CN113959423A - 一种mems陀螺仪及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种MEMS陀螺仪,包括框架结构、设置于框架结构内的解耦结构和质量块,框架结构包括驱动结构、耦合结构、连接耦合结构与驱动结构的第一弹性件以及固定耦合结构、驱动结构和第一弹性件的第一锚点结构;框架结构沿多轴方向被划分为多个检测区域,质量块包括敏感质量块和耦合质量块;在每个检测区域内均设置有至少一个耦合质量块、对称分布在耦合质量块两侧的敏感质量块、以及固定耦合质量块和敏感质量块的第二锚点结构,耦合质量块通过第一弹性件与敏感质量块连接;在其中一个检测区域设置有解耦结构,解耦结构与第二锚点结构连接,敏感质量块通过解耦结构和第一弹性件与第二锚点结构连接。该陀螺仪实现差分检测,提高其检测精度。
Description
技术领域
本发明属于电子元件技术领域,具体涉及一种MEMS陀螺仪及电子设备。
背景技术
MEMS陀螺仪是应用微机械加工技术与微电子工艺制作的一种微型角速度传感器。MEMS面外摆动陀螺仪是MEMS面外检测陀螺仪中的典型代表。MEMS摆动陀螺仪的驱动模态绕垂直质量块的轴摆动,当施加角速度Ω时,由于哥氏效应,陀螺仪将能量传递到敏感模态,使振动盘在相对驱动在面外摆动。通过检测面外摆动的位移即可获取Ω大小。
传统的正交布置的四质量三轴陀螺仪的技术缺点为:三个轴的检测模态相互耦合,误差叠加。
针对上述问题,有必要提出一种设计合理且可以有效改善上述问题的一种MEMS陀螺仪及电子设备。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种MEMS陀螺仪及电子设备。
本发明的一方面提供一种MEMS陀螺仪,包括框架结构、设置于所述框架结构内的解耦结构和质量块,所述框架结构包括驱动结构、耦合结构、连接所述耦合结构与所述驱动结构的第一弹性件、以及固定所述耦合结构、所述驱动结构和所述第一弹性件的第一锚点结构;所述框架结构沿多轴方向被划分为多个检测区域,所述质量块包括多个敏感质量块和多个耦合质量块;
在每个所述检测区域内,均设置有至少一个所述耦合质量块、对称分布在所述至少一个耦合质量块两侧的多个所述敏感质量块、以及固定所述耦合质量块和所述敏感质量块的第二锚点结构,所述耦合质量块通过所述第一弹性件与所述敏感质量块连接;
在所述多个检测区域中的其中一个检测区域内设置有所述解耦结构,所述解耦结构与所述第二锚点结构固定连接,所述敏感质量块通过所述解耦结构和所述第一弹性件与所述第二锚点结构连接。
可选的,所述框架结构被划分为三个检测区域,分别为第一检测区域、第二检测区域和第三检测区域;所述驱动结构包括横向驱动结构和纵向驱动结构,各驱动结构的节点处通过所述耦合结构与所述第一弹性件相连;
所述第一检测区域中的所述敏感质量块通过所述第一弹性件与所述纵向驱动结构相连;
所述第二检测区域中的所述敏感质量块通过所述第一弹性件与所述横向驱动结构相连;
所述第三检测区域中的所述敏感质量块通过所述第一弹性件与所述纵向驱动结构相连。
可选的,所述陀螺仪还包括驱动电极和检测电极,所述驱动电极设置在所述驱动结构处;
所述检测电极包括设置在所述第一检测区域内所述解耦结构处的第一检测电极、设置在所述第二检测区域内所述敏感质量块处的第二检测电极,以及设置在所述第三检测区域内所述敏感质量块处的第三检测电极。
可选的,在每个所述检测区域中,所述敏感质量块通过所述耦合结构与第二弹性件连接。
可选的,所述陀螺仪还包括设置在所述第一检测区域内的多个检测质量块,所述检测质量块夹设在所述解耦结构和所述横向驱动结构之间,所述检测质量块通过所述第一弹性件与所述解耦结构连接,所述检测质量块通过所述第二锚点结构与所述耦合结构固定连接。
