CN113903780A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113903780A
CN113903780A CN202110760541.4A CN202110760541A CN113903780A CN 113903780 A CN113903780 A CN 113903780A CN 202110760541 A CN202110760541 A CN 202110760541A CN 113903780 A CN113903780 A CN 113903780A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
auxiliary wiring
display device
wiring layer
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110760541.4A
Other languages
English (en)
Inventor
元秉喜
朴埈亨
辛在敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN113903780A publication Critical patent/CN113903780A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示装置包括：包括基底部分以及在不同方向上从基底部分延伸的多个连接部分的基板；设置在基底部分上并且包括薄膜晶体管和存储电容器的像素电路；位于像素电路上的有机绝缘层；设置在有机绝缘层上并且电连接到像素电路的像素电极；设置在有机绝缘层上的第一辅助布线层；与像素电极重叠的对电极；以及在像素电极与对电极之间的发射层。有机绝缘层包括第一凹部，第一辅助布线层具有在第一辅助布线层的宽度方向上从有机绝缘层的侧表面突出的第一尖端，并且侧表面限定第一凹部。

Description

显示装置
本申请要求2020年7月7日提交的韩国专利申请第10-2020-0083672号的优先权以及从中获得的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示装置，并且更具体地，涉及能够实现高分辨率并获得高的像素开口率的显示装置。
背景技术
随着用于可视地显示电信号的显示装置的发展，已经引入了具有优异特性(诸如小的厚度、更轻的重量、降低的功耗等)的各种显示装置。近来，已经研究和开发了可折叠或可卷曲的柔性显示装置，并且进一步，已经积极研究和开发了可改变为各种形状的可伸缩显示装置。
发明内容
一个或多个实施例包括一种显示装置，该显示装置的形状是可改变的，并且该显示装置具有高分辨率和增大的像素开口率。然而，这些特征是示例，并且不限制本公开的范围。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地根据描述是显而易见的，或者可以通过呈现的本公开的实施例的实践来领会。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：包括基底部分和多个连接部分的基板，其中多个连接部分在彼此不同的方向上从基底部分延伸；设置在基底部分上并且包括薄膜晶体管和存储电容器的像素电路；位于像素电路上的有机绝缘层；设置在有机绝缘层上并且电连接到像素电路的像素电极；设置在有机绝缘层上的第一辅助布线层；在平面图中与像素电极重叠的对电极；以及在像素电极与对电极之间的发射层。有机绝缘层限定第一凹部，第一辅助布线层具有在第一辅助布线层的宽度方向上从有机绝缘层的第一侧表面突出的第一尖端，并且第一侧表面限定第一凹部。
第一辅助布线层可以包括与像素电极相同的材料。
第一辅助布线层可以具有闭环形状，以在平面图中围绕像素电极的全部。
对电极可以接触第一辅助布线层的一部分。
显示装置可以进一步包括设置在像素电极上并且限定在平面图中与像素电极重叠的开口的像素限定层，其中像素限定层可以覆盖第一辅助布线层的部分，使得第一辅助布线层的这一部分被暴露。
对电极可以在第一尖端上方接触第一辅助布线层的这一部分。
显示装置可以进一步包括设置在基板上的公共电力线，其中第一辅助布线层可以电连接到公共电力线。
公共电力线可以包括位于基底部分上的第一部分以及从第一部分朝向多个连接部分中的至少一个延伸的第二部分。
对电极可以包括被第一尖端分离的部分。
显示装置可以进一步包括在像素电极与对电极之间的功能层，其中功能层可以包括被第一尖端分离的部分。
显示装置可以进一步包括设置在有机绝缘层与像素电极之间的无机绝缘层。
无机绝缘层可以包括在第一辅助布线层的宽度方向上从有机绝缘层的第一侧表面突出的一部分，并且无机绝缘层的这一部分可以被设置在第一尖端下方。
显示装置可以进一步包括覆盖对电极并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的封装层。
显示装置可以进一步包括与第一辅助布线层隔开的第二辅助布线层。
第二辅助布线层可以包括与像素电极和第一辅助布线层相同的材料。
有机绝缘层可以进一步限定在与第一凹部相反的方向上凹陷的第二凹部。
第二辅助布线层可以包括面对第一辅助布线层的第一尖端并且从有机绝缘层的第二侧表面突出的第二尖端，并且第二侧表面可以限定第二凹部。
显示装置可以进一步包括设置在第二辅助布线层上方并且在平面图中围绕基底部分的全部的间隔件。
显示装置可以进一步包括覆盖对电极并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的封装层。
至少一个有机封装层的一部分可以被设置在所述第一凹部中。
可以通过使用系统、方法、计算机程序、或者系统、方法和计算机程序的组合来实现这些一般和特定实施例。
附图说明
本公开的特定实施例的上述及其它方面、特征和优点将根据下面结合附图进行的描述更加显而易见，其中：
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
图2是图1的显示装置的放大部分的示意性平面图；
图3是根据实施例的显示装置的基本单元的结构的示意性平面图；
图4是根据实施例的显示装置的像素电路的等效电路图；
图5是根据实施例的显示装置的一个或多个层的示意性平面图；
图6A和图6B是根据实施例的、沿图5的线VI-VI’截取的显示装置的截面图；
图7A和图7B是根据实施例的、沿图5的线VII-VII’截取的显示装置的截面图；
图8是根据另一实施例的显示装置的基本单元的一个或多个层的示意性平面图；
图9是根据另一实施例的、沿图8的线IX-IX’截取的显示装置的截面图；
图10是根据另一实施例的、沿图8的线X-X’截取的显示装置的截面图；并且
图11是根据另一实施例的显示装置的示意性透视图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，这些实施例的示例被图示在附图中，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就此而言，本实施例可以具有不同的形式并且不应解释为限于本文中陈述的描述。本文中使用的术语仅仅是为了描述具体实施例的目的，而不旨在限制。如本文中使用的，单数形式“一”和“该(所述)”旨在包含包括“至少一个”在内的复数形式，除非上下文另外清楚地指出。“至少一个”不被解释为限定“一”。“或”意味着“和/或”。因此，下面通过参考附图只描述了实施例，以解释本说明书的各方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或它们的变体。
因为本公开可以具有各种修改实施例，因此优选实施例在附图中被示出并且在详细描述中进行描述。当参考参照附图描述的实施例时，本公开的效果和特性以及实现这些的方法将是显而易见的。然而，本公开可以以许多不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。
以下将参考附图更详细地描述本公开的一个或多个实施例。与附图的编号无关，彼此相同或相对应的那些部件被赋予相同的附图标记，并且省略多余的说明。
将理解，虽然本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但这些部件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
以单数形式使用的表述包括复数形式的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
将进一步理解，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定存在所陈述的特征或元件，但不排除一个或多个其他特征或元件的存在或附加。
将理解，当层、区域或元件被称为形成在另一层、区域或元件“上”时，它可以直接或间接地形成在另一层、区域或元件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或元件。
为便于说明，可夸大附图中元件的尺寸。换言之，由于附图中部件的尺寸和厚度是为了便于说明而被任意地图示的，因此下面的实施例不限于此。
当某一实施例可以被不同地实现时，特定工艺可以以不同于所描述的顺序的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
在本说明书中，表述“A和/或B”可以指示A、B、或者A和B。此外，表述“A和B中的至少一个”可以指示A、B、或者A和B。
在下文的实施例中，将理解，当元件、区域或层被称为连接到另一元件、区域或层时，其可以直接和/或间接连接到另一元件、区域或层。例如，将理解，在本说明书中，当元件、区域或层被称为接触或电连接到另一元件、区域或层，其可以直接和/或间接地接触或电连接到另一元件、区域或层。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在广义上被解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是根据实施例的显示装置1的示意性平面图，并且图2是图1的显示装置1的放大部分的示意性平面图。
参考图1和图2，显示装置1可以包括基板100以及设置在基板100上的显示单元200。
基板100可以包括各种材料，诸如玻璃、金属或有机材料。根据实施例，基板100可以包括柔性材料。例如，基板100可以包括超薄柔性玻璃(例如，具有大约几十至大约几百微米的厚度)或聚合物树脂。当基板100包括聚合物树脂时，基板100可以包括聚酰亚胺(“PI”)。可替代地，基板100可以包括聚醚砜(“PES”)、聚芳酯、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚碳酸酯(“PC”)、三乙酸纤维素(“TAC”)和/或乙酸丙酸纤维素(“CAP”)。
基板100可以包括彼此隔开的多个基底部分BS以及将多个基底部分BS彼此连接的多个连接部分CN。多个空间区域V可以由多个连接部分CN和多个基底部分BS限定，并且穿透基板100。
多个基底部分BS可以被设置成彼此隔开。例如，多个基底部分BS可以形成平面网格图案，其中基底部分BS在第一方向(x方向)和第二方向(y方向)上重复地设置。第二方向(y方向)不同于第一方向(x方向)。根据实施例，第一方向(x方向)和第二方向(y方向)可以彼此交叉。根据另一实施例，第一方向(x方向)和第二方向(y方向)可以形成钝角或锐角。
显示单元200可以被设置在多个基底部分BS上。可见波长范围的光可以由显示单元200的发射元件发射，并且由发射元件发射的光可以通过与具有特定面积的平坦区域相对应的发射区域提供。发射区域可以被定义为像素。例如，红色像素、绿色像素和/或蓝色像素可以被设置在每个基底部分BS上。
多个连接部分CN可以提供彼此邻近的基底部分BS之间的连接。例如，四个连接部分CN可以连接到每个基底部分BS。连接到每个基底部分BS的四个连接部分CN可以在彼此不同的方向上延伸。此外，四个连接部分CN中的每个可以连接两个邻近的基底部分BS。例如，一个基底部分BS可以通过分别连接到围绕该基底部分BS的四个基底部分BS的四个连接部分CN而连接到围绕的四个基底部分BS。
可以通过包括相同的材料连续地形成多个基底部分BS和多个连接部分CN。即，多个基底部分BS和多个连接部分CN可以一体地形成为单体。
在下文中，为了便于解释，一个基底部分BS与连接到其的连接部分CN可以被称为基本单元U，基于该基本单元U，将更详细地描述显示装置1的结构。基本单元U可以在第一方向和第二方向上重复地设置，并且可以理解，显示装置1包括重复设置并且彼此连接的基本单元U。彼此邻近的两个基本单元U可以彼此对称。例如，在图1中的水平方向(即，x方向)上彼此邻近的两个基本单元U可以相对于在这两个基本单元U之间并且与y方向平行的对称轴水平对称。类似地，在图1中的垂直方向(即，y方向)上彼此邻近的两个基本单元U可以相对于在这两个基本单元U之间并且与x方向平行的对称轴垂直对称。
彼此邻近的基本单元U(例如，图1中所示的四个基本单元U)可以在它们之间形成闭合曲线CL。闭合曲线CL可以限定空间区域V，该空间区域V是空的空间。例如，空间区域V可以由闭合曲线CL限定，该闭合曲线CL包括多个基底部分BS的边缘和多个连接部分CN的边缘。
空间区域V中的每个可以穿透基板100的上表面和下表面。每个空间区域V可以在多个基底部分BS之间提供空间区域，并且可以减轻显示装置1的重量并且增加显示装置1的柔性。此外，当外力(弯曲、翘曲、拖拽或按压等的力)被施加到显示装置1时，空间区域V的形状可以改变，使得可能与显示装置1的改变一起产生的应力可以更容易地降低，以便防止显示装置1的异常变形并且增加显示装置1的耐久性。通过这样做，可以提高使用显示装置1的用户便利性，并且显示装置1可以便利地应用于可穿戴设备。
可以通过刻蚀等移除基板100的区域来形成空间区域V，并且作为另一示例，可以在制造基板100时形成空间区域V。形成空间区域V作为基板100的部件的示例可以变化，并且其制造方法不限于特定示例。
基底部分BS的边缘与连接部分CN的边缘之间的角θ可以与锐角相对应。这里，基底部分BS和连接部分CN包含在一个基本单元U中。当施加外力(例如，拖拽显示装置1的力)时，基底部分BS的边缘与连接部分CN的边缘之间的角θ可以增大至如图2中所示的角θ’(θ’＞θ)。此外，空间区域V可以改变为具有改变的面积或形状的空间区域V’，并且基底部分BS的位置可以改变。图2是示出处于显示装置1在第一方向(x方向)和第二方向(y方向)上被拉伸的状态下的显示装置1的平面图。图2示出了当所描述的力被施加到显示装置1时，每个基底部分BS可以以特定角度旋转，使得基底部分BS与连接部分CN之间的角可以被改变为角θ’，并且空间区域V’的面积可以增大和/或空间区域V’的形状可以改变。由于每个基底部分BS的旋转，基底部分BS之间的距离可以根据测量的位置而改变。例如，如图1中所示的第一距离d1和第二距离d2可以被改变为如图2中所示的第一距离d1’和第二距离d2’。
当施加拖拽显示装置1的力时，应力可集中在连接到基底部分BS的边缘的连接部分CN中。因此，为了防止损坏显示装置1，限定空间区域V的闭合曲线CL可以包括曲线。
以基本相同的方式，例如，当施加按压显示装置1的力时，基底部分BS的边缘与连接部分CN的边缘之间的角θ可以减小，并且空间区域V的面积或形状可以改变。另外，基底部分BS的位置可以改变。如上所述，显示装置1可以具有延伸或收缩特性。
图3是根据实施例的显示装置的基本单元U的结构的示意性平面图。
参考图3，发射元件以及连接到发射元件的像素电路可以被设置在每个基底部分BS上。此外，发射元件通过其发射可见波长的光的发射区域可以位于基底部分BS上。发射区域可以被限定为像素PX。像素PX可以包括用于发射红光的红色子像素Pr、用于发射绿光的绿色子像素Pg以及用于发射蓝光的蓝色子像素Pb。
在实施例中，例如，红色子像素Pr、绿色子像素Pg或蓝色子像素Pb可以被设置在每个基底部分BS上。作为另一示例，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb中的全部可以被设置在每个基底部分BS上。在下文中，为了便于描述，将描述红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb中的全部被设置在一个基底部分BS上的情况。
红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以在一方向上被设置成彼此隔开。例如，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以在第一方向(x方向)上被设置成彼此隔开。这里，例如，距离(例如，邻近的子像素之间的在第一方向(x方向)上的最小距离)可以基本相同。即，红色子像素Pr与蓝色子像素Pb之间的第一距离dt1可以与蓝色子像素Pb与绿色子像素Pg之间的第二距离dt2基本相同。作为另一示例，第一距离dt1和第二距离dt2可以彼此不同。
图3图示了子像素被设置为条纹类型。然而，根据本发明的子像素并不限于此，并且在另一实施例中可以被设置为各种类型，诸如s条纹类型或蜂窝状(pentile)类型。
辅助布线层AW可以被设置在基底部分BS上。辅助布线层AW可以沿每个基底部分BS的边缘被设置。辅助布线层AW可以连续地形成，以在平面透视图(即，平面图)中完全围绕像素PX。换句话说，辅助布线层AW可以具有闭环形状，以在平面图中包围像素PX。在下文中，将参考图5至图10详细描述辅助布线层AW的结构和功能。
关于图4至图10，为了便于描述，除了特别需要区分的情况之外，像素和子像素可以彼此不区分，并且可以被称为像素。
图4是根据实施例的显示装置1的像素电路PC的等效电路图。
参考图4，显示装置1可以包括与每个像素PX(图3)相对应的像素电路PC以及连接到像素电路PC的发射元件，其中发射元件与发光二极管LED相对应。发光二极管LED可以通过接收通过像素电路PC的驱动电流来发射光。例如，发光二极管LED可以发射红光、绿光或蓝光。
发光二极管LED可以包括有机发光二极管(“OLED”)、无机发光二极管或量子点发光二极管。在下文中，为了方便起见，将描述每个像素PX的发光二极管LED包括OLED。
像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器Cap。根据实施例，如图4中所示，像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cap。例如，第一薄膜晶体管T1可以包括驱动薄膜晶体管，并且第二薄膜晶体管T2可以包括开关薄膜晶体管。第二薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以被配置为响应于通过扫描线SL提供的扫描信号Sn，将通过数据线DL提供的数据信号Dm传输到第一薄膜晶体管T1。
存储电容器Cap可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以被配置为存储与施加到驱动电压线PL的第一电压ELVDD与施加到第二薄膜晶体管T2的第二电压之间的差相对应的电压。
第一薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cap，并且可以被配置为根据存储在存储电容器Cap中的电压值来控制从驱动电压线PL流过OLED的驱动电流。OLED的对电极可以连接到公共电压ELVSS。OLED可以通过根据驱动电流发射具有特定亮度的光来显示图像。
相对于图4描述了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器。然而，根据本发明的公开并不限于此。在另一实施例中，例如，像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个存储电容器。根据实施例，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计进行各种修改。然而，在下文中，为了便于描述，将描述像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况。
图5是根据实施例的显示装置的一个或多个层的示意性平面图。
参考图5，公共电力线WL、像素电极221、辅助布线层AW、第一功能层222a和第二功能层222c可以被设置在基板100上。
公共电力线WL可以位于基底部分BS和连接部分CN上，并且可以提供公共电压ELVSS(图4)。公共电力线WL可以包括位于基底部分BS上的第一部分WL1以及从第一部分WL1朝向多个连接部分CN当中的任一个连接部分CN延伸的第二部分WL2。在实施例中，第一部分WL1和第二部分WL2可以一体地形成为同一层中的单体。
像素电极221可以被设置在基板100的基底部分BS上。一个像素电极221可以与一个像素PX(图3)相对应。像素电极221可以是发光二极管LED的一部分，如下面参考图6A所描述的。像素电极221可以被设置在公共电力线WL上方，并且可以在平面图中与公共电力线WL的一部分重叠。
像素电极221可以通过连接线CE电连接到第一薄膜晶体管T1，并且可以接收驱动电流。例如，连接线CE可以包括与公共电力线WL相同的材料，并且可以与公共电力线WL形成在同一层中。
像素电极221的平面面积可以彼此不同。例如，与用于发射蓝光的像素PX(即，蓝色子像素Pb)相对应的像素电极221可以具有比与用于发射红光的像素PX(即，红色子像素Pr)或用于发射绿光的像素PX(即，绿色子像素Pg)相对应的像素电极221大的面积。然而，与用于发射相同颜色的光的像素PX相对应的像素电极221可以具有相同的面积。
辅助布线层AW可以被设置在基板100的基底部分BS上。辅助布线层AW可以沿基底部分BS的边缘被设置，并且可以连续地形成，以在平面透视图中(即，在平面图中)完全围绕像素电极221。换句话说，辅助布线层AW可以具有闭环形状，以在平面图中包围像素电极221。图5图示了三个像素电极221被辅助布线层AW围绕。然而，根据本发明的公开并不限于此。在另一实施例中，根据设置在基底部分BS上的像素的数量，一个、两个、或者四个或更多个像素电极221可以被辅助布线层AW围绕。辅助布线层AW可以与像素电极221形成在同一层中，并且可以包括与像素电极221相同的材料。
辅助布线层AW可以包括朝向基底部分BS的内部的内边缘AW-IE以及作为与内边缘AW-IE相对的边缘的外边缘AW-OE。根据实施例，如下面参考图6A和图6B所描述的，辅助布线层AW可以包括在辅助布线层AW的宽度方向上朝向基底部分BS的外部突出的尖端PT(图6A和图6B)。这里，宽度方向是指与由第一方向和第二方向限定的平面平行并且与内边缘AW-IE和外边缘AW-OE垂直的方向。尖端PT通常可以沿外边缘AW-OE形成。
辅助布线层AW的一部分可以通过接触孔AWCNT电连接到公共电力线WL。图5图示了四个接触孔AWCNT。然而，根据本发明的公开并不限于此。
第一功能层222a和第二功能层222c可以包括在中间层222(图6A)中，中间层222设置在像素电极221上方。与针对每个像素PX设置的发射层222b(图6A)不同，第一功能层222a和第二功能层222c中的每个可以一体地形成，以覆盖多个像素PX。例如，第一功能层222a和第二功能层222c中的每个可以一体地形成，以覆盖红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb(图3)。第一功能层222a和第二功能层222c可以遍及基底部分BS的大部分区域和连接部分CN的一个或多个区域一体地形成。
第一功能层222a和第二功能层222c可以不被设置在基底部分BS的一个或多个区域中。例如，第一功能层222a和第二功能层222c可以被部分地设置在基底部分BS上，使得第一功能层222a和第二功能层222c可以在暴露基底部分BS的其中未设置有像素电极221的一个或多个区域的同时完全覆盖像素电极221。例如，这一个或多个区域可以包括基底部分BS的与基底部分BS的至少一个边缘邻近的区域。基于该结构，设置在第一功能层222a和第二功能层222c上方的对电极223(图6A)可以接触辅助布线层AW。下面将参考图7A和图7B详细描述该方面。
作为比较示例，对电极可以通过附加接触孔连接到公共电力线WL，以便接收公共电压ELVSS。像素PX可不被设置在附加接触孔被限定在其中的区域中，并且因此，像素PX的开口率可减小。然而，根据本公开的实施例，经由沿基底部分BS的边缘定位的辅助布线层AW，对电极223可以电连接到公共电力线WL。因此，附加接触孔可以不必被设置在基底部分BS上。基于该结构，像素电极221的面积可以增加，以增大像素PX的开口率。此外，可以不需要用于形成附加接触孔的图案化工艺，并且可以容易地图案化第一功能层222a和第二功能层222c。
图6A和图6B是根据实施例的、沿图5的线VI-VI’截取的显示装置的截面图。
首先，参考图6A，像素电路PC以及电连接到像素电路PC的发光二极管LED可以被设置在基板100的基底部分BS上。如参考图4所描述的，像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cap。
缓冲层201可以被设置在基板100与像素电路PC之间，并且可以防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT中。缓冲层201可以包括诸如氮化硅、氧氮化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、在平面图中与半导体层Act的沟道区重叠的栅电极GE以及分别连接到半导体层Act的源区和漏区的源电极SE和漏电极DE。图6A图示了其中栅电极GE被设置在半导体层Act上的顶栅型薄膜晶体管TFT，其中栅绝缘层203在栅电极GE与半导体层Act之间。然而，根据另一实施例，薄膜晶体管TFT可以是底栅型薄膜晶体管TFT。
半导体层Act可以包括多晶硅。在一些实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅。在一些实施例中，半导体层Act可以包括从由In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、G、Cr、Ti和Zn组成的组中选择的至少一种材料的氧化物。半导体层Act可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含上述导电材料的多层或单层。
半导体层Act与栅电极GE之间的栅绝缘层203可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪的无机绝缘材料。栅绝缘层203可以包括包含上述材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以位于同一层中，例如，在第二层间绝缘层207上，并且可以包括彼此相同的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括具有良好导电性的材料。源电极SE和/或漏电极DE可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。例如，源电极SE和/或漏电极DE可以具有包括钛层/铝层/钛层的三层结构。
存储电容器Cap可以包括在平面图中彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2，其中第一层间绝缘层205位于下电极CE1与上电极CE2之间。根据实施例，存储电容器Cap可以与薄膜晶体管TFT重叠，并且薄膜晶体管TFT的栅电极GE也可以用作存储电容器Cap的下电极CE1。根据另一实施例，存储电容器Cap在平面图中可以与薄膜晶体管TFT不重叠。存储电容器Cap可以被第二层间绝缘层207覆盖。存储电容器Cap的上电极CE2可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以被设置在栅绝缘层203上，并且可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅和氧氮化硅。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括包含上述材料的单层或多层。
缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的边缘可以被有机材料层220覆盖。例如，有机材料层220可以覆盖相对于基板100的上表面具有台阶差的缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的边缘。有机材料层220可以减轻在基板100的边缘部分处彼此接触的无机绝缘材料层的应力，并且该边缘部分可以包括例如基底部分BS的边缘。有机材料层220可以包括诸如PI的有机绝缘材料，并且有机材料层220的一部分可以在第二层间绝缘层207与第一无机绝缘层208之间。
至少一个有机绝缘层可以被设置在像素电路PC上。例如，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可以被顺序地堆叠在像素电路PC上。作为另一示例，第一有机绝缘层209、第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213可以被顺序地堆叠在像素电路PC上。在下文中，为了便于描述，将描述第一有机绝缘层209、第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213被顺序地堆叠在像素电路PC上的情况。
第一有机绝缘层209、第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括例如诸如苯并环丁烯(“BCB”)、PI、六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)的通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物。
像素电路PC的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cap可以被第一有机绝缘层209覆盖。此外，第一无机绝缘层208可以在第一有机绝缘层209与第二层间绝缘层207之间。第一无机绝缘层208可以包括包含诸如氮化硅、氧化硅和氧氮化硅的无机绝缘材料的无机绝缘层。
驱动电压线PL可以包括其间具有第一有机绝缘层209、彼此电连接的下驱动电压线PL1和上驱动电压线PL2。下驱动电压线PL1可以与源电极SE和漏电极DE位于同一层中，并且可以包括与源电极SE和漏电极DE相同的材料。当驱动电压线PL如上所述具有其中各层彼此连接、其间具有绝缘层的多层结构时，可以防止驱动电压线PL的电阻增加，并且可以减小驱动电压线PL的宽度。根据另一实施例，驱动电压线PL可以仅包括下驱动电压线PL1和上驱动电压线PL2中的一条。
像素电极221可以被设置在有机绝缘层(例如，第三有机绝缘层213)上，并且可以电连接到像素电路PC的薄膜晶体管TFT。关于这方面，图6A图示了薄膜晶体管TFT和像素电极221经由第一有机绝缘层209上的第一接触金属CM1和第二有机绝缘层211上的第二接触金属CM2彼此电连接。
像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(“In2O3”)、氧化铟镓(“IGO”)或氧化铝锌(“AZO”)的透明导电氧化物。根据另一实施例，像素电极221可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物的反射层。根据另一实施例，像素电极221可以进一步包括在上述反射层上方/下方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。例如，像素电极221可以具有其中ITO层、Ag层和ITO层堆叠的三层结构。像素限定层215可以被设置在像素电极221上。像素限定层215可以覆盖像素电极221的边缘，并且可以限定在平面图中与像素电极221的中央部分重叠的开口215OP。像素限定层215可以增大像素电极221的边缘与像素电极221上方的对电极223之间的距离，以便防止在像素电极221的边缘处发生电弧等。像素限定层215可以通过使用旋涂法等通过使用诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO、酚醛树脂等的有机绝缘材料来形成。
中间层222可以被设置在像素限定层215上方以与像素电极221相对应。中间层222可以被设置在像素电极221与对电极223之间。
中间层222可以包括发射层222b。发射层222b可以包括有机发射材料，诸如发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。可替代地，发射层222b可以包括无机发射材料或量子点。
第一功能层222a和第二功能层222c可以分别被设置在发射层222b的上方和下方。第一功能层222a可以包括单层或多层。例如，第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(“HTL”)，并且可以包括聚(3,4)-乙烯二羟基噻吩(“PEDOT”)或聚苯胺(“PANI”)。可替代地，第一功能层222a可以包括空穴注入层(“HIL”)和HTL。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)。
图6A图示了中间层222包括第一功能层222a和第二功能层222c两者。然而，根据另一实施例，中间层222可以选择性地包括第一功能层222a和第二功能层222c中的一个。例如，中间层222可以不包括第二功能层222c。
尽管可以针对每个像素PX设置中间层222的发射层222b，但第一功能层222a和第二功能层222c可以一体地形成，以覆盖多个像素PX。例如，第一功能层222a和第二功能层222c中的每个可以一体地形成，以覆盖红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb(图3)。
对电极223可以被设置在像素电极221上，并且可以在平面图中与像素电极221重叠。对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的合金的(半)透明层。可替代地，对电极223可以进一步包括在包含上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极223可以一体地形成，以覆盖多个像素PX，例如，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb(图3)。例如，对电极223可以覆盖基板100的基底部分BS的全部。对电极223的面积可以与上述第一功能层222a的面积或第二功能层222c的面积不同。
发光二极管LED可以包括其中像素电极221、中间层222和对电极223堆叠的结构。发光二极管LED可以发射红光、绿光或蓝光，并且每个发光二极管LED的发射区域可以与像素PX相对应。由于像素限定层215的开口215OP可以限定发射区域的尺寸和/或宽度，因此像素PX的尺寸和/或宽度可以取决于限定在与该像素PX相对应的像素限定层215中的开口215OP的尺寸和/或宽度。
图6A和图6B中所示的发光二极管LED的结构同样可以应用于发射不同颜色的光的像素PX。然而，由于由提供在像素PX中的发射层发射的光的颜色彼此不同，因此像素PX的发射层的特定材料可以彼此不同。
封盖层(未示出)可以形成在对电极223上。封盖层可以包括LiF。可替代地，封盖层可以包括诸如氮化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在一些实施例中，封盖层可以被省略。
对电极223的上部分可以被封装层300覆盖。封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据实施例，封装层300可以包括顺序地堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个可以包括一种或多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过化学气相沉积(“CVD”)形成。
有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。丙烯酸树脂可以包括例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等。有机封装层320可以通过固化单体或涂布聚合物来形成。有机封装层320可以是透明的。有机封装层320可以仅位于每个基底部分BS上。因此，显示装置1可以包括设置在基底部分BS上以彼此隔开的有机封装层320。
辅助布线层AW可以与像素电极221设置在同一层中。辅助布线层AW可以被设置在有机绝缘层(例如，第三有机绝缘层213)上。辅助布线层AW可以包括与像素电极221相同的材料。
辅助布线层AW的一部分可以在与基板100的上表面平行的水平方向(或辅助布线层AW的宽度方向)上延伸，并且可以在水平方向上远离设置在辅助布线层AW正下方的有机绝缘层(例如，第三有机绝缘层213)的侧表面突出，以形成尖端PT。作为凹陷空间的凹部R可以被限定在尖端PT下方，并且凹部R的深度可以足够大，以至少穿透第三有机绝缘层213。根据实施例，如图6A中所示，凹部R的深度可以与第三有机绝缘层213、第二有机绝缘层211和第一有机绝缘层209的厚度基本相同。这里，凹部R的深度可以被限定为凹部R在厚度方向(即，z方向)上的长度。
可以在有机绝缘层的设置在辅助布线层AW下方的部分被移除时形成凹部R。例如，可以通过移除第三有机绝缘层213的边缘部分而形成凹部R。根据实施例，图6A图示了通过移除第三有机绝缘层213、第二有机绝缘层211和第一有机绝缘层209的边缘部分来限定凹部R。在此情况下，凹部R可以由第三有机绝缘层213、第二有机绝缘层211和第一有机绝缘层209的侧表面限定。
可以通过经由刻蚀移除上述第三有机绝缘层213、第二有机绝缘层211和第一有机绝缘层209的边缘部分来形成凹部R。这里，设置在第一有机绝缘层209下方的第一无机绝缘层208可以用作刻蚀阻挡件。在此情况下，第一无机绝缘层208的上表面可以与凹部R的底表面相对应。辅助布线层AW的端部(例如，尖端PT)可以在水平方向上从第三有机绝缘层213、第二有机绝缘层211和第一有机绝缘层209的侧表面突出。即，尖端PT可以在辅助布线层AW的宽度方向上远离像素电极221突出。
由于由辅助布线层AW的端部(其中该端部从第三有机绝缘层213的侧表面突出)形成的悬垂结构(或檐结构或底切结构)，因此提供在中间层222中的至少一个有机材料层(例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c)可以分别断开或分离。可以在形成中间层222之前形成上述悬垂结构。由于悬垂结构，一体地形成以覆盖多个像素PX的发光二极管LED的有机材料层(例如，第一功能层222a和第二功能层222c)可以相对于尖端PT断开或分离。关于这方面，图6A图示了第一功能层222a和第二功能层222c中的每个被尖端PT分离并且彼此隔开。例如，尽管第一功能层222a和第二功能层222c中的每个的大部分可以位于像素限定层215上，但第一功能层222a和第二功能层222c中的每个的一个或多个部分可以保留在辅助布线层AW的一部分上和/或保留在形成在尖端PT下方的凹部R的底表面(例如，第一无机绝缘层208)上。
类似地，由于悬垂结构，对电极223可以断开或分离。关于这方面，图6A图示了对电极223基于尖端PT而分离。尽管对电极223的大部分可以位于像素限定层215上，但对电极223的边缘部分可以保留在辅助布线层AW的一部分和/或保留在形成在尖端PT下方的凹部R的底表面(例如，第一无机绝缘层208)上。
辅助布线层AW的端部(该端部形成悬垂结构)的底表面AW-B(例如，尖端PT的底表面AW-B)可以直接接触包含在封装层300中的至少一个无机封装层。例如，封装层300的第一无机封装层310可以直接接触辅助布线层AW的尖端PT的底表面AW-B，使得可以形成无机接触区域ICA。无机接触区域ICA可以防止外部水分渗透到提供在每个像素PX中的发光二极管LED中。
如上面参考图3所描述的，辅助布线层AW可以沿基底部分BS的边缘延伸，并且可以连续地形成，以在平面透视图中(或者当在与基板100的上表面垂直的方向上观察时)完全围绕像素PX。换句话说，辅助布线层AW可以具有闭环形状，以在平面图中包围像素PX。此外，辅助布线层AW的尖端PT通常可以沿辅助布线层AW的外边缘AW-OE(图5)形成。无机接触区域ICA可以由辅助布线层AW的尖端PT形成，尖端PT接触第一无机封装层310。因此，在平面透视图中(即，在平面图中)，无机接触区域ICA也可以延伸以完全围绕像素PX，并且像素PX可以被设置在无机接触区域ICA中。无机接触区域ICA的宽度可以取决于辅助布线层AW的尖端PT的宽度。
与第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223不同，通过CVD形成的第一无机封装层310可以具有相对优异的台阶覆盖，并且因此，也可以形成在尖端PT的底表面AW-B上。第一无机封装层310可以在向下的方向上从对电极223的上部分朝着基板100延伸。此外，第一无机封装层310可以连续地延伸以覆盖尖端PT的底表面AW-B、第一至第三有机绝缘层209、211和213的侧表面以及基板100的侧表面。
和第一无机封装层310一样，第二无机封装层330可以连续地延伸，以覆盖有机封装层320的上表面和基板100的侧表面。因此，可以防止水分在显示装置的横向方向上渗透例如穿过有机材料层220的侧表面以及第一至第三有机绝缘层209、211和213的侧表面。
基于辅助布线层AW的尖端PT的悬垂结构可以将第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223断开或分离。此外，第一无机封装层310和第二无机封装层330以及尖端PT可以形成无机接触区域ICA。因此，可以防止水分渗透。基于此结构，不需要形成额外的无机接触区域，并且可用区域增大。因此，可以实现高度集成并且具有高分辨率的显示装置。
公共电力线WL可以被设置在基板100上。根据实施例，公共电力线WL可以被设置在第二有机绝缘层211上。在此情况下，辅助布线层AW可以通过限定在设置在公共电力线WL上的第三有机绝缘层213中的接触孔AWCNT电连接到公共电力线WL。根据另一实施例，公共电力线WL可以被设置在第一有机绝缘层209上。在此情况下，辅助布线层AW可以通过限定在第三有机绝缘层213和第二有机绝缘层211中的接触孔电连接到公共电力线WL。如上所述，辅助布线层AW可以电连接到公共电力线WL，并且可以从公共电力线WL接收公共电压ELVSS。
图6B是根据另一实施例的显示装置的截面图。将不描述图6B中的与图6A的部件相同的部件，并且将主要描述不同方面。
参考图6B，第三无机绝缘层214可以被设置在有机绝缘层(例如，第三有机绝缘层213)与像素电极221之间。第三无机绝缘层214可以包括诸如氮化硅、氧化硅和氧氮化硅的无机绝缘材料。
第三无机绝缘层214可以包括在水平方向(或辅助布线层AW的宽度方向)上延伸以从第三有机绝缘层213的限定凹部R的侧表面进一步突出的突出部分。第三无机绝缘层214的突出部分可以被设置在辅助布线层AW的尖端PT下方。在此情况下，凹部R的上表面可以与第三无机绝缘层214的底表面214B相对应，并且第三无机绝缘层214的突出部分和辅助布线层AW的尖端PT可以形成悬垂结构。
第三无机绝缘层214的突出部分的底表面214B可以直接接触提供在封装层300中的至少一个无机封装层。例如，当封装层300的第一无机封装层310直接接触包括无机绝缘材料的第三无机绝缘层214的突出部分的底表面214B时，可以形成无机接触区域ICA。由于第一无机封装层310和第三无机绝缘层214两者可以包括无机绝缘材料，因此可以提高第一无机封装层310和第三无机绝缘层214的接触的刚性。
设置在第三无机绝缘层214上的辅助布线层AW可以通过限定在第三无机绝缘层214和第三有机绝缘层213中的接触孔AWCNT，电连接到设置在第二有机绝缘层211上的公共电力线WL。
图7A和图7B是根据实施例的、沿图5的线VII-VII’截取的显示装置的截面图。
参考图7A，基板100的基底部分BS和连接部分CN可以一体地形成，并且基底部分BS的结构可以与上面参考图6A描述的基底部分BS的结构相对应。基底部分BS上的无机绝缘层可以不延伸到连接部分CN上。例如，缓冲层201、栅绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的边缘可以位于基底部分BS上，并且可以被有机材料层220覆盖。类似地，第一无机绝缘层208和第三无机绝缘层214可以不延伸到连接部分CN上。
公共电力线WL可以包括位于基底部分BS上的第一部分WL1以及从第一部分WL1延伸到连接部分CN上的第二部分WL2。如下所述，公共电力线WL可以通过基底部分BS上的辅助布线层AW将公共电压ELVSS提供到对电极223。
第二有机绝缘层211可以支撑公共电力线WL，并且可以从基底部分BS延伸到连接部分CN上。支撑第二有机绝缘层211的第一有机绝缘层209也可以从基底部分BS延伸到连接部分CN上。
无机接触区域ICA也可以位于与连接部分CN邻近的基底部分BS上。如上面参考图6A和图6B所描述的，可以在具有悬垂结构的辅助布线层AW的尖端PT的底表面AW-B或第三无机绝缘层214的一部分的底表面214B接触第一无机封装层310时形成无机接触区域ICA。图7A图示了由于第三无机绝缘层214的该部分的底表面214B接触第一无机封装层310而形成无机接触区域ICA，如上面参考图6B所描述的。
根据实施例，图7A图示了第三有机绝缘层213包括凹部R。凹部R可以由基底部分BS上的第三有机绝缘层213的侧表面限定。第三有机绝缘层213不仅可以位于基底部分BS上，而且可以位于连接部分CN上。然而，第三有机绝缘层213可以彼此隔开以形成凹部R，并且凹部R可以形成在基底部分BS上的第三有机绝缘层213上。
辅助布线层AW和第三无机绝缘层214可以位于基底部分BS上，并且可以不位于连接部分CN上。辅助布线层AW可以通过限定在第三无机绝缘层214和第三有机绝缘层213中的接触孔AWCNT电连接到公共电力线WL。基于此结构，辅助布线层AW可以从公共电力线WL接收公共电压ELVSS。
第三有机绝缘层213上的像素限定层215可以位于基底部分BS和连接部分CN上，并且基底部分BS上的像素限定层215和连接部分CN上的像素限定层215可以彼此隔开。基底部分BS上的第三有机绝缘层213与连接部分CN上的第三有机绝缘层213之间的空间区域在平面图中可以与基底部分BS上的像素限定层215与连接部分CN上的像素限定层215之间的空间区域重叠。
像素限定层215可以部分地覆盖辅助布线层AW，以暴露辅助布线层AW的位于基底部分BS上的部分。如下所述，被暴露的部分可以与接触对电极223的接触区域相对应。
如上面参考图5所描述的，第一功能层222a和第二功能层222c可以被设置在基底部分BS上，并且第一功能层222a和第二功能层222c的部分也可以被设置在连接部分CN上。图7A图示了沿图5的线VII-VII’截取的显示装置，其中第一功能层222a的边缘222a-e和第二功能层222c的边缘222c-e位于基底部分BS上，并且不延伸到连接部分CN上。沿基底部分BS的边缘设置的辅助布线层AW可以通过第一功能层222a和第二功能层222c在其中不延伸到基底部分BS的边缘上的区域被暴露。
对电极223可以位于基底部分BS和连接部分CN上，并且可以通过由辅助布线层AW的尖端PT形成的悬垂结构被断开或分离。根据另一实施例，通过调整用于形成对电极223的掩模的开口区域的尺寸，对电极223可以不位于连接部分CN上。
对电极223可以通过接触辅助布线层AW的被像素限定层215暴露的部分来形成电极接触区域ECA。电极接触区域ECA可以被设置在辅助布线层AW的尖端PT上方。图7A图示了电极接触区域ECA的宽度小于辅助布线层AW的尖端PT的突出长度。然而，根据本发明的公开并不限于此。在另一实施例中，电极接触区域ECA的宽度可以大于尖端PT的突出长度。电极接触区域ECA可以取决于辅助布线层AW的被像素限定层215暴露的区域。
对电极223可以通过电极接触区域ECA从辅助布线层AW接收公共电压ELVSS。基于此结构，不需要在基底部分BS的边缘的内部中形成额外的接触结构，对电极223和公共电力线WL就可以在与基底部分BS的边缘邻近的区域中彼此电连接。因此，像素电极221可以被设置在其中的区域和像素PX的开口率可以增大。
为了防止在用于形成其中辅助布线层AW的端部从第三有机绝缘层213的侧表面进一步突出的悬垂结构的工艺(例如，刻蚀工艺)中对公共电力线WL的损坏，第二无机绝缘层212可以位于公共电力线WL上。第二无机绝缘层212可以被设置成使得第二无机绝缘层212的至少一部分在平面图中与无机接触区域ICA重叠。例如，第二无机绝缘层212可以在基底部分BS与连接部分CN中的每个连接部分CN之间，并且第二无机绝缘层212的一部分可以在平面图中与无机接触区域ICA重叠。
封装层300的有机封装层320可以仅位于每个基底部分BS上。然而，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以连续地形成为位于基底部分BS和连接部分CN上。尽管第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过接触尖端PT下方的第三无机绝缘层214的底表面214B来形成无机接触区域ICA，但第一无机封装层310和第二无机封装层330可以连续地延伸，以在连接部分CN上彼此接触。
图7A图示了图5中所示的四个连接部分CN中的任一个与基底部分BS之间的截面结构。然而，根据本发明的公开并不限于此。图5中所示的其他连接部分CN与基底部分BS之间的结构也可以与参考图7A描述的结构相对应。
参考图7B，对电极223可以通过限定在像素限定层215中的电极接触孔223-CNT接触辅助布线层AW。电极接触孔223-CNT可以位于基底部分BS的其中未设置有第一功能层222a和第二功能层222c的区域中。对电极223可以通过电极接触孔223-CNT从辅助布线层AW接收公共电压ELVSS。
图8是根据另一实施例的显示装置的基本单元的一个或多个层的示意性平面图。与上面参考图5描述的结构相同的结构将被省略，并且将集中于不同的结构给出描述。
第一辅助布线层AW1和第二辅助布线层AW2可以被设置在基板100的基底部分BS上。第一辅助布线层AW1和第二辅助布线层AW2可以沿基底部分BS的边缘被设置，并且可以连续地形成，以在平面透视图中(即，在平面图中)完全围绕像素电极221。换句话说，第一辅助布线层AW1和第二辅助布线层AW2可以均具有闭环形状，以在平面图中包围像素电极221。第二辅助布线层AW2可以被设置成与基底部分BS的最外部邻近，并且第一辅助布线层AW1可以被设置在第二辅助布线层AW2的内部。即，第一辅助布线层AW1在平面透视图中(即，在平面图中)可以被第二辅助布线层AW2完全围绕。第一辅助布线层AW1和第二辅助布线层AW2在平面透视图中(即，在平面图中)可以彼此隔开。
第一辅助布线层AW1可以包括朝向基底部分BS的内部的第一内边缘AW1-IE以及与第一内边缘AW1-IE相对的第一外边缘AW1-OE。第二辅助布线层AW2可以包括朝向基底部分BS的内部的第二内边缘AW2-IE以及与第二内边缘AW2-IE相对的第二外边缘AW2-OE。第二外边缘AW2-OE可以最邻近基底部分BS的最外部。
根据实施例，如下文中参考图9和图10所描述的，第一辅助布线层AW1可以包括在第一辅助布线层AW1的宽度方向上朝向基底部分BS的外部突出的第一尖端PT1(图9和图10)，并且第一尖端PT1通常可以沿第一外边缘AW1-OE形成。然而，第二辅助布线层AW2可以包括在第二辅助布线层AW2的宽度方向上朝向基底部分BS的内部突出的第二尖端PT2(图9)，并且第二尖端PT2可以沿第二内边缘AW2-IE形成，但可以部分地形成。例如，位于基底部分BS的一部分上的第二辅助布线层AW2可以不包括第二尖端PT2。该部分可以连接到连接部分CN。通过参考参照图9和图10的描述，该方面将变得显而易见。
根据另一实施例，第一尖端PT1和第二尖端PT2通常可以分别沿第一辅助布线层AW1的第一外边缘AW1-OE和第二辅助布线层AW2的第二内边缘AW2-IE形成。
图9是根据另一实施例的、沿图8的线IX-IX’截取的显示装置的截面图。基底部分BS上的结构可以与上面参考图6A和图6B描述的结构相对应。在下文中，将不给出相同结构的描述，并且将主要描述不同的结构。
参考图9，第一辅助布线层AW1和第二辅助布线层AW2可以位于基板100的基底部分BS上。第一辅助布线层AW1和第二辅助布线层AW2可以与像素电极221形成在同一层中，并且包括与像素电极221相同的材料。
第一辅助布线层AW1的一部分可以在与基板100的上表面平行的水平方向(或第一辅助布线层AW1的宽度方向)上延伸，并且可以从直接在第一辅助布线层AW1下方的有机绝缘层(例如，第三有机绝缘层213)的侧表面朝向基底部分BS的外部进一步突出，以便形成第一尖端PT1。作为凹陷空间的第一凹部R1可以形成在第一尖端PT1下方。第一凹部R1的深度可以例如小于第三有机绝缘层213的厚度。作为另一示例，第一凹部R1的深度可以足够穿透第三有机绝缘层213。作为另一示例，第一凹部R1的深度可以与第三有机绝缘层213、第二有机绝缘层211和第一有机绝缘层209的厚度基本相同。
类似地，第二辅助布线层AW2的一部分可以在与基板100的上表面平行的水平方向(或第二辅助布线层AW2的宽度方向)上延伸，并且可以从第三有机绝缘层213的侧表面朝向基底部分BS的内部进一步突出，以便形成第二尖端PT2。作为凹陷空间的第二凹部R2可以形成在第二尖端PT2下方。第二凹部R2的深度可以与第一凹部R1的深度基本相同。第二尖端PT2可以面对第一尖端PT1。
可以通过分别移除第一辅助布线层AW1下方的有机绝缘层的一部分和第二辅助布线层AW2下方的有机绝缘层的一部分，来形成第一凹部R1和第二凹部R2。第一凹部R1和第二凹部R2可以由其部分被移除的有机绝缘层的侧表面限定。图9图示了通过移除第三有机绝缘层213的部分来形成第一凹部R1和第二凹部R2。第一凹部R1和第二凹部R2可以面对相反的方向。可以理解，一个槽部分HP可以由第一凹部R1和第二凹部R2限定，并且第一辅助布线层AW1和第二辅助布线层AW2可以相对于槽部分HP彼此隔开。
由于由第一辅助布线层AW1的第一尖端PT1和第二辅助布线层AW2的第二尖端PT2形成的悬垂结构，中间层222的第一功能层222a和/或第二功能层222c可以基于第一尖端PT1和第二尖端PT2中的每个断开或分离。关于这方面，图9图示了第一功能层222a和第二功能层222c中的每个被第一尖端PT1和第二尖端PT2中的每个分离，并且第一功能层222a和第二功能层222c中的每个彼此隔开。例如，尽管第一功能层222a和第二功能层222c中的每个的大部分可以位于像素限定层215上，但第一功能层222a和第二功能层222c中的每个的一个或多个部分可以保留在第一凹部R1和第二凹部R2的底表面(或槽部分HP的底表面)上。
类似地，由于悬垂结构，对电极223可以断开或分离。关于这方面，图9图示了对电极223被第一尖端PT1和第二尖端PT2中的每个分离，并且对电极223的部分彼此隔开。例如，尽管对电极223的大部分可以位于像素限定层215上，但对电极223的一个或多个部分可以保留在第一凹部R1和第二凹部R2的底表面(或槽部分HP的底表面)上。
第三无机绝缘层214可以被设置在第一辅助布线层AW1和第二辅助布线层AW2下方。第三无机绝缘层214可以包括在水平方向(或第一辅助布线层AW1和第二辅助布线层AW2的宽度方向)上延伸以从第三有机绝缘层213的侧表面进一步突出的部分，该侧表面限定第一凹部R1和第二凹部R2中的每个。第三无机绝缘层214的突出部分可以被设置在第一辅助布线层AW1的第一尖端PT1和第二辅助布线层AW2的第二尖端PT2下方。在此情况下，第一凹部R1和第二凹部R2中的每个的上表面可以与第三无机绝缘层214的底表面214B相对应，并且第三无机绝缘层214的突出部分以及第一辅助布线层AW1的第一尖端PT1和第二辅助布线层AW2的第二尖端PT2可以形成悬垂结构。
第三无机绝缘层214的突出部分的底表面214B可以直接接触提供在封装层300中的至少一个无机封装层。例如，当封装层300的第一无机封装层310直接接触包括无机绝缘材料的第三无机绝缘层214的突出部分的底表面214B时，可以形成无机接触区域ICA。
像素限定层215可以被设置在第一辅助布线层AW1和第二辅助布线层AW2上，并且像素限定层215可以包括与包括第一凹部R1和第二凹部R2的槽部分HP相对应的穿透部分。可以理解，像素限定层215的一部分(该部分设置在第一辅助布线层AW1上)和像素限定层215的一部分(该部分设置在第二辅助布线层AW2上)可以基于穿透部分彼此隔开。
间隔件217可以被设置在第二辅助布线层AW2上方。间隔件217可以被设置在像素限定层215上。间隔件217可以沿基底部分BS的边缘形成，并且可以在平面透视图中(即，在平面图中)围绕像素PX。间隔件217在平面透视图中(即，在平面图中)可以位于第二尖端PT2外部。间隔件217可以包括诸如PI的有机绝缘材料。间隔件217可以包括与像素限定层215相同的材料。中间层222的第一功能层222a、第二功能层222c以及对电极223的部分可以位于间隔件217上。
第一无机封装层310可以完全覆盖对电极223。另外，第一无机封装层310可以从对电极223的上部分朝向基板100向下延伸，并且可以连续地延伸，以覆盖第三无机绝缘层214的底表面214B、第一至第三有机绝缘层209、211和213的侧表面以及基板100的侧表面。
有机封装层320可以被设置在第一无机封装层310上，并且可以仅被设置在基底部分BS上方。有机封装层320可以被设置在第一凹部R1和第二凹部R2中，并且可以填充由第一凹部R1和第二凹部R2限定的槽部分HP。基于此结构，可以充分防止外部材料或水分渗透到基底部分BS中。
有机封装层320的尖端可以位于间隔件217的一侧。可以通过用单体涂布基板100并固化单体来形成有机封装层320。这里，可以经由间隔件217控制单体的流动。可以调整单体的厚度，即，有机封装层320的厚度。像这样，间隔件217可以相对于有机封装层320执行隔断墙的功能。
第二无机封装层330也可以连续地延伸，以覆盖有机封装层320的上表面和基板100的侧表面。因此，可以防止水分在显示装置的横向方向上例如渗透通过有机材料层220的侧表面以及第一至第三有机绝缘层209、211和213的侧表面。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以连续地形成为位于基底部分BS和连接部分CN上。
图10是根据另一实施例的、沿图8的线X-X’截取的显示装置的截面图。将不描述与上面参考图7A和图9描述的部件相同的部件，并且下面将主要描述不同方面。
参考图10，第一辅助布线层AW1可以位于基板100的基底部分BS上。第一辅助布线层AW1的端部可以形成第一尖端PT1，并且第一凹部R1可以形成在第一尖端PT1下方，如上面参考图9所描述的。
第一辅助布线层AW1可以通过限定在第三无机绝缘层214和第三有机绝缘层213中的第一接触孔AWCNT1电连接到公共电力线WL。基于此结构，第一辅助布线层AW1可以从公共电力线WL接收公共电压ELVSS。
像素限定层215可以部分地覆盖第一辅助布线层AW1，以暴露位于基底部分BS上的第一辅助布线层AW1的部分。被暴露的部分可以与像素限定层215上的接触区域相对应，该接触区域接触对电极223。
如上面参考图5所描述的，第一功能层222a和第二功能层222c可以被设置在基底部分BS上，并且第一功能层222a和第二功能层222c的部分也可以被设置在连接部分CN上。图10图示了沿图8的线X-X’截取的显示装置的截面结构，其中第一功能层222a的边缘222a-e和第二功能层222c的边缘222c-e位于基底部分BS上，并且不延伸到连接部分CN上。第一辅助布线层AW1可以通过第一功能层222a和第二功能层222c在其中不延伸到基底部分BS的边缘上的区域被暴露。
对电极223可以被形成为位于基底部分BS和连接部分CN上，并且可以通过由第一辅助布线层AW1的第一尖端PT1形成的悬垂结构被断开或分离。根据另一实施例，通过调整用于形成对电极223的掩模的开口区域的尺寸，对电极223可以不位于连接部分CN上。
对电极223可以通过接触第一辅助布线层AW1的被像素限定层215暴露的部分来形成第一电极接触区域ECA1。第一电极接触区域ECA1可以被设置在第一辅助布线层AW1的第一尖端PT1上方。第一电极接触区域ECA1可以取决于第一辅助布线层AW1的被像素限定层215暴露的区域。对电极223可以通过第一电极接触区域ECA1从第一辅助布线层AW1接收公共电压ELVSS。基于此结构，不需要在基底部分BS的边缘的内部形成额外的接触结构，对电极223和公共电力线WL就可以在与基底部分BS的边缘邻近的区域中彼此电连接。因此，像素电极221可以被设置在其中的区域和像素PX的开口率可以增大。
第二辅助布线层AW2可以被设置在基板100的基底部分BS上。位于基底部分BS的一部分(该部分连接到连接部分CN)上的第二辅助布线层AW2可以不包括如图9中所示的第二尖端PT2。因此，当对电极223被设置在基底部分BS和连接部分CN上时，对电极223可以从基底部分BS延伸到连接部分CN上，而不被第二辅助布线层AW2断开。对电极223可以位于第二辅助布线层AW2上方和下方，并且可以覆盖形成台阶差的像素限定层215和第三有机绝缘层213的边缘。
此外，如图9中所示的第二凹部R2可以不形成在位于基底部分BS的连接到连接部分CN的部分上的第二辅助布线层AW2下方的有机绝缘层上。因此，槽部分HP可以由第一凹部R1限定，并且第一辅助布线层AW1和第二辅助布线层AW2可以相对于槽部分HP彼此隔开。此外，像素限定层215可以包括与槽部分HP相对应的穿透部分。
第二辅助布线层AW2可以通过限定在第三有机绝缘层213中的第二接触孔AWCNT2电连接到公共电力线WL。第二辅助布线层AW2可以通过公共电力线WL接收公共电压ELVSS，并且可以不被电浮置。基于此结构，可以使由于外部静电现象引起的不利影响最小化。
尽管封装层300的有机封装层320可以仅位于每个基底部分BS上，但第一无机封装层310和第二无机封装层330可以连续地形成为位于基底部分BS和连接部分CN上。第一无机封装层310可以接触第一尖端PT1下方的第三无机绝缘层214的底表面214B，以便形成无机接触区域ICA。此外，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以连续地延伸，以在连接部分CN上彼此接触。
有机封装层320可以被设置在第一凹部R1中，并且可以填充由第一凹部R1限定的槽部分HP。有机封装层320的尖端可以位于间隔件217的一侧。可以通过用单体涂布基板100并固化单体来形成有机封装层320。这里，可以经由间隔件217控制单体的流动。可以调整单体的厚度，即，有机封装层320的厚度。像这样，间隔件217可以相对于有机封装层320用作隔断墙。
图11是根据另一实施例的显示装置1的示意性透视图。
参考图11，显示装置1可以包括显示区域DA以及显示区域DA外部的外围区域PA。显示区域DA可以包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。显示装置1可以通过设置在显示区域DA中的多个像素PX的阵列来提供图像。多个像素PX可以被设置在第一至第三显示区域DA1、DA2和DA3中。例如，第一至第三显示区域DA1至DA3可以分别包括第一至第三像素PX1、PX2和PX3。
显示装置1可以通过使用从设置在第一至第三显示区域DA1、DA2和DA3中的像素PX发射的光来提供第一图像至第三图像。在一些实施例中，第一图像至第三图像可以是由显示装置1的显示区域DA提供的图像的部分。此外，在一些实施例中，显示装置1可以提供作为单独图像的第一图像至第三图像。
如图11中所示，显示装置1可以在平面透视图中(即，在平面图中)具有矩形形状，其中矩形形状的拐角部分CP可以是圆形的。然而，根据本发明的公开并不限于此。显示装置1可以具有各种形状，诸如除矩形之外的多边形(诸如三角形、正方形等)形状、圆形形状、椭圆形形状等。在下文中，为了便于描述，将主要描述显示装置1在平面透视图中具有矩形形状的情况，该矩形形状具有圆形拐角部分CP。
第一显示区域DA1可以包括在平面透视图中(即，在平面图中)具有矩形形状的前显示区域FDA以及分别与前显示区域FDA的第一至第四边缘E1、E2、E3和E4邻近的第一至第四侧显示区域SDA1、SDA2、SDA3和SDA4。第一显示区域DA1可以被部分地弯曲。在一些实施例中，第一显示区域DA1的前显示区域FDA可以是平坦的，并且第一至第四侧显示区域SDA1、SDA2、SDA3和SDA4中的每个可以通过具有特定的曲率而弯曲。第一至第四侧显示区域SDA1、SDA2、SDA3和SDA4的曲率可以彼此相同或不同。由于第一显示区域DA1可以被部分地弯曲，因此可以提高显示装置1的美感。
第二显示区域DA2可以被设置在第一显示区域DA1的拐角处，以与第一显示区域DA1隔开。第三显示区域DA3可以被设置在第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间。第三显示区域DA3可以与第一显示区域DA1的前显示区域FDA、第一侧显示区域SDA1和/或第二侧显示区域SDA2的拐角邻近。此外，第三显示区域DA3可以与第二显示区域DA2邻近。在一些实施例中，显示装置1可以包括四个第二显示区域DA2和/或四个第三显示区域DA3。
外围区域PA可以是不提供图像的区域，并且可以与非显示区域相对应。外围区域PA可以全部或部分地围绕显示区域DA。用于将电信号或电力提供到像素PX的驱动器等可以被设置在外围区域PA中。与电子元件或印刷电路板在其中可以电连接的区域相对应的焊盘可以被设置在外围区域PA中。驱动器也可以被设置在第三显示区域DA3中。
显示装置1的四个侧部分SP中的每个可以通过具有特定的曲率而弯曲，从而具有朝向不同方向弯曲的表面。例如，第一侧部分SP1可以具有朝向包括x方向和z方向的平面(即，x-z平面)的方向弯曲的表面。第二侧部分SP2可以具有朝向包括y方向和z方向的平面(即，y-z平面)的方向弯曲的表面。
显示装置1的四个拐角部分CP中的每个可以被设置在两个邻近的侧部分SP之间，并且可以与被弯曲以形成不同的弯曲表面的两个侧部分SP邻近。由于拐角部分CP可以连接两个侧部分SP，因此拐角部分CP的弯曲表面可以包括在各方向上连续形成的弯曲表面。
为了形成显示区域，即第二显示区域DA2和/或第三显示区域DA3，在拐角部分CP中，设置在拐角部分CP中的部件的一个或多个部分可能必须收缩并且其他部分可能必须被拉伸。因此，上面参考图1至图10描述的显示装置1的配置和结构可以应用于图11的显示装置1，例如，以便形成图11的显示装置1的第二显示区域DA2。上面的描述主要是关于显示装置给出的。然而，根据本发明的公开并不限于此。换句话说，制造显示装置的方法也可以包含在本公开的范围内。
如上所述，根据本公开的上述实施例中的一个或多个，可以实现具有高分辨率和可改变形状并且能够增大像素的开口率的显示装置。此外，可以提供使图案化工艺方便的显示装置。然而，本公开的范围并不限于此。
应理解，本文描述的实施例应仅以描述性的意义来考虑，而不是出于限制的目的。每一个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在其中进行形式和细节上的各种改变，而不脱离由所附权利要求书限定的精神和范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
包括基底部分和多个连接部分的基板，所述多个连接部分在彼此不同的方向上从所述基底部分延伸；
设置在所述基底部分上并且包括薄膜晶体管和存储电容器的像素电路；
位于所述像素电路上的有机绝缘层；
设置在所述有机绝缘层上并且电连接到所述像素电路的像素电极；
设置在所述有机绝缘层上的第一辅助布线层；
在平面图中与所述像素电极重叠的对电极；以及
在所述像素电极与所述对电极之间的发射层，
其中所述有机绝缘层限定第一凹部，所述第一辅助布线层具有在所述第一辅助布线层的宽度方向上从所述有机绝缘层的第一侧表面突出的第一尖端，并且所述第一侧表面限定所述第一凹部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一辅助布线层包括与所述像素电极相同的材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一辅助布线层具有闭环形状，以在所述平面图中围绕所述像素电极的全部。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，所述对电极接触所述第一辅助布线层的一部分。
5.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括设置在所述像素电极上并且限定在所述平面图中与所述像素电极重叠的开口的像素限定层，
其中所述像素限定层覆盖所述第一辅助布线层的部分，使得所述第一辅助布线层的所述一部分被暴露。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述对电极在所述第一尖端上方接触所述第一辅助布线层的所述一部分。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，进一步包括设置在所述基板上的公共电力线，
其中所述第一辅助布线层电连接到所述公共电力线。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述公共电力线包括：
位于所述基底部分上的第一部分；以及
从所述第一部分朝向所述多个连接部分中的至少一个延伸的第二部分。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，所述对电极包括被所述第一尖端分离的部分。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，进一步包括在所述像素电极与所述对电极之间的功能层，
其中所述功能层包括被所述第一尖端分离的部分。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，进一步包括设置在所述有机绝缘层与所述像素电极之间的无机绝缘层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层包括在所述第一辅助布线层的所述宽度方向上从所述有机绝缘层的所述第一侧表面突出的一部分，并且所述无机绝缘层的所述一部分被设置在所述第一尖端下方。
13.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，进一步包括覆盖所述对电极并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的封装层。
14.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，进一步包括与所述第一辅助布线层隔开的第二辅助布线层。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第二辅助布线层包括与所述像素电极和所述第一辅助布线层相同的材料。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层进一步限定在与所述第一凹部相反的方向上凹陷的第二凹部。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第二辅助布线层包括面对所述第一辅助布线层的所述第一尖端并且从所述有机绝缘层的第二侧表面突出的第二尖端，并且所述第二侧表面限定所述第二凹部。
18.根据权利要求14所述的显示装置，进一步包括设置在所述第二辅助布线层上方并且在所述平面图中围绕所述基底部分的全部的间隔件。
19.根据权利要求14所述的显示装置，进一步包括覆盖所述对电极并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的封装层。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述至少一个有机封装层的一部分被设置在所述第一凹部中。
CN202110760541.4A 2020-07-07 2021-07-06 显示装置 Pending CN113903780A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200083672A KR20220006161A (ko) 2020-07-07 2020-07-07 표시 장치
KR10-2020-0083672 2020-07-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113903780A true CN113903780A (zh) 2022-01-07

Family

ID=79173833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110760541.4A Pending CN113903780A (zh) 2020-07-07 2021-07-06 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11605686B2 (zh)
KR (1) KR20220006161A (zh)
CN (1) CN113903780A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220022516A (ko) 2020-08-18 2022-02-28 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012014868A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Sony Corp 表示装置
US9178174B2 (en) * 2012-03-27 2015-11-03 Sony Corporation Display device and method of manufacturing the same, method of repairing display device, and electronic apparatus
KR101994858B1 (ko) 2012-12-29 2019-07-01 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102246294B1 (ko) * 2014-08-04 2021-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
KR102374833B1 (ko) 2014-11-25 2022-03-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102405695B1 (ko) 2015-08-31 2022-06-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102699551B1 (ko) 2016-10-27 2024-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US11605686B2 (en) 2023-03-14
KR20220006161A (ko) 2022-01-17
US20220013609A1 (en) 2022-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11424429B2 (en) Display panel
CN108074960B (zh) 显示装置
CN107025875B (zh) 显示装置
US12133423B2 (en) Display apparatus having pixel electrodes arranged on a planarization layer
EP3690950B1 (en) Display device
US20160204171A1 (en) Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same
US20180277616A1 (en) Organic light-emitting display device
US20230422541A1 (en) Display apparatus having transmission area and method of manufacturing the same
EP3754714B1 (en) Display device
US11355567B2 (en) Display device
CN112117301A (zh) 显示面板
US11605802B2 (en) Display apparatus having a refractive layer
US20210175300A1 (en) Display apparatus
KR20210149279A (ko) 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20210149283A (ko) 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
EP3817062A2 (en) Organic light-emitting display apparatus
US20230147646A1 (en) Display panel and display device
KR20240017884A (ko) 표시 패널
US11495650B2 (en) Display apparatus
CN113903780A (zh) 显示装置
CN111697030A (zh) 显示装置
US20240065081A1 (en) Display apparatus and method of providing the same
EP4336988A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN118678810A (zh) 可拉伸显示装置
CN118475165A (zh) 可伸缩显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination