘胶例如印刷在相应的汇流条和电极之间，其能有效避免正负极短路，且制备方便。
进一步地，正电极131和负电极141均沿第三预设方向c延伸，正极汇流条133和负极汇流条143正极汇流条133的延伸方向垂直于正电极131的延伸方向，负极汇流条143的延伸方向垂直于负电极141的延伸方向，保证汇流条能够更方便地同多个电极进行连接。
可以理解的是，在本申请提供的太阳能电池100中，可以根据本领域公知的方式，再增加其他的功能层。另外，关于各功能层的材质和厚度等要求，可以根据设计需要或者本领域公知的标准进行设置。
在一些示例性的实施方案中，太阳能电池100还包括氮化硅减反层160、氧化铝钝化层170以及氮化硅钝化层180。氮化硅减反层160形成于基底101的正面的减反绒面150的表面。氧化铝钝化层170形成于发射极111和背表面场121的表面。氮化硅钝化层180形成于氧化铝钝化层170的表面。正电极131贯穿氮化硅钝化层180和氧化铝钝化层170后与发射极111电性连接，负电极141贯穿氮化硅钝化层180和氧化铝钝化层170后与发射极111电性连接。
关于各功能层的厚度和材质，在以下作出示例：
基底101为N型方单晶硅片。
隧穿氧化层122为二氧化硅薄膜，其厚度为1～5nm例如但不限于为1nm、2nm、3nm、4nm和5nm中的任意一者或者任意两者之间的范围。
多晶硅层123的厚度为100～500nm，例如但不限于为100nm、200nm、300nm、400nm和500nm中的任意一者或者任意两者之间的范围。
氮化硅减反层160的材质为SiNx，其厚度为80～120nm，例如但不限于为80nm、90nm、100nm、110nm和120nm中的任意一者或者任意两者之间的范围。
氧化铝钝化层170的材质为AlOx，其厚度为3～20nm，例如但不限于为3nm、5nm、8nm、10nm、13nm、15nm、18nm和20nm中的任意一者或者任意两者之间的范围。
氮化硅钝化层180的材质为SiNx，其厚度为75～150nm，例如但不限于为75nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm和150nm中的任意一者或者任意两者之间的范围。
上述技术方案中，太阳能电池100具有合适的结构层，且各结构层具有合适的厚度，有利于保证太阳能电池100的光电转换效率。
请参阅图4，在一些可选的实施方案中，在减反绒面150的表面还通过浅磷扩散形成有前表面场190(FSF)，该前表面场190位于减反绒面150和氮化硅减反层160之间。通过前表面场190在正面形成少子电势能差，阻挡少子向高复合表面移动，从而减少了前表面电子空穴对的复合。
第二方面，本申请实施例提供一种太阳能电池100的制备方法，包括：
对基底101进行硼扩散，在基底101的表面形成硼扩散层及位于硼扩散层表面的硼硅玻璃。
将基底101的第一表面作为基底101的背面，在基底101的背面的硼硅玻璃的局部区域依次进行激光开槽以及硼扩散层刻蚀，形成背表面场区域120；未开槽和刻蚀的区域为发射极区域110，发射极区域110和背表面场区域120被配置为在基底101的背面交替分布。
在基底101的背面生长隧穿氧化层122然后沉积本征非晶硅层。
对基底101进行磷扩散，以使本征非晶硅层形成材质为掺磷多晶硅的多晶硅层123，并在多晶硅层123表面生成磷硅玻璃。
在背表面场区域120对应的磷硅玻璃表面印刷耐腐蚀浆料，并烘干耐腐蚀浆料；耐腐蚀浆料溶于碱且不溶于酸。
用酸去除发射极区域110对应的磷硅玻璃。
用碱去除耐腐蚀浆料以及与发射极区域110对应的多晶硅层123和隧穿氧化层122。
用酸去除基底101的背面剩余的磷硅玻璃和硼硅玻璃。
发射极区域110剩余的硼扩散层作为发射极111。背表面场区域120剩余的隧穿氧化层122和多晶硅层123作为背表面场121。
将正电极131与发射极111电性连接并将负电极141与背表面场121电性连接。
本申请提供的太阳能电池100的制备方法，能够制备得到如第一方面实施例提供的太阳能电池100。
需要说明的是，在本申请中，发射极111为发射极区域110剩余的硼扩散层，其材质为掺硼单晶硅。背表面场区域120为去除硼扩散层后的区域，为了充分去除背硼扩散在基底101的表面的形成硼扩散层，表面场区域的开槽深度≥硼扩散步骤中的硼扩散深度。
作为一种示例，背表面场区域120生长隧穿氧化层122的位置低于发射极区域110生长发射极111的区域，即是说，隧穿氧化层122靠近基底101的正面的一侧到基片的中部的垂直距离为L1，发射极111靠近基底101的正面的一侧到基片的中部的垂直距离为L2，L1＜L2。
在一些示例性的实施方案中，用碱去除耐腐蚀浆料以及与发射极区域110对应的多晶硅层123和隧穿氧化层122的步骤包括：先用第一碱液去除耐腐蚀浆料，然后用第二碱液去除发射极区域110对应的多晶硅层123和隧穿氧化层122。其中，第一碱液的碱性小于第二碱液的碱性。
上述技术方案中，将耐腐蚀浆料的去除同多晶硅层123和隧穿氧化层122的去除分步骤进行，便于分槽体处理，即在去除专门去除耐腐蚀浆料的槽中进行耐腐蚀浆料的去除，并在去除多晶硅层123和隧穿氧化层122的槽中进行多晶硅层123和隧穿氧化层122的去除，能有效改善槽体交叉污染的情况。
在一些示例性的实施方案中，将正电极131与发射极111电性连接并将负电极141与背表面场121电性连接的步骤包括：在发射极111开设发射极接触孔132，在与发射极接触孔132对应的区域印刷正电极131。在背表面场121开设背表面场接触孔142，在与表面场接触孔对应的区域印刷负电极141。当然，在基底101的背面还设置有其他功能层的实施方案中，该发射极接触孔132和背表面场接触孔142还贯穿对应的功能层。
可以理解的是，在本申请提供的太阳能电池100的制备方法中，可以根据本领域公知的方式再增加其他的功能层，并按照本领域公知的方法进行对应的功能层的设置。
在常规的制备方法中，通常在硼扩散之前对基底101的一个表面进行制绒处理，并将制绒面作为基底101的正面。该制备方法在后续的刻蚀和腐蚀等工艺中，容易对制绒面造成一定的损伤，从而影响制绒面的减反射效果。
在一些示例性的实施方案中，将基底101的第二表面作为基底101的正面，在基底101的表面形成减反绒面150的步骤包括：在用碱去除耐腐蚀浆料以及与发射极区域110对应的多晶硅层123和隧穿氧化层122的步骤之后，在用酸去除基底101的背面剩余的磷硅玻璃和硼硅玻璃的步骤之前，用酸去除基底101的正面的磷硅玻璃和硼硅玻璃，然后对基底101的正面进行制绒处理形成减反绒面150。
上述技术方案中，制绒步骤在N型区域和P型区域制备完成后进行，能够有效降低前序工艺对减反绒面150的损伤。同时，制绒步骤在去除基底101的背面剩余的磷硅玻璃和硼硅玻璃的步骤之前进行，利用基底101的背面剩余的磷硅玻璃和硼硅玻璃作为掩模，有效防止制绒步骤对N型区域和P型区域的损伤。当然，在其他实施方案中，也可以在硼扩散步骤之前对基底101进行制绒处理。
基于设置其他功能层的考虑，以下对太阳能电池100的制备方法做出一种示例，其包括以下步骤:
A.提供一种N型方单晶硅片作为基底101，对基底101的表面进行去除机械损伤的抛光处理。
B.对硅片进行双面硼扩散，以在基底101的两侧表面形成硼扩散层及位于硼扩散层表面的硼硅玻璃。可选地，硼扩散的方块电阻为120～150Ω/sq，例如但不限于为120Ω/sq、130Ω/sq、140Ω/s和150Ω/sq中的任意一者或者任意两者之间的范围。
C.保留硼扩散过程生成的硼硅玻璃，使用激光对步骤B中得到的基底101的其中一面的硼硅玻璃进行局部区域开槽。其中，请参阅图5，激光开槽通过光斑200移动叠加至覆盖整个开槽区域实现。
D.刻蚀掉步骤C中开槽区域的硼扩散层，形成背表面场区域120；未开槽和刻蚀的区域为发射极区域110，剩余的发射极区域110的硼扩散层作为发射极111。
E.在步骤D得到的基底101的背面生长隧穿氧化层122然后沉积本征非晶硅层。示例性地，其采用PECVD(等离子体增强化学的气相沉积法)的方式，相比于传统的LPCVD(低压力化学气相沉积法)方式，PECVD的方式成本更低、工艺时间更短，且绕镀更小，有利于外观和良率的控制。
F.对步骤E得到的基底101进行磷扩散，以使本征非晶硅层形成材质为掺磷多晶硅的多晶硅层123，并在多晶硅层123表面生成磷硅玻璃。背表面场区域120对应的多晶硅层123实现N型掺杂，形成与背表面场区域120对应的背表面场121。
G.在基底101的背面印刷耐腐蚀性浆料，印刷线条与步骤C中激光开槽区域300对应，即印刷线条在步骤D形成的背表面场区域120对应的磷硅玻璃表面。
H.烘干步骤G中印刷的耐腐蚀浆料。
I.用酸对步骤F中磷扩散生成的磷硅玻璃进行去除。由于背表面场区域120的磷硅玻璃被耐腐蚀性浆料保护而不会被去除掉，因此该步骤用于去除发射极区域110对应的磷硅玻璃。
J.用碱去除步骤G中印刷的耐腐蚀性浆料。
K.用碱去除背面由步骤E和F中生长的隧穿氧化层122和多晶硅层123。由于背表面场区域120的多晶硅层123和隧穿氧化层122被步骤I中保留的磷硅玻璃保护而不会被去除掉，因此该步骤用于去除发射极区域110对应的多晶硅层123和隧穿氧化层122。
L.去除正面因步骤B和F中扩散分别生成的磷硅玻璃和硼硅玻璃。
M.保留背面剩余的由步骤B和F中扩散分别生成的磷硅玻璃和硼硅玻璃作为背面掩膜，使用制绒液对基底101的正面进行制绒处理，形成减反绒面150。
N.去除基底101的背面的磷硅玻璃和硼硅玻璃，并对基底101进行化学清洗。发射极区域110剩余的硼扩散层作为发射极111；背表面场区域120剩余的隧穿氧化层122和多晶硅层123作为背表面场121。
O.在步骤M形成的减反绒面150上镀氮化硅减反层160。
P.在基底101的背面依次沉积氧化铝钝化层170和氮化硅钝化层180。
Q.分别在步骤N剩余的发射极111和背表面场121进行激光开孔，形成发射极接触孔132和背表面场接触孔142。
R.在步骤Q中的激光开孔区域印刷相应的金属的正电极131和负电极141。
S.在背面印刷绝缘胶防止正电极131和负电极141短路。
T.在背面印刷金属正电极131汇流条和负电极141汇流条。
以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
一种如图1所示的太阳能电池100的制备方法，包括：
A.提供一种N型方单晶硅片作为基底101，使用20％KOH溶液对基底101的表面进行去除机械损伤的抛光处理。
B.对硅片进行双面硼扩散，以在基底101的两侧表面形成硼扩散层及位于硼扩散层表面的硼硅玻璃。
其中，方块电阻为120Ω/sq。
C.保留硼扩散过程生成的硼硅玻璃，使用激光对步骤B中得到的基底101的其中一面的硼硅玻璃进行局部区域开槽。
其中，在第一预设方向a上，开槽区域的宽度为200μm，相邻两个开槽区域的间距为1200μm。
D.刻蚀掉步骤C中开槽区域的硼扩散层，形成背表面场区域120；未开槽和刻蚀的区域为发射极区域110，剩余的发射极区域110的硼扩散层作为发射极111。
E.采用PECVD的方式在步骤D得到的基底101的背面依次生长隧穿氧化层122然后沉积本征非晶硅层。
其中，隧穿氧化层122的厚度为1nm，本征非晶硅层的厚度为200nm。
F.对步骤E得到的基底101进行磷扩散，以使本征非晶硅层形成材质为掺磷多晶硅的多晶硅层123，并在多晶硅层123表面生成磷硅玻璃。背表面场区域120对应的多晶硅层123实现N型掺杂，形成与背表面场区域120对应的背表面场121。
其中，方块电阻为30Ω/sq。
G.在基底101的背面印刷耐腐蚀性浆料，印刷线条与步骤C中激光开槽区域300对应，即印刷线条在步骤D形成的背表面场区域120对应的磷硅玻璃表面。
H.烘干步骤G中印刷的耐腐蚀浆料，其中，耐腐蚀浆料在第一预设方向a上的线宽为100μm。
I.用10％浓度的链式HF溶液对步骤F中磷扩散生成的磷硅玻璃进行去除。由于背表面场区域120的磷硅玻璃被耐腐蚀性浆料保护而不会被去除掉，因此该步骤用于去除发射极区域110对应的磷硅玻璃。
J.用5％浓度的KOH溶液去除步骤G中印刷的耐腐蚀性浆料。
K.用10％浓度的KOH溶液去除背面由步骤E和F中生长的隧穿氧化层122和多晶硅层123。由于背表面场区域120的多晶硅层123和隧穿氧化层122被步骤I中保留的磷硅玻璃保护而不会被去除掉，因此该步骤用于去除发射极区域110对应的多晶硅层123和隧穿氧化层122。
L.用10％浓度的链式HF溶液去除正面因步骤B和F中扩散分别生成的磷硅玻璃和硼硅玻璃。
M.保留背面剩余的由步骤B和F中扩散分别生成的磷硅玻璃和硼硅玻璃作为背面掩膜，使用制绒液对基底101的正面进行制绒处理，形成减反绒面150。
N.用10％浓度的链式HF溶液去除基底101的背面的磷硅玻璃和硼硅玻璃，并对基底101进行化学清洗。发射极区域110剩余的硼扩散层作为发射极111；背表面场区域120剩余的隧穿氧化层122和多晶硅层123作为背表面场121。
O.用PECVD方式在步骤M形成的减反绒面150上镀氮化硅减反层160，氮化硅减反层160的厚度为80nm。
P.用PECVD方式在基底101的背面依次沉积氧化铝钝化层170和氮化硅钝化层180，其中氧化铝钝化层170的厚度为10nm，氮化硅钝化层180的厚度为75nm。
Q.分别在步骤N剩余的发射极111和背表面场121进行激光开孔，形成发射极接触孔132和背表面场接触孔142。
在每个发射极111分布3列发射极接触孔132，发射极接触孔132的直径为25μm；在第一预设方向a上，每个发射极111上相邻两个发射极接触孔132的中心间距为40μm；在第二预设方向b上，每个发射极111上相邻两个发射极接触孔132的中心间距为60μm。
在每个背表面场121分布2列背表面场接触孔142，背表面场接触孔142的直径为30μm；在第一预设方向a上，每个背表面场121上相邻两个背表面场接触孔142的中心间距为40μm；在第二预设方向b上，每个背表面场121上相邻两个背表面场接触孔142的中心间距为60μm。
R.在步骤Q中的激光开孔区域印刷相应的金属的正电极131和负电极141，随后200℃烘干。
S.在背面印刷绝缘胶防止正电极131和负电极141短路，随后200℃烘干。
T.在背面印刷金属正电极131汇流条和负电极141汇流条，最后进入烧结炉进行700℃烧结。
对实施例1制得的太阳能电池100的电性能进行检测，光电转换效率能够达到23.83％，开路电压Voc能够达到700mV，电流密度Jsc能够达到42.02mA/cm2，且填充因子FF能够达到81％。
实施例2
其与实施例1的不同之处在于：
在步骤N与步骤O增加了如下步骤，通过浅磷扩散形成一层前表面场190，其得到的太阳能电池100的结构如图4所示。
实施例2中形成了前表面场190，在表面形成少子电势能差，阻挡少子向高复合表面移动，从而减少了前表面电子空穴对的复合。
对实施例2制得的太阳能电池100的电性能进行检测，光电转换效率能够达到24％，开路电压Voc能够达到704mV，电流密度Jsc能够达到42.05mA/cm2，且填充因子FF能够达到81.07％。
实施例3
其与实施例1的不同之处在于：
在第一预设方向a上，开槽区域的宽度为250μm，相邻两个开槽区域的间距为1400μm。
在每个发射极111分布3列发射极接触孔132，发射极接触孔132的直径为30μm；在第一预设方向a上，每个发射极111上相邻两个发射极接触孔132的中心间距为50μm；在第二预设方向b上，每个发射极111上相邻两个发射极接触孔132的中心间距为80μm。
在每个背表面场121分布2列背表面场接触孔142，背表面场接触孔142的直径为32μm；在第一预设方向a上，每个背表面场121上相邻两个背表面场接触孔142的中心间距为50μm；在第二预设方向b上，每个背表面场121上相邻两个背表面场接触孔142的中心间距为80μm。
在本实施例中，既能够保证了足够少的金属化面积，又增加了后续印刷对准的宽度，降低了印刷的难度。
对实施例3制得的太阳能电池100的电性能进行检测，光电转换效率能够达到23.81％，开路电压Voc能够达到700.2mV，电流密度Jsc能够达到41.96mA/cm2，且填充因子FF能够达到81.03％。
实施例4
其与实施例1的不同之处在于：
抛光、制绒和刻蚀制程中的KOH溶液可以使用NaOH代替，能节省成本。
对实施例4制得的太阳能电池100的电性能进行检测，光电转换效率能够达到23.86％，开路电压Voc能够达到700.5mV，电流密度Jsc能够达到42.03mA/cm2，且填充因子FF能够达到81.05％。
实施例5
其与实施例1的不同之处在于：
步骤B中的硼扩散的方块电阻为150Ω/sq。
在第一预设方向a上，相邻两个开槽区域的间距为1000μm。
在本实施例中，高阻密栅线的设计能够在保证金属接触的同时降低背面的发射级的复合，提升太阳电池的开路电压。
对实施例5制得的太阳能电池100的电性能进行检测，光电转换效率能够达到23.98％，开路电压Voc能够达到703.4mV，电流密度Jsc能够达到42.07mA/cm2，且填充因子FF能够达到81.03％。
实施例6
其与实施例1的不同之处在于：
步骤P中可以使用沉ALD(原子层沉积)的方式制备氧化铝钝化层170，其厚度为7nm。
在本实施例中，相比于PECVD方式沉积得到的氧化铝钝化层170，本实施例沉积得到的氧化铝钝化层170的负电性更强、致密性更好，能够提升太阳电池的背面钝化效果，从而提升太阳电池的开路电压和光电转换效率。
对实施例6制得的太阳能电池100的电性能进行检测，光电转换效率能够达到24.02％，开路电压Voc能够达到703.2mV，电流密度Jsc能够达到42.10mA/cm2，且填充因子FF能够达到81.15％。
以上仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种太阳能电池，其特征在于，其基底的背面具有交替分布的发射极区域和背表面场区域；
所述发射极区域形成有发射极，所述发射极的材质为掺硼单晶硅；
所述背表面场区域形成有背表面场；所述背表面场包括层叠分布的隧穿氧化层和多晶硅层，所述多晶硅层的材质为掺磷多晶硅，所述隧穿氧化层位于所述多晶硅层和所述多晶硅层之间；
所述太阳能电池的正电极与所述发射极电性连接，所述太阳能电池的负电极于所述背表面场电性连接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极区域和所述背表面场区域沿第一预设方向并排分布；
在所述第一预设方向上，每个所述背表面场区域的尺寸为100～300μm，相邻两个所述背表面场区域的间距为600～1500μm。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在所述第一预设方向上，所述正电极的尺寸为50～200μm，所述负电极的尺寸为40～100μm；
可选地，所述正电极与开设于所述发射极的发射极接触孔内壁电性连接，所述负电极与开设于所述背表面场的背表面场接触孔内壁电性连接；所述发射极接触孔和所述背表面场接触孔的直径均为25～50μm；
可选地，在所述第一预设方向上，每个所述发射极上相邻两个所述发射极接触孔的中心间距为20～80μm，每个所述背表面上相邻两个所述背表面场接触孔的中心间距为20～80μm；
可选地，每个所述发射极区域和所述背表面场区域均沿第二预设方向延伸，所述第二预设方向与所述第一预设方向垂直；在所述第二预设方向上，每个所述发射极上相邻两个所述发射极接触孔的中心间距为50～100μm，每个所述背表面上相邻两个所述背表面场接触孔的中心间距为20～80μm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层为二氧化硅薄膜，且厚度为1～5nm；可选地，所述隧穿氧化层的厚度为1～3nm；
和/或，所述多晶硅层的厚度为100～500nm。
5.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
氮化硅减反层，形成于所述基底的正面的减反绒面的表面；
氧化铝钝化层，形成于所述发射极和背表面场的表面；以及
氮化硅钝化层，形成于所述氧化铝钝化层的表面；
所述正电极贯穿所述氮化硅钝化层和所述氧化铝钝化层后与所述发射极电性连接，所述负电极贯穿所述氮化硅钝化层和所述氧化铝钝化层后与所述发射极电性连接；
可选地，所述氮化硅减反层的厚度为80～120nm；
可选地，所述氧化铝钝化层的厚度为3～20nm；
可选地，所述氮化硅钝化层的厚度为75～150nm。
6.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，还包括间隔分布的正极汇流条和负极汇流条；
所述正极汇流条与每个所述正电极均电性连接，所述负极汇流条与每个所述负电极均电性连接；所述正极汇流条与所述负电极之间以及所述负极汇流条与所述正电极之间均间隔有绝缘胶。
7.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
对基底进行硼扩散，在所述基底的表面形成硼扩散层及位于所述硼扩散层表面的硼硅玻璃；
将所述基底的第一表面作为所述基底的背面，在所述基底的背面的所述硼硅玻璃的局部区域依次进行激光开槽以及所述硼扩散层刻蚀，形成背表面场区域；未开槽和刻蚀的区域为发射极区域，所述发射极区域和所述背表面场区域被配置为在所述基底的背面交替分布；
在所述基底的背面生长隧穿氧化层然后沉积本征非晶硅层；
对所述基底进行磷扩散，以使所述本征非晶硅层形成材质为掺磷多晶硅的多晶硅层，并在所述多晶硅层表面生成磷硅玻璃；
在所述背表面场区域对应的所述磷硅玻璃表面印刷耐腐蚀浆料，并烘干所述耐腐蚀浆料；所述耐腐蚀浆料溶于碱且不溶于酸；
用酸去除所述发射极区域对应的所述磷硅玻璃；
用碱去除所述耐腐蚀浆料以及与所述发射极区域对应的所述多晶硅层和所述隧穿氧化层；
用酸去除所述基底的背面剩余的所述磷硅玻璃和所述硼硅玻璃；
所述发射极区域剩余的所述硼扩散层作为发射极；所述背表面场区域剩余的所述隧穿氧化层和所述多晶硅层作为背表面场；
将正电极与所述发射极电性连接并将负电极与所述背表面场电性连接。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述用碱去除所述耐腐蚀浆料以及与所述发射极区域对应的所述多晶硅层和所述隧穿氧化层的步骤包括：
先用第一碱液去除所述耐腐蚀浆料，然后用第二碱液去除所述发射极区域对应的所述多晶硅层和所述隧穿氧化层；
其中，所述第一碱液的碱性小于所述第二碱液的碱性。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述将正电极与所述发射极电性连接并将负电极与所述背表面场电性连接的步骤包括：
在所述发射极开设发射极接触孔，在与所述发射极接触孔对应的区域印刷所述正电极；
在所述背表面场开设背表面场接触孔，在与所述表面场接触孔对应的区域印刷所述负电极。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，将所述基底的第二表面作为所述基底的正面，在所述基底的表面形成减反绒面的步骤包括：
在所述用碱去除所述耐腐蚀浆料以及与所述发射极区域对应的所述多晶硅层和所述隧穿氧化层的步骤之后，且在所述用酸去除所述基底的背面剩余的所述磷硅玻璃和所述硼硅玻璃的步骤之前，用酸去除所述基底的正面的所述磷硅玻璃和所述硼硅玻璃，然后对所述基底的正面进行制绒处理形成所述减反绒面。
CN202111256035.8A 2021-10-27 2021-10-27 一种太阳能电池及其制备方法 Active CN113990961B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111256035.8A CN113990961B (zh) 2021-10-27 2021-10-27 一种太阳能电池及其制备方法
AU2022377798A AU2022377798A1 (en) 2021-10-27 2022-05-30 Solar cell and preparation method therefor
US18/553,369 US20240186439A1 (en) 2021-10-27 2022-05-30 Solar cell and preparation method therefor
EP22885093.9A EP4254513A4 (en) 2021-10-27 2022-05-30 SOLAR CELL AND PREPARATION METHOD THEREFOR
PCT/CN2022/096065 WO2023071183A1 (zh) 2021-10-27 2022-05-30 一种太阳能电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111256035.8A CN113990961B (zh) 2021-10-27 2021-10-27 一种太阳能电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113990961A true CN113990961A (zh) 2022-01-28
CN113990961B CN113990961B (zh) 2023-10-10

Family

ID=79742579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111256035.8A Active CN113990961B (zh) 2021-10-27 2021-10-27 一种太阳能电池及其制备方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240186439A1 (zh)
EP (1) EP4254513A4 (zh)
CN (1) CN113990961B (zh)
AU (1) AU2022377798A1 (zh)
WO (1) WO2023071183A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115207169A (zh) * 2022-06-23 2022-10-18 浙江爱旭太阳能科技有限公司 P型ibc太阳能电池片及其制备方法、电池组件和光伏系统
CN115513306A (zh) * 2022-08-19 2022-12-23 隆基绿能科技股份有限公司 太阳能电池及其制备和光伏组件
WO2023071183A1 (zh) * 2021-10-27 2023-05-04 通威太阳能(眉山)有限公司 一种太阳能电池及其制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117691000B (zh) * 2024-02-01 2024-05-14 通威太阳能(眉山)有限公司 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103618025A (zh) * 2013-11-06 2014-03-05 电子科技大学 一种晶体硅背结太阳能电池制备方法
CN106024983A (zh) * 2016-07-11 2016-10-12 上海大族新能源科技有限公司 太阳电池及其制作方法
CN106876501A (zh) * 2017-03-10 2017-06-20 泰州乐叶光伏科技有限公司 一种钝化接触全背电极太阳电池结构及其制备方法
CN108110065A (zh) * 2018-01-24 2018-06-01 泰州中来光电科技有限公司 一种背接触太阳能电池及其制备方法
CN108336154A (zh) * 2018-02-02 2018-07-27 中国科学院微电子研究所 晶体硅太阳能电池及其制备方法
US20190097078A1 (en) * 2016-03-07 2019-03-28 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Solar cell with doped polysilicon surface areas and method for manufacturing thereof
CN110634964A (zh) * 2019-09-26 2019-12-31 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种高效晶硅太阳电池及其制备方法
CN110838536A (zh) * 2019-11-28 2020-02-25 泰州中来光电科技有限公司 具有多种隧道结结构的背接触太阳能电池及其制备方法
CN111564503A (zh) * 2019-09-03 2020-08-21 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种背结背接触太阳能电池结构及其制备方法
CN112599615A (zh) * 2021-03-05 2021-04-02 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池及其制备方法
CN113345970A (zh) * 2021-06-04 2021-09-03 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种p型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140158193A1 (en) * 2011-08-09 2014-06-12 Solexel, Inc. Structures and methods of formation of contiguous and non-contiguous base regions for high efficiency back-contact solar cells
DE102013112638A1 (de) * 2013-11-15 2015-05-21 Universität Stuttgart Verfahren zur Herstellung rückseitenkontaktierter Solarzellen aus kristallinem Silizium
CN108666377A (zh) * 2018-07-11 2018-10-16 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种p型背接触太阳电池及其制备方法
CN112864275B (zh) * 2020-12-31 2022-12-27 晶澳太阳能有限公司 Ibc电池的制备方法、ibc电池和太阳能电池组件
CN113299769A (zh) * 2021-06-04 2021-08-24 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构
CN113299772A (zh) * 2021-06-04 2021-08-24 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构
CN113990961B (zh) * 2021-10-27 2023-10-10 通威太阳能（成都）有限公司 一种太阳能电池及其制备方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103618025A (zh) * 2013-11-06 2014-03-05 电子科技大学 一种晶体硅背结太阳能电池制备方法
US20190097078A1 (en) * 2016-03-07 2019-03-28 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Solar cell with doped polysilicon surface areas and method for manufacturing thereof
CN106024983A (zh) * 2016-07-11 2016-10-12 上海大族新能源科技有限公司 太阳电池及其制作方法
CN106876501A (zh) * 2017-03-10 2017-06-20 泰州乐叶光伏科技有限公司 一种钝化接触全背电极太阳电池结构及其制备方法
CN108110065A (zh) * 2018-01-24 2018-06-01 泰州中来光电科技有限公司 一种背接触太阳能电池及其制备方法
CN108336154A (zh) * 2018-02-02 2018-07-27 中国科学院微电子研究所 晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN111564503A (zh) * 2019-09-03 2020-08-21 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种背结背接触太阳能电池结构及其制备方法
CN110634964A (zh) * 2019-09-26 2019-12-31 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种高效晶硅太阳电池及其制备方法
CN110838536A (zh) * 2019-11-28 2020-02-25 泰州中来光电科技有限公司 具有多种隧道结结构的背接触太阳能电池及其制备方法
CN112599615A (zh) * 2021-03-05 2021-04-02 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池及其制备方法
CN113345970A (zh) * 2021-06-04 2021-09-03 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种p型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023071183A1 (zh) * 2021-10-27 2023-05-04 通威太阳能(眉山)有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
CN115207169A (zh) * 2022-06-23 2022-10-18 浙江爱旭太阳能科技有限公司 P型ibc太阳能电池片及其制备方法、电池组件和光伏系统
CN115207169B (zh) * 2022-06-23 2024-05-17 浙江爱旭太阳能科技有限公司 P型ibc太阳能电池片及其制备方法、电池组件和光伏系统
CN115513306A (zh) * 2022-08-19 2022-12-23 隆基绿能科技股份有限公司 太阳能电池及其制备和光伏组件

Also Published As

Publication number Publication date
AU2022377798A1 (en) 2023-10-19
EP4254513A4 (en) 2024-05-22
US20240186439A1 (en) 2024-06-06
WO2023071183A1 (zh) 2023-05-04
CN113990961B (zh) 2023-10-10
EP4254513A1 (en) 2023-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113990961B (zh) 一种太阳能电池及其制备方法
US10483409B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
JP5879515B2 (ja) 太陽電池の製造方法
US20090139570A1 (en) Solar cell and a manufacturing method of the solar cell
US20110189810A1 (en) Crystalline silicon pv cell with selective emitter produced with low temperature precision etch back and passivation process
EP2212920B1 (en) Solar cell, method of manufacturing the same, and solar cell module
WO2012014960A1 (ja) 太陽電池の製造方法
WO2012026428A1 (ja) 太陽電池の製造方法
CN114975691A (zh) 一种具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统
JP6199727B2 (ja) 太陽電池の製造方法
CN111063759A (zh) 一种太阳能电池的制备工艺
CN116525697A (zh) 一种背接触式太阳能电池及其制备方法
CN115692548A (zh) 太阳电池及其制备方法
CN217881546U (zh) 具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及组件和系统
EP2605285B1 (en) Photovoltaic device
CN116914033B (zh) 一种双面TOPCon电池的制备方法
CN116435385A (zh) 一种TOPCon电池及其制备方法
US20120266949A1 (en) Elongate solar cell and edge contact
CN115692516A (zh) 一种新型topcon电池及其制作方法
US20170012149A1 (en) High efficiency single crystal silicon solar cell with epitaxially deposited silicon layers with deep junction(s)
CN116072742A (zh) 太阳能电池及其制备方法
CN112582484A (zh) 一种太阳能电池及其制作方法
CN218632056U (zh) 一种p-topcon背结电池
JP6097068B2 (ja) 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
US20150207019A1 (en) Method for Fabricating Crystalline Silicon Solar Cell Having Passivation Layer and Local Rear Contacts

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20230302

Address after: 610200 within phase 6 of Industrial Development Zone of Southwest Airport Economic Development Zone, Shuangliu District, Chengdu City, Sichuan Province

Applicant after: TONGWEI SOLAR (CHENGDU) Co.,Ltd.

Address before: No.8-1, Chenghua Road, Xiuwen Town, Dongpo District, Meishan City, Sichuan Province, 620000

Applicant before: TONGWEI SOLAR (MEISHAN) Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant