CN113949393A - 发射机及其校准方法、装置及存储介质 - Google Patents

发射机及其校准方法、装置及存储介质 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供了一种发射机及其校准方法、装置及存储介质，涉及发射机领域。该方法包括：获取未校准时电路的第一载波泄露功率；针对电路中的两路I/Q基带信号，分别获取预设校准参数对应的载波泄露功率；根据第一载波泄露功率和预设校准参数对应的载波泄露功率，以及预设校准参数，确定两路I/Q基带信号的校准值；利用两路I/Q基带信号的校准值，对两路I/Q基带信号进行校准，得到校准后的载波泄露功率。本申请实施例实现了对直流偏置引起的载波泄露的校准，以及对芯片的本振泄露的校准，能够减少测试所需的时间，降低测试成本。

Description

发射机及其校准方法、装置及存储介质
技术领域
本申请涉及发射机技术领域，具体而言，本申请涉及一种发射机及其校准方法、装置及计算机可读存储介质。
背景技术
随着近年来软件无线电理论和应用趋于成熟与完善，软件无线电技术己经被越来越广泛地应用于雷达通信及各种军用和民用的无线通信系统中，作为软件无线电的核心架构之一，零中频架构也得到了越来越普遍的应用。
零中频发射机提供了一种将基带信号直接调制到射频载波上的最直接、最简单的调制方式。零中频发射机具有结构简单，不要中频放大、中频滤波、中频变频等电路等突出优点，同时放宽了对变频器后滤波器的性能要求，甚至可以不需要滤波器，从而极大地减小了发射机的体积、重量、功耗和成本。
然而，零中频发射机的载波泄露的信号会在发射信号中引入一个不期望的具有本振信号的杂散信号。当发射机将基带信号直接变换为给定的射频中心频率时，发射信号中本振信号的存在会引起带内干扰。
现有技术中所采用的消除载波泄露的方法存在只能校准直流偏置引起的载波泄露，无法对芯片的本振泄露进行校准的问题，或者对芯片的校准的耗时长，增加芯片的测试成本等问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种发射机及其校准方法、装置及计算机可读存储介质，旨在解决现有技术中的至少一个技术问题。
根据本申请实施例的一个方面，提供了一种发射机的校准方法，该方法包括：
获取未校准时电路的第一载波泄露功率；
针对所述电路中的两路I/Q基带信号，分别获取预设校准参数对应的载波泄露功率；
根据所述第一载波泄露功率和所述预设校准参数对应的载波泄露功率，以及所述预设校准参数，确定所述两路I/Q基带信号的校准值；
利用所述两路I/Q基带信号的校准值，对所述两路I/Q基带信号进行校准，得到校准后的载波泄露功率。
在一个可能的实现方式中，所述电路中的针对两路I/Q基带信号，分别获取预设校准值对应的载波泄露功率，包括：
针对I路基带信号，获取第一预设校准参数对应的第二载波泄露功率；
针对Q路基带信号，获取第二预设校准参数对应的第三载波泄露功率。
在另一个可能的实现方式中，所述第一预设校准参数包括两个用于对I路基带信号进行校准的预设的第一控制校准字，所述第二预设校准参数包括两个用于对Q路基带信号进行校准的预设的第二控制校准字。
在又一个可能的实现方式中，所述针对I路基带信号，获取第一预设校准参数对应的第二载波泄露功率，包括：
针对I路基带信号，分别获取两个所述第一控制校准字对应的第二载波泄露功率；
所述针对Q路基带信号，获取第二预设校准参数对应的第三载波泄露功率，包括：
针对Q路基带信号，分别获取两个所述第二控制校准字对应的第三载波泄露功率。
在又一个可能的实现方式中，所述根据所述第一载波泄露功率和所述预设校准值对应的载波泄露功率，以及所述预设校准参数，确定所述两路I/Q基带信号的校准值，包括：
根据所述第一载波泄露功率和两个所述第二载波泄露功率，以及两个所述第一控制校准字，确定I路基带信号的第一校准值；
根据所述第一载波泄露功率和两个所述第三载波泄露功率，以及两个所述第二控制校准字，确定Q路基带信号的第二校准值。
在又一个可能的实现方式中，所述根据所述第一载波泄露功率和两个所述第二载波泄露功率，以及两个所述第一控制校准字，确定I路基带信号的第一校准值，包括：