可选的,所述第一弹性件为柔性梁,所述第二弹性件为耦合梁。
本发明的另一方面提供一种电子设备,采用前文所述的MEMS陀螺仪。
本发明提供的MEMS陀螺仪,在每个所述检测区域内,均设置有至少一个所述耦合质量块、对称分布在至少一个耦合质量块两侧的多个敏感质量块、以及固定耦合质量块和敏感质量块的第二锚点结构,耦合质量块通过第一弹性件与敏感质量块连接,多个敏感质量块采用对称分布,便于实现差分检测。在多个检测区域中的其中一个检测区域内设置有解耦结构,解耦结构与第二锚点结构固定连接,敏感质量块通过解耦结构和第一弹性件与第二锚点结构连接,敏感质量块通过解耦结构与第二锚点结构进行弹性连接,有效减小质量块不同模态运动之间的耦合,避免不同模态运动的干扰,降低非运动质量块的位移,降低正交误差,有利于MEMS陀螺仪的偏置稳定性。
附图说明
图1为本发明一种MEMS陀螺仪的结构示意图;
图2为本发明一种MEMS陀螺仪中框架结构示意图;
图3a为本发明一种MEMS陀螺仪在Z轴驱动模态下敏感质量块的振动方向示意图;
图3b为本发明一种MEMS陀螺仪在Z轴检测模态下哥式力方向示意图;
图4a本发明一种MEMS陀螺仪在X轴驱动模态下敏感质量块的振动方向示意图;
图4b本发明一种MEMS陀螺仪在X轴检测模态下哥式力方向示意图;
图5a本发明一种MEMS陀螺仪在Y轴驱动模态下敏感质量块的振动方向示意图;
图5b本发明一种MEMS陀螺仪在Y轴检测模态下哥式力方向示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
如图1所示,本发明的一方面提供一种MEMS陀螺仪100,包括框架结构110、设置于框架结构110内的解耦结构120和质量块,框架结构110包括驱动结构111、耦合结构112、连接耦合结构112与驱动结构111的第一弹性件130、以及固定耦合结构112、驱动结构111和第一弹性件130的第一锚点结构140。框架结构110沿多轴方向被划分为多个检测区域,质量块包括多个敏感质量块150和多个耦合质量块160。其中,在本实施例中,框架结构110呈矩形结构。
如图1所示,在每个检测区域内,均设置有至少一个耦合质量块160、对称分布在至少一个耦合质量块160两侧的多个敏感质量块150、以及固定耦合质量块160和敏感质量块150的第二锚点结构170,耦合质量块160通过第一弹性件130与敏感质量块150连接。
如图1所示,在多个检测区域中的其中一个检测区域内设置有解耦结构120,解耦结构120与第二锚点结构170固定连接,敏感质量块150通过解耦结构120和第一弹性件130与第二锚点结构170连接。
需要说明的是,本实施例中,第一弹性件130可以为柔性梁,第一弹性件130的个数可以根据实际需要进行选择,本实施例不做具体限定。多个第一锚点结构140设置在驱动结构的外侧,多个第二锚点结构170设置驱动结构111的内侧,也就是说分布在敏感质量块150、耦合质量块160及解耦结构120之间。
本发明提供的MEMS陀螺仪,在每个所述检测区域内,均设置有至少一个所述耦合质量块、对称分布在至少一个耦合质量块两侧的多个敏感质量块、以及固定耦合质量块和敏感质量块的第二锚点结构,耦合质量块通过第一弹性件与敏感质量块连接,多个敏感质量块采用对称分布,便于实现差分检测。在多个检测区域中的其中一个检测区域内设置有解耦结构,解耦结构与第二锚点结构固定连接,敏感质量块通过解耦结构和第一弹性件与第二锚点结构连接,敏感质量块通过解耦结构与第二锚点结构进行弹性连接,有效减小质量块不同模态运动之间的耦合,避免不同模态运动的干扰,降低非运动质量块的位移,降低正交误差,有利于MEMS陀螺仪的偏置稳定性。
