CN113890333A - 一种带接反保护的高压稳压电路 - Google Patents

一种带接反保护的高压稳压电路 Download PDF

Info

Publication number
CN113890333A
CN113890333A CN202111150701.XA CN202111150701A CN113890333A CN 113890333 A CN113890333 A CN 113890333A CN 202111150701 A CN202111150701 A CN 202111150701A CN 113890333 A CN113890333 A CN 113890333A
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
module
power supply
resistor
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111150701.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN113890333B (zh
Inventor
张超
牛智文
王雪艳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SENTRONIC TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO LTD
Original Assignee
SENTRONIC TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SENTRONIC TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO LTD filed Critical SENTRONIC TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO LTD
Priority to CN202111150701.XA priority Critical patent/CN113890333B/zh
Publication of CN113890333A publication Critical patent/CN113890333A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113890333B publication Critical patent/CN113890333B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
    • H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
    • H02H11/003—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供了一种带接反保护的高压稳压电路，包括带反接保护的电压输入模块、内部供电模块和低压稳压模块；电压输入模块用于将输入电压VIN输入电路中，同时具有输入电源VIN和地接反的方向保护功能以及具有防电压倒灌功能。内部供电模块用于给电荷泵和时钟模块供电，并且提供足够高的栅极电压保证低压稳压模块的最低工作电压。低压稳压模块对内部供电模块产生的预稳压电压进行进一步稳压，给芯片提供精确的VREG电压供电。本发明具有宽输入、输出电压稳定、地反接损伤芯片、防止电压倒灌等优点，可用于芯片内部电路供电。本发明可以防止电源、地反接时产生的大电流，避免芯片损伤；同时还可以防止输入电压比内部输出电压低时的电压倒灌。

Description

一种带接反保护的高压稳压电路
技术领域
本发明涉及电路技术领域，具体地，涉及一种带接反保护的高压稳压电路。
背景技术
用于将宽输入电压转换成可供使用的稳压器，例如，降压稳压器(转换器),可将直流电源的未经调节的电源转换为可用于负载的调节后的电压和电流，因此，平板电脑、笔记本电脑、便携式计算机、数字照相机、数字摄像机、手持游戏机、可穿戴装置(眼镜、腕带、手表、臂环、耳机等)等。
现在市场上使用稳压器的情况比较常见,但是大多数对于电源和地防反接并没有保护，尤其在高电压输入，大电流放电的场合。这样的稳压器一旦接反就会引起短路甚至烧毁元件和电路的危险。
专利文献为CN111488025A的发明专利公开了一种适用于高压的电源稳压电路，包括：选通模块、反馈电压模块、高压钳位负反馈调压模块、第一NMOS管以及逻辑模块，所述选通模块与所述第一NMOS管和所述高压钳位负反馈调压模块分别连接，所述反馈电压模块与所述高压钳位负反馈调压模块、所述逻辑模块以及所述第一NMOS管分别连接，所述高压钳位负反馈调压模块与所述选通模块、所述反馈电压模块以及所述第一NMOS管分别连接，所述第一NMOS管与所述选通模块、所述反馈电压模块以及所述高压钳位负反馈调压模块分别连接。本发明提供的适用于高压的电源稳压电路，利用低压NMOS管的精确反馈电压能力，使得负反馈电压精确，采用高压钳位NMOS管保证低压NMOS管正常工作，输出电压得到精确控制。但是上述方案无法实现接反保护。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种带接反保护的高压稳压电路。
根据本发明提供的一种带接反保护的高压稳压电路，包括带反接保护的电压输入模块、内部供电模块以及低压稳压模块，其中：
带反接保护的电压输入模块用于输入电压信号VIN，并产生电源电压输入至内部供电模块；
所述内部供电模块给电荷泵和时钟模块供电，并提供栅极电压保证低压稳压模块的最低工作电压；
所述低压稳压模块将内部供电模块产生的预稳压电压进一步稳压，给芯片提供电压VREG供电；同时将电压VREG返回带反接保护的电压输入模块进行比较。
优选地，所述带反接保护的电压输入模块包括高压NMOS器件NM1、高压PMOS器件PM1、比较器Comp1、稳压二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，其中：
所述高压NMOS器件NM1的源极连接芯片地GND；栅极连接比较器Comp1的输出端；漏极连接到电阻R4的一端；
所述高压PMOS器件PM1的源极连接到输入VIN；栅极连接到电阻R4的另一端；漏极与衬底相连；栅极与漏极之间通过电阻R3和稳压二极管D1连接；
所述稳压二极管D1相连，稳压二极管D1的正极与PM1的栅极相连，负极与PM1的漏极相连；
所述的输入VIN通过电阻R1与电阻R2串联时R2的分压，与比较器Comp1的正脚相连，低压稳压模块产生的输出电压VREG与比较器Comp1的负脚相连；
所述高压PMOS器件PM1的漏极输出至内部供电模块作为内部供电模块的电源电压。
优选地，内部供电模块包括高压NMOS器件NM2、高压PMOS器件PM2，高压PMOS器件PM3、稳压二极管D2、稳压二极管D3、电阻R5、电阻R6、电荷泵模块以及时钟模块，其中：
高压PMOS器件PM2，PM3接成电流镜形式，源极连接到从带反接保护的电压输入模块输出的电压；PM2接成二极管结构，通过电阻R5连接到芯片地GND，PM3的漏极通过稳压二极管D2连接到地，并且连接到电荷泵模块和时钟模块；
所述的电荷泵模块和时钟模块通过时钟信号相连，电荷泵模块输出至高压NMOS器件NM2的栅极，同时向上通过电阻R6连接到从带反接保护的电压输入模块输出的电压，向下通过稳压二极管D3连接到芯片地GND；
所述的高压NMOS器件NM2的漏极连接到从带反接保护的电压输入模块输出的电压，源极作为预稳压电压输出到低压稳压模块。
优选地，PM3的漏极连接稳压二极管D2的负极，稳压二极管D2的正极连接到地。
优选地，电荷泵模块连接稳压二极管D3的负极，稳压二极管D3的正极连接到地。
优选地，低压稳压模块的输出端连接带反接保护的电压输入模块的比较器Comp1的负脚。
优选地，所述输入电压信号VIN的电压值为3-40V。
优选地，稳压二极管D1的反向击穿电压为X时，则高压NMOS器件NM2的栅极电压最高可以被抬高至X。
优选地，低压稳压模块输出2.5V电压。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
1、本发明降低电路的功耗和实现的复杂度，同时还可防止电源、地反接时产生的大电流，避免芯片损伤。
2、本发明有着反接保护的作用，通过高压PMOS器件PM1为正向导通结构，PM1的源极连接到输入VIN；栅极连接到电阻R4的另一端，PM3的漏极与栅极和衬底短接，利用PMOS器件P型掺杂的源极和N型掺杂的衬底之间的PN结，构成一个由源极指向衬底的二极管结构，利用二极管的单向导电性，当电源、地反接时使此通路断开，保护芯片。
3、本发明有防止元件击穿的作用，稳压二极管D1具有防止栅漏电压击穿的作用，一般齐纳二极管的反向击穿电压值为5.8v，当漏极电压高于栅极电压5.8v后，稳压二极管D1被击穿使得栅漏电压不在继续增大，保护高压NMOS器件NM1。
4、本发明有防倒灌的作用，利用比较器Comp1比较输出电压VREG和输入电压VIN，及时的关闭高压NMOS器件NM1，做到防止电压倒灌；利用电阻R6保证此时电路的正常工作，提高芯片EMC能力。
5、本发明由于有电荷泵，因此有较一般高压稳压电路更高电源抑制比，特别是高频电源抑制比较低的问题。并且此发明的电路具有3.0V-40V的很宽的电压工作范围。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是本发明的结构框图。
图2是本发明的电路原理图。
图3是是PMOS管接成二极管的剖面图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
如图1至图3所示，根据本发明提供的一种带接反保护的高压稳压电路，包括：带反接保护的电压输入模块101、内部供电模块102和低压稳压模块103；电压输入模块101输入为电压VIN，输出为内部供电模块102提供电源电压；带反接保护的电压输入模块101既具有输入电源VIN和地接反的方向保护功能，又同时具有VIN比内部电压VREG低时的防电压倒灌功能，避免芯片损伤。内部供电模块102用于给电荷泵和时钟模块供电，输出提供足够高的栅极电压保证低压稳压模块103的最低工作电压。低压稳压模块103可对内部供电模块102产生的预稳压电压进行进一步稳压，给芯片提供精确的VREG电压供电。同时将电压VREG返回电压输入模块101进行比较。
参照图2，带反接保护的电压输入模块101包括一个高压NMOS器件NM1；一个高压PMOS器件PM1；一个比较器Comp1；一个稳压二极管D1；四个电阻R1、R2、R3、R4。NM1的源极都连接到芯片地GND；栅极连接到比较器Comp1的输出端；漏极连接到电阻R4的一端。PM1的源极连接到输入VIN；栅极连接到电阻R4的另一端；漏极与衬底相连；栅极与漏极之间通过电阻R3和稳压二极管D1相连。稳压二极管D1的正极与PM1的栅极相连，负极与PM1的漏极相连。VIN通过电阻R1与R2串联时R2的分压，与比较器Comp1的正脚相连，低压稳压模块103产生的输出电压VREG与比较器Comp1的负脚相连。
当正常输入电压VIN时，VIN经过R1和R2串联R2分压后比电压VREG高，比较器Comp1输出为高电平，NM1导通。由于PM1是一个较大的管子，因此此时输入电压VIN几乎无损的到达PM1的漏极。PM1漏极的电压高于栅极电压，电流通过电阻R3和R4流到NM1，此时电阻R3和R4就起到限流的作用，防止流过NM1的电流过大。而稳压二极管D1的反向击穿电压大约是5.8v，因此只要PM1漏极的电压超过栅极电压5.8v，便不会继续升高，保证PM1处于饱和状态，保证PM1的正常工作。PM1漏极的电压作为电源电压输入内部供电模块102。
参考图3，其中PM1的源极连接至高压电压输入VIN，栅极、衬底、漏极短接起来，利用PMOS器件P型掺杂的源极和N型掺杂的衬底之间的PN结，构成一个源极到漏极的二极管结构。可以当电源、地反接时有效保护芯片。
所述电源、地接反保护的具体方法为：当电源、地反接时，根据PM1通路断开，PM1的中漏极、衬底PN结的反偏，避免了电流从PM1漏极流至源极的损伤，保护芯片。
参照图2，内部供电模块102包括一个高压NMOS器件NM2；两个高压PMOS器件PM2，PM3；两个稳压二极管D2、D3；两个电阻R5、R6；一个电荷泵和一个时钟模块。两个高压PMOS器件PM2，PM3接成电流镜形式，源极连接到从带反接保护的电压输入模块101输出的电压(PM1的漏极)，PM2接成二极管结构，通过电阻R5连接到芯片地GND，PM3的漏极通过稳压二极管D2(连接到稳压二极管D2的负极)连接到地，并且连接到电荷泵模块和时钟模块。电荷泵模块和时钟模块通过时钟信号相连，电荷泵模块输出至高压NMOS器件NM2的栅极，同时向上通过电阻R6连接到从带反接保护的电压输入模块101输出的电压(PM1的漏极)，向下通过稳压二极管D3(连接到稳压二极管D3的负极)连接到芯片地GND。高压NMOS器件NM2的漏极连接到从带反接保护的电压输入模块101输出的电压(PM1的漏极)，源极作为预稳压电压输出到低压稳压模块103。
PM1漏极的电压作为电源电压为电流镜结构的两个高压PMOS器件PM2，PM3提供电源。并且加在R6的一端，但是由于稳压二极管D3的存在，高压NMOS器件NM2的栅极电压最高可以被抬高至大约5.8v，此时，若是VIN较高，PM1漏极的电压也较高，电路正常工作，高压NM2的源极电压近似为5.8v-VGS2，作为预稳压的电压输入低压稳压模块103。
低压稳压模块103可对内部供电模块102产生的预稳压电压进行进一步稳压，给芯片提供精确的VREG电压供电。
参照图2，低压稳压模块103将电压VREG返回电压输入模块101与经过分压后的输入电压VIN进行比较，输入比较器Comp1。当正常输入电压VIN时，VIN经过R1和R2串联R2分压后比电压VREG高，比较器Comp1输出为高电平，NM1导通。当输入电压VIN较低时，当VIN输入电压低于VTHNM2+2.5v，VIN经过R1和R2串联R2分压后比VREG低，此时NM1截止，同时PM3为电荷泵模块和时钟模块提供大约为的电源，电荷泵模块通过和时钟模块的配合，将输出电压不断抬高，由于稳压二极管D3的存在高压NMOS器件NM2的栅极电压最高可以被抬高至大约5.8v。同时高压PMOS器件PM1的源极漏极对调，但是由于没有电流，因此PM1栅极和源极电压相等(电阻R6两端电压相等)，高压PMOS器件PM1截止，防止电压倒灌。同时NM2的栅极电压流过R6再充当NM2的漏极电压，保证电路的正常工作。
综上，本发明提供一种带接反保护的高压稳压电路，本发明具有宽输入、输出电压稳定、面积小、可防止电源、地反接损伤芯片、防止电压倒灌等优点，可用于模拟集成电路，可用于模拟集成电路。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (9)

1.一种带接反保护的高压稳压电路，其特征在于，包括带反接保护的电压输入模块、内部供电模块以及低压稳压模块，其中：
带反接保护的电压输入模块用于输入电压信号VIN，并产生电源电压输入至内部供电模块；
所述内部供电模块给电荷泵和时钟模块供电，并提供栅极电压保证低压稳压模块的最低工作电压；
所述低压稳压模块将内部供电模块产生的预稳压电压进一步稳压，给芯片提供电压VREG供电；同时将电压VREG返回带反接保护的电压输入模块进行比较。
2.根据权利要求1所述的带接反保护的高压稳压电路，其特征在于，所述带反接保护的电压输入模块包括高压NMOS器件NM1、高压PMOS器件PM1、比较器Comp1、稳压二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，其中：
所述高压NMOS器件NM1的源极连接芯片地GND；栅极连接比较器Comp1的输出端；漏极连接到电阻R4的一端；
所述高压PMOS器件PM1的源极连接到输入VIN；栅极连接到电阻R4的另一端；漏极与衬底相连；栅极与漏极之间通过电阻R3和稳压二极管D1连接；
所述稳压二极管D1相连，稳压二极管D1的正极与PM1的栅极相连，负极与PM1的漏极相连；
所述的输入VIN通过电阻R1与电阻R2串联时R2的分压，与比较器Comp1的正脚相连，低压稳压模块产生的输出电压VREG与比较器Comp1的负脚相连；
所述高压PMOS器件PM1的漏极输出至内部供电模块作为内部供电模块的电源电压。
3.根据权利要求1所述的带接反保护的高压稳压电路，其特征在于，内部供电模块包括高压NMOS器件NM2、高压PMOS器件PM2，高压PMOS器件PM3、稳压二极管D2、稳压二极管D3、电阻R5、电阻R6、电荷泵模块以及时钟模块，其中：
高压PMOS器件PM2，PM3接成电流镜形式，源极连接到从带反接保护的电压输入模块输出的电压；PM2接成二极管结构，通过电阻R5连接到芯片地GND，PM3的漏极通过稳压二极管D2连接到地，并且连接到电荷泵模块和时钟模块；
所述的电荷泵模块和时钟模块通过时钟信号相连，电荷泵模块输出至高压NMOS器件NM2的栅极，同时向上通过电阻R6连接到从带反接保护的电压输入模块输出的电压，向下通过稳压二极管D3连接到芯片地GND；
所述的高压NMOS器件NM2的漏极连接到从带反接保护的电压输入模块输出的电压，源极作为预稳压电压输出到低压稳压模块。
4.根据权利要求3所述的带接反保护的高压稳压电路，其特征在于，PM3的漏极连接稳压二极管D2的负极，稳压二极管D2的正极连接到地。
5.根据权利要求3所述的带接反保护的高压稳压电路，其特征在于，电荷泵模块连接稳压二极管D3的负极，稳压二极管D3的正极连接到地。
6.根据权利要求2所述的带接反保护的高压稳压电路，其特征在于，低压稳压模块的输出端连接带反接保护的电压输入模块的比较器Comp1的负脚。
7.根据权利要求1所述的带接反保护的高压稳压电路，其特征在于，所述输入电压信号VIN的电压值为3-40V。
8.根据权利要求1所述的带接反保护的高压稳压电路，其特征在于，稳压二极管D1的反向击穿电压为X时，则高压NMOS器件NM2的栅极电压最高可以被抬高至X。
9.根据权利要求1所述的带接反保护的高压稳压电路，其特征在于，低压稳压模块输出2.5V电压。
CN202111150701.XA 2021-09-29 2021-09-29 一种带接反保护的高压稳压电路 Active CN113890333B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111150701.XA CN113890333B (zh) 2021-09-29 2021-09-29 一种带接反保护的高压稳压电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111150701.XA CN113890333B (zh) 2021-09-29 2021-09-29 一种带接反保护的高压稳压电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113890333A true CN113890333A (zh) 2022-01-04
CN113890333B CN113890333B (zh) 2022-07-08

Family

ID=79007829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111150701.XA Active CN113890333B (zh) 2021-09-29 2021-09-29 一种带接反保护的高压稳压电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113890333B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115021539A (zh) * 2022-08-09 2022-09-06 无锡力芯微电子股份有限公司 一种防电流反灌的电路结构
CN117613837A (zh) * 2023-12-05 2024-02-27 唐山标先电子有限公司 一种三相四线制用电设备的错相保护电路、方法及其应用

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014030317A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Furuno Electric Co Ltd 逆接続保護回路、及びこれを備えた電子機器
CN204103466U (zh) * 2014-10-31 2015-01-14 王立晖 一种mos管型太阳能充电保护电路
CN109167413A (zh) * 2018-10-11 2019-01-08 佛山职业技术学院 一种电池充电防反接和防倒灌电路
CN109213254A (zh) * 2018-11-08 2019-01-15 西安电子科技大学 一种电源管理电路及其芯片
CN110198029A (zh) * 2019-07-05 2019-09-03 上海趣致网络科技股份有限公司 一种芯片电源过压及反接保护电路及方法
CN111600594A (zh) * 2020-05-22 2020-08-28 赛卓电子科技（上海）有限公司 一种带接反保护的电平转换电路
CN111969577A (zh) * 2020-07-31 2020-11-20 一巨自动化装备（上海）有限公司 一种车用低功耗反接保护电路及其控制方法
CN212258469U (zh) * 2020-05-27 2020-12-29 珠海华毅电子科技有限公司 一种电池充电接反保护电路
CN113162014A (zh) * 2021-04-20 2021-07-23 赛卓电子科技（上海）有限公司 一种带防反接h桥驱动电路
CN213817240U (zh) * 2020-12-25 2021-07-27 中科领目(常州)智能科技有限公司 一种反接电压保护电路

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014030317A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Furuno Electric Co Ltd 逆接続保護回路、及びこれを備えた電子機器
CN204103466U (zh) * 2014-10-31 2015-01-14 王立晖 一种mos管型太阳能充电保护电路
CN109167413A (zh) * 2018-10-11 2019-01-08 佛山职业技术学院 一种电池充电防反接和防倒灌电路
CN109213254A (zh) * 2018-11-08 2019-01-15 西安电子科技大学 一种电源管理电路及其芯片
CN110198029A (zh) * 2019-07-05 2019-09-03 上海趣致网络科技股份有限公司 一种芯片电源过压及反接保护电路及方法
CN111600594A (zh) * 2020-05-22 2020-08-28 赛卓电子科技（上海）有限公司 一种带接反保护的电平转换电路
CN212258469U (zh) * 2020-05-27 2020-12-29 珠海华毅电子科技有限公司 一种电池充电接反保护电路
CN111969577A (zh) * 2020-07-31 2020-11-20 一巨自动化装备（上海）有限公司 一种车用低功耗反接保护电路及其控制方法
CN213817240U (zh) * 2020-12-25 2021-07-27 中科领目(常州)智能科技有限公司 一种反接电压保护电路
CN113162014A (zh) * 2021-04-20 2021-07-23 赛卓电子科技（上海）有限公司 一种带防反接h桥驱动电路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115021539A (zh) * 2022-08-09 2022-09-06 无锡力芯微电子股份有限公司 一种防电流反灌的电路结构
CN117613837A (zh) * 2023-12-05 2024-02-27 唐山标先电子有限公司 一种三相四线制用电设备的错相保护电路、方法及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN113890333B (zh) 2022-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113890333B (zh) 一种带接反保护的高压稳压电路
US8836302B2 (en) Low dropout voltage regulator and electronic device thereof
CN113703513B (zh) 防倒灌保护模块、低压差线性稳压器、芯片及供电系统
CN102570793B (zh) Dc-dc变换器中的功率管工作尺寸切换电路
US10756615B2 (en) Power supply conversion circuit
US9948178B2 (en) Semiconductor device including plurality of booster units
US9921595B2 (en) Circuit for generating stepped-down voltage
US20230122458A1 (en) Low dropout linear regulator and control circuit thereof
CN113434002B (zh) 一种具有钳位限流功能的高压ldo电路
WO2022057026A1 (zh) 一种内部电源产生电路
CN115903985A (zh) 适用于宽输入电压范围ldo电路的限流电路
Jhang et al. Design of a boost DC–DC converter with 82-mV startup voltage and fully built-in startup circuits for harvesting thermoelectric energy
CN109194126B (zh) 一种电源切换电路
US20230008441A1 (en) Linear regulation of spad shutoff voltage
JP2009104455A (ja) クランプ回路、それを用いた過電圧保護回路およびそれを用いた電子機器
CN109274268B (zh) 一种应用于芯片内部的高压转低压电路
CN107979285B (zh) 一种电源转换电路
CN106300965A (zh) 一种基于负载供电的升压电源ldo供电系统
CN111082546B (zh) 低功率启动并有电压监视功能的数控能量收集管理电路
CN114510113A (zh) 一种射频前端芯片的偏置电压产生电路
US10148182B2 (en) Voltage conversion circuit with bleed module
CN115333053B (zh) 一种辅助电路及电子设备
CN115328247B (zh) 供电模块以及稳压电路
CN117118219B (zh) 一种片内集成的软启动电路
CN114661084B (zh) 一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 201306 Room 101, No. 9 and 10, Lane 1775, Qiushan Road, Lingang xinpian District, pilot Free Trade Zone, Pudong New Area, Shanghai

Applicant after: Saizhuo Electronic Technology (Shanghai) Co.,Ltd.

Address before: 2 / F, 979 Yunhan Road, Lingang xinpian District, China (Shanghai) pilot Free Trade Zone, Pudong New Area, Shanghai 200120

Applicant before: SENTRONIC TECHNOLOGY (SHANGHAI) Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: A high-voltage voltage regulator circuit with reverse protection

Granted publication date: 20220708

Pledgee: CITIC Bank Limited by Share Ltd. Shanghai branch

Pledgor: Saizhuo Electronic Technology (Shanghai) Co.,Ltd.

Registration number: Y2024310000648