将第一载波泄露功率差与第二载波泄露功率差的比值确定为I路基带信号的校准系数，其中，所述第一载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与一个所述第二载波泄露功率之间的载波泄露功率差，所述第二载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与另一个所述第二载波泄露功率之间的载波泄露功率差；
基于I路基带信号的校准系数和两个所述第一控制校准字，确定I路基带信号的第一校准值。
在又一个可能的实现方式中，所述根据所述第一载波泄露功率和两个所述第三载波泄露功率，以及两个所述第二控制校准字，确定Q路基带信号的第二校准值，包括：
将第三载波泄露功率差与第四载波泄露功率差的比值确定为Q路基带信号的校准系数，其中，所述第三载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与一个所述第三载波泄露功率之间的载波泄露功率差，所述第四载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与另一个所述第三载波泄露功率之间的载波泄露功率差；
基于Q路基带信号的校准系数和两个所述第二控制校准字，确定Q路基带信号的第二校准值。
根据本申请实施例的另一个方面，提供了一种发射机的校准装置，该装置包括：
获取模块，用于获取未校准时电路的第一载波泄露功率，以及针对所述电路中的两路I/Q基带信号，分别获取预设校准参数对应的载波泄露功率；
确定模块，用于根据所述第一载波泄露功率和所述预设校准参数对应的载波泄露功率，以及所述预设校准参数，确定所述两路I/Q基带信号的校准值；利用所述两路I/Q基带信号的校准值，对所述两路I/Q基带信号进行校准，得到校准后的载波泄露功率。
根据本申请实施例的另一个方面，提供了一种发射机，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序以实现第一方面所示的发射机的校准方法的步骤。
根据本申请实施例的再一个方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机程序被处理器执行时实现第一方面所示的发射机的校准方法的步骤。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过获取未进行校准时电路的第一载波泄露功率，并针对电路中的两路I/Q基带信号，分别获取预设校准参数对应的载波泄露功率，在此基础上，确定两路I/Q基带信号的校准值，并利用确定的校准值对两路I/Q基带信号进行校准，得到校准后的载波泄露功率，可以实现对直流偏置引起的载波泄露的校准，以及对芯片的本振泄露的校准，能够减少测试所需的时间，降低测试成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对本申请实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本申请实施例提供的一种发射机的校准方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的一种发射机的校准方法中的获取预设校准参数对应的载波泄露功率的流程示意图；
图3为本申请实施例提供的一种发射机的校准方法中的确定两路I/Q基带信号的校准值的流程示意图；
图4为本申请另一实施例提供的一种发射机的校准方法的流程示意图；
图5为本申请实施例提供的一种发射机的校准装置的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种发射机的结构示意图。
具体实施方式
下面结合本申请中的附图描述本申请的实施例。应理解，下面结合附图所阐述的实施方式，是用于解释本申请实施例的技术方案的示例性描述，对本申请实施例的技术方案不构成限制。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
零中频架构的性能会受到一些非线性失真的限制，例如直流偏置、I/Q不平衡、本振泄露、闪烁噪声等，这些缺陷中大多数是所有射频体系结构的基本问题，而直流偏置和I/Q不平衡是零中频架构所特有的。
在零中频发射机中，载波泄露主要由两个部分产生，第一个部分是本振泄露，是由于混频器的本振口与射频口之间的隔离度不好，本振信号就很容易从射频口输出；第二个部分是直流偏置，是零中频架构中独有的一种干扰，是由于差分端不匹配产生的，导致信号中间加入一个DC直流量，再经过混频进入RF端。这两种情况都相当于载波泄露到射频通道上。