示例性的,如图2所示,框架结构110被划分为三个检测区域,分别为第一检测区域A、第二检测区域B和第三检测区域C。驱动结构111包括横向驱动结构111a和纵向驱动结构111b,各驱动结构的节点处通过耦合结构与第一弹性件130相连。
第一检测区域A中的敏感质量块150通过第一弹性件130与纵向驱动结构111b相连。
第二检测区域B中的敏感质量150块通过第一弹性件130与横向驱动结构111a相连。
第三检测区域C中的敏感质量块150通过第一弹性件130与纵向驱动结构111b相连。
具体地,如图1和图2所示,在本实施例中,第一检测区域A、第二检测区域B和第三检测区域C分别为Z轴检测区域、X轴检测区域和Y轴检测区域,横向驱动结构111a沿X轴方向分布,纵向驱动结构111b沿Y轴方向分布,分布在检测区域外侧的驱动结构呈多个矩形分布,第一检测区域A、第二检测区域B和第三检测区域C之间分布的横向驱动结构111a呈长条状分布。
如图1和图2所示,在本实施例中,在第一检测区域A即Z轴检测区域内,设置有对称分布在一个耦合质量块160两侧的两个敏感质量块150,其中耦合质量块160沿Y轴方向分布。两个敏感质量块150分别通过第一弹性件130与分布在纵向驱动结构111b相连。其中多个第一弹性件130沿X轴方向分布。其中,每个敏感质量块150内部采用镂空设置,每个敏感质量块150内部有多个位置被挖空,挖空处呈矩形。
需要说明的是,在第一检测区域A即Z轴检测区域内设置有四个解耦结构120,每个敏感质量块150的顶端和底端分别设置有解耦结构120,也就是说两个解耦结构120夹设有一个敏感质量块,解耦结构120通过沿Y轴方向分布的多个第一弹性件与敏感质量块连接,解耦结构120与第二锚点结构170固定连接,敏感质量块150通过解耦结构120和第一弹性件130与第二锚点结构170连接。敏感质量块通过解耦结构与第二锚点结构进行弹性连接,有效减小质量块不同模态运动之间的耦合,避免不同模态运动的干扰,降低非运动质量块的位移,降低正交误差,有利于传感器的偏置稳定性。
如图1和图2所示,在第二检测区域B也即X轴检测区域内,设置有对称分布在一个耦合质量块160两侧的两个敏感质量块150,其中耦合质量块160沿X轴方向分布。第二检测区域B中的两个敏感质量150块通过沿Y轴方向分布的多个第一弹性件130与横向驱动结构111a相连。敏感质量块150通过多个第二锚点结构170与耦合结构112连接。其中,每个敏感质量块150内部采用镂空设置,每个敏感质量块150内部有多个位置被挖空,挖空处呈矩形。
如图1和图2所示,在第三检测区域C内也即Y轴检测区域内,设置有对称分布在一个耦合质量块160两侧的两个敏感质量块150,其中耦合质量块160沿Y轴方向分布。第第三检测区域C中的两个敏感质量150块通过沿X轴方向分布的多个第一弹性件130与纵向驱动结构111b相连。敏感质量块150通过多个第二锚点结构170与耦合结构112连接。其中,每个敏感质量块150内部采用镂空设置,每个敏感质量块150内部有多个位置被挖空,挖空处呈矩形。
示例性的,MEMS陀螺仪100还包括驱动电极和检测电极,驱动电极设置在驱动结构111处,如图所示,除了相邻两个检测区域之间的驱动结构111处没有设置驱动电极,其他的驱动结构111处均设置有驱动电极。驱动电极可以驱动敏感质量块150振动,具体地,在第一检测区域内,驱动电极驱动两敏感质量块150与纵向驱动111b结构一并作相向运动;在第二检测区域B内,驱动电极驱动两敏感质量块150与横向驱动结构111a一并作相向运动;在第三检测区域C内,驱动电极驱动两敏感质量块与纵向驱动结构一并作相向运动。
如图所示,检测电极包括设置在第一检测区域A内解耦结构120处的第一检测电极、设置在第二检测区域B内敏感质量块150处的第二检测电极,以及设置在第三检测区域C内敏感质量块150处的第三检测电极。检测电极用于检测敏感质量块150的振动位移。
由于解耦结构120和敏感质量块150都是呈轴对称分布的,所以驱动电极和检测电极也是呈轴对称分布的,驱动电极和检测电极采用轴对称分布,便于实现差分检测。
需要说明的是,驱动电极和第一检测电极为面内电极,第二检测电极和第二检测电极为面外检测电极。
示例性的,如图1所示,在每个检测区域中,敏感质量块150通过耦合结构112与第二弹性件180连接。在本实施例中,第二弹性件180为耦合梁,第二弹性件180的个数可以根据需要进行选择,本实施例不做具体限定。
示例性的,如图1所示,MEMS陀螺仪100还包括设置在第一检测区域A内的多个检测质量块190,检测质量块190夹设在解耦结构120和横向驱动111a结构之间,检测质量块190通过第一弹性件130与解耦结构120连接,检测质量块190通过第二锚点结构170与耦合结构111固定连接。由于敏感质量块150通过第一弹性件130与解耦结构120连接,所以敏感质量块150通过解耦结构120与检测质量块190进行弹性连接,实现了不同质量块之间的反相运动,有效形成差分检测。
本发明MEMS陀螺仪工作在四个模态,一个为驱动模态,在第一检测区域A即Z轴检测区域内,两敏感质量块150与纵向驱动结构111a一并作相向运动,在第二检测区域B即X轴检测区域内,两敏感质量块150与横向驱动结构111a一并作相向运动,在第三检测区域C即Y轴检测区域内,两敏感质量块150与纵向驱动结构111b一并作相向运动;另外三个模态为各检测轴的检测模态。
如图3a和3b所示,MEMS陀螺仪100的Z轴角速度检测原理如下。
MEMS陀螺仪100有两个的振动模态,如图3a所示,第一个为驱动模态下敏感质量块150水平方向平动;如图3b所示,第二个为检测模态下敏感质量块150竖直方向平动。通过外部驱动力,驱动MEMS陀螺仪100以驱动模态振型的振动。此时,当MEMS陀螺仪100受到Z轴角速度ω,根据哥氏原理,如图3b所示,角速度ω将产生沿y轴方向的哥氏力,而哥氏力会迫使MEMS陀螺仪100产生以z轴检测模态振型的振动。最终,通过检测MEMS陀螺仪100沿y轴方向的振动位移,可获取角速度ω大小。
在上述方案中,MEMS陀螺仪100拥有若干电容。电容的作用:a)产生迫使MEMS陀螺仪100以驱动模态振型的振动所需的外部驱动力;b)检测MEMS陀螺仪100沿检测模态振动方向的振动位移;c)抑制MEMS陀螺仪100的正交误差。
如图4a和4b所示,MEMS陀螺仪100的X轴角速度检测原理如下。
MEMS陀螺仪100有两个的振动模态,如图4a所示,第一个为驱动模态下敏感质量块150竖直方向平动;如图4b所示,第二个为检测模态下敏感质量块150面外摆动模态。通过外部驱动力,驱动MEMS陀螺仪100以驱动模态振型的振动。此时,当MEMS陀螺仪100受到x轴角速度ω,根据哥氏原理,如图4b所示,角速度ω将产生沿z轴方向的哥氏力,而哥氏力会迫使MEMS陀螺仪100产生以x轴检测模态振型的振动。最终,通过检测MEMS陀螺仪100沿z轴方向的振动位移,可获取角速度ω大小。
上述方案中,MEMS陀螺仪100拥有若干电容。电容的作用:a)产生迫使MEMS陀螺仪100以驱动模态振型的振动所需的外部驱动力;b)检测MEMS陀螺仪100沿检测模态振动方向的振动位移;c)抑制MEMS陀螺仪100的正交误差。
如图5a和5b所示,MEMS陀螺仪100的Y轴角速度检测原理如下。
