CN113990650B - 一种高磁导率开口互感器磁芯及其加工工艺和开口互感器 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种高磁导率开口互感器磁芯及其加工工艺和开口互感器。高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺包括如下步骤：步骤S1：将带材卷成铁芯；步骤S2：将铁芯进行以下热处理：第一阶段，加热到400‑420°C，保温10‑30 min，第二阶段，加热到460‑480°C，保温90‑120 min，第三阶段，加热到560‑570°C，保温90‑100 min，在20‑60 min内将温度降至240‑300°C；步骤S3：待步骤S2中铁芯冷却至室温后，放入胶液内，烘干、固化、定型；步骤S4：将铁芯进行切割，得到高磁导率开口互感器磁芯。本申请的高磁导率开口互感器磁芯具有磁导率高的优点。
Description
技术领域
本申请涉及互感器磁芯技术领域，更具体地说，它涉及一种高磁导率开口互感器磁芯及其加工工艺和开口互感器。
背景技术
使用纳米晶带材按照给定尺寸卷绕成圆环形状，放入真空炉内按照给定热处理工艺进行热处理，待磁芯冷却后在带材层与层之间做绝缘粘接处理能够得到互感器磁芯。其中绝缘粘接处理能够保证铁芯粘接牢固，同时减小铁芯涡流损耗。环形铁芯切割开口适用于开合式互感器，开合式互感器安装方便，无须拆一次母线，亦可带电操作，不影响客户正常用电，因此，开口互感器应用广泛。
开口式纳米晶铁芯一般采用磁导率较低材料进行加工，热处理后性能低，同时切割后磁芯有不同程度上的收缩，导致磁芯对接在一起后，有效接触面积减小，导致磁芯性能输出能力不足，进而导致开口互感器的精度降低。
互感器的精度通常用比差和角差进行表示。比差和角差越小，说明，在该条件下，互感器的精度越高。其中角差为互感器的一次信号与二次信号的相位之差；比差为互感器的实际二次电流乘额定变比与一次实际电流的差，对一次实际电流的百分数。
发明内容
为了提高开口互感器磁芯的磁导率，本申请提供了一种高磁导率开口互感器磁芯及其加工工艺和开口互感器。
第一方面，本申请提供了一种高磁导率开口互感器磁芯的制备方法，采用如下技术方案：
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，包括如下步骤：
步骤S1：将带材卷成铁芯；
且，所述带材由包含以下重量百分含量的组分经冶炼、喷制制成：Si：7％-10％，B：1.5％-2.5％，Nb：5.0％-6.0％，Cu：1.0-1.5％，不可避免的杂质<0.1％，余量为Fe；
步骤S2：将铁芯进行以下热处理：第一阶段，加热到400-420℃，保温10-30min，第二阶段，再加热到460-480℃，保温90-120min，第三阶段，加热到560-570℃，保温90-100min，在20-60min内将温度降至240-300℃；
步骤S3：待步骤S2中铁芯冷却至室温后，放入含有质量比为1：(1.1-1.3)的环氧树脂胶、固化剂的胶液内15-30min，进行烘干、固化、定型；
步骤S4：将定型后的铁芯进行切割，得到高磁导率开口互感器磁芯。
通过采用上述技术方案，使得本申请中的高磁导率开口互感器磁芯的磁导率、初始磁导率显著提高，磁导率范围为20.97-25.69k，初始磁导率范围为192.1-227.3k，目前市售国内厂家的软磁材料铁芯的磁导率范围为10-15k，通过对比能够发现，在本申请中，通过改进高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，显著提高了其磁导率，随着目前大功率、高频化电源的发展，本申请中的高磁导率开口互感器磁芯能够更满足于高频电感器件的性能要求，扩大了高磁导率开口互感器磁芯的应用范围，符合市场需求。
本申请中，采用各组分重量百分含量为：Si：7％-10％，B：1.5％-2.5％，Nb：5.0％-6.0％，Cu：1.0-1.5％，不可避免的杂质<0.1％，余量为Fe的带材，制成铁芯，使得高磁导率开口互感器磁芯的磁导率显著提升，且热处理工艺中通过采用阶梯升温，并对每一阶段升温温度和保温时间做出合理调整，使得非晶状态的铁芯内部发生一定程度的晶化，获得磁性能优良的显微组织，使得高磁导率互感器磁芯的磁导率进一步增大，且步骤S2中通过快速降温，使得铁芯的磁导率进一步提高，通过烘干、固化、定型、切割后即可得到高磁导率开口互感器磁芯。
可选的，步骤S2中第三阶段加热到温度为567℃。
通过采用上述技术方案，使得铁芯内部能够发生一定程度的晶化，从而显著提升高磁导率开口互感器磁芯的磁导率，当温度高于或低于该温度时，使得铁芯内部晶化程度过大或过小，从而使得高磁导率开口互感器磁芯的磁导率降低。
可选的，步骤S2中第三阶段保温95min。
通过采用上述技术方案，使得铁芯能够获得更佳磁性能的显微组织，从而提高高磁导率开口互感器磁芯的磁导率，当保温时间过长或过短时，会导致其磁导率下降。
可选的，步骤S2中在20-40min内将铁芯的温度降至240-300℃。
通过采用上述技术方案，快速降温，使得铁芯能够获得更佳的晶化组织，从而使得高磁导率开口互感器磁芯的磁导率进一步提高。
可选的，所述固化剂为乙烯基三胺、亚甲基双环己烷胺、二甲胺基丙胺中的一种。
通过采用上述技术方案，使得固化剂原料简单、易得，并且能够有效促进铁芯的固化，从而进一步提升高磁导率开口互感器磁芯的性能。
可选的，步骤S4中采用砂纸对切割后铁芯的切割面进行磨削处理。
通过采用上述技术方案，使得经过磨削处理后，使得铁芯的切割面更加光滑、平整，从而增大铁芯的有效接触面积，使得高磁导率开口互感器的磁导率得到显著提升。
可选的，所述砂纸的目数为1000-2000目。
通过采用上述技术方案，使得铁芯的切割面更加光滑、平整，超出该范围目数的砂纸，磨削处理得到的铁芯的有效接触面积减小，从而造成高磁导率开口互感器的磁导率降低。
第二方面，本申请提供一种高磁导率开口互感器磁芯，采用如下技术方案：
一种高磁导率开口互感器磁芯，高磁导率开口互感器磁芯是由上述高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺制备得到。
通过采用上述技术方案，使得制备得到的开口互感器磁芯的磁导率高，应用范围更加广泛，符合市场需求。
第三方面，本申请提供一种开口互感器，采用如下技术方案：
一种开口互感器，其包含上述高磁导率开口互感器磁芯。
通过采用上述技术方案，使得开口互感器的比差、角差得到显著降低，精度进一步提升，增大互感器的电感量，减小互感器体积，符合市场需求。
综上所述，本申请具有至少以下有益效果：
1.本申请中通过采用以下重量百分含量的各组分Si：7％-10％，B：1.5％-2.5％，Nb：5.0％-6.0％，Cu：1.0-1.5％，不可避免的杂质<0.1％，余量为Fe制备而成的带材，使得制备得到的高磁导率开口互感器磁芯的磁导率、初始磁导率显著提高，且采用阶梯式升温处理，三个阶段分别选用合理的保温时间，使得非晶化铁芯内部发生一定程度的晶化，从而得到性能佳的晶化组织，进而显著提高了高磁导率开口互感器磁芯的磁导率；
2.通过对切割后的铁芯的切割面进行磨削处理，使得切口发生一定收缩的铁芯的切割面更加光滑、平整，从而增大了铁芯的有效接触面积，使得高磁导率开口互感器磁芯的磁导率得到进一步提高。
附图说明
图1是本申请实施例13、对照例的B-H曲线；其中1为实施例13的B-H曲线，2为对照例的B-H曲线。
原料
环氧树脂胶为EP008型号，且为CEMEDINE施敏打硬品牌。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
制备例
表1制备例1-4中各组分的重量百分含量(％)
| 原料 | 制备例1 | 制备例2 | 制备例3 | 制备例4 |
| Si | 7 | 10 | 8.1 | 9 |
| B | 1.5 | 2.5 | 1.7 | 2.1 |
| Nb | 5 | 5.2 | 5.6 | 6 |
| Cu | 1 | 1.7 | 1.3 | 1.8 |
| Fe | 85.45 | 80.54 | 83.24 | 81.05 |
| 不可避免的杂质 | 0.05 | 0.06 | 0.06 | 0.05 |
制备例1
一种带材，其各组分的重量百分含量如表1所示。
一种带材，其由以下方法制备：
将纯Fe(纯度为99.95％)、纯Cu(纯度为99.99％)、单质Si(纯度为99.6％)、Fe-B合金(B的质量分数为20％)、Fe-Nb合金(Nb的质量分数为60％)按配比混合均匀，加入到真空感应熔炼炉的坩埚中，抽真空至1Pa以下，加热至原材料全部熔化，破真空、除渣，重复抽真空、破真空、除渣过程5次，冷却至室温，得到初始母合金锭，然后将初始母合金锭加入真空感应熔炼炉中重熔，以106℃/s的冷凝速度，采用平面流动铸造法喷制成带材，带材的厚度为27μm、宽度为7mm。
制备例2-4
一种带材，其和制备例1的区别之处在于，其各组分的重量百分含量不同，各组分的重量百分含量如表1所示，其余部分均和制备例1相同。
实施例
实施例1
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，包括如下步骤：
步骤S1：将带材于卷绕机上卷成铁芯，带材由制备例1制备得到；
步骤S2：将铁芯按照特定的热处理工艺进行热处理，热处理工艺为：第一阶段，加热到400℃，保温20min；第二阶段，加热到460℃，保温100min，第三阶段，加热到560℃，保温100min，在60min内将温度降至270℃；
步骤S3：待步骤S2中铁芯冷却至室温后，放入含有质量比为1:1.2的环氧树脂胶、乙烯基三胺的胶液内25min，保证胶液充分渗透到带材与带材中间，放入烘箱内，进行烘干、固化、定型；
步骤S4：将定型后的铁芯放入切割机内进行切割处理，得到高磁导率开口互感器磁芯。
实施例2
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例1的区别之处在于，带材由制备例2制备得到，其余部分均和实施例1相同。
实施例3
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例1的区别之处在于，带材由制备例3制备得到，其余部分均和实施例1相同。
实施例4
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例3的区别之处在于，带材由制备例4制备得到，其余部分均和实施例3相同。
实施例5
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例3的区别之处在于，步骤S2中，第三阶段升温至温度为567℃，其余部分均和实施例3相同。
实施例6
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例5的区别之处在于，步骤S2中，第三阶段升温至温度为570℃，其余部分均和实施例5相同。
实施例7
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例5的区别之处在于，步骤S2中，第三阶段保温95min，其余部分均和实施例5相同。
实施例8
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例7的区别之处在于，步骤S2中，第三阶段保温90min，其余部分均和实施例7相同。
实施例9
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例7的区别之处在于，步骤S2中，在20min内将温度降至270℃，其余部分均和实施例7相同。
实施例10
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例9的区别之处在于，步骤S2中，在40min内将温度降至270℃，其余部分均和实施例9相同。
实施例11
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例9的区别之处在于，步骤S4中采用目数为1000的砂纸对切割后铁芯的切割面进行磨削处理，其余部分均和实施例9相同。
实施例12
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例11的区别之处在于，步骤S4中采用目数为1500的砂纸对切割后铁芯的切割面进行磨削处理，其余部分均和实施例11相同。
实施例13
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例12的区别之处在于，步骤S4中采用目数为2000的砂纸对切割后铁芯的切割面进行磨削处理，其余部分均和实施例12相同。
实施例14
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例13的区别之处在于，加工工艺条件不同，其余部分均和实施例13相同。
步骤S1：将带材于卷绕机上卷成铁芯，带材由制备例3制备得到；
步骤S2：将铁芯按照特定的热处理工艺进行热处理，所述热处理工艺为：第一阶段，加热到415℃，保温10min；第二阶段，加热到470℃，保温120min，第三阶段，加热到567℃，保温95min，在20min内将温度降至240℃；
步骤S3：待步骤S2中铁芯冷却至室温后，放入含有质量比为1:1.3的环氧树脂胶、二甲胺基丙胺的胶液内15min，保证胶液充分渗透到带材与带材中间，放入烘箱内，进行烘干、固化、定型；
步骤S4：将定型后的铁芯放入切割机内进行切割处理，得到高磁导率开口互感器磁芯。
实施例15
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例13的区别之处在于，加工工艺条件不同，其余部分均和实施例13相同。
步骤S1：将带材于卷绕机上卷成铁芯，带材由制备例3制备得到；
步骤S2：将铁芯按照特定的热处理工艺进行热处理，所述热处理工艺为：第一阶段，加热到420℃，保温30min；第二阶段，加热到480℃，保温90min，第三阶段，加热到567℃，保温95min，在20min内将温度降至300℃；
步骤S3：待步骤S2中铁芯冷却至室温后，放入含有质量比为1:1.3的环氧树脂胶、亚甲基双环己烷胺的胶液内30min，保证胶液充分渗透到带材与带材中间，放入烘箱内，进行烘干、固化、定型；
步骤S4：将定型后的铁芯放入切割机内进行切割处理，得到高磁导率开口互感器磁芯。
对比例
对比例1
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例9的区别之处在于，步骤S2中第三阶段加热至520℃，其余部分均和实施例9相同。
对比例2
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例9的区别之处在于，步骤S2中第三阶段加热至600℃，其余部分均和实施例9相同。
对比例3
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例9的区别之处在于，步骤S2中第三阶段保温60min，其余部分均和实施例9相同。
对比例4
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例9的区别之处在于，步骤S2中第三阶段保温120min，其余部分均和实施例9相同。
对比例5
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例9的区别之处在于，步骤S2中在100min内将温度冷却至270℃，其余部分均和实施例9相同。
对比例6
一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其和实施例9的区别之处在于，带材为寻常市售FINMET材料，其余部分均和实施例9相同。
对照例
采用寻常市售非晶纳米晶合金磁芯。
性能检测试验
采用ZX-2736型号伏安特性表对实施例1-15、对比例1-6制备得到的高磁导率开口互感器磁芯以及对照例的磁导率进行检测，且得到实施例13和对照例的B-H曲线；同时采用软磁直流测试仪对实施例1-15、对比例1-6制备得到的高磁导率开口互感器磁芯和对照例的初始磁导率进行检测，检测结果如表2所示。
表2检测结果
从表2中能够看出，本申请的高磁导率开口互感器磁芯具有高磁导率，其磁导率范围为20.97-29.96k；且具有高初始磁导率，其初始磁导率范围为192.1-227.8k。目前，国内厂家市售的软磁材料磁芯的磁导率范围为10-15k。相比于目前存在的互感器磁芯，本申请中的高磁导率开口互感器磁芯的磁导率得到显著提升，从而提高了其应用范围，符合市场需求。
从表2中的实施例9、实施例11-13能够看出，用砂纸对切割后铁芯的切割面进行磨削处理后，使得高磁导率开口互感器磁芯的磁导率得到进一步显著提升，且随着砂纸目数的增大，高磁导率开口互感器磁芯的磁导率也增大。由于切割后的铁芯有不同程度上的收缩，使得铁芯的有效接触面积变小。因此，通过砂纸对铁芯的切割面进行磨削处理后，使得铁芯的切割面更加光滑，且与接触面之间的平行度增大，因此，使得铁芯的有效接触面积增大，进而增大高磁导率开口互感器磁芯的磁导率。
从表2中的实施例3、实施例5、实施例6能够看出，在步骤S2中第三阶段将温度升至576℃时，高磁导率开口互感器磁芯的磁导率得到进一步提升。再结合对比例1、对比例2、实施例9能够看出，步骤S2中的铁芯的第三阶段热处理温度在560-570℃以外时，高磁导率开口互感器磁芯的磁导率均显著降低。热处理是为了使非晶状态的合金内部能够产生部分晶化从而获得最佳磁性能的显微组织，不同温度条件会影响其晶化程度的大小，从而影响其磁导率的大小。随着第三阶段的热处理温度的升高，高磁导率开口互感器磁芯的磁导率先上升后降低，因此，需要将该温度控制在合理范围之内，才能够得到高磁导率开口互感器磁芯。
从表2中的对比例3、对比例4、实施例9能够看出，步骤S2中第三阶段的保温处理时间在90-100min范围之外时，高磁导率开口互感器磁芯的磁导率显著降低。热处理后的保温时间会影响非晶状态合金内部晶化程度的大小，合理的晶化程度能够使得高磁导率开口互感器磁芯的磁导率显著提升。随着第三阶段保温处理时间的增长，高磁导率开口互感器磁芯的磁导率先上升后下降。因此，需要通过实验探究保温处理时间。本申请中，第三阶段保温处理时间在90-100min时，能够显著提升高磁导率开口互感器磁芯的磁导率。
从表2中的对比例5和实施例9能够看出，在步骤S2中冷却速度过慢时，高磁导率开口互感器磁芯的磁导率显著降低。冷却速度过慢，容易导致铁芯内部的晶化程度过大，从而使得高磁导率开口互感器磁芯的磁导率降低。
从表2中的对比例6、实施例9能够看出，采用市售FINMET材料的带材制备得到的高磁导率开口互感器磁芯的磁导率显著降低。再结合实施例1-4，在本申请中通过采用以下重量百分含量的各组分制备而成的带材：Si：7％-10％，B：1.5％-2.5％，Nb：5.0％-6.0％，Cu：1.0-1.5％，不可避免的杂质<0.1％，余量为Fe，使得制备得到的高磁导率开口互感器磁芯的磁导率显著提升，且，具有高初始磁导率。
结合图1、表2，对比对照例和实施例13，本申请中的高磁导率开口互感器磁芯的磁导率最高能够达到29.96k，相比于市售非晶纳米晶合金铁芯，本申请通过采用合理的加工工艺，使得高磁导率开口互感器磁芯的磁导率得到显著提升，将其应用于互感器，能够增大互感器的电感量，减小互感器体积，符合市场需求。
应用例
应用例1
一种开口互感器，其包含相互绝缘的一次绕组、二次绕组、铁芯以及构架、壳体及接线端子，且铁芯选用实施例1制备得到的高磁导率开口互感器磁芯。其中，开口互感器的内部结构及加工安装工艺均为较成熟的技术，在此不再赘述。
应用例2-15
一种开口互感器，其和应用例1的区别之处在于，铁芯分别选用实施例2-15中制备得到的高磁导率开口互感器磁芯，其余均和应用例1相同。
应用对比例1-6
一种开口互感器，其和应用例13的区别之处在于，铁芯分别选用对比例1-6中制备得到的高磁导率开口互感器磁芯，其余均和应用例13相同。
应用对比例7
一种开口互感器，其和应用例13的区别之处在于，铁芯选用对照例中的磁芯，其余均和应用例13相同。
开口互感器的性能测试
采用沈阳中川电流互感器检定装置对应用例1-15、应用对比例1-7，在1％电流点、5％电流点、20％电流点、100％电流点、120％电流点条件下，检测其比差和角差，检测结果如表3所示。备注：编号1-15分别对应为应用例1-15；编号16-22为应用对比例1-7；编号0为GB20840版国家标准中0.1级电流互感器。
表3开口互感器性能检测结果
从表3能够看出，GB20840版国家标准中0.1级电流互感器的5％电流点的比差为0.4％，角差为15′；本申请中的开口互感器5％电流点的比差范围为0.010-0.064％，角差范围为3.9-8.8′。通过对比可以看出，相比于GB20840版国家标准中0.1级电流互感器，本申请的高磁导率开口互感器磁芯制备而成的开口互感器在1％电流点、5％电流点、20％电流点、100％电流点、120％电流点条件下的比差和角差显著降低。
GB20840版国家标准中0.1级电流互感器的120％电流点的比差为0.1％，角差为5′；本申请中的开口互感器120％电流点的比差范围为0.002-0.028％，角差范围为2.8-6.0′。通过对比可以看出，本申请中的开口互感器在120％电流点下的比差显著低于GB20840版国家标准中0.1级电流互感器，角差低于GB20840版国家标准中0.1级电流互感器，或与其相当。
通过上述对比能够得出以下结论，本申请中的开口互感器采用本申请中制备得到的高磁导率开口互感器磁芯，使其比差和角差均显著降低，相比于GB20840版国家标准中0.1级(精度最高)电流互感器，其误差显著减小，说明本申请中的开口互感器的精度更高，性能优良。
将表3中的应用例1-15、应用对比例1-6进行对比，1％电流点下，应用例1-15的比差范围为0.013-0.062％，角差范围为2.8-8.5′；应用对比例1-7的比差范围为0.067-0.467％，角差范围为9.0-16.0′；120％电流点下，应用例1-15的比差范围为0.002-0.028％，角差范围为2.8-6.0′；应用对比例1-6的比差范围为0.027-0.116％，角差范围为5.8-7.4′。通过对比能够看出，应用例1-15中的比差和角差显著低于应用对比例1-6中。应用对比例1-6中的开口互感器的铁芯分别为对比例1-6中的高磁导率开口互感器磁芯。在对比例1-5中，制备高磁导率开口互感器磁芯的工艺条件分别发生变化，使得制备得到的高磁导率开口互感器磁芯的磁导率显著降低，进而使得开口互感器的角差和比差显著增大。说明，高磁导率开口互感器磁芯的磁导率直接影响开口互感器的精度。且，经本申请中的高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺制备得到的高磁导率开口互感器磁芯的磁导率高，且由该高磁导率开口互感器磁芯制备得到的开口互感器的比差和角差得到显著降低。
将表3中的应用例1-15和应用对比例7进行比较，1％电流点下，应用例1-15的比差范围为0.013-0.062％，角差范围为2.8-8.5′；应用对比例7的比差为0.458％，角差为15.8′；120％电流点下，应用例1-15的比差范围为0.002-0.028％，角差范围为2.8-6.0′；应用对比例7的比差为0.102％，角差范围为5.6′。通过对比能够看出，相比于市售磁芯，本申请中的高磁导率开口互感器磁芯制备得到的开口互感器的比差和角差得到显著降低。市售磁芯的磁导率显著低于高磁导率开口互感器磁芯，由市售磁芯制备得到的开口互感器的精度显著低于高磁导率开口互感器磁芯制备得到的开口互感器。因此，将本申请中的高磁导率开口互感器应用于开口互感器中，能够显著提高开口互感器的精度，增大了开口互感器的应用范围，符合市场需求。
本具体实施例仅仅是对本发明的解释，其并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。
Claims (7)
1.一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：将带材卷成铁芯；
且，所述带材由包含以下重量百分含量的组分经冶炼、喷制制成：Si：7%-10%，B：1.5%-2.5%，Nb：5.0%-6.0%，Cu：1.0-1.5%，不可避免的杂质<0.1%，余量为Fe；
步骤S2：将铁芯进行以下热处理：第一阶段，加热到400-420 °C，保温10-30 min，第二阶段，加热到460-480 °C，保温90-120 min，第三阶段，加热到567°C，保温95 min，在20-60min内将温度降至240-300 °C；
步骤S3：待步骤S2中铁芯冷却至室温后，放入含有质量比为1：1.1-1.3的环氧树脂胶、固化剂的胶液内15-30 min，进行烘干、固化、定型；
步骤S4：将定型后的铁芯进行切割，得到高磁导率开口互感器磁芯。
2.根据权利要求1所述的一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其特征在于，步骤S2中在20-40 min内将铁芯的温度降至240-300 °C。
3.根据权利要求1所述的一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其特征在于，所述固化剂为乙烯基三胺、亚甲基双环己烷胺、二甲胺基丙胺中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其特征在于，步骤S4中采用砂纸对切割后铁芯的切割面进行磨削处理。
5.根据权利要求4所述的一种高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺，其特征在于，所述砂纸的目数为1000-2000目。
6.一种高磁导率开口互感器磁芯，其特征在于，高磁导率开口互感器磁芯是由权利要求1-5中任一所述的高磁导率开口互感器磁芯的加工工艺制备得到。
7.一种开口互感器，其特征在于，所述开口互感器包含权利要求6所述的高磁导率开口互感器磁芯。
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