这种载波泄露的信号会在发射信号中引入一个不期望的具有本振信号的杂散信号。当发射机将基带信号直接变换为给定的射频中心频率时，发射信号中本振信号的存在会引起带内干扰。
现有技术中所采用的一种消除载波泄露的简单方法是在数字通路上增加直流，来补偿器件产生的固有的直流偏置。但是这种方法需要得到对应的校准值的大小，已有的方法有通过在电路中加入比较器，从而找到校准值，这种方法花费时间少，但是只能校准直流偏置引起的载波泄露，无法对芯片的本振泄露进行校准。另一种是采用二分法寻找校准值的大小，这种方法在芯片的输出端进行测量与校准，可以准确的得到校准值的大小，但是在芯片校准上的耗时较多，增加了芯片的测试成本。
针对现有技术中存在的上述技术问题，本申请实施例提供了一种发射机及其校准方法、装置及计算机可读存储介质。
下面通过对几个示例性实施方式的描述，对本申请实施例的技术方案以及本申请的技术方案产生的技术效果进行说明。需要指出的是，下述实施方式之间可以相互参考、借鉴或结合，对于不同实施方式中相同的术语、相似的特征以及相似的实施步骤等，不再重复描述。
图1为本申请实施例提供的一种发射机的校准方法，如图1所示，该方法包括：
S101、获取未校准时电路的第一载波泄露功率。
S102、针对所述电路中的两路I/Q基带信号，分别获取预设校准参数对应的载波泄露功率。
S103、根据所述第一载波泄露功率和所述预设校准参数对应的载波泄露功率，以及所述预设校准参数，确定所述两路I/Q基带信号的校准值。
S104、利用所述两路I/Q基带信号的校准值，对所述两路I/Q基带信号进行校准，得到校准后的载波泄露功率。
在该实施例中，可以通过测量先获取到未进行校准时电路的第一载波泄露功率，然后再针对电路中的两路I/Q基带信号，分别通过测量获取预设校准参数对应的载波泄露功率，例如：针对电路中的两路I/Q基带信号，分别加入预设校准参数对应的校准电流，测量获取所加入校准电流对应的载波泄露功率，在此基础上，确定两路I/Q基带信号的实际校准值，并利用确定的实际校准值对两路I/Q基带信号进行校准，得到校准后的载波泄露功率。
显然，采用本申请实施例的上述方法，无论校准档位为多少，针对I路或者Q路基带信号，仅需要测量3次，即：测量未进行校准时的载波泄露功率，以及测量2次预设校准参数对应的载波泄露功率，就可以确定出对应的校准值。也就是说，采用本申请实施例中的方法，总共需要测量6次。然而，二分法则是要根据校准挡位对两路I/Q基带信号进行测量，例如校准挡位有7个bit，二分法就需要测量14次，且中间进行比较时存在出错可能。因此，本申请的方法相比采用二分法对芯片的本振泄露进行校准的方案，测试所需的时间可以节省超过一半，而且测量精度和稳定更好。
另外，在零中频发射机中的载波泄露包括本振泄露和由直流偏置引起的载波泄露，而载波泄露和本振泄露都表现为输出信号中存在本振频率，其对应零中频发射机的直流信号。因此，本申请实施例中的方法通过改变两路I/Q基带信号中的直流量来校准载波泄露和本振泄露可以实现对直流偏置引起的载波泄露的校准，以及对芯片的本振泄露的校准，能够减少测试所需的时间，降低测试成本。
图2为本申请实施例提供的一种发射机的校准方法中的获取预设校准参数对应的载波泄露功率(步骤S102)的流程示意图。如图2所示，S102具体可以包括：
S1021、针对I路基带信号，获取第一预设校准参数对应的第二载波泄露功率。
S1022、针对Q路基带信号，获取第二预设校准参数对应的第三载波泄露功率。
在该实施例中，所述第一预设校准参数包括两个用于对I路基带信号进行校准的预设的第一控制校准字，所述第二预设校准参数包括两个用于对Q路基带信号进行校准的预设的第二控制校准字。
具体的，在该实施例中，在针对I/Q路基带信号设置用于进行校准的控制校准字时，若针对I路基带信号设置了用于进行校准的第一控制校准字不为0，而针对Q路基带信号设置的用于进行校准的第一控制校准字为0，则可以针对I路基带信号，获取第一预设校准参数对应的第二载波泄露功率。为了可以更好的进行校准，可以针对I路基带信号设置一正一负两个第一控制校准字。
同理，若针对Q路基带信号设置了用于进行校准的第二控制校准字不为0，而针对I路基带信号设置的用于进行校准的第二控制校准字为0，则可以针对Q路基带信号，获取第二预设校准参数对应的第三载波泄露功率。为了可以更好的进行校准，可以针对Q路基带信号设置一正一负两个第二控制校准字。
本申请实施例中提供了一种可能的实现方式，S1021具体可以包括：针对I路基带信号，分别获取两个所述第一控制校准字对应的第二载波泄露功率。S1022具体可以包括：针对Q路基带信号，分别获取两个所述第二控制校准字对应的第三载波泄露功率。
具体的，在该实施例中，针对I路基带信号，可以分别获取一正一负两个第一控制校准字对应的第二载波泄露功率，即：针对I路基带信号，获取两个第二载波泄露功率，其中，一个第二载波泄露功率对应正的第一控制校准字，一个第二载波泄露功率对应负的第一控制校准字。
同理，针对Q路基带信号，也可以分别获取一正一负两个第二控制校准字对应的第三载波泄露功率，即：针对Q路基带信号，获取两个第三载波泄露功率，其中，一个第三载波泄露功率对应正的第二控制校准字，一个第三载波泄露功率对应负的第二控制校准字。
图3为本申请实施例提供的一种发射机的校准方法中的确定两路I/Q基带信号的校准值(步骤S103)的流程示意图。如图3所示，S103具体可以包括：
S1031、根据所述第一载波泄露功率和两个所述第二载波泄露功率，以及两个所述第一控制校准字，确定I路基带信号的第一校准值。
S1032、根据所述第一载波泄露功率和两个所述第三载波泄露功率，以及两个所述第二控制校准字，确定Q路基带信号的第二校准值。
在一些实施例中，S1031具体可以包括：
将第一载波泄露功率差与第二载波泄露功率差的比值确定为I路基带信号的校准系数，其中，所述第一载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与一个所述第二载波泄露功率之间的载波泄露功率差，所述第二载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与另一个所述第二载波泄露功率之间的载波泄露功率差；
基于I路基带信号的校准系数和两个所述第一控制校准字，确定I路基带信号的第一校准值。
具体的，在该实施例中，可以根据以下公式(1)确定I路基带信号的第一校准值：
Figure BDA0003320051230000091
其中，Ireg_cal_I为I路基带信号对应的第一校准值，Ireg_1、Ireg_2为两个第一控制校准字，Δp1为第一载波泄露功率差，Δp2为第二载波泄露功率差，mI为I路基带信号的校准系数。
在一些实施例中，S1032具体可以包括：
将第三载波泄露功率差与第四载波泄露功率差的比值确定为Q路基带信号的校准系数，其中，所述第三载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与一个所述第三载波泄露功率之间的载波泄露功率差，所述第四载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与另一个所述第三载波泄露功率之间的载波泄露功率差；
基于Q路基带信号的校准系数和两个所述第二控制校准字，确定Q路基带信号的第二校准值。
具体的，在该实施例中，可以根据以下公式(2)确定Q路基带信号的第二校准值：
Figure BDA0003320051230000092
其中，Ireg_cal_Q为Q路基带信号对应的第二校准值，Ireg_3、Ireg_4为两个第二控制校准字，Δp3为第三载波泄露功率差，Δp4为第四载波泄露功率差，mQ为Q路基带信号的校准系数。
具体的，在该实施例中，可以分别通过上述公式(1)、(2)，确定出两路I/Q基带信号分别对应的实际的校准值，以便后续用于对两路I/Q基带信号进行校准。
综上，本申请实施例提供的零中频发射机的载波泄露的校准方法，通过获取的未校准时电路的第一载波泄露功率、针对电路中的两路I/Q基带信号的预设校准参数，以及获取的该预设校准参数对应的载波泄露功率，来确定两路I/Q基带信号的校准值，并对两路I/Q基带信号进行校准，可以实现对直流偏置引起的载波泄露的校准，以及对芯片的本振泄露的校准，减少测试所需的时间，降低测试成本。
图4为本申请另一实施例提供的一种发射机的校准方法的流程示意图。下面结合图4，对本申请实施例提供的一种发射机的校准方法的技术方案进行详细的描述。如图4所示的方法，包括：
S401，测量并记录未校准时电路的载波泄露能量(作为上文中的“第一载波泄露功率”的一个例子)P0。
S402，测量并记录不同校准值下的电路中的载波泄露能量(作为上文中的预设校准参数对应的载波泄露功率的一个例子)。
具体的，在该实施例中，可以将控制校准字的大小分别设置为(Ireg_1＝5，Ireg_1_Q＝0)、(Ireg_2＝-5，Ireg_2_Q＝0)、(Ireg_3_I＝0，Ireg_3＝5)、(Ireg_4_I＝0，Ireg_4＝-5)四种情况，然后分别记录四种情况下的载波泄露的能量P1、P2、P3、P4。
其中，载波泄露的能量P1、P2对应上文中的第二载波泄露功率，载波泄露的能量P3、P4对应上文中的第三载波泄露功率。
S403，根据以下公式计算得到I路和Q路的校准值。
Figure BDA0003320051230000101
Figure BDA0003320051230000102
其中，Ireg_cal_I为I路基带信号对应的校准值，Ireg_cal_Q为Q路基带信号对应的校准值，Δp1＝P0-P1，Δp2＝P0-P2，Δp3＝P0-P3，Δp4＝P0-P4。
S404，根据S403中计算得到的校准值对I路和Q路进行校准，得到校准后的载波泄露能量。
具体的，在该实施例中，通过直流分量与校准字的关系，通过三次测量可以直接确定校准值的大小，具体过程如下：
(1)载波泄露能量与I/Q两路的直流分量之间关系如下式所示：
P0＝(II 2+IQ 2)R
其中，II和IQ分别是I路和Q路的直流分量，R是电路的等效电阻，P0是未加入校准电流的载波泄露功率。
在I路添加一个校准电流x1，得到新的载波泄露功率如下式所示：
P1＝(II-x1)2R+IQ 2R
其中，P1是加入校准电流x1后的载波泄露功率。
(2)将未加入校准电流的载波泄露功率P0与加入校准电流x1后的载波泄露功率P1相减可得：
Figure BDA0003320051230000112
其中，Δp1是加入校准电流x1后的载波泄露功率的变化量。
(3)将I路的校准电流的大小改为x2可得：
P2＝(II-x2)2R+IQ 2R
其中，P2是加入校准电流x2后的载波泄露功率。
(4)将未加入校准电流的载波泄露功率P0与加入校准电流x2后的载波泄露功率P2相减可得：
Figure BDA0003320051230000113
其中，Δp2是加入校准电流x2后的载波泄露功率的变化量。
(5)校准电路的控制校准字与校准电流之间存在一个比例系数n的对应关系：
II＝n*Ireg_cal
x1＝n*Ireg_1
x2＝n*Ireg_2，
其中，Ireg_cal是I路直流分量对应的校准字的大小(即需要求得的校准值)，Ireg_1对应在I路添加的校准电流x1的校准字的大小，Ireg_2对应在I路添加的校准电流x2的校准字的大小。
将Δp1与Δp2相除，将比例系数n消除，可得：
Figure BDA0003320051230000111
(6)根据步骤(5)所得公式，可以得到：
Figure BDA0003320051230000121
从而得到了的I路的校准字的大小。
(7)将I路的校准电流设置为0，改为给Q路加校准电流，执行步骤(1)到步骤(6)，可以得到Q路的校准字的大小如下式：
Figure BDA0003320051230000122
由上述过程可以：本申请实施例的方法，针对I路或者Q路基带信号，仅需要测量3次，即：测量未加入校准电流的载波泄露功率，以及测量2次添加一个校准电流的载波泄露功率，就可以确定出对应的校准值，测试所需的时间大大降低，从而降低了测试成本。
图5为本申请实施例提供了一种发射机的校准装置，如图5所示，该校准装置50可以包括：获取模块501和确定模块502。其中，
获取模块501用于获取未校准时电路的第一载波泄露功率，以及所述电路中的针对两路I/Q基带信号，分别获取预设校准参数对应的载波泄露功率。
确定模块502用于根据所述第一载波泄露功率和所述预设校准参数对应的载波泄露功率，以及所述预设校准参数，确定所述两路I/Q基带信号的校准值；利用所述两路I/Q基带信号的校准值，对所述两路I/Q基带信号进行校准，得到校准后的载波泄露功率。
进一步地，所述获取模块501在针对所述电路中的两路I/Q基带信号，分别获取预设校准值对应的载波泄露功率时，具体用于：针对I路基带信号，获取第一预设校准参数对应的第二载波泄露功率。针对Q路基带信号，获取第二预设校准参数对应的第三载波泄露功率。
进一步地，所述第一预设校准参数包括两个用于对I路基带信号进行校准的预设的第一控制校准字，所述第二预设校准参数包括两个用于对Q路基带信号进行校准的预设的第二控制校准字。
进一步地，所述获取模块501在针对I路基带信号，获取第一预设校准参数对应的第二载波泄露功率时，具体用于：针对I路基带信号，分别获取两个所述第一控制校准字对应的第二载波泄露功率。所述获取模块501在针对Q路基带信号，获取第二预设校准参数对应的第三载波泄露功率时，具体用于：针对Q路基带信号，分别获取两个所述第二控制校准字对应的第三载波泄露功率。
进一步地，所述确定模块502在根据所述第一载波泄露功率和所述预设校准值对应的载波泄露功率，以及所述预设校准参数，确定所述两路I/Q基带信号的校准值时，具体用于：根据所述第一载波泄露功率和两个所述第二载波泄露功率，以及两个所述第一控制校准字，确定I路基带信号的第一校准值。根据所述第一载波泄露功率和两个所述第三载波泄露功率，以及两个所述第二控制校准字，确定Q路基带信号的第二校准值。
进一步地，所述确定模块502在根据所述第一载波泄露功率和两个所述第二载波泄露功率，以及两个所述第一控制校准字，确定I路基带信号的第一校准值时，具体用于：
将第一载波泄露功率差与第二载波泄露功率差的比值确定为I路基带信号的校准系数，其中，所述第一载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与一个所述第二载波泄露功率之间的载波泄露功率差，所述第二载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与另一个所述第二载波泄露功率之间的载波泄露功率差；
基于I路基带信号的校准系数和两个所述第一控制校准字，确定I路基带信号的第一校准值。
具体的，在该实施例中，可以根据以下公式确定I路基带信号的第一校准值：
Figure BDA0003320051230000131
其中，Ireg_cal_I为I路基带信号对应的第一校准值，Ireg_1、Ireg_2为两个第一控制校准字，Δp1为第一载波泄露功率差，Δp2为第二载波泄露功率差，mI为I路基带信号的校准系数。
进一步地，所述确定模块502在根据所述第一载波泄露功率和两个所述第三载波泄露功率，以及两个所述第二控制校准字，确定Q路基带信号的第二校准值时，具体用于：
将第三载波泄露功率差与第四载波泄露功率差的比值确定为Q路基带信号的校准系数，其中，所述第三载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与一个所述第三载波泄露功率之间的载波泄露功率差，所述第四载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与另一个所述第三载波泄露功率之间的载波泄露功率差；
基于Q路基带信号的校准系数和两个所述第二控制校准字，确定Q路基带信号的第二校准值。
具体的，在该实施例中，可以根据以下公式确定Q路基带信号的第二校准值：
Figure BDA0003320051230000141
其中，Ireg_cal_Q为Q路基带信号对应的第二校准值，Ireg_3、Ireg_4为两个第二控制校准字，Δp3为第三载波泄露功率差，Δp4为第四载波泄露功率差，mQ为Q路基带信号的校准系数。
本申请实施例的装置可执行本申请实施例提供的方法，其实现原理和能够达到的效果相类似，本申请各实施例的装置中的各模块所执行的动作是与本申请各实施例的方法中的步骤相对应的，对于装置的各模块的详细功能描述具体可以参见前文中所示的对应方法中的描述，此处不再赘述。
本申请实施例中提供了一种发射机，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，该处理器执行上述计算机程序以实现本申请实施例提供的校准方法的步骤，与现有技术相比可实现：通过获取未进行校准时电路的第一载波泄露功率，并针对电路中的两路I/Q基带信号，分别获取预设校准参数对应的载波泄露功率，在此基础上，确定两路I/Q基带信号的校准值，并利用确定的校准值对两路I/Q基带信号进行校准，得到校准后的载波泄露功率，可以实现对直流偏置引起的载波泄露的校准，以及对芯片的本振泄露的校准，能够减少测试所需的时间，降低测试成本。而且，本申请的方法相比采用二分法对芯片的本振泄露进行校准的方案，测试所需的时间可以节省超过一半。
在一个可选实施例中提供了一种发射机，如图6所示，图6所示的发射机4000包括：处理器4001和存储器4003。其中，处理器4001和存储器4003相连，如通过总线4002相连。
处理器4001可以是CPU(Central Processing Unit，中央处理器)，通用处理器，DSP(Digital Signal Processor，数据信号处理器)，ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit，专用集成电路)，FPGA(Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)或者其他可编程逻辑器件、晶体管逻辑器件、硬件部件或者其任意组合。其可以实现或执行结合本申请公开内容所描述的各种示例性的逻辑方框，模块和电路。处理器4001也可以是实现计算功能的组合，例如包含一个或多个微处理器组合，DSP和微处理器的组合等。
总线4002可包括一通路，在上述组件之间传送信息。总线4002可以是PCI(Peripheral Component Interconnect，外设部件互连标准)总线或EISA(ExtendedIndustry Standard Architecture，扩展工业标准结构)总线等。总线4002可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图6中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
存储器4003可以是ROM(Read Only Memory，只读存储器)或可存储静态信息和指令的其他类型的静态存储设备，RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)或者可存储信息和指令的其他类型的动态存储设备，也可以是EEPROM(Electrically ErasableProgrammable Read Only Memory，电可擦可编程只读存储器)、CD-ROM(Compact DiscRead Only Memory，只读光盘)或其他光盘存储、光碟存储(包括压缩光碟、激光碟、光碟、数字通用光碟、蓝光光碟等)、磁盘存储介质、其他磁存储设备、或者能够用于携带或存储计算机程序并能够由计算机读取的任何其他介质，在此不做限定。
存储器4003用于存储执行本申请实施例的计算机程序，并由处理器4001来控制执行。处理器4001用于执行存储器4003中存储的计算机程序，以实现前述方法实施例所示的步骤。
本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时可实现前述方法实施例的步骤及相应内容。
需要说明的是，本申请实施例中对单元的划分是示意性的，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
应该理解的是，虽然本申请实施例的流程图中通过箭头指示各个操作步骤，但是这些步骤的实施顺序并不受限于箭头所指示的顺序。除非本文中有明确的说明，否则在本申请实施例的一些实施场景中，各流程图中的实施步骤可以按照需求以其他的顺序执行。此外，各流程图中的部分或全部步骤基于实际的实施场景，可以包括多个子步骤或者多个阶段。这些子步骤或者阶段中的部分或全部可以在同一时刻被执行，这些子步骤或者阶段中的每个子步骤或者阶段也可以分别在不同的时刻被执行。在执行时刻不同的场景下，这些子步骤或者阶段的执行顺序可以根据需求灵活配置，本申请实施例对此不限制。
以上所述仅是本申请部分实施场景的可选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请的方案技术构思的前提下，采用基于本申请技术思想的其他类似实施手段，同样属于本申请实施例的保护范畴。

Claims (10)

1.一种发射机的校准方法，其特征在于，包括：
获取未校准时电路的第一载波泄露功率；
针对所述电路中的两路I/Q基带信号，分别获取预设校准参数对应的载波泄露功率；
根据所述第一载波泄露功率和所述预设校准参数对应的载波泄露功率，以及所述预设校准参数，确定所述两路I/Q基带信号的校准值；
利用所述两路I/Q基带信号的校准值，对所述两路I/Q基带信号进行校准，得到校准后的载波泄露功率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对所述电路中的两路I/Q基带信号，分别获取预设校准值对应的载波泄露功率，包括：
针对I路基带信号，获取第一预设校准参数对应的第二载波泄露功率；
针对Q路基带信号，获取第二预设校准参数对应的第三载波泄露功率。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预设校准参数包括两个用于对I路基带信号进行校准的预设的第一控制校准字，所述第二预设校准参数包括两个用于对Q路基带信号进行校准的预设的第二控制校准字。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述针对I路基带信号，获取第一预设校准参数对应的第二载波泄露功率，包括：
针对I路基带信号，分别获取两个所述第一控制校准字对应的第二载波泄露功率；
所述针对Q路基带信号，获取第二预设校准参数对应的第三载波泄露功率，包括：
针对Q路基带信号，分别获取两个所述第二控制校准字对应的第三载波泄露功率。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一载波泄露功率和所述预设校准值对应的载波泄露功率，以及所述预设校准参数，确定所述两路I/Q基带信号的校准值，包括：
根据所述第一载波泄露功率和两个所述第二载波泄露功率，以及两个所述第一控制校准字，确定I路基带信号的第一校准值；
根据所述第一载波泄露功率和两个所述第三载波泄露功率，以及两个所述第二控制校准字，确定Q路基带信号的第二校准值。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一载波泄露功率和两个所述第二载波泄露功率，以及两个所述第一控制校准字，确定I路基带信号的第一校准值，包括：
将第一载波泄露功率差与第二载波泄露功率差的比值确定为I路基带信号的校准系数，其中，所述第一载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与一个所述第二载波泄露功率之间的载波泄露功率差，所述第二载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与另一个所述第二载波泄露功率之间的载波泄露功率差；
基于I路基带信号的校准系数和两个所述第一控制校准字，确定I路基带信号的第一校准值。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一载波泄露功率和两个所述第三载波泄露功率，以及两个所述第二控制校准字，确定Q路基带信号的第二校准值，包括：
将第三载波泄露功率差与第四载波泄露功率差的比值确定为Q路基带信号的校准系数，其中，所述第三载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与一个所述第三载波泄露功率之间的载波泄露功率差，所述第四载波泄露功率差为所述第一载波泄露功率与另一个所述第三载波泄露功率之间的载波泄露功率差；
基于Q路基带信号的校准系数和两个所述第二控制校准字，确定Q路基带信号的第二校准值。
8.一种发射机的校准装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取未校准时电路的第一载波泄露功率，以及针对所述电路中的两路I/Q基带信号，分别获取预设校准参数对应的载波泄露功率；
确定模块，用于根据所述第一载波泄露功率和所述预设校准参数对应的载波泄露功率，以及所述预设校准参数，确定所述两路I/Q基带信号的校准值；利用所述两路I/Q基带信号的校准值，对所述两路I/Q基带信号进行校准，得到校准后的载波泄露功率。
9.一种发射机，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序以实现权利要求1-7任一项所述的发射机的校准方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-7任一项所述的发射机的校准方法的步骤。
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