MEMS陀螺仪100有两个的振动模态,如图5a所示,第一个为驱动模态下敏感质量块150水平方向平动;如图5b所示,第二个为检测模态下敏感质量块150面外摆动模态。通过外部驱动力,驱动MEMS陀螺仪100以驱动模态振型的振动。此时,当MEMS陀螺仪100受到y轴角速度ω,根据哥氏原理,如图5b所示,角速度ω将产生沿z轴方向的哥氏力合力,而哥氏力合力会迫使MEMS陀螺仪100产生以y轴检测模态振型的振动。最终,通过检测MEMS陀螺仪100沿z轴方向的振动位移,可获取角速度ω大小。
上述方案中,MEMS陀螺仪100拥有若干电容。电容的作用:a)产生迫使MEMS陀螺仪100以驱动模态振型的振动所需的外部驱动力;b)检测MEMS陀螺仪100沿检测模态振动方向的振动位移;c)抑制MEMS陀螺仪100的正交误差。
MEMS陀螺仪的X、Y及Z轴三个轴检测模态均能实现反相振动,因此能实现MEMS陀螺仪差分检测。有效免疫加速度冲击与正交误差的影响。MEMS陀螺仪三个轴角速度独立检测,有效避免不同轴检测误差的耦合,提高MEMS陀螺仪检测精度。
本发明的另一方面提供一种电子设备,采用前文所述的MEMS陀螺仪。MEMS陀螺仪的具体结构前文已经详细描述,在此不再赘述。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种MEMS陀螺仪,其特征在于,包括框架结构、设置于所述框架结构内的解耦结构和质量块,所述框架结构包括驱动结构、耦合结构、连接所述耦合结构与所述驱动结构的第一弹性件、以及固定所述耦合结构、所述驱动结构和所述第一弹性件的第一锚点结构;所述框架结构沿多轴方向被划分为多个检测区域,所述质量块包括多个敏感质量块和多个耦合质量块;
在每个所述检测区域内,均设置有至少一个所述耦合质量块、对称分布在所述至少一个耦合质量块两侧的多个所述敏感质量块、以及固定所述耦合质量块和所述敏感质量块的第二锚点结构,所述耦合质量块通过所述第一弹性件与所述敏感质量块连接;
在所述多个检测区域中的其中一个检测区域内设置有所述解耦结构,所述解耦结构与所述第二锚点结构固定连接,所述敏感质量块通过所述解耦结构和所述第一弹性件与所述第二锚点结构连接。
2.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪,其特征在于,所述框架结构被划分为三个检测区域,分别为第一检测区域、第二检测区域和第三检测区域;所述驱动结构包括横向驱动结构和纵向驱动结构,各驱动结构的节点处通过所述耦合结构与所述第一弹性件相连;
所述第一检测区域中的所述敏感质量块通过所述第一弹性件与所述纵向驱动结构相连;
所述第二检测区域中的所述敏感质量块通过所述第一弹性件与所述横向驱动结构相连;
所述第三检测区域中的所述敏感质量块通过所述第一弹性件与所述纵向驱动结构相连。
3.根据权利要求2所述的MEMS陀螺仪,其特征在于,所述陀螺仪还包括驱动电极和检测电极,所述驱动电极设置在所述驱动结构处;
所述检测电极包括设置在所述第一检测区域内所述解耦结构处的第一检测电极、设置在所述第二检测区域内所述敏感质量块处的第二检测电极,以及设置在所述第三检测区域内所述敏感质量块处的第三检测电极。
4.根据权利要求3所述的MEMS陀螺仪,其特征在于,在每个所述检测区域中,所述敏感质量块通过所述耦合结构与第二弹性件连接。
5.根据权利要求2所述的MEMS陀螺仪,其特征在于,所述陀螺仪还包括设置在所述第一检测区域内的多个检测质量块,所述检测质量块夹设在所述解耦结构和所述横向驱动结构之间,所述检测质量块通过所述第一弹性件与所述解耦结构连接,所述检测质量块通过所述第二锚点结构与所述耦合结构固定连接。
6.根据权利要求4所述的MEMS陀螺仪,其特征在于,所述第一弹性件为柔性梁,所述第二弹性件为耦合梁。
7.一种电子设备,采用权利要求1至5任一项所述的MEMS陀螺仪